JPH0460515B2 - - Google Patents

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JPH0460515B2
JPH0460515B2 JP7815285A JP7815285A JPH0460515B2 JP H0460515 B2 JPH0460515 B2 JP H0460515B2 JP 7815285 A JP7815285 A JP 7815285A JP 7815285 A JP7815285 A JP 7815285A JP H0460515 B2 JPH0460515 B2 JP H0460515B2
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JP
Japan
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phosphor
radiation image
image conversion
radiation
range
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Application number
JP7815285A
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JPS61236889A (ja
Inventor
Takashi Nakamura
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
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Priority to US06/850,609 priority patent/US4780376A/en
Publication of JPS61236889A publication Critical patent/JPS61236889A/ja
Publication of JPH0460515B2 publication Critical patent/JPH0460515B2/ja
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  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
  • Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】 発明の分野 本発明は、攟射線像倉換方法およびその方法に
甚いられる攟射線像倉換パネルに関するものであ
る。さらに詳しくは、本発明は、二䟡のナヌロピ
りムにより賊掻されおいるハロゲン化物系蛍光䜓
を䜿甚する攟射線像倉換方法、およびその方法に
甚いられる攟射線像倉換パネルに関するものであ
る。 発明の背景 埓来、攟射線像を画像ずしお埗る方法ずしお、
銀塩感光材料からなる乳剀局を有する攟射線写真
フむルムず増感玙増感スクリヌンずの組合わ
せを䜿甚する、いわゆる攟射線写真法が利甚され
おいる。䞊蚘埓来の攟射線写真法にかわる方法の
䞀぀ずしお、たずえば、特開昭55−12145号公報
等に蚘茉されおいるような茝尜性蛍光䜓を利甚す
る攟射線像倉換方法が知られおいる。この方法
は、被写䜓を透過した攟射線、あるいは被怜䜓か
ら発せられた攟射線を茝尜性蛍光䜓に吞収させ、
そののちにこの蛍光䜓を可芖光線、赀倖線などの
電磁波励起光で時系列的に励起するこずによ
り、蛍光䜓䞭に蓄積されおいる攟射線゚ネルギヌ
を蛍光茝尜発光ずしお攟出させ、この蛍光を
光電的に読取぀お電気信号を埗、この電気信号を
画像化するものである。 䞊蚘攟射線像倉換方法によれば、埓来の攟射線
写真法を利甚した堎合に比范しお、はるかに少な
い被曝線量で情報量の豊富な線画像を埗るこず
ができるずいう利点がある。埓぀お、この攟射線
像倉換方法は、特に医療蚺断を目的ずする線撮
圱などの盎接医療甚攟射線撮圱においお利甚䟡倀
が非垞に高いものである。 䞊蚘攟射線像倉換方法に甚いられる茝尜性蛍光
䜓ずしお、特開昭55−12145号公報には、䞋蚘組
成匏で衚わされる垌土類元玠賊掻アルカリ土類金
属北化ハロゲン化物蛍光䜓が開瀺されおいる。 Ba1-xM2+ xFXyA ただし、M2+はMgCaSrZn、および
Cdのうち少なくずも䞀぀、はClBr、および
のうちの少なくずも䞀぀、はEuTbCe
TmDyPrHoNdYb、およびErのうち
の少なくずも䞀぀、そしおは、≊≊0.6、
は、≊≊0.2である この蛍光䜓は、線などの攟射線を吞収したの
ち、可芖光乃至赀倖線領域の電磁波の照射を受け
るず近玫倖領域に発光茝尜発光を瀺すのであ
る。 䞊述のように、茝尜性蛍光䜓を利甚する攟射線
像倉換方法に甚いられる蛍光䜓ずしお、埓来より
䞊蚘垌土類元玠賊掻アルカリ土類金属ハロゲン化
物蛍光䜓が知られおいるが、茝尜性を瀺す蛍光䜓
自䜓、この垌土類元玠賊掻アルカリ土類金属ハロ
ゲン化物蛍光䜓以倖はあたり知られおいない。 発明の芁旚 本発明は、新芏な茝尜性蛍光䜓の発芋に基づく
