JPS61228400A - 放射線像変換方法およびその方法に用いられる放射線像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の分野］ 本発明は、放射線像変換方法およびその方法に用いられ
る放射線像変換パネルに関するものである。さらに詳し
くは、本発明は、輝尽性のビスマス賦活アルカリ金属ハ
ロゲン化物蛍光体を使用する放射線像変換方法、および
その方法に用いられる放射線像変換パネルに関するもの
である。

［発明の技術的背景および従来技術］ 従来、放射線像を画像として得る方法として、銀塩感光
材料からなる乳剤層を有する放射線写真フィルムと増感
紙（増感スクリーン）との組合わせを使用する、いわゆ
る放射線写真法が利用されている。上記従来の放射線写
真法にかわる方法の一つとして、たとえば、特開昭５５
−１２１４５号公報等に記載されているような輝尽性蛍
光体を利用する放射線像変換方法が知られている。この
方法は、被写体を透過した放射線、あるいは被検体から
発せられた放射線を輝尽性蛍光体に吸収させ、そののち
にこの蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波（励起光
）で時系列的に励起することにより、蛍光体中に蓄積さ
れている放射線エネルギーを蛍光（輝尽発光）として放
出させ、この蛍光を光電的に読取って電気信号を得、こ
の電気０信号を画像化するものである。

上記放射線像変換方法によれば、従来の放射線写真法を
利用した場合に比較して、はるかに少ない被曝線量で情
報量の豊富なＸ線画像を得ることができるという利点が
ある。従って、この放射線像変換方法は、特に医療診断
を目的とするＸ線撮影などの直接医療用放射線撮影にお
いて利用価値が非常に高いものである。

上記放射線像変換方法に用いられる輝尽性蛍光体として
、特開昭５５−１２１４５号公報には、下記組成式で表
わされる希土類元素賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン
化物蛍光体が開示されている。

ＣＢａｔ−ｘ　、Ｍ”、）ＦＸ：　ｙＡ（ただし、Ｍ２
＋はＭｇ、Ｃａ、Ｓ　ｒ、Ｚｎ、およびＣｄのうちの少
なくとも一つ、ＸはＣ１、Ｂｒ、および工のうちの少な
くとも一つ、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、’Ｄｙ、Ｐ
ｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、およびＥｒのうちの少なくとも
一つ、モしてＸは、０≦Ｘ≦０．６、ｙは、Ｏ≦ｙ≦０
．２である） この蛍光体は、Ｘ線などの放射線を吸収したのち、可視
光乃至赤外線領域の電磁波の照射を受けると近紫外領域
に発光（輝尽発光）を示すものである。

上述のように、輝尽性蛍光体を利用する放射線像変換方
法に用いられる蛍光体として、従来より上記希土類元素
賦活アルカリ土類金属ハロゲン化物蛍光体が知られてい
るが、輝尽性を示す蛍光体自体、この希土類元素賦活ア
ルカリ土類金属／Ｘロゲン化物蛍光体以外はあまり知ら
れていない。

［発明の要旨］ 本発明は、新規な輝尽性蛍光体の発明に基づくものであ
り、該輝尽性蛍光体を使用する放射線像変換方法および
放射線像変換パネルを提供するものである。

すなわち１本発明は、新規な輝尽性蛍光体を使用する放
射線像変換方法、およびその方法に用いられる放射線像
変換パネルを提供することをその目的とするものである
。

本発明者等は、輝尽性蛍光体の探索を目的として種々の
研究を行なってきた。その結果、下記組成式（Ｉ）で表
わされる新規なビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化物
蛍光体は輝尽発光を示すこと、すなわち該蛍光体はＸ線
、紫外線、電子線、γ線、α線、β線などの放射線を照
射したのち、４５０〜９００ｎｍの可視乃至赤外領域の
電磁波で励起すると近紫外乃至青色領域に輝尽発光を示
すことを見出し、そしてこの知見に基づいて本発明を完
成させるに至ったのである。

組成式（Ｉ）： ％式％（） （ただし、ＭｌはＲｈおよびＣ８からなる群より選ばれ
る少なくとも一種のアルカリ金属であり：ＸはＣ１、Ｂ
ｒおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハ
ロゲンであり；そしてＸは０＜ｘ≦０．２の範囲の数値
である）すなわち、本発明の放射線像変換方法は、被写
体を透過した、あるいは被検体から発せられた放射線を
、上記組成式（Ｉ）で表わされるビスマス賦活アルカリ
金属ハロゲン化物蛍光体に吸収させたのち、この蛍光体
に４５０〜９００ｎｍの波長領域の電磁波を照射するこ
とにより、該蛍光体に蓄積されている放射線エネルギー
を蛍光として放出させ、そしてこの蛍光を検出すること
を特徴とする 特に本発明の放射線−像変換方法において、上艷組成式
（Ｉ）におけるＭｌがＣｓである蛍光体を用いる場合に
は、特に高い感度が得られる。

また、本発明の放射線像変換パネルは、支持体と、この
支持体上に設けられた輝尽性蛍光体を分散状態で含有支
持する結合剤からなる少なくとも一層の蛍光体層とから
実質的に構成されており、該蛍光体層のうちの少なくと
も一層が上記組成式（Ｉ）で表わされるビスマス賦活ア
ルカリ金属ハロゲン化物蛍光体を含有することを特徴と
する。

