JPS61220330A - 半導体装置へのイオンビ−ム加工方法およびその装置 - Google Patents
半導体装置へのイオンビ−ム加工方法およびその装置Info
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- JPS61220330A JPS61220330A JP60060573A JP6057385A JPS61220330A JP S61220330 A JPS61220330 A JP S61220330A JP 60060573 A JP60060573 A JP 60060573A JP 6057385 A JP6057385 A JP 6057385A JP S61220330 A JPS61220330 A JP S61220330A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体装置、！￥ＨＣＶＬＳＩ等ケイオンビー
等加イオンビーム加工方法・及びその装置に関する。
等加イオンビーム加工方法・及びその装置に関する。
従来、「表面分析」集計、安盛編、講談社第４版１９８
１ ｍ ９月１日発行、第６１頁に記載しであるように
、イオンビームな細く絞り、タープ。
１ ｍ ９月１日発行、第６１頁に記載しであるように
、イオンビームな細く絞り、タープ。
ト忙照射し、ターゲットを加工することを目的とした装
置はなく、ただ、ＳＩＭＳＩ’−セコンダ９− ４オン
マス スペストロコピーＪ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉ
ｏｎ Ｍａｓｓ ５ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）の分野で
ビームなターゲット九あて、ターゲットの原子をスバ。
置はなく、ただ、ＳＩＭＳＩ’−セコンダ９− ４オン
マス スペストロコピーＪ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉ
ｏｎ Ｍａｓｓ ５ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）の分野で
ビームなターゲット九あて、ターゲットの原子をスバ。
りして、出てくる２次イオンを分析することは行なわれ
ていた。もし、ＳＩＭＳの装置をイオンビーム加工装置
と見ろならば、その加工終点検出は２次イオンの検出に
よって行なわれると言える。しかし、本発明で言及して
いるイオンビーム加工装置はターゲットに照射するビー
ム電流自体がＳＩＭＳ等のビーム電流より２桁から３桁
小さいため、発生する２次イオンの量が少なく、それを
加工の終点検出に利用するのは困難である。また、２次
イオンを検出しようとした場合、２次イオンのエネルギ
ーフィルタを備えた高感度の質量分析計が必要となり、
加工装置の価格を大きく引き上げることになる。
ていた。もし、ＳＩＭＳの装置をイオンビーム加工装置
と見ろならば、その加工終点検出は２次イオンの検出に
よって行なわれると言える。しかし、本発明で言及して
いるイオンビーム加工装置はターゲットに照射するビー
ム電流自体がＳＩＭＳ等のビーム電流より２桁から３桁
小さいため、発生する２次イオンの量が少なく、それを
加工の終点検出に利用するのは困難である。また、２次
イオンを検出しようとした場合、２次イオンのエネルギ
ーフィルタを備えた高感度の質量分析計が必要となり、
加工装置の価格を大きく引き上げることになる。
本発明の目的は、半導体装置へのイオンビーム加工１ｃ
おける終点を簡単に、且つ高ｎ度に検出できるようにし
た半導体装置へのイオンビーム加工方法及びその装置を
提供するＫある。
おける終点を簡単に、且つ高ｎ度に検出できるようにし
た半導体装置へのイオンビーム加工方法及びその装置を
提供するＫある。
本発明は、複数層を有する半導体装置をイオンビームに
よりて加工ずろ除、電流検出手段によりイオンビームが
照射された半導体装置に流れる電流を検出し、この検出
された電流の変化により高ａ度でしかも簡単に加工終点
を検出するよう圧したことを特徴とする半導体装置への
イオンビーム加工方法及びその装置である。即ち本発明
は、例えば第２図ｔａ）に示すようにバ。
よりて加工ずろ除、電流検出手段によりイオンビームが
照射された半導体装置に流れる電流を検出し、この検出
された電流の変化により高ａ度でしかも簡単に加工終点
を検出するよう圧したことを特徴とする半導体装置への