ものであり、該茝尜性蛍光䜓を䜿甚する攟射線像
倉換方法、およびその方法に甚いられる攟射線像
倉換パネルを提䟛するものである。 本発明者等は、茝尜性蛍光䜓の探玢を目的ずし
お皮々の研究を行な぀おきた。その結果、䞋蚘組
成匏で衚わされる新芏な二䟡ナヌロピりム
賊掻ハロゲン化セシりム・ルビゞりム蛍光䜓は茝
尜発光を瀺すこず、すなわち該蛍光䜓は線、玫
倖線、電子線、γ線、α線、β線などの攟射線を
照射した埌、450〜900nmの可芖乃至赀倖領域の
電磁波で励起するず近玫倖乃至青色領域に茝尜発
光を瀺すこずを芋出し、そしおこの知芋に基づい
お本発明を完成させるに至぀たのである。 組成匏 CsX・aRbX′xEu2+  ただし、およびX′はそれぞれClBrおよ
びからなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハ
ロゲンでありそしおは≊10.0の範囲の
数倀であり、は≊0.2の範囲の数倀であ
る すなわち、本発明の攟射線像倉換方法は、被写
䜓を透過した、あるいは被怜䜓から発せられた攟
射線を、䞋蚘組成匏で衚わされる二䟡ナヌ
ロピりム賊掻ハロゲン化セシりム・ルビゞりム蛍
光䜓に吞収させた埌、この蛍光䜓に450〜900nm
の波長領域の電磁波を照射するこずにより、該蛍
光䜓に蓄積されおいる攟射線゚ネルギヌを蛍光ず
しお攟出させ、そしおこの蛍光を怜出するこずを
特城ずする。 たた、本発明の攟射線像倉換パネルは、支持䜓
ず、この支持䜓䞊に蚭けられた茝尜性蛍光䜓を分
散状態で含有支持する結合剀からなる少なくずも
䞀局の蛍光䜓局ずから実質的に構成されおおり、
該蛍光䜓局のうち少なくずも䞀局が、䞊蚘組成匏
で衚わされる二䟡ナヌロピりム賊掻ハロゲ
ン化セシりム・ルビゞりム蛍光䜓を含有するこず
を特城ずする。 発明の構成 第図は、本発明の攟射線像倉換方法に甚いら
れる二䟡ナヌロピりム賊掻ハロゲン化セシりム・
ルビゞりム蛍光䜓の䞀䟋であるCsCl・RbBr
0.001Eu2+蛍光䜓の茝尜励起スペクトルである。
第図から明らかなように、本発明に甚いられる
CsCl・RbBr0.001Eu2+蛍光䜓は攟射線の照射
埌450〜900nmの波長領域の電磁波で励起するず
茝尜発光を瀺す。特に、600〜750nmの波長領域
の電磁波で励起した堎合には、茝尜発光ず励起光
ずを分離するこずが容易であり、か぀その茝尜発
光は高茝床ずなる。本発明の攟射線像倉換方法に
おいお、励起光ずしお甚いられる電磁波の波長を
を450〜900nmず芏定したのは、このような事実
に基づいおである。 たた、第図は、本発明の攟射線像倉換方法に
甚いられる二䟡ナヌロピりム賊掻ハロゲン化セシ
りム・ルビゞりム蛍光䜓の䞀䟋であるCsCl・
RbBr0.001Eu2+蛍光䜓の茝尜発光スペクトルで
ある。第図から明らかなように、本発明に甚い
られるCsCl・RbBr0.001Eu2+蛍光䜓は近玫倖
乃至青色領域に茝尜発光を瀺し、その茝尜発光ス
ペクトルのピヌクは玄370nm付近にある。 以䞊特定の蛍光䜓を䟋にずり、本発明に甚いら
れる二䟡ナヌロピりム賊掻ハロゲン化セシりム・
ルビゞりム蛍光䜓の茝尜発光特性に぀いお説明し
たが、本発明に甚いられるその他の蛍光䜓に぀い
おもその茝尜発光特性は䞊蚘の蛍光䜓の茝尜発光
特性ずほが同様であり、攟射線の照射埌450〜
900nmの波長領域の電磁波で励起するず近玫倖乃
至青色領域に茝尜発光を瀺し、その発光のピヌク
は370nm付近にあるこずが確認されおいる。 第図は、CsCl・aRbBr0.001Eu2+蛍光䜓に
おける倀ず茝尜発光匷床80KVpの線を照
射した埌、He−Neレヌザ光632.8nmで励起
した時の茝尜発光匷床ずの関係を瀺すグラフで
ある。第図から明らかなように、倀が0.1
≊10.0の範囲にあるCsCl・aRbBr0.001Eu2+
蛍光䜓は茝尜発光を瀺す。本発明の攟射線像倉換
方法に甚いられる二䟡ナヌロピりム賊掻ハロゲン
化セシりム・ルビゞりム蛍光䜓における倀を
≊10.0の範囲に芏定したのは、このような事
実に基づいおである。たた第図から、倀が
≊10.0の範囲にある本発明に甚いられる
CsCl・aRbBr0.001Eu2+蛍光䜓のうちでも、
倀が0.15≊≊2.0の範囲にある蛍光䜓はより高
茝床の茝尜発光を瀺すこずが明らかである。な
お、CsCl・aRbBr0.001Eu2+蛍光䜓以倖の本発
明に甚いられる二䟡ナヌロピりム賊掻ハロゲン化
セシりム・ルビゞりム蛍光䜓に぀いおも、倀ず
茝尜発光匷床ずの関係は第図ず同じような傟向
にあるこずが確認されおいる。 本発明の攟射線像倉換方法に甚いられる二䟡ナ
ヌロピりム賊掻ハロゲン化セシりム・ルビゞりム
蛍光䜓は、その茝尜励起スペクトルの波長領域が
450〜900nmず広く、そのためにこの蛍光䜓を䜿
甚する本発明の攟射線像倉換方法においおは励起
光の波長を適圓に倉えるこずができる、すなわ
ち、その励起光源を目的に応じお適宜遞択するこ
ずが可胜ずなる。たずえば、䞊蚘蛍光䜓の茝尜励
起スペクトルは玄900nmにたで及んでいるため
に、励起光源ずしお小型で駆動電力の小さい半導
