JPH11326247A - 基板検査装置およびこれを備えた基板検査システム並びに基板検査方法 - Google Patents
基板検査装置およびこれを備えた基板検査システム並びに基板検査方法Info
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- JPH11326247A JPH11326247A JP13390598A JP13390598A JPH11326247A JP H11326247 A JPH11326247 A JP H11326247A JP 13390598 A JP13390598 A JP 13390598A JP 13390598 A JP13390598 A JP 13390598A JP H11326247 A JPH11326247 A JP H11326247A
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い精度で試料の電位コントラスト欠陥を検
出し、かつ、これを定量的に測定することができる基板
検査装置およびこれを備えた基板検査システム並びに基
板検査方法を提供する。 【解決手段】 電子ビーム３１を半導体ウェーハ１１の
表面に照射し、そこから発生する二次電子、反射電子お
よび後方散乱電子を二次電子ビーム３２として写像投影
手段で電子ビーム検出部６１の下面に拡大投影して結像
することで、半導体ウェーハパターンの観察および検査
を行う基板検査システム６０において、写像投影系内に
平行平板型エネルギーフィルタ３３を備え、二次電子ビ
ームを分離して所定値以上のエネルギーを有する二次電
子ビームを取出す。
出し、かつ、これを定量的に測定することができる基板
検査装置およびこれを備えた基板検査システム並びに基
板検査方法を提供する。 【解決手段】 電子ビーム３１を半導体ウェーハ１１の
表面に照射し、そこから発生する二次電子、反射電子お
よび後方散乱電子を二次電子ビーム３２として写像投影
手段で電子ビーム検出部６１の下面に拡大投影して結像
することで、半導体ウェーハパターンの観察および検査
を行う基板検査システム６０において、写像投影系内に
平行平板型エネルギーフィルタ３３を備え、二次電子ビ
ームを分離して所定値以上のエネルギーを有する二次電
子ビームを取出す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビームを用い
た基板検査装置および基板検査システム並びに基板検査
方法に関し、特に、半導体ウェーハやフォトマスクの欠
陥の検査に好適な検査装置および検査システム並びに検
査方法に関するものである。
た基板検査装置および基板検査システム並びに基板検査
方法に関し、特に、半導体ウェーハやフォトマスクの欠
陥の検査に好適な検査装置および検査システム並びに検
査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高集積度化に伴い、半導体
ウェーハやフォトマスク上の欠陥、異物の検出に要求さ
れる感度がますます高くなっている。一般に、製品の品
質上重大な不良を発生させるパターン欠陥および異物を
検査するには、パターン配線幅の１／２以下の検出感度
が必要となるため、１／４μｍ以下のデザインルールの
半導体ウェーハの欠陥検査において、近年は、光学式に
よるパターン欠陥検査の限界に近づいてきている。そこ
で、光学式に替わり、電子ビームを用いたパターン欠陥
検査装置が開発されており、特開平５−２５８７０３号
公報、特開平７−２４９３９３号公報などに提案されて
いる。
ウェーハやフォトマスク上の欠陥、異物の検出に要求さ
れる感度がますます高くなっている。一般に、製品の品
質上重大な不良を発生させるパターン欠陥および異物を
検査するには、パターン配線幅の１／２以下の検出感度
が必要となるため、１／４μｍ以下のデザインルールの
半導体ウェーハの欠陥検査において、近年は、光学式に
よるパターン欠陥検査の限界に近づいてきている。そこ