イオンビーム加工方法及びその装置である。即ち本発明
は、例えば第２図ｔａ）に示すようにバ。
シペーション膜Ａ１アルミ配線層Ｂ％８ｉ（ｈ／ｊｔｆ
ｃ。
ｃ。
シリコン基板りで、場所によってはアルミ配線層と５ｉ
Ｏｚ層が数層積層されたＶｌ、Ｓ Ｉ等の半導体装置を
イオンビームを所定の領域で例えば第２図（Ｇ）に示す
ように走査して加工していく際、シリコン基板から流れ
る基板電流が第２図（ｂ）に示すように、バ、シペーシ
ョン膜を加工する領域Ａは走査による電流の変化が小さ
く、アルミ層を加工する領域Ｂは次に走査による電流の
変化が大きくなり、５ｉＯｚＦｆｊＣを加工する領域は
更に走晋による電流の変化が大きくなり、シリコン基板
りを加工する領域はＩ＆後に走査による電流の変化は小
さくなることに着目し、この基板電流の変化を検出する
ことによってイオンビーム加工が必要とする層までの加
工終点を高精度に検出できろようＩｃＩ、、超微細加工
を可能にしたものである。
Ｏｚ層が数層積層されたＶｌ、Ｓ Ｉ等の半導体装置を
イオンビームを所定の領域で例えば第２図（Ｇ）に示す
ように走査して加工していく際、シリコン基板から流れ
る基板電流が第２図（ｂ）に示すように、バ、シペーシ
ョン膜を加工する領域Ａは走査による電流の変化が小さ
く、アルミ層を加工する領域Ｂは次に走査による電流の
変化が大きくなり、５ｉＯｚＦｆｊＣを加工する領域は
更に走晋による電流の変化が大きくなり、シリコン基板
りを加工する領域はＩ＆後に走査による電流の変化は小
さくなることに着目し、この基板電流の変化を検出する
ことによってイオンビーム加工が必要とする層までの加
工終点を高精度に検出できろようＩｃＩ、、超微細加工
を可能にしたものである。
〔発明の実施例〕
以下本発明を図に示す実施例に基づいて説明する。第１
図は本発明の半導体装置へのイオンビーム加工方法を実
施するだめのイオンピ・−ム加工装置の基本構成を示す
図である。即ち、イオノ源１と引き出し電極５との間に
電圧をかけてイオンビーム２を引き出し、集束レンズ４
でターゲット９上にビームを集束する。イオン光学系に
は上記電極以外にビームディファイディ／グアバ−チャ
５、ブランキング電極６、グラ／キングアパーチャア、
ディフレクタ電極８を設けている。ブランキング電極６
とはブランキング電極１７から電圧を与え、イオンビー
ムな高速で偏向し、タープｙ ） ’ｐ 」二でのビー
ムのオンオフを行なう。また、グイフレフタ電＠８には
、グイフレフタコントローラ１４からイオンビーム偏向
電圧を与えるが、同じ偏向電圧をＣ几Ｔ１ｓの偏向ＷＬ
罹に与えろ。この時、ターゲット９から発生する２次電
子１１をディテクタ１２で検出し、へ、ドアンプ１５で
増巾した信号でＣＲＴ１５に輝度変調をかけることＫよ
り、ターゲット９表面の２次電子信号を得、走査電子顕
微鏡と同じ原理で走査イオン顕微鏡として、加工すべざ
ターデアト９氏面を観察できる。これで、加工位置決め
を行なう。また、テーブル１０から取り出した電流を電
流計１６で計測し、レコーダ１８に記録している。
図は本発明の半導体装置へのイオンビーム加工方法を実
施するだめのイオンピ・−ム加工装置の基本構成を示す
図である。即ち、イオノ源１と引き出し電極５との間に
電圧をかけてイオンビーム２を引き出し、集束レンズ４
でターゲット９上にビームを集束する。イオン光学系に
は上記電極以外にビームディファイディ／グアバ−チャ
５、ブランキング電極６、グラ／キングアパーチャア、
ディフレクタ電極８を設けている。ブランキング電極６
とはブランキング電極１７から電圧を与え、イオンビー
ムな高速で偏向し、タープｙ ） ’ｐ 」二でのビー
ムのオンオフを行なう。また、グイフレフタ電＠８には
、グイフレフタコントローラ１４からイオンビーム偏向
電圧を与えるが、同じ偏向電圧をＣ几Ｔ１ｓの偏向ＷＬ
罹に与えろ。この時、ターゲット９から発生する２次電
子１１をディテクタ１２で検出し、へ、ドアンプ１５で
増巾した信号でＣＲＴ１５に輝度変調をかけることＫよ
り、ターゲット９表面の２次電子信号を得、走査電子顕
微鏡と同じ原理で走査イオン顕微鏡として、加工すべざ
ターデアト９氏面を観察できる。これで、加工位置決め
を行なう。また、テーブル１０から取り出した電流を電
流計１６で計測し、レコーダ１８に記録している。
次に本発明の具体的実施例を説明する。
〈実施例ｔ〉
第３図は本発明の一実施例を示したものである。前述の
通り、イオンビーム２を引ざ出し、集束し、偏向し、Ｖ
ＬＳＩ等の半導体装置９を加工する。この時、基板電流