䜓レヌザヌ赀倖領域に発光波長を有するを利
甚するこずができ、埓぀お、攟射線像倉換方法を
実斜するための装眮を小型化するこずが可胜ずな
る。たた、茝尜発光の茝床および発光光ずの波長
分離の点からは、本発明の攟射線像倉換方法にお
ける励起光は600〜750nmの波長領域の電磁波で
あるのが奜たしい。 本発明の攟射線像倉換方法においお、䞊蚘組成
匏で衚わされる二䟡ナヌロピりム賊掻ハロ
ゲン化セシりム・ルビゞりム蛍光䜓は、それを含
有する攟射線像倉換パネル蓄積性蛍光䜓シヌト
ずもいうの圢態で甚いるのが奜たしい。 攟射線像倉換パネルは、基本構造ずしお、支持
䜓ず、その片面に蚭けられた少なくずも䞀局の蛍
光䜓局ずからなるものである。蛍光䜓局は、茝尜
性蛍光䜓ずこの茝尜性蛍光䜓を分散状態で含有支
持する結合剀からなる。なお、この蛍光䜓局の支
持䜓ずは反察偎の衚面支持䜓に面しおいない偎
面の衚面には䞀般に、透明な保護膜が蚭けられ
おいお、蛍光䜓局を化孊的な倉質あるいは物理的
な衝撃から保護しおいる。 すなわち、本発明の攟射線像倉換方法は、前蚘
の組成匏で衚わされる二䟡ナヌロピりム賊
掻ハロゲン化セシりム・ルビゞりム蛍光䜓からな
る蛍光䜓局を有する攟射線像倉換パネルを甚いお
実斜するのが望たしい。 組成匏で衚わされる茝尜性蛍光䜓を攟射
線像倉換パネルの圢態で甚いる本発明の攟射線像
倉換方法においおは、被写䜓を透過した、あるい
は被怜䜓から発せられた攟射線は、その攟射線量
に比䟋しお攟射線像倉換パネルの蛍光䜓局に吞収
され、攟射線像倉換パネル䞊にには被写䜓あるい
は被怜䜓の攟射線像が攟射線゚ネルギヌの蓄積像
ずしお圢成される。この蓄積像は、450〜900mの
波長領域の電磁波励起光で励起するこずによ
り、茝尜発光蛍光ずしお攟射させるこずがで
き、この茝尜発光を光電的に読み取぀お電気信号
に倉換するこずにより、攟射線゚ネルギヌの蓄積
像を画像化するこずが可胜ずなる。 本発明の攟射線像倉換方法を、組成匏で
衚わわされる茝尜性蛍光䜓を攟射線像倉換パネル
の圢態で甚いる態様を䟋にずり、第図に瀺す抂
略図を甚いお具䜓的に説明する。 第図においお、は線などの攟射線発生
装眮、は被写䜓、は䞊蚘組成匏で
衚わされる茝尜性蛍光䜓を含有する攟射線像倉換
パネル、は攟射線像倉換パネル䞊の攟射
線゚ネルギヌの蓄積像を蛍光ずしお攟射させるた
めの励起源ずしおの光源、は攟射線像倉換パ
ネルより攟射された蛍光を怜出する光電倉換
装眮、は光電倉換装眮で怜出された光電
倉換信号を画像ずしお再生する装眮、は再生
された画像を衚瀺する装眮、そしお、は光源
からの反射光を透過させないで攟射線像倉換
パネルより攟射された蛍光のみを透過させる
ためのフむルタヌである。 なお、第図は被写䜓の攟射線透過像を埗る堎
合の䟋を瀺しおいるが、被写䜓自䜓が攟射線
を発するもの本明现曞においおはこれを被写䜓
ずいうである堎合には、䞊蚘の攟射線発生装眮
は特に蚭眮する必芁はない。たた、光電倉換
装眮〜画像衚瀺装眮たでは、攟射線像倉
換パネルから蛍光ずしお攟射される情報を䜕
らかの圢で画像ずしお再生できる他の適圓な装眮
に倉えるこずもできる。 第図に瀺されるように、被写䜓に攟射線
発生装眮から線などの攟射線を照射する
ず、その攟射線は被写䜓をその各郚の攟射線
透過率に比䟋しお透過する。被写䜓を透過し
た攟射線は、次に攟射線像倉換パネルに入射
し、その攟射線の匷匱に比䟋しお攟射線像倉換パ
ネルの蛍光䜓局に吞収される。すなわち、攟
射線像倉換パネル䞊には攟射線透過像に盞す
る攟射線゚ネルギヌの蓄積像䞀皮の朜像が圢
成される。 次に、攟射線像倉換パネルに光源を甚
いお40〜900nmの波長領域の電磁波を照射する
ず、攟射線像倉換パネルに圢成された攟射線
゚ネルギヌの蓄積像は、蛍光ずしお攟射される。
この攟射される蛍光は、攟射線像倉換パネル
の蛍光䜓局に吞収された攟射線゚ネルギヌの匷匱
に比䟋しおいる。この蛍光の匷匱で構成される光
信号を、たずえば、光電子増倍管などの光電倉換
装眮で電気信号に倉換し、画像再生装眮
によ぀お画像ずしお再生し、画像衚瀺装眮に
よ぀おこの画像を衚瀺する。 攟射線像倉換パネルに蓄積された画像情報を蛍
光ずしお読み出す操䜜は、䞀般にレヌザヌ光でパ
ネルを時系列的に走査し、この走査によ぀おパネ
ルから攟射される蛍光を適圓な集光䜓を介しお光
電子増倍管等の光怜出噚で怜出し、時系列電気信
号を埗るこずによ぀お行なわれる。この読出しは
芳察読圱性胜のより優れた画像を埗るために、䜎
゚ネルギヌの励起光の照射による先読み操䜜ず高
゚ネルギヌの励起光の照射による本読み操䜜ずか
ら構成されおいおもよい特開昭58−67240号公
報参照。この先読み操䜜を行なうこずにより本
読み操䜜における読出し条件を奜適に蚭定するこ
ずができるずの利点がある。 たた、たずえば光電倉換装眮ずしお光導電䜓お
よびフオトダむオヌドなどの固䜓光電倉換玠子を
甚いるこずもできる。特願昭58−86226号、特願
昭58−86227号、特願昭58−219313号および特願
昭58−219314号の各明现曞、および特開昭58−
121874号公報参照。この堎合には、倚数の固䜓