で、光学式に替わり、電子ビームを用いたパターン欠陥
検査装置が開発されており、特開平５−２５８７０３号
公報、特開平７−２４９３９３号公報などに提案されて
いる。
【０００３】特開平７−２４９３９３号公報には、電子
ビームを用いた半導体ウェーハのパターン欠陥方法およ
び同装置が提案されている。この検出装置を図９に示
す。
ビームを用いた半導体ウェーハのパターン欠陥方法およ
び同装置が提案されている。この検出装置を図９に示
す。
【０００４】同図に示すように、パターン欠陥検出装置
８０は、矩形の電子放出面陰極を有し、矩形の断面形状
を有する電子ビーム８８を試料８２の表面８５に照射す
る電子銃と四極子レンズ系とを備えた１次光学系８１
と、試料から発生する二次電子、反射電子および後方散
乱電子８３を検出する電子ビーム検出手段８６と、検出
手段８６上に二次電子、反射電子および後方散乱電子８
３の二次元／一次元像を結像させる写像投影光学手段と
を有する二次電子検出系８４と、検出信号を処理する検
出信号処理回路８７とを備えている。
８０は、矩形の電子放出面陰極を有し、矩形の断面形状
を有する電子ビーム８８を試料８２の表面８５に照射す
る電子銃と四極子レンズ系とを備えた１次光学系８１
と、試料から発生する二次電子、反射電子および後方散
乱電子８３を検出する電子ビーム検出手段８６と、検出
手段８６上に二次電子、反射電子および後方散乱電子８
３の二次元／一次元像を結像させる写像投影光学手段と
を有する二次電子検出系８４と、検出信号を処理する検
出信号処理回路８７とを備えている。
【０００５】この欠陥検出装置８０によれば、試料表面
に照射する電子ビームの断面形状を円形や方形でなく矩
形状とすることにより、走査時間を短縮し、かつ、この
矩形ビームのアスペクト比を適切に設定することによ
り、電子ビームの電流密度を制御し、さらに、電子ビー
ム検出手段８６において検出された画像信号を並列に信
号処理するので、ウェーハパターンの欠陥を高速で検出
できるという利点があった。
に照射する電子ビームの断面形状を円形や方形でなく矩
形状とすることにより、走査時間を短縮し、かつ、この
矩形ビームのアスペクト比を適切に設定することによ
り、電子ビームの電流密度を制御し、さらに、電子ビー
ム検出手段８６において検出された画像信号を並列に信
号処理するので、ウェーハパターンの欠陥を高速で検出
できるという利点があった。
【０００６】このような電子ビームを用いた欠陥検査
は、ウェーハ表面の微細なパターン欠陥の検出に加え
て、試料表面の表面電位の違いによって発生する画像コ
ントラスト（電位コントラスト）を用いることにより、
半導体ウェーハ上の電気的な導通不良（オープン、ショ
ート不良等）に起因した欠陥をも検出することができ
る。この電位コントラストを誘発する電気的導通異常を
起こしている欠陥は、電位コントラスト欠陥と呼ばれて
いる。この電位コントラスト欠陥を検出する原理を図面
を参照しながら説明する。
は、ウェーハ表面の微細なパターン欠陥の検出に加え
て、試料表面の表面電位の違いによって発生する画像コ
ントラスト（電位コントラスト）を用いることにより、
半導体ウェーハ上の電気的な導通不良（オープン、ショ
ート不良等）に起因した欠陥をも検出することができ
る。この電位コントラストを誘発する電気的導通異常を
起こしている欠陥は、電位コントラスト欠陥と呼ばれて
いる。この電位コントラスト欠陥を検出する原理を図面
を参照しながら説明する。
【０００７】電子ビームの照射により、試料表面は帯電
する。この時の帯電の極性（正負）は、照射させる電子
のエネルギーと半導体ウェーハ表面の材質によって決定
される。図１０は、電子ビームの照射を受けた半導体ウ
ェーハの一例を示す略示断面図である。同図に示す半導
体ウェーハ１００に、例えば、所定のエネルギー量の電
子ビーム１０１を照射した場合に、ウェーハ表面の電気
的にフローティングになっているＡｌ電極パターン９２
は負極に帯電し、この一方、加速電圧１ｋＶ程度の電子