をへ、ドアンブ２０で増幅り、 、Ａ／Ｄコンバータ２
１でデジタル信号とし、メインコントローラ２２へ入力
する。また、基板電流はビーム走査に同期して変化し、
中央部の走査線では小さく、上下端部の走査線では大き
くなる。そこで、常に同じ走査線の信号が取れるように
デフレクタコントローラ１４からビーム走査の同期信号
をメインコントローラ２２へ入力している。メインコン
トローラ２２は入力された基板電流信号を処理し、例え
ばアルミ配線層Ｂまでの加工の終点を判断し、ブランキ
ング電源１７釦オン信号を送シ、ビーム遮断して加工を
停止する。
通り、イオンビーム２を引ざ出し、集束し、偏向し、Ｖ
ＬＳＩ等の半導体装置９を加工する。この時、基板電流
をへ、ドアンブ２０で増幅り、 、Ａ／Ｄコンバータ２
１でデジタル信号とし、メインコントローラ２２へ入力
する。また、基板電流はビーム走査に同期して変化し、
中央部の走査線では小さく、上下端部の走査線では大き
くなる。そこで、常に同じ走査線の信号が取れるように
デフレクタコントローラ１４からビーム走査の同期信号
をメインコントローラ２２へ入力している。メインコン
トローラ２２は入力された基板電流信号を処理し、例え
ばアルミ配線層Ｂまでの加工の終点を判断し、ブランキ
ング電源１７釦オン信号を送シ、ビーム遮断して加工を
停止する。
基板電流は加工が進行するに従い第４図［ａ）のＢＫ変
化する。基板電流は１走査が終了し、次の走査に移る時
に最大値を示す。また、走査領域中央部では最小値とな
る。そこで、デフレクタコントローラ１４からの同期信
号受信時とその時から１走査の時間の２が濾過した時の
電流値を抽出して第４図（ｂ）の様な基板Ｘ流の最大、
最小をモニタする。今回は１走査が１秒オーダーで比較
的遅いため、同期信号による信号抽出を行なったが、１
走査を速くした場合には同期信号をトリガーとしてＡ／
Ｄゴンパータ２１を動作させる方式に替える。第４図（
ｂ）の様に最小値を得、最小値の時間変化からだけでも
加工の終点検出は可能であるが、半導体の構造によって
は最小値に材質による著しい変動が見られない場合があ
る。その場合には基板電流の最大値と最小値の差を計算
し、第４図（ｃ）の様な変化中のモニタリングを行ない
良好な終点検出が可能となる。
化する。基板電流は１走査が終了し、次の走査に移る時
に最大値を示す。また、走査領域中央部では最小値とな
る。そこで、デフレクタコントローラ１４からの同期信
号受信時とその時から１走査の時間の２が濾過した時の
電流値を抽出して第４図（ｂ）の様な基板Ｘ流の最大、
最小をモニタする。今回は１走査が１秒オーダーで比較
的遅いため、同期信号による信号抽出を行なったが、１
走査を速くした場合には同期信号をトリガーとしてＡ／
Ｄゴンパータ２１を動作させる方式に替える。第４図（
ｂ）の様に最小値を得、最小値の時間変化からだけでも
加工の終点検出は可能であるが、半導体の構造によって
は最小値に材質による著しい変動が見られない場合があ
る。その場合には基板電流の最大値と最小値の差を計算
し、第４図（ｃ）の様な変化中のモニタリングを行ない
良好な終点検出が可能となる。
現在、加工速度はＱ、１μｎｓ ｌ／ＳｅＣ程度である
。
。
２μ属×２μ風の矩形加工を行なうとすると深さ方向の
加工速度はＣＬＯ２５μｍ／ｓｅｅとなる。−走査を１
秒として加工を進めているが、終点の判断は４点を順次
比較して行なうため、終点の判断中にα１ｐｍ加工が進
行する。しかし、眉間絶縁膜の厚さは１ｐ＃１程度であ
り実用上（１１％Ｍ加工が進んでも問題はなく、終点検
出Ｎ度は充分である。もし、さらに高精度の加工終点検
出が必要ならｄ走査速度を速めるか走査線数を減らし、
−走査で加工される深さを減らせば良い。
加工速度はＣＬＯ２５μｍ／ｓｅｅとなる。−走査を１
秒として加工を進めているが、終点の判断は４点を順次
比較して行なうため、終点の判断中にα１ｐｍ加工が進
行する。しかし、眉間絶縁膜の厚さは１ｐ＃１程度であ
り実用上（１１％Ｍ加工が進んでも問題はなく、終点検
出Ｎ度は充分である。もし、さらに高精度の加工終点検
出が必要ならｄ走査速度を速めるか走査線数を減らし、
−走査で加工される深さを減らせば良い。
〈実施例２〉
第５図は本実施例の説明図である。本実施例では２次電
子の効果を除き純粋な基板電流の変化のみをモニタでき
る事を考えた。２次電子１１は引き込み電源２３から引
き込み電極２４にプラス電位を与え、そのほとんどをフ
ァラデー力、ブ２６中へ導入する。ファラデーカップ２