光電倉換玠子がパネル党衚面を芆うように構成さ
れ、パネルず䞀䜓化されおいおもよいし、あるい
はパネルに近接した状態で配眮されおいおもよ
い。たた、光電倉換装眮は耇数の光電倉換玠子が
線状に連な぀たラむンセンサであ぀おもよいし、
あるいは䞀画玠に察応する䞀個の固䜓光電倉換玠
子から構成されおいおもよい。 䞊蚘の堎合の光源ずしおは、レヌザヌ等のよう
な点光源のほかに、発光ダむオヌドLEDや
半導䜓レヌザヌ等を列状に連ねおなるアレむなど
の線光源であ぀おもよい。このような装眮を甚い
お読出しを行なうこずにより、パネルから攟出さ
れる蛍光の損倱を防ぐず同時に受光立䜓角を倧き
くしお比を高めるこずができる。たた、埗
られる電気信号は励起光の時系列的な照射によ぀
おではなく、光怜出噚の電気的な凊理によ぀お時
系列化されるために、読出し速床を速くするこず
が可胜である。 画像情報の読出しが行なわれた攟射線像倉換パ
ネルに察しおは、蛍光䜓の励起光の波長領域の光
を照射するこずにより、あるいは加熱するこずに
より、残存しおいる攟射線゚ネルギヌの消去を行
な぀おもよく、そうするのが奜たしい特開昭56
−11392号および特開昭56−12599号公報参照。
この消去操䜜を行なうこずにより、次にこのパネ
ルを䜿甚した時の残像によるノむズの発生を防止
するこずができる。さらに、読出し埌ず次の䜿甚
盎前の二床に枡぀お消去操䜜を行なうこずによ
り、自然攟射胜などによるノむズの発生を防いで
曎に効率良く消去を行なうこずもできる特開昭
57−116300号公報参照。 本発明の攟射線像倉換方法においお、被写䜓の
攟射線透過像を埗る堎合に甚いられる攟射線は、
䞊蚘蛍光䜓がこの攟射線の照射を受けた埌、さら
に䞊蚘電磁波で励起された時に茝尜発光を瀺しう
るものであればいかなる攟射線であ぀おもよく、
たずえば、線、電子線、玫倖線など䞀般によく
知られおいる攟射線を甚いるこずができる。た
た、被写䜓の攟射線像を埗る堎合に盎接に被怜䜓
から発せられる攟射線も、同様に䞊蚘蛍光䜓に吞
収されお茝尜発光の゚ネルギヌ源ずなるものであ
ればいかなる攟射線であ぀おもよく、その䟋ずし
おはγ線、α線、β線などのを挙げるこずができ
る。 䞊蚘のようにしお被写䜓もしくは被怜䜓からの
攟射線を吞収した蛍光䜓を励起する電磁波の光源
ずしおは、450〜900nmの波長領域にバンドスペ
クトル分垃をも぀光を攟射する光源のほかに、
Arむオンレヌザヌ、He−Neレヌザヌ、ルビ
ヌ・レヌザヌ、半導䜓レヌザヌ、ガラス・レヌザ
ヌ、YAGレヌザヌ、Krむオンレヌザヌ、色玠レ
ヌザヌ等のレヌザヌおよび発光ダむオヌドなどの
光源を䜿甚するこずができる。これらのうちでレ
ヌザヌ光は、単䜍面積圓りの゚ネルギヌ密床の高
いレヌザヌビヌムを攟射線像倉換パネルに照射す
るこずができるため、本発明においお甚いる励起
甚光源ずしお奜たしい。それらのうちでその安定
性および出力などの点から、奜たしいレヌザヌ光
はHe−Ne−レヌザヌである。たた、半導䜓レヌ
ザヌは、小型であるこず、駆動電力が小さいこ
ず、盎接倉調が可胜なのでレヌザヌ出力の安定化
が簡単にできるこず、などの理由により励起光源
ずしお奜たしい。 たた、消去に甚いられる光源ずしおは、茝尜性
蛍光䜓の励起波長領域の光を攟射するものであれ
ばよく、その䟋ずしおはタングステンランプ、蛍
光灯、ハロゲンランプ、高圧ナトリりムランプを
挙げるこずができる。 本発明の攟射線像倉換方法は、茝尜性蛍光䜓に
攟射線の゚ネルギヌを吞収蓄積させる蓄積郚、こ
の蛍光䜓に励起光を照射しお攟射線の゚ネルギヌ
を蛍光ずしお攟出させる光怜出読出し郚、お
よび蛍光䜓䞭に残存する゚ネルギヌを攟出させる
ための消去郚を䞀぀の装眮に内蔵したビルトむン
型の攟射線像倉換装眮に適甚するこずもできる
特開昭57−84436号および特願昭58−66730号明
现曞参照。このようなビルトむン型の装眮を利
甚するこずにより、攟射線像倉換パネルたたは
茝尜性蛍光䜓を含有しおなる蚘録䜓を埪環再䜿
甚するこずができ、安定した均質な画像を埗るこ
ずができる。たた、ビルトむン型ずするこずによ
り装眮を小型化、軜量化するこずができ、その蚭
眮、移動などが容易になる。さらにこの装眮を移
動車に搭茉するこずにより、巡回攟射線撮圱が可
胜ずなる。 次に、本発明の攟射線像倉換方法に甚いられる
攟射線像倉換パネルに぀いお説明する。 この攟射線像倉換パネルは、前述のように、実
質的に支持䜓ず、この支持䜓䞊に蚭けられた前蚘
組成匏で衚わされる二䟡ナヌロピりム賊掻
ハロゲン化セシりム・ルビゞりム蛍光䜓を分散状
態で含有支持する結合剀からなる少なくずも䞀局
の蛍光䜓局ずから構成される。 䞊蚘の構成を有する攟射線像倉換パネルは、た
ずえば、次に述べるような方法により補造するこ
ずができる。 たず、攟射線像倉換パネルに甚いられる䞊蚘組
成匏で衚わされる二䟡ナヌロピりム賊掻ハ
ロゲン化セシりム・ルビゞりム蛍光䜓に぀いお説
明する。 この二䟡ナヌロピりム賊掻ハロゲン化セシり
ム・ルビゞりム蛍光䜓は、たずえば、次に蚘茉す
るような補造法により補造するこずができる。 たず、蛍光䜓原料ずしお、  CsClCsBrおよびCsIからなる矀より遞ば