［発明の構成］ 第１図は、本発明の放射線像変換方法に用いられるビス
マス賦活アルカリ金属ハロゲン化物蛍光体の輝尽励起ス
ペクトルを例示するものであり、第１図において曲線ｌ
、２および３はそれぞれＣｓＣ１：Ｂｉ蛍光体、ＣｓＢ
ｒ：Ｂｉ蛍光体およびＣｓＩ：Ｂｉ蛍光体の輝尽励起ス
ペクトルである。

ｉｔ図から、本発明に用いられる蛍光体は放射線照射後
４５０〜９００ｎｍの波長領域の電磁波で励起すると輝
尽発光を示すことがわかる。また第１図から、本発明に
用いられる蛍光体の輝尽励起スペクトルの最大ピークの
位置は、蛍光体の母体を構成するＣｓＸのＸがそれぞれ
ＣＭ（曲線１）、Ｂｒ（曲線２）および工（曲線３）で
ある順に後者のものほど長波長側にあり、特にＸがＩで
ある蛍光体は半導体レーザー光等の赤外線で効率良く励
起されることがわかる。本発明の放射線像変換方法にお
いて、励起光として用いられる電磁波の波長を４５０〜
９００ｎｍと規定したのは、このような事実に基づいて
である。

第２図は、本発明の放射線像変換方法に用いられるビス
マス賦活アルカリ金属ハロゲン化物蛍光体の輝尽発光ス
ペクトルを例示するものであり、第２図において曲線１
．２および３はそれぞれ上記ｃ７）ＣｓＣＪｌ：Ｂｉ蛍
光体、ＣｓＢｒ：Ｂｉ蛍光体およびＣｓＩ　：Ｂｉ蛍光
体の輝尽発光スペクトルである。

ｆＪＳ２図から明らかなように、本発明に用いられる蛍
光体は近紫外乃至青色領域に輝尽発光を示し、その輝尽
発光スペクトルのピークは約３５０〜４５０ｎｍの波長
領域にある。従って、本発明の放射線像変換方法におい
て放射線照射後、蛍光体を５００〜８５０ｎｍの波長領
域の電磁波で励起する場合には、輝尽発光と励起光との
分離が容易であり、かつ蛍光体の輝尽発光は高輝度とな
る。また第２図から、本発明に用いられる蛍光体の輝尽
発光スペクトルの最大ピークの位置は、上記の輝尽励起
スペクトルの最大ピーク位置と同様に、蛍光体の母体を
構成するＣｓＸのＸがそれぞれＣｆＬ（曲線１）、Ｂｒ
（曲線２）およびＩ（曲線３）である順に後者のものほ
ど長波長側にあることがわかる。

以上特定の蛍光体を例にとり、本発明に用いられるビス
マス賦活アルカリ金属ハロゲン化物蛍光体の輝尽発光特
性について説明したが、本発明に用いられるその他の蛍
光体についても、その輝尽発光特性は上記の蛍光体の輝
尽発光特性とほぼ同様であり、放射線の照射後４５０〜
９００ｎｍの波長領域の電磁波で励起すると近紫外乃至
青色領域に輝尽発光を示し、その発光のピークは３５０
〜４５Ｏｎｍ付近にあることが確認されている。

本発明の放射線像変換方法に用いられるビスマス賦活ア
ルカリ金属ハロゲン化物蛍光体は、その輝尽励起スペク
トルの波長領域が４５０〜９００ｎｍと広く、そのため
にこの蛍光体を゛使用する本発明の放射線像変換方法に
おいては励起光の波長を適当に変えることができる、す
なわち、その励起光源を目的に応じて適宜選択すること
が可能となる。たとえば、上記蛍光体の輝尽励起スペク
トルは約９００ｎｍにまで及んでいるために、励起光源
として小型で駆動電力の小さい半導体レーザー（赤外領
域に発光波長を有する）を利用することができ、従って
、放射線像変換方法を実施するための装置を小型化する
ことが可能となる。特に母体を構成するハロゲンが工で
ある蛍光体を用いる場合には、励起光源として半導体レ
ーザーを使用することにより効率の良い励起が可能であ
る。

また、輝尽発光の輝度および発光光との波長分離の点か
らは、本発明の放射線像変換方法における励起光は５０
０〜８５０　ｎｍの波長領域の電磁波であるのが好まし
い。

本発明の放射線像変換方法において、上記組成式（Ｉ）
で表わされるビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化物蛍
光体は、それを含有する放射線像変換パネル（蓄積性蛍
光体シートともいう）の形態で用いるのが好ましい。

放射線像変換パネルは、基本構造として、支持体と、そ
の片面に設けられた少なくとも一層の蛍光体層とからな
るものである。蛍光体層は、輝尽性蛍光体とこの輝尽性
蛍光体を分散状態で含有支持する結合剤からなる。なお
、この蛍光体層の支持体とは反対側の表面（支持体に面
していない側の表面）には一般に、透明な保護膜が設け
られていて、蛍光体層を化学的な変質あるいは物理的な
衝撃から保護している。

すなわち１本発明の放射線像変換方法は、前記の組成式
（Ｉ）で表わされるビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン
化物蛍光体からなる蛍光体層を有する放射線像変換パネ
ルを用いて実施するのが望ましい。