６にはそこから発生する２次電子を逃がさない様に電子
トラップ電極２５にトラ、プ戒源２７からマイナス電位
をかける。また、ファラデー力、プ２６自身を２次電子
加速電源２８でプラス電位に浮かしている。２次電子電
流は基板電流と同様にへ、ドアンプ２９で増巾した後、
減算器３０で基板電流から減算される。２次電子の効果
を除いた基板電流をＡ／Ｄコンバータ３１を通しメイン
コントローラ２２で信号処理し、加工の終点を判断しブ
ランキング電源１７にオン信号を送って加工を停止する
。２次電子の効果を除いた基板電流の変化第４図ｆｂ）
に示した基板電流の最小値の変化に近いものが得られる
が、それは完全に基板への９−り電流のみを反映したも
のであり、終点検出の信頼性が高くなる。ただ、終点の
判断は実施例ｔと同じ方式のため、１１μ属の誤差を生
ずる。
子の効果を除き純粋な基板電流の変化のみをモニタでき
る事を考えた。２次電子１１は引き込み電源２３から引
き込み電極２４にプラス電位を与え、そのほとんどをフ
ァラデー力、ブ２６中へ導入する。ファラデーカップ２
６にはそこから発生する２次電子を逃がさない様に電子
トラップ電極２５にトラ、プ戒源２７からマイナス電位
をかける。また、ファラデー力、プ２６自身を２次電子
加速電源２８でプラス電位に浮かしている。２次電子電
流は基板電流と同様にへ、ドアンプ２９で増巾した後、
減算器３０で基板電流から減算される。２次電子の効果
を除いた基板電流をＡ／Ｄコンバータ３１を通しメイン
コントローラ２２で信号処理し、加工の終点を判断しブ
ランキング電源１７にオン信号を送って加工を停止する
。２次電子の効果を除いた基板電流の変化第４図ｆｂ）
に示した基板電流の最小値の変化に近いものが得られる
が、それは完全に基板への９−り電流のみを反映したも
のであり、終点検出の信頼性が高くなる。ただ、終点の
判断は実施例ｔと同じ方式のため、１１μ属の誤差を生
ずる。
しかし、実用上問題とはならない。
以上説明したように本発明くよれば、［Ｌ１μ闇以下の
精度で加工の終点検出が可能であるので、実用上問題に
ない程度に下部への損傷を抑える°ことがでよる。また
、他の方法は、例えば２次イオンを検出する方法等、に
比べ機器構成が単Ｘｌテすむため、加工装置の価格を抑
えろと同時に終点検出の信頼性を高める効果がある。
精度で加工の終点検出が可能であるので、実用上問題に
ない程度に下部への損傷を抑える°ことがでよる。また
、他の方法は、例えば２次イオンを検出する方法等、に
比べ機器構成が単Ｘｌテすむため、加工装置の価格を抑
えろと同時に終点検出の信頼性を高める効果がある。
第１図はイオンビーム加工装置の構成図、第２図は加工
過程を示す説明図、第３図は実施例ｔの機器構成図、第
４図は基板電流の信号処理を示す説明図、第５図は実施
例２０機器構成図である。 １・・・イオン源、２・・・イオンビーム、３・・・引
き出し電極、４・・・実速レンズ、５・・・ビームディ
ファイディングアパーチャ、６・・・ブランキング電極
、７・・・ブランキングアパチャー、８・・・デフレク
タ電極、９・・・タープ、）、１０・・・テーブル、１
１・・・２次電子、１２・・・２次電子ディテクタ、１
５・・・へ、ドアンブ、１４・・・デフレクタコントロ
ーラ、１５・・・ＣＲＴ、１６・・・電流計、１７・・
・ブランキング電源、１９・・・レコーダ、２０・・・
へ、ドアンフ、２１・・・Ａ／Ｄコンバータ、２２・・
・メインコントローラ、２３・・・２次電子引き込み電
源、２４・・・２次電子引き込み電極、２５・・・２次
電子トラップ電極、２６・・・ファラデー力、ブ、２７
・・・２次電子トラ、プ電極、２８・・・２次電子加速
電源、２９・・・へ、ド１ンプ、５０・・・減算器、３
１・・・Ａ／Ｄコンバータ。 第 １ え 第２図 第 ３ 図 躬 ４ 幻 躬５０
過程を示す説明図、第３図は実施例ｔの機器構成図、第
４図は基板電流の信号処理を示す説明図、第５図は実施
例２０機器構成図である。 １・・・イオン源、２・・・イオンビーム、３・・・引
き出し電極、４・・・実速レンズ、５・・・ビームディ
ファイディングアパーチャ、６・・・ブランキング電極
、７・・・ブランキングアパチャー、８・・・デフレク
タ電極、９・・・タープ、）、１０・・・テーブル、１
１・・・２次電子、１２・・・２次電子ディテクタ、１
５・・・へ、ドアンブ、１４・・・デフレクタコントロ
ーラ、１５・・・ＣＲＴ、１６・・・電流計、１７・・
・ブランキング電源、１９・・・レコーダ、２０・・・
へ、ドアンフ、２１・・・Ａ／Ｄコンバータ、２２・・