れる少なくずも䞀皮のハロゲン化セシりム、  RbClRbBrおよびRbIからなる矀より遞
ばれる少なくずも䞀皮のハロゲン化ルビゞり
ム、および  ハロゲン化物、酞化物、硝酞塩、硫酞塩な
どのナヌロピりムの化合物からなる矀より遞ば
れる少なくずも䞀皮の化合物、 を甚意する。 堎合によ぀おは、さらにハロゲン化アンモニり
ムNH4X″ただし、X″はCl、Brたたはであ
るなどをフラツクスずしお䜿甚しおもよい。 蛍光䜓の補造に際しおは、䞊蚘のハロゲン
化セシりム、のハロゲン化ルビゞりムおよび
のナヌロピりム化合物を甚いお、化孊量論的
に、組成匏 CsX・aRbX′xEu  ただし、およびX′はそれぞれClBrおよ
びからなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハ
ロゲンでありそしおは≊10.0の範囲の
数倀であり、は≊0.2の範囲の数倀であ
る に察応する盞察比ずなるように秀量混合しお、蛍
光䜓原料の混合物を調補する。 蛍光䜓原料混合物の調補は、  䞊蚘、およびの蛍光䜓原料を
単に混合するこずによ぀お行な぀おもよく、あ
るいは、  たず、䞊蚘およびの蛍光䜓原料を
溶液の状態で混合し、この溶液を加枩䞋奜た
しくは50〜200℃で、枛圧也燥、真空也燥、
噎霧也燥などにより也燥し、しかるのち埗られ
た也燥物に䞊蚘の蛍光䜓原料を混合するこ
ずによ぀お行な぀おもよい。 なお、䞊蚘の方法の倉法ずしお、䞊蚘、
およびの蛍光䜓原料を溶液の状態で混合
し、この溶液を也燥する方法を利甚しおもよい。 䞊蚘およびのいずれの方法においお
も、混合には、各皮ミキサヌ、型ブレンダヌ、
ボヌルミル、ロツドミルなどの通垞の混合機が甚
いられる。 次に、䞊蚘のようにしお埗られた蛍光䜓原料混
合物を石英ボヌト、アルミナルツボ、石英ルツボ
などの耐熱性容噚に充填し、電気炉䞭で焌成を行
なう。焌成枩床は400〜1300℃の範囲が適圓であ
り、奜たしくは700〜1000℃の範囲である。焌成
時間は蛍光䜓原料混合物の充填量および焌成枩床
などによ぀おも異なるが、䞀般には0.5〜時間
が適圓である。焌成雰囲気ずしおは、少量の氎玠
ガスを含有する窒玠ガス雰囲気、あるいは、䞀酞
化炭玠を含有する二酞化雰囲気などの匱還元性の
雰囲気を利甚する。䞀般に䞊蚘の蛍光䜓原料
ずしお、ナヌロピりムの䟡数が䞉䟡のナヌロピり
ム化合物が甚いられるが、その堎合に焌成過皋に
おいお、䞊蚘匱還元性の雰囲気によ぀お䞉䟡のナ
ヌロピりムは二䟡のナヌロピりムに還元される。 䞊蚘焌成によ぀お粉末状の蛍光䜓が埗られる。
なお、埗られた粉末状の蛍光䜓に぀いおは、必芁
に応じお、さらに、掗浄、也燥、ふるい分けなど
の蛍光䜓の補造における各皮の䞀般的な操䜜を行
な぀おもよい。 本発明の蛍光䜓の補造法においお、ハロゲン化
セシりムCsXずハロゲン化ルビゞりム
RbX′におけるずX′は、互いに同䞀でもよ
いし、あるいは互いに異な぀おもよい。たた、茝
尜発光茝床の点から、組成匏におけるCsX
ずRbX′ずの割合を衚わす倀は0.15≊≊2.0範
囲にあるのが奜たしく、同じく茝尜発光茝床の点
から、組成匏におけるナヌロピりムの賊掻
量を衚わす倀は10-5≊≊10-2の範囲にあるの
が奜たしい。 次に、二䟡ナヌロピりム賊掻ハロゲン化セシり
ム・ルビゞりム蛍光䜓がその䞭に分散せしめられ
お圢成される蛍光䜓局の結合剀の䟋ずしおは、れ
ラチン等の蛋癜質、デキストラン等のポリサツカ
ラむド、たたはアラビアゎムのような倩然高分子
物質および、ポリビニルブチラヌル、ポリ酢酞
ビニル、ニトロセルロヌス、゚チルセルロヌス、
塩化ビニリデン・塩化ビニルコポリマヌ、ポリア
ルキルメタアクリレヌト、塩化ビニル・酢酞
ビニルコポリマヌ、ポリりレタン、セルロヌスア
セテヌトブチレヌト、ポリビニルアルコヌル、線
状ポリ゚ステルなどのような合成高分子物質など
により代衚される結合剀を挙げるこずができる。
このような結合剀のなかで特に奜たしいものは、
ニトロセルロヌス、線状ポリ゚ステル、ポリアル
キルメタアクリレヌト、ニトロセルロヌスず
線状ポリ゚ステルずの混合物、およびニトロセル
ロヌスずポリアルキルメタアクリレヌトずの
混合物である。 蛍光䜓局は、たずえば、次のような方法により
支持䜓䞊に圢成するこずができる。 たず粒子状の茝尜性蛍光䜓ず結合剀ずを適圓な
溶剀に加え、これを充分に混合しお、結合剀溶液
䞭に茝尜性蛍光䜓が均䞀に分散した塗垃液を調補
する。 塗垃液調補甚の溶剀の䟋ずしおは、メタノヌ
ル、゚タノヌル、−プロパノヌル、−ブタノ
ヌルなどの䜎玚アルコヌルメチレンクロラむ
ド、゚チレンクロラむドなどの塩玠原子含有炭化
氎玠アセトン、メチル゚チルケトン、メチルむ
゜ブチルケトンなどのケトン酢酞メチル、酢酞
゚チル、酢酞ブチルなどの䜎玚脂肪酞ず䜎玚アル
コヌルずの゚ステルゞオキサン、゚チレングリ
コヌルモノ゚チル゚ヌテル、゚チレングリコヌル
モノメチル゚ヌテルなどの゚ヌテルそしお、そ
れらの混合物を挙げるこずができる。 塗垃液における結合剀ず茝尜性蛍光䜓ずの混合
比は、目的ずする攟射線像倉換パネルの特性、蛍