組成式（Ｉ）で表わされる輝尽性蛍光体を放射線像変換
パネルの形態で用いる本発明の放射線像変換方法におい
ては、被写体を透過した、あるいは被検体から発せられ
た放射線は、その放射線量に比例して放射線像変換パネ
ルの蛍光体層に吸収され、放射線像変換パネル上には被
写体あるいは被検体の放射線像が放射線エネルギーの蓄
積像として形成される。このＭｅｔ像は、４５０〜９０
０ｎｍの波長領域の電磁波（励起光）で励起することに
より、輝尽発光（蛍光）として放射させることができ、
この輝尽発光を光電的に読み取って電気信号に変換する
ことにより、放射線エネルギーの蓄積像を画像化するこ
とが可能となる。

本発明の放射線像変換方法を、組成式（Ｉ）で表わされ
る輝尽性蛍光体を放射線像変換パネルの形態で用いる態
様を例にとり、第３図に示す概略図を用いて具体的に説
明する。

第３図において、１１はＸ線などの放射線発生装置、１
２は被写体、１３は上記組成式（Ｉ）で表わされる輝尽
性蛍光体を含有する放射線像変換パネル、１４は放射線
像変換パネル１３上の放射線エネルギーのＭ積像を蛍光
として放射させるための励起源としての光源、１５は放
射線像変換パネル１３より放射された蛍光を検出する光
電変換装置、１６は光電変換装置１５で検出された光電
変換信号を画像として再生する装置、１７は再生された
画像を表示する装置、そして、１８は光源１４からの反
射光を透過させないで放射線像変換パネル１３より放射
された蛍光のみを透過させるためのフィルターである。

なお、第３図は被写体の放射線透過像を得る場合の例を
示しているが、被写体１２自体が放射線を発するもの（
本明細書においてはこれを被検体という）である場合に
は、上記の放射線発生装置１１は特に設置する必要はな
い。また、光電変換装置１５〜画像表示装置１７までは
、放射線像変換パネル１３から蛍光として放射される情
報を何らかの形で画像として再生できる他の適当な装置
に変えることもできる。

第３図に示されるように、被写体１２に放射線発生装置
１１からＸ線などの放射線を照射すると、その放射線は
被写体１２をその各部の放射線透過率に比例して透過す
る。被写体１２を透過した放射線は、次に放射線像変換
パネル１３に入射し、その放射線の強弱に比例して放射
線像変換パネル１３の蛍光体層に吸収される。すなわち
、放射線像変換パネル１３上には放射線透過像に相当す
る放射線エネルギーの蓄積像（一種の潜像）が形成され
る。

次に、放射線像変換パネル１３に光源１４を用いて４５
０〜９００ｎｍの波長領域の電磁波を照射すると、放射
線像変換パネル１３に形成された放射線エネルギーの蓄
積像は、蛍光として放射される。この放射される蛍光は
、放射線像変換パネル１３の蛍光体層に吸収された放射
線エネルギーの強弱に比例している。この蛍光の強弱で
構成される光信号を、たとえば、光電子増倍管などの光
電変換装置１５で電気信号に変換し、画像再生装置１６
によって画像として再生し１画像表示装置１７によって
この画像を表示する。

放射線像変換パネルに蓄積された画像情報を蛍光として
読み出す操作は、一般にレーザー光でパネルを時系列的
に走査し、この走査によってパネルから放射される蛍光
を適当な集光体を介して光電子増倍管等の光検出器で検
出し、時系列電気信号を得ることによって行なわれる。

この読出しは観察読影性能のより優れた画像を得るため
に、低エネルギーの励起光の照射による先読み操作と高
エネルギーの励起光の照射による本読み操作とから構成
されていてもよい（特開昭５８−６７２４０号公報参照
）、この先読み操作を行なうことにより本読み操作にお
ける読出し条件を好適に設定することができるとの利点
がある。

また、たとえば光電変換装置として光導電体およびフォ
トダイオードなどの固体光電変換素子を用いることもで
きる（特願昭５８−８６２２６号、特願昭５８−８６２
２７号、特願昭５８−２１９３１３号および特願昭５８
−２１９３１４号の各明細書、および特開昭５８−１２
１８７４号公報参照）、この場合には、多数の固体光電
変換素子がパネル全表面を覆うように構成され、パネル
と一体化されていてもよいし、“あるいはパネルに近接
した状態で配置されていてもよい、また、光電変換装置
は複数の光電変換素子が線状に連なったラインセンサで
あってもよいし、あるいは一画素に対応する一個の固体
光電変換素子から構成されていてもよい。

上記の場合の光源としては、レーザー等のような点光源
のほかに、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザー
等を列状に連ねてなるアレイなどの線光源であってもよ
い、このような装置を用いて読出しを行なうことにより
、パネルから放出される蛍光の損失を防ぐと同時に受光
立体角を大きくしてＳ／Ｎ比を高めることができる。ま
た、得られる電気信号は励起光の時系列的な照射によっ
てではなく、光検出器の電気的な処理によって時系列化
されるために、読出し速度を速くすることが可能である
。