・メインコントローラ、２３・・・２次電子引き込み電
源、２４・・・２次電子引き込み電極、２５・・・２次
電子トラップ電極、２６・・・ファラデー力、ブ、２７
・・・２次電子トラ、プ電極、２８・・・２次電子加速
電源、２９・・・へ、ド１ンプ、５０・・・減算器、３
１・・・Ａ／Ｄコンバータ。 第 １ え 第２図 第 ３ 図 躬 ４ 幻 躬５０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、イオン源から射出されるイオンビームをイオン光学
系で集束させ、更に偏向電極等で偏向させて複数層を有
する半導体装置に照射し、照射された半導体装置に流れ
る電流を電流検出手段により検出し、この検出された電
流の変化により半導体装置のある層への加工の終点を検
出して加工することを特徴とする半導導体装置へのイオ
ンビーム加工方法。 ２、半導体装置に流れる電流として基板へリークする電
流であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体装置へのイオンビーム加工方法。 ３、イオン源から射出されるイオンビームをイオン光学
系で集束させ、更に偏向電極等で偏向させて複数層を有
する半導体装置に照射し、照射された半導体装置に流れ
る電流を電流検出手段により検出し、照射された半導体
装置から発生する２次電子を２次電子検出手段により検
出し、これら検出された信号の差の変化により半導体装
置のある層への加工の終点を検出して加工することを特
徴とする半導体装置へのイオンビーム加工方法。 ４、イオンビームを射出するイオン源と、該イオン源か
ら射出されたイオンビームを集束させるイオン光学系と
、上記イオン源が射出されたイオンビームを偏向させる
偏向電極と、上記イオン光学系及び偏向電極により集束
、偏向されたイオンビームが照射される半導体装置を載
置したテーブルと、該半導体装置に流れる電流を検出す
る電流検出手段と、該電流検出手段で検出される電流の
変化を検出して加工の終点を検出する加工終点検出手段
とを備え付けたことを特徴とする半導体装置へのイオン
ビーム加工装置。 ５、イオンビームを射出するイオン源と、該イオン源か
ら射出されたイオンビームを集束させるイオン光学系と
、上記イオン源から射出されたイオンビームを偏向させ
る偏向電極と、上記イオン光学系及び偏向電極により集
束、偏向されたイオンビームが照射される半導体装置を
載置したテーブルと、該半導体装置に流れる電流を検出
する電流検出手段と、イオンビームが半導体装置に照射
されて発生する２次電子を捕獲検出するファラデーカッ
プと、該ファラデーカップから検出される２次電子の信
号と電流検出手段から検出される電流の信号とにもとづ
いて得られる加工終点検出信号の変化により加工の終点
を検出する加工終点検出手段とを備え付けたことを特徴
とする半導体装置へのイオンビーム加工装置。 ６、加工終点検出手段において、加工終点検出信号を電
流の信号から２次電子の信号を減算して得ることを特徴
とする特許請求の範囲第５項記載のイオンビーム加工装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60060573A JP2539359B2 (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 半導体装置へのイオンビ−ム加工方法およびその装置 |
| KR8602240A KR900005783B1 (en) | 1985-03-27 | 1986-03-26 | Ion beam cutting method and device thereof for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60060573A JP2539359B2 (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 半導体装置へのイオンビ−ム加工方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220330A true JPS61220330A (ja) | 1986-09-30 |
| JP2539359B2 JP2539359B2 (ja) | 1996-10-02 |
Family