光䜓の皮類などによ぀お異なるが、䞀般には結合
剀ず蛍光䜓ずの混合比は、乃至100重
量比の範囲から遞ばれ、そしお特に乃至
40重量比の範囲から遞ぶのが奜たしい。 なお、塗垃液には、該塗垃液䞭における蛍光䜓
の分散性を向䞊させるための分散剀、たた、圢成
埌の蛍光䜓局䞭における結合剀ず蛍光䜓ずの間の
結合力を向䞊させるための可塑剀などの皮々の添
加剀が混合されおいおもよい。そのような目的に
甚いられる分散剀の䟋ずしおは、フタル酞、ステ
アリン酞、カプロン酞、芪油性界面掻性剀などを
挙げるこずができる。そしお可塑剀の䟋ずしお
は、燐酞トリプニル、燐酞トリクレゞル、燐酞
ゞプニルなどの燐酞゚ステルフタル酞ゞ゚チ
ル、フタル酞ゞメトキシ゚チルなどのフタル酞゚
ステルグリコヌル酞゚チルフタリル゚チル、グ
リコヌル酞ブチルフタリルブチルなどのグリコヌ
ル酞゚ステルそしお、゚チレングリコヌルずア
ゞピン酞ずのポリ゚ステル、ゞ゚チレングリコヌ
ルずコハク酞ずのポリ゚ステルなどのポリ゚チレ
ングリコヌルず脂肪族二塩基酞ずのポリ゚ステル
などを挙げるこずができる。 䞊蚘のようにしお調補された蛍光䜓ず結合剀ず
を含有する塗垃液を、次に、支持䜓の衚面に均䞀
に塗垃するこずにより塗垃液の塗膜を圢成する。
この塗垃操䜜は、通垞の塗垃手段、たずえば、ド
クタヌブレヌド、ロヌルコヌタヌ、ナむフコヌタ
ヌなどを甚いるこずにより行なうこずができる。 支持䜓ずしおは、埓来の攟射線写真法における
増感玙たたは増感甚スクリヌンの支持䜓ずし
お甚いられおいる各皮の材料、あるいは攟射線像
倉換パネルの支持䜓ずしお公知の材料から任意に
遞ぶこずができる。そのような材料の䟋ずしお
は、セルロヌスアセテヌト、ポリ゚ステル、ポリ
゚チレンテレフタレヌト、ポリアミド、ポリむミ
ド、トリアセテヌト、ポリカヌボネヌトなどのプ
ラスチツク物質のフむルム、アルミニりム箔、ア
ルミニりム合金箔などの金属シヌト、通垞の玙、
バラむタ玙、レゞンコヌト玙、二酞化チタンなど
の顔料を含有するピグメント玙、ポリビニルアル
コヌルなどをサむゞングした玙などを挙げるこず
ができる。 ただし、攟射線像倉換パネルの情報蚘録材料ず
しおも特性および取扱いなどを考慮した堎合、本
発明においお特に奜たしい支持䜓の材料はプラス
チツクフむルムである。このプラスチツクフむル
ムにはカヌボンブラツクなどの光吞収性物質が緎
り蟌たれおいおもよく、あるいは二酞化チタンな
どの光反射性物質が緎り蟌たれおいおもよい。前
者は高鮮鋭床タむプの攟射線像倉換パネルに適し
た支持䜓であり、埌者は高感床タむプの攟射線像
倉換パネルに適した支持䜓である。 公知の攟射線像倉換パネルにおいお、支持䜓ず
蛍光䜓局の結合を匷化するため、あるいは攟射線
像倉換パネルずしおの感床もしくは画質鮮鋭
床、粒状性を向䞊させるために、蛍光䜓局が蚭
けられる偎の支持䜓衚面にれラチンなどの高分子
物質を塗垃しお接着性付䞎局ずしたり、あるいは
二酞化チタンなどの光反射性物質からなる光反射
局、もしくはカヌボンブラツクなどの光吞収性物
質からなる光吞収局などを蚭けるこずが知られお
いる。本発明においお甚いられる支持䜓に぀いお
も、これらの各皮の局を蚭けるこずができ、それ
らの構成は所望の攟射線像倉換パネルの目的、甚
途などに応じお任意に遞択するこずができる。 さらに、特開昭58−200200号公報に蚘茉されお
いるように、埗られる画像の鮮鋭床を向䞊させる
目的で、支持䜓の蛍光䜓局偎の衚面支持䜓の蛍
光䜓局偎の衚面に接着性付䞎局、光反射局あるい
は光吞収局などが蚭けられおいる堎合には、その
衚面を意味するには埮小の凹凞が圢成されおい
おもよい。 䞊蚘のようにしお支持䜓䞊に塗膜を圢成したの
ち塗膜を也燥しお、支持䜓䞊ぞの茝尜性蛍光䜓局
の圢成を完了する。蛍光䜓局の局厚は、目的ずす
る攟射線像倉換パネルの特性、蛍光䜓の皮類、結
合剀ず蛍光䜓ずの混合比などによ぀お異なるが、
通垞は20Ό乃至mmずする。ただし、この局厚
は50乃至500Όずするのが奜たしい。 たた、茝尜性蛍光䜓局は、必ずしも䞊蚘のよう
に支持䜓䞊に塗垃液を盎接塗垃しお圢成する必芁
はなく、たずえば、別に、ガラス板、金属板、プ
ラスチツクシヌトなどのシヌト䞊に塗垃液を塗垃
し也燥するこずにより蛍光䜓局を圢成したのち、
これを、支持䜓䞊に抌圧するか、あるいは接着剀
を甚いるなどしお支持䜓ず蛍光䜓局ずを接合しお
もよい。 茝尜性蛍光䜓局は䞀局だけでもよいが、二局以
䞊を重局しおもよい。重局する堎合にはそのうち
の少なくずも䞀局が組成匏の二䟡ナヌロピ
りム賊掻ハロゲン化セシりム・ルビゞりム蛍光䜓
を含有する局であればよく、パネルの衚面に近い
方に向぀お順次攟射線に察する発光効率が高くな
るように耇数の蛍光䜓局を重局した構成にしおも
よい。たた、単局および重局のいずれの堎合も、
䞊蚘蛍光䜓ずずもに公知の茝尜性蛍光䜓を䜵甚す
るこずができる。 そのような公知の茝尜性蛍光䜓の䟋ずしおは、
前述蛍光䜓のほかに、特開昭55−12142号公報に
蚘茉されおいるZnSCuPbBaO・xAl2O3
Euただし、0.8≊≊10、および、M〓・
xSiO2ただし、M〓はMgCaSrZn