画像情報の読出しが行なわれた放射線像変換パネルに対
しては、蛍光体の励起光の波長領域の光を照射すること
により、あるいは加熱することにより、残存している放
射線エネルギーの消去を行なってもよく、そうするのが
好ましい（特開昭５６−１１３９２号および特開昭５６
−１２５９９号公報参照）。この消去操作を行なうこと
により、次にこのパネルを使用した時の残像によるノイ
ズの発生を防止することができる。さらに、読出し後と
次の使用直前の二度に渡って消去操作を行なうことによ
り、自然放射能などによるノイズの発生を防いで更に効
率良く消去を行なうこともできる（特開昭５７−１１６
３００％公報参照）。

本発明の放射線像変換方法において、被写体の放射線透
過像を得る場合に用いられる放射線は、上記蛍光体がこ
の放射線の照射を受けた後、さらに上記電磁波で励起さ
れた時に輝尽発光を示しうるものであればいかなる放射
線であってもよく、たとえば、Ｘ線、電子線、紫外線な
ど一般によく知られている放射線を用いることができる
。また、被検体の放射線像を得る場合に直接に被検体か
ら発せられる放射線も、同様に上記蛍光体に吸収されて
輝尽発光のエネルギー源となるものであればいかなる放
射線であってもよく、その例としてはγ線、α線、β線
などの放射線を挙げることができる。

上記のようにして被写体もしくは被検体からの放射線を
吸収した蛍光体を励起する電磁波の光源としては、４５
０〜９００ｎｍの波長領域にバンドスペクトル分布をも
つ光を放射する光源のほかに、Ａｒイオンレーザ−１Ｈ
ｅ−Ｎｅレーザー、ルビー舎レーザー、半導体レーザー
、ガラス・レーザー、ＹＡＧレーザ−、Ｋｒイオンレー
ザ−１色素レーザー等のレーザーおよび発光ダイオード
などの光源を使用することができる。これらのうちでレ
ーザー光は、単位面積当りのエネルギー密度の高いレー
ザービームを放射線像変換パネルに照射することができ
るため、本発明において用いる励起用光源として好まし
い、それらのうちでその安定性および出力などの点から
、好ましいレーザー光はＨｅ−Ｎｅレーザーである。ま
た、半導体レーザーは、小型であること、駆動電力が小
さいこと、直接変調が可能なのでレーザー出力の安定化
が簡単にできること、などの理由により励起光源として
好ましい。

上述のように、効率の良い励起が可能であるという点か
ら、半導体レーザーは母体を構成するハロゲンがＩであ
る蛍光体の励起用光源として特に好ましい。

次に、本発明の放射線像変換方法に用いられる放射線像
変換パネルについて説明する。

この放射線像変換パネルは、前述のように、実質的に支
持体と、この支持体上に設けられた前記組成式（Ｉ）で
表わされるビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化物蛍光
体を分散状態で含有支持する結合剤からなる少なくとも
一層の蛍光体層とから構成される。

上記の構成を有する放射線像変換パネルは、たとえば、
次に述べるような方法により製造することができる。

まず、放射線像変換パネルに用いられる上記組成式（Ｉ
）で表わされるビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化物
蛍光体について説明する。

このビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化物蛍光体は、
たとえば、以下に記載するような製造法により製造する
ことができる。

まず、蛍光体原料として、 １）ＲｂＣＪｌ、ＣｓＣ１，ＲｂＢｒ、ＣｓＢｒ。

ＲｂＩおよびＣｓＩからなる群より選ばれる少なくとも
一種のアルカリ金属′ハロゲン化物、２）ハロゲン化物
、酸化物、硝酸塩、硫酸塩などのビスマスの化合物から
なる群より選ばれる少なくとも一種の化合物、 を用意する。場合によっては、さらにハロゲン化アンモ
ニウム（ＮＨａＸ’；ただし、Ｘ′はＣｆＬ、Ｂｒまた
は工である）などをフラックスとして使用してもよい。

蛍光体の製造に際しては、上記１）のアルカリ金属ハロ
ゲン化物、および２）のビスマス化合物を用いて、化学
量論的に１組成式（Ｉ）二Ｍ　’　Ｘ　：　ｘ　Ｂ　ｉ
　　　　　　（Ｉ　）（ただし、ＭｌはＲｂおよびＣｓ
からなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属
であり；ＸはＣ１、ＢｒおよびＩからなる群より選ばれ
る少なくとも一種のハロゲンであり；そしてＸはＯ＜Ｘ
≦０．２の範囲の数値である）に対応する相対比となる
ように秤量混合して、蛍光体原料の混合物を調製する。

本発明に用いられる蛍光体の製造法において、主として
輝尽発光輝度の点から、組成式（Ｉ）においてアルカリ
金属を表わすＭｌはＣｓであるのが好ましく、また、ビ
スマスの賦活量を表わすＸ値は５　Ｘ　１０−’≦Ｘ≦
１０−２の範囲にあるのが好ましい。

蛍光体原料混合物の調製は、 ｉ）上記１）および２）の蛍光体原料を単に混合するこ
とによって行なってもよく、あるいは、ｉｉ）上記１）
および２）の蛍光体原料を溶液の状態で混合したのち、
この溶液を加温下（好ましくは５０〜２００℃）で減圧
乾燥、真空乾燥、噴霧乾燥などにより乾燥して蛍光体原
料を混合することによって行なってもよい。