ID=13146134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60060573A Expired - Lifetime JP2539359B2 (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 半導体装置へのイオンビ−ム加工方法およびその装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2539359B2 (ja) |
| KR (1) | KR900005783B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0316125A (ja) * | 1989-03-30 | 1991-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6753253B1 (en) * | 1986-06-18 | 2004-06-22 | Hitachi, Ltd. | Method of making wiring and logic corrections on a semiconductor device by use of focused ion beams |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS579877A (en) * | 1980-05-16 | 1982-01-19 | Varian Associates | Final point detection in physical etching process |
| JPS58202038A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム加工装置 |
| JPS59208830A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム加工方法およびその装置 |
| JPS60200529A (ja) * | 1984-03-24 | 1985-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | イオンビ−ムによるエツチング加工方法 |
-
1985
- 1985-03-27 JP JP60060573A patent/JP2539359B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-03-26 KR KR8602240A patent/KR900005783B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS579877A (en) * | 1980-05-16 | 1982-01-19 | Varian Associates | Final point detection in physical etching process |
| JPS58202038A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム加工装置 |
| JPS59208830A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム加工方法およびその装置 |
| JPS60200529A (ja) * | 1984-03-24 | 1985-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | イオンビ−ムによるエツチング加工方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6753253B1 (en) * | 1986-06-18 | 2004-06-22 | Hitachi, Ltd. | Method of making wiring and logic corrections on a semiconductor device by use of focused ion beams |
| JPH0316125A (ja) * | 1989-03-30 | 1991-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2539359B2 (ja) | 1996-10-02 |
| KR900005783B1 (en) | 1990-08-11 |
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