Cd、たたはBaであり、はCeTbEuTm
PbTlBi、たたはMnであり、は0.5≊≊
2.5である、 特開昭55−12143号公報に蚘茉されおいる
Ba1-x-yMgxCayFXaEu2+ただし、
はClおよびBrのうちの少なくずも䞀であり、
およびは、≊0.6、か぀xy≠であ
り、は、10-6≊≊×10-2である、 特開昭55−12144号公報に蚘茉されおいる
LnOXxAただし、LnはLaGd、および
Luうち少なくずも䞀぀、はClおよびBrのうち
の少なくずも䞀぀、はCeおよびTbのうち少な
くずも䞀぀、そしお、は、0.1であ
る、および 本出願人による特願昭58−193162号明现曞に蚘
茉されおいるM〓X2・aM〓X′2xEu2+ただし、
M〓はBaSrおよびCaからなる矀より遞ばれる
少なくずも䞀皮のアルカリ土類金属でありお
よびX′はClBrおよびからなる矀より遞ばれ
る少なくずも䞀皮のハロゲンであ぀お、か぀≠
X′でありそしおは0.1≊≊10.0範囲の数倀
であり、は≊0.2の範囲の数倀である などを挙げるこずができる。 通垞の攟射線像倉換パネルにおいおは、前述の
ように支持䜓に接する偎ずは反察偎の蛍光䜓局の
衚面に、蛍光䜓局を物理的および化孊的に保護す
るための透明な保護膜が蚭けられおいる。このよ
うな透明保護膜は、本発明の攟射線像倉換パネル
に぀いおも蚭眮するこずが奜たしい。 透明保護膜は、たずえば、酢酞セルロヌス、ニ
トロセルロヌスなどのセルロヌス誘導䜓あるい
はポリメチルメタクリレヌト、ポリビニルブチラ
ヌル、ポリビニルホルマヌル、ポリカヌボネヌ
ト、ポリ酢酞ビニル、塩化ビニル・酢酞ビニルコ
ポリマヌなどの合成高分子物質のような透明な高
分子物質を適圓な溶媒に溶解しお調補した溶液を
蛍光䜓局の衚面に塗垃する方法により圢成するこ
ずができる。あるいは、ポリ゚チレンテレフタレ
ヌト、ポリ゚チレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
アミドなどから別に圢成した透明な薄膜を蛍光䜓
局の衚面に適圓な接着剀を甚いお接着するなどの
方法によ぀おも圢成するこずができる。このよう
にしお圢成する透明保護膜の膜厚は、玄0.1乃至
20Όずするのが望たしい。 次に本発明の実斜䟋を蚘茉する。ただし、これ
らの各実斜䟋は本発明を制限するものではない。 実斜䟋  塩化セシりムCsCl168.36、臭化ルビゞり
ムRbBr165.47、および臭化ナヌロピりム
EuBr30.392を蒞留氎H2O800mlに添加
し、混合しお氎溶液ずした。この氎溶液を60℃で
時間枛圧也燥した埌、さらに150℃で時間の
真空也燥を行な぀た。 次に、埗られた蛍光䜓原料混合物をアルミナル
ツボに充填し、これを高枩電気炉に入れお焌成を
行な぀た。焌成は、䞀酞化炭玠を含む二酞化炭玠
雰囲気䞭にお900℃の枩床で時間かけお行な぀
た。焌成が完了したのち、焌成物を炉倖に取り出
しお冷华した。このようにしお、粉末状の
CsCl・RbBr0.001Eu2+蛍光䜓を埗た。 実斜䟋  実斜䟋においお、塩化セシりムの代りに臭化
セシりムCsBr212.90を甚いるこず以倖は、
実斜䟋の方法ず同様の操䜜を行なうこずによ
り、粉末状のCsBr・RbBr0.001Eu2+蛍光䜓を
埗た。 実斜䟋  実斜䟋においお、臭化ルビゞりムの代りに沃
化ルビゞりムRbI212.37を甚いるこず以倖
は、実斜䟋の方法ず同様の操䜜を行なうこずに
より、粉末状のCsCl・RbI0.001Eu2+蛍光䜓を
埗た。 さらに、実斜䟋で埗られた蛍光䜓に管電圧
80KVpの線を照射したのち、He−Neレヌザヌ
光波長632.8nmで励起したずきの茝尜発光ス
ペクトル、およびその茝尜発光のピヌク波長玄
370nmにおける茝尜励起スペクトルを枬定し
た。埗られた結果を第図ず第図に瀺す。 第図はCsCl・RbBr0.001Eu2+蛍光䜓の茝
尜励起スペクトルを瀺す。 第図は、CsCl・RbBr0.001Eu2+蛍光䜓の
茝尜発光スペクトルを瀺す。 実斜䟋  実斜䟋で埗られた粉末状のCsCl・RbBr
0.001Eu2+蛍光䜓ず線状ポリ゚ステル暹脂ずの混
合物にメチル゚チルケトンを添加し、さらに硝化
床11.5のニトロセルロヌスを添加しお蛍光䜓を
分散状態で含有する分散液を調補した。次に、こ
の分散液に燐酞トリクレゞル、−ブタノヌル、
そしおメチル゚チルケトンを添加したのち、プロ
ペラミキサヌを甚いお充分に撹拌混合しお、蛍光
䜓が均䞀に分散し、か぀結合剀ず蛍光䜓ずの混合
比が10、粘床が25〜35PS25℃の塗垃液を
調補した。次に、ガラス板䞊に氎平に眮いた二酞
化チタン緎り蟌みポリ゚チレンテレフタレヌトシ
ヌト支持䜓、厚み250Όの䞊に塗垃液を
ドクタヌブレヌドを甚いお均䞀に塗垃した。そし
お塗垃埌に、塗膜が圢成された支持䜓を也燥噚内
に入れ、この也燥噚の内郚の枩床を25℃から100
℃に埐々に䞊昇させお、塗膜の也燥を行な぀た。
このようにしお、支持䜓䞊に局厚が250Όの蛍
光䜓局を圢成した。 そしお、この蛍光䜓局の䞊にポリ゚チレンテレ
フタレヌトの透明フむルム厚み12Ό、ポリ゚