上記ｉ）およびｉｉ）のいずれの方法においても、混合
には、各種ミキサー、Ｖ型ブレンダー、ボールミル、ロ
ッドミルなどの通常の混合機が用いられる。

次に、上記のようにして得られた蛍光体原料混合物を石
英ポート、アルミナルツボ、石英ルツボなどの耐熱性容
器に充填し、電気炉中で焼成を行なう、焼成温度は５０
０〜１０００℃の範囲が適当であり、好ましくは６００
〜８００℃の範囲である。焼成時間は蛍光体原料混合物
の充填量および焼成温度などによっても異なるが、一般
には０．５〜６時間が適当である。焼成雰囲気としては
、少量の水素ガスを含有する窒素ガス雰囲気、あるいは
、−酸化炭素を含有する二酸化炭素雰囲気などの弱還元
性の雰囲気；窒素ガス、アルゴンガスなどの不活性ガス
雰囲気；および空気などの酸性雰囲気を利用する。

上記焼成によって粉末状の本発明の蛍光体が得られる。

なお、得られた粉末状の蛍光体については、必要に応じ
て、さらに、洗浄、乾燥、ふるい分けなどの蛍光体の製
造における各種の一般的な操作を行なってもよい。

次に、ビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化物蛍光体が
その中に分散せしめられて形成される蛍光体層の結合剤
の例としては、ゼラチン等の蛋白質、デキストラン等の
ポリサッカライド、またはアラビアゴムのような天然高
分子物質；および、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビ
ニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、塩化ビニ
リデン・塩化ビニルコポリマー、ポリアルキル（メタ）
アクリレート、塩化ビニル争酢酸ビニルコポリマー、ポ
リウレタン、セルロースアセテートブチレート、ポリビ
ニルアルコール、線状ポリエステルなどような合成高分
子物質などにより代表される結合剤を挙げることができ
る。このような結合剤のなかで特に好ましいものは、ニ
トロセルロース、線状ポリエステル、ポリアルキル（メ
タ）アクリレート、ニトロセルロースと線状ポリエステ
ルとの混合物、およびニトロセルロースとポリアルキル
（メタ）アクリレートとの混合物である・蛍光体層は、
たとえば、次のような方法により支持体上に形成するこ
とができる。

まず粒子状の輝尽性蛍光体と結合剤とを適当な溶剤に加
え、これを充分に混合して、結合剤溶液中に輝尽性蛍光
体が均一に分散した塗布液を調製する。

塗布液調製用の溶剤の例としては、メタノール、エタノ
ール、ｎ−プロパツール、ｎ−ブタノールなどの低級ア
ルコール；メチレンクロライド、エチレンクロライドな
どの塩素原子含有炭化水素；アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級ア
ルコールとのエステル：ジオキサン、エチレングリコー
ルモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチル
エーテルなどのエーテル；そして、それらの混合物を挙
げることができる。

塗布液における結合剤と輝尽性蛍光体との混合比は、目
的とする放射線像変換パネルの特性、蛍光体の種類など
によって異なるが、一般には結合剤と蛍光体との混合比
は、ｌ：１乃至１：１００（重量比）の範囲から選ばれ
、そして特に１：８、乃至１：４０（重量比）の範囲か
ら選ぶのが好ましい。

なお、塗布液には、該塗布液中における蛍光体の分散性
を向上させるための分散剤、また、形成後の蛍光体層中
における結合剤と蛍光体との間の結合力を向上させるた
めの可塑剤などの種々の添加剤が混合されていてもよい
、そのような目的に用いられる分散剤の例としては、フ
タル酸、ステアリン酸、カプロン酸、親油性界面活性剤
などを挙げることができる。そして可塑剤の例としては
、燐酸トリフェニル、燐酸トリクレジル、燐酸ジフェニ
ルなどの燐酸エステル；フタル酸ジエチル、フタル酸ジ
メトキシエチルなどのフタル酸工ステル；グリコール酸
エチルフタリルエチル、グリコール酸ブチルフタリルブ
チルなどのグリコール酸エステル；そして、トリエチレ
ングリコールとアジピン酸とのポリエステル、ジエチレ
ングリコールとコハク酸とのポリエステルなどのポリエ
チレングリコールと脂肪族二塩基酸とのポリエステルな
どを挙げることができる。

上記のようにして調製された蛍光体と結合剤とを含有す
る塗布液を、次に、支持体の表面に均一に塗布すること
により塗布液の塗膜を形成する。

この塗布操作は、通常の塗布手段、たとえば、ドクター
ブレード、ロールコータ−、ナイフコーターなどを用い
ることにより行なうことができる。

支持体としては、従来の放射線写真法における増感紙（
または増感用スクリーン）の支持体として用いられてい
る各種の材料、あるいは放射線像変換パネルの支持体と
して公知の材料から任意に選ぶことができる。そのよう
な材料の例としては、セルロースアセテート、ポリエス
テル、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリ
イミド、トリアセテート、ポリカーボネートなどのプラ
スチック物質のフィルム、アルミニウム箔、アルミニウ
ム合金箔などの金属シート、通常の紙、バライタ紙、レ
ジンコート紙、二酸化チタンなどの顔料を含有するピグ
メント紙、ポリビニルアルコールなどをサイジングした
紙などを挙げることができる。

ただし、放射線像変換パネルの情報記録材料としての特
性および取扱いなどを考慮した場合、本発明において特
に好ましい支持体の材料はプラスチックフィルムである
。このプラスチックフィルムにはカーボンブラックなど
の光吸収性物質が練り込まれていてもよく、あるいは二
酸化チタンなどの光反射性物質が練り込まれていてもよ
い、前者は高鮮鋭度タイプの放射線像変換パネルに適し
た支持体であり、後者は高感度タイプの放射線像変換パ
ネルに適した支持体である。

公知の放射線像変換パネルにおいて、支持体と蛍光体層
の結合を強化するため、あるいは放射線像変換パネルと
しての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒状性）を向上させ
るために、蛍光体層が設けられる側の支持体表面にゼラ
チンなどの高分子物質を塗布して接着性付与層としたり
、あるいは二酸化チタンなどの光反射性物質からなる光
反射層、もしくはカーボンブラックなどの光吸収性物質
からなる光吸収層などを設けることが知られている０本
発明において用いられる支持体についても、これらの各
種の層を設けることができ、それらの構成は所望の放射
線像変換パネルの目的、用途などに応じて任意に選択す
ることができる。

さらに、本出願人による特開昭５８−２００２００号公
報に記載されているように、得られる画像の鮮鋭度を向
上させる目的で、支持体の蛍光体層側の表面（支持体の
蛍光体層側の表面に接着性付与層、光反射層あるいは光
吸収層などが設けられている場合には、その表面を意味
する）には微小の凹凸が形成されていてもよい。

上記のようにして支持体上に塗膜を形成したのち塗膜を
乾燥して、支持体上−の輝尽性蛍光体層の形成を完了す
る。蛍光体層の層厚は、目的とする放射線像変換パネル
の特性、蛍光体の種類、結合剤と蛍光体との混合比など
によって異なるが、通常は２０４ｍ乃至ｉｎｍとする。

ただし、この層厚は５０乃至５００　ｇｍとするのが好
ましい。

また、輝尽性蛍光体層は、必ずしも上記のように支持体
上に塗布液を直接塗布して形成する必要はなく、たとえ
ば、別に、ガラス板、金属板、プラスチックシートなど
のシート上に塗布液を塗布し乾燥することにより蛍光体
層を形成したのち、これを、支持体上に押圧するか、あ
るいは接着剤を用いるなどして支持体と蛍光体層とを接
合してもよい。

輝尽性蛍光体層は一層だけでもよいが、二層以上を重層
してもよい。重層する場合にはそのうちの少なくとも一
層が組成式（Ｉ）のビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン
化物蛍光体を含有する層であればよく、パネルの表面に
近い方に向って順次放射線に対する発光効率が高くなる
ように複数の蛍光体層を重層した構成にしてもよい。ま
た単層および重層のいずれの場合も、上記蛍光体ととも
に公知の輝尽性蛍光体を併用することができる。

そのような公知の輝尽性蛍光体の例としては、前述の蛍
光体のほかに、特開昭５５−１２１４２号公報に記載さ
れているＺｎＳ：Ｃｕ、Ｐｂ、Ｂａ０ｅｘＡ１２０．：
Ｅｕ　（ただし、０．８≦Ｘ≦１０）、および、Ｍ”Ｏ
＊ＸＳｉＯ２：Ａ（ただし、Ｍ”はＭｇ、Ｃａ、Ｓ　ｒ
、Ｚｎ。

Ｃｄ、又はＢａであり、ＡはＣｅ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｔｍ、
Ｐ　ｂ、Ｔ１．Ｂ　ｉ、またはＭ　ｎ　テあり、Ｘは、
０．５≦Ｘ≦２．５である）、 特開昭５５−１２１４３号公報に記載されている（　Ｂ
　ａｌ＋　ｘ　−ｙ　、　Ｍ　ｇ　ｘ　、　Ｃａ　ｙ　
）　Ｆ　Ｘ　：ａＥｕ”ゝ（ただし、ＸはＣ１およびＢ
ｒのうちの少なくとも一つであり、Ｘおよびｙは、Ｏ＜
Ｘ＋ｙ≦０．６、かつｘｙ≠ｏであり、ａは、１０−”
≦ａ≦５　Ｘ　１０−２である）、および。

特開昭５５−１２１４４号公報に記載されているＬｎＯ
Ｘ：ｘＡ（ただし、ＬｎはＬａ、Ｙ。

Ｇｄ、およびＬｕのうちの少なくとも一つ、ＸはＣ１お
よびＢｒのうちの少なくとも一つ、ＡはＣｅおよびＴｂ
のうちの少なくとも一つ、そして、Ｘは、０＜ｘ＜０．
１である）、 特願昭５８−１９３１６２号に記載されているＭ”Ｘ２
　＠　ａＭ”Ｘ’　２　：　ｘＥｕ２°（ただし、Ｍ′
［はＢａ、ＳｒおよびＣａからなる群より選ばれる少な
くとも一種のアルカリ土類金属であり：ＸおよびＸ′は
Ｃ１，ＢｒおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも
一種のハロゲンであって、かつＸ≠Ｘ”であり；そして
ａは０．１≦ａ≦１０９０の範囲の数値であり、Ｘは０
＜Ｘ≦０．２の範囲の数値である） などを挙げることができる。