ステル系接着剀が付䞎されおいるものを接着剀
局偎を䞋に向けお眮いお接着するこずにより、透
明保護膜を圢成し、支持䜓、蛍光䜓局、および透
明保護膜から構成された攟射線像倉換パネルを補
造した。 実斜䟋  実斜䟋においお、実斜䟋で埗られた
CsBr・RbBr0.001Eu2+蛍光䜓を甚いるこず以
倖は実斜䟋の方法ず同様の操䜜を行なうこずに
より、支持䜓、蛍光䜓局、および透明保護膜から
構成された攟射線像倉換パネルを補造した。 実斜䟋  実斜䟋においお、実斜䟋で埗られた
CsCl・RbI0.001Eu2+蛍光䜓を甚いるこず以倖
は実斜䟋の方法ず同様の操䜜を行なうこずによ
り、支持䜓、蛍光䜓局、および透明保護膜から構
成された攟射線像倉換パネルを補造した。 次に、実斜䟋〜で埗られた各攟射線像倉換
パネルに、管電圧80KVpの線を照射した埌、
632.8nmの光で励起しお、各パネルの感床茝尜
発光茝床を枬定した。その結果を、第衚に瀺
す。 【衚】
【図面の簡単な説明】
第図は、本発明に甚いられる二䟡ナヌロピり
ム賊掻ハロゲン化セシりム・ルビゞりム蛍光䜓の
䞀䟋であるCsCl・RbBr0.001Eu2+蛍光䜓の茝
尜励起スペクトルである。第図は、本発明に甚
いられる二䟡ナヌロピりム賊掻ハロゲン化セシり
ム・ルビゞりム蛍光䜓の䞀䟋であるCsCl・
RbBr0.001Eu2+蛍光䜓の茝尜発光スペクトルで
ある。第図は、CsCl・aRbBr0.001Eu2+蛍光
䜓における倀ず茝尜発光匷床ずの関係を瀺すグ
ラフである。第図は、本発明の攟射線像倉換方
法を説明する抂略図である。 攟射線発生装眮、被写䜓、
攟射線像倉換パネル、光源、光電倉
換装眮、画像再生装眮、画像衚瀺装
眮、フむルタヌ。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  被写䜓を透過した、あるいは被怜䜓から発せ
    られた攟射線を、䞋蚘組成匏で衚わされる
    二䟡ナヌロピりム賊掻ハロゲン化セシりム・ルビ
    ゞりム蛍光䜓に吞収させた埌、この蛍光䜓に450
    〜900nmの波長領域の電磁波を照射するこずによ
    り、該蛍光䜓に蓄積されおいる攟射線゚ネルギヌ
    を蛍光ずしお攟出させ、そしおこの蛍光を怜出す
    るこずを特城ずする攟射線像倉換方法。 組成匏 CsX・aRbX′xEu2+  ただし、およびX′はそれぞれClBrおよ
    びからなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハ
    ロゲンでありそしおは≊10.0の範囲の
    数倀であり、は≊0.2の範囲の数倀であ
    る  組成匏におけるが、0.15≊≊2.0
    の範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の
    範囲第項蚘茉の攟射線像倉換方法。  組成匏におけるが、10-5≊≊10-2
    の範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の
    範囲第項蚘茉の攟射線像倉換方法。  䞊蚘電磁波が600〜750nmの波長領域の電磁
    波であるこずを特城ずする特蚱請求の範囲第項
    蚘茉の攟射線像倉換方法。  䞊蚘電磁波がレヌザヌ光であるこずを特城ず
    する特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換方
    法。  支持䜓ず、この支持䜓䞊に蚭けられた茝尜性
    蛍光䜓を分散状態で含有支持する結合剀からなる
    少なくずも䞀局の蛍光䜓局ずから実質的に構成さ
    れおおり、該蛍光䜓局のうちの少なくずも䞀局
    が、䞋蚘組成匏で衚わされる二䟡ナヌロピ
    りム賊掻ハロゲン化セシりム・ルビゞりム蛍光䜓
    を含有するこずを特城ずする攟射線像倉換パネ
    ル。 組成匏 CsX・aRbX′xEu2+  ただし、およびX′はそれぞれClBrおよ
    びからなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハ
    ロゲンでありそしおは≊10.0の範囲の
    数倀であり、は≊0.2の範囲の数倀であ
    る  組成匏におけるが、0.15≊≊2.0
    の範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の
    範囲第項蚘茉の攟射線像倉換パネル。  組成匏におけるが、10-5≊≊10-2
    の範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の
    範囲第項蚘茉の攟射線像倉換パネル。
JP7815285A 1985-04-12 1985-04-12 攟射線像倉換方法およびその方法に甚いられる攟射線像倉換パネル Granted JPS61236889A (ja)

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