通常の放射線像変換パネルにおいては、前述のように支
持体に接する側とは反対側の蛍光体層の表面に、蛍光体
層を物理的および化学的に保護するための透明な保護膜
が設けられている。このような透明保護膜は１本発明の
放射線像変換パネルについても設置することが好ましい
。

透明保護膜は、たとえば、酢酸セルロース、ニトロセル
ロースなどのセルロース訪導体；あるいはポリメチルメ
タクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホル
マール、ポリカーボネート、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニ
ルφ酢酸ビニルコポリマーなどの合成高分子物質のよう
な透明な高分子物質を適当な溶媒に溶解して調製した溶
液を蛍光体層の表面に塗布する方法により形成すること
ができる。あるいは、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミドなどから
別に形成した透明な薄膜を蛍光体層の表面に適当な接着
剤を用いて接着するなどの方法によっても形成すること
ができる。このようにして形成する透明保；Ｉ！Ｉの膜
厚は、約０．１乃至２０４ｍとするのが望ましい。

次に本発明の実施例を記載する。ただし、これら実施例
は本発明を制限するものではない。

［実施例１］ 塩化セシウム（ＣｓＣ文）１８６．４ｇ、および弗化ビ
スマス（ＢｉＦｓ）０．２６６ｇをボールミルを用いて
充分に混合した。

次に、得られた蛍光体原料混合物をアルミナルツボに充
填し、これを高温電気炉に入れて焼成を行なった。焼成
は、空気中にて６００℃の温度で２時間かけて行なった
。焼成が完了したのち、焼成物を炉外に取り出して冷却
した。

このようにして、粉末状のビスマス賦活塩化セシウム蛍
光体（ＣｓＣ文：　０．００１　Ｂ　ｉ　）を得た。

［実施例２］ 実施例１において、塩化セシウムの代りに臭化セシウム
（Ｃｓ　Ｂ　ｒ）　２１２　、８　ｇを用いること以外
は実施例１の方法と同様の操作を行なうことにより、粉
末状のビスマス賦活臭化セシウム蛍光体（ＣｓＢ　ｒ　
：　０．００１　Ｂ　ｉ）を得た。

［実施例３］ 実施例１において、塩化セシウムの代りに沃化セシウム
（ＣｓＩ）２５９．８ｇを用いること以外は実施例１の
方法と同様の操作を行なうことにより、粉末状のビスマ
ス賦活沃化セシウム蛍光体（Ｃｓ　Ｉ　：　０．００１
　Ｂ　ｉ）を得た。

次に、実施例１〜３で得られた各々の蛍光体に管電圧８
０ＫＶｐのＸ線を照射したのち、Ｈｅ−Ｎｅ１ｚ−チー
光（波長：６３２．８ｎｍ）で励起したときの輝尽発光
スペクトルを測定した。得られた結果を第２図に示す。

第２図において、 曲線１　：　ＣｓＣ１：０．００１　Ｂ　ｉ蛍光体（実
施例１）の輝尽発光スペクトル 曲線２　：　Ｃｓ　Ｂ　ｒ　：　０．ＯＱＩ　Ｂ　ｉ蛍
光体（実施例２）の輝尽発光スペクトル 曲線３　：　Ｃｓ　Ｉ　：　０．００１　Ｂ　ｉ蛍光体
（実施例３）の輝尽発光スペクトル である。

また、実施例１〜３で得られた各蛍光体に管電圧８０Ｋ
ＶｐのＸ線を照射したのち、４５０〜１１０００ｎの波
長領域の光で励起した時のそれぞれの蛍光体のピーク発
光波長における輝尽励起スペクトルを測定した。得られ
た結果を第１図に示す。

第１図において、 曲線１　：　Ｃｓ　Ｃｌ　：　０．００１　Ｂ　ｉ蛍光
体（実施例１）の輝尽励起スペクトル 曲線２　：　Ｃｓ　Ｂ　ｒ　：　０．００１　Ｂ　ｉ蛍
光体（実施例２）の輝尽励起スペクトル 曲線３　：　Ｃｓ　Ｉ　：　０．００１　Ｂ　ｉ蛍光体
（実施例３）の輝尽励起スペクトル である。

［実施例４］ 実施例１〜３で得られた三種のビスマス賦活アルカリ金
属ハロゲン化物蛍光体それぞれを用いて以下に述べるよ
うな方法で放射線像変換パネルを製造した。

まず、蛍光体粒子と線状ポリエステル樹脂との混合物に
メチルエチルケトンを添加し、さらに硝化度ｉｉ、ｓ％
のニトロセルロースを添加して蛍光体を分散状態で含有
する分散液を調製した０次に、この分散液に燐酸トリク
レジル、ｎ−ブタノール、そしてメチルエチルケトンを
添加した後、プロペラミキサーを用いて充分に攪拌混合
して。

蛍光体が均一に分散し、かつ結合剤と蛍光体との混合比
が１　＝１０、粘度が２５〜３５ＰＳ（２５℃）の塗布
液を調製した。

次に、ガラス板上に水平に置いた二酸化チタン練り込み
ポリエチレンテレフタレートシート（支持体、厚み：２
５０ｇｍ）の上に塗布液をドクターブレードを用いて均
一に塗布した。そして塗布後に、塗膜が形成された支持
体を乾燥器内に入れ、この乾燥器の内部の温度を２５℃
から１００℃に徐々に上昇させて、塗膜の乾燥を行なっ
た。

このようにして、支持体上に層厚が２’５０ｐｍの蛍光
体層を形成した。

そして、この蛍光体層の上にポリエチレンテレフタレー
トの透明フィルム（厚み：１２ＪＬｍ、ポリエステル系
接着剤が付与されているもの）を接着剤層側を下に向け
て置いて接着することにより、透明保護膜を形成し、支
持体、蛍光体層、および透明保護膜から構成された放射
線像変換パネルを得た。

次に、実施例４で得られた各放射線像変換パネルに、管
電圧８０ＫＶＰのＸ線を照射した後Ｈｅ−Ｎｅレーザー
光で励起して、パネルの感度（輝尽発光輝度）を測定し
た。この感度の測定は、受光側のフィルターとしてピー
ク波長３９０　ｎｍ、半値幅６０ｎｍ、ピーク波長透過
率７８％のバンドパスフィルター（Ｂ−３９０）を用い
て行なった。その結果を第１表に示す。

なお、第１表において、感度は実施例３のＣｓＩ　：　
０．００１　Ｂ　ｉ蛍光体を使用したパネルの感度を１
００とする相対値で示されている。

第１表 相対感度 Ｃ５Ｃ！；Ｌ：０．００１　Ｂ　ｉ蛍光体（実施例１）
使用のパネル　　　５００ＣｓＢ　ｒ　：０．００１　
Ｂ　ｉ蛍光体（実施例２）使用のパネル　　　７００Ｃ
ｓ　Ｉ　：　０．００１　Ｂ　ｉ蛍光体（実施例３）使
用のパネル　　　１００

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン
化物蛍光体の具体例であるＣｓＣ１：０．００１　Ｂ　
ｉ蛍光体、ＣｓＢｒ　：０．００１　Ｂｉ蛍光体および
Ｃｓ　Ｉ　：　０．００１　Ｂ　ｉ蛍光体の輝尽励起ス
ペクトル（それぞれ曲線ｌ、２および３）である。 第２図は、本発明のビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン
化物蛍光体の具体例であるＣｓＣｆ１ＨＯ，００１Ｂ　
ｉ蛍光体、Ｃｓ　Ｂ　ｒ　：　０．００１　Ｂ　ｉ蛍光
体およびＣｓ　Ｉ　：　０．００１　Ｂ　ｉ蛍光体の輝
尽発光ベクトル（それぞれ曲線１．２および３）である
。 第３図は、本発明に用いられる放射線像変換方法を説明
する概略図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、被写体を透過した、あるいは被検体から発せられた
   放射線を、下記組成式（ I ）で表わされるビスマス賦
   活アルカリ金属ハロゲン化物蛍光体に吸収させたのち、
   この蛍光体に４５０〜９００ｎｍの波長領域の電磁波を
   照射することにより、該蛍光体に蓄積されている放射線
   エネルギーを蛍光として放出させ、そしてこの蛍光を検
   出することを特徴とする放射線像変換方法。 組成式（ I ）： Ｍ＾１Ｘ：ｘＢｉ（ I ） （ただし、Ｍ＾１はＲｂおよびＣｓからなる群より選ば
   れる少なくとも一種のアルカリ金属であり；ＸはＣｌ、
   ＢｒおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種の
   ハロゲンであり；そしてｘは０＜ｘ≦０．２の範囲の数
   値である） ２、組成式（ I ）におけるＭ＾１がＣｓであることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の放射線像変換方
   法。 ３、組成式（ I ）におけるｘが５×１０＾−＾４≦Ｘ
   ≦１０＾−＾２の範囲の数値であることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の放射線像変換方法。 ４、上記電磁波が５００〜８５０ｎｍの波長領域の電磁
   波であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   放射線像変換方法。 ５、上記電磁波がレーザー光であることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の放射線像変換方法。 ６、支持体と、この支持体上に設けられた輝尽性蛍光体
   を分散状態で含有支持する結合剤からなる少なくとも一
   層の蛍光体層とから実質的に構成されており、該蛍光体
   層のうちの少なくとも一層が、下記組成式（ I ）で表
   わされるビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化物蛍光体
   を含有することを特徴とする放射線像変換パネル。 組成式（ I ）： Ｍ＾１Ｘ：ｘＢｉ（ I ） （ただし、Ｍ＾１はＲｂおよびＣｓからなる群より選ば
   れる少なくとも一種のアルカリ金属であり；ＸはＣｌ、
   ＢｒおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種の
   ハロゲンであり；そしてｘは０＜ｘ≦０．２の範囲の数
   値である） ７、組成式（ I ）におけるＭ＾１がＣｓであることを
   特徴とする特許請求の範囲第６項記載の放射線像変換パ
   ネル。 ８、組成式（ I ）におけるｘが５×１０＾−＾４≦ｘ
   ≦１０＾−＾２の範囲の数値であることを特徴とする特
   許請求の範囲第６項記載の放射線像変換パネル。