ビーム照射においては、ＳｉＯ2 等の絶縁膜のパターン
９１では、正極に帯電する。また、同一の材質Ａｌで形
成されたパターンであっても、電極パターン９３のよう
に接地されている場合は、電子ビームが基板に流れるた
め帯電しない。このように、電子ビームの照射によって
試料表面がさまざまな極性および値で帯電するため、こ
れによって試料の表面に電位が誘起される。この表面電
位により、試料から発生する二次電子、反射電子および
後方散乱電子の発生効率と、発生したこれらの電子が検
出器に取り込まれる検出効率が変化する。図１０に示す
例では、Ａｌ電極パターン９２から発生する二次電子、
反射電子および後方散乱電子１０２の発生効率と検出効
率が高いため、電子検出器での検出信号量が大きく、Ａ
ｌ電極パターン９３からの二次電子、反射電子および後
方散乱電子１０３は帯電によっての電子発生効率がパタ
ーン９２に比べて低いため、電子検出器での検出信号量
はパターン９２の場合に比べて低い。この一方、絶縁膜
のパターン９１では、正極に帯電した基板表面に吸収さ
れる二次電子、反射電子および後方散乱電子が多いた
め、検出信号量は他の部位（Ａｌ電極パターン９２，９
３）に比べて極めて低くなる。
する。この時の帯電の極性（正負）は、照射させる電子
のエネルギーと半導体ウェーハ表面の材質によって決定
される。図１０は、電子ビームの照射を受けた半導体ウ
ェーハの一例を示す略示断面図である。同図に示す半導
体ウェーハ１００に、例えば、所定のエネルギー量の電
子ビーム１０１を照射した場合に、ウェーハ表面の電気
的にフローティングになっているＡｌ電極パターン９２
は負極に帯電し、この一方、加速電圧１ｋＶ程度の電子
ビーム照射においては、ＳｉＯ2 等の絶縁膜のパターン
９１では、正極に帯電する。また、同一の材質Ａｌで形
成されたパターンであっても、電極パターン９３のよう
に接地されている場合は、電子ビームが基板に流れるた
め帯電しない。このように、電子ビームの照射によって
試料表面がさまざまな極性および値で帯電するため、こ
れによって試料の表面に電位が誘起される。この表面電
位により、試料から発生する二次電子、反射電子および
後方散乱電子の発生効率と、発生したこれらの電子が検
出器に取り込まれる検出効率が変化する。図１０に示す
例では、Ａｌ電極パターン９２から発生する二次電子、
反射電子および後方散乱電子１０２の発生効率と検出効
率が高いため、電子検出器での検出信号量が大きく、Ａ
ｌ電極パターン９３からの二次電子、反射電子および後
方散乱電子１０３は帯電によっての電子発生効率がパタ
ーン９２に比べて低いため、電子検出器での検出信号量
はパターン９２の場合に比べて低い。この一方、絶縁膜
のパターン９１では、正極に帯電した基板表面に吸収さ
れる二次電子、反射電子および後方散乱電子が多いた
め、検出信号量は他の部位（Ａｌ電極パターン９２，９
３）に比べて極めて低くなる。
【０００８】このような試料の表面電位の変化に基づく
検出信号量の変化は、写像投影手段によって結像された
電子像の画像コントラストとして現われる。この電子像
の画像コントラストを電位コントラストという。一般
に、電位コントラストは、走査電子顕微鏡の二次電子像
の帯電といった形で現われたり、ＥＢテスタ解析などで
利用されている。
検出信号量の変化は、写像投影手段によって結像された
電子像の画像コントラストとして現われる。この電子像
の画像コントラストを電位コントラストという。一般
に、電位コントラストは、走査電子顕微鏡の二次電子像
の帯電といった形で現われたり、ＥＢテスタ解析などで
利用されている。
【０００９】電子ビームを半導体ウェーハ表面に照射さ
せて得られる二次、反射および後方散乱電子像において
は、形状によって発生したコントラスト（形状コントラ
スト）に加えて、この電位コントラストが必ず含まれて
いる。従って、半導体配線パターンのコンタクトホール
や配線同士で、ショートやオープンなどの電気的導通不
良箇所があった場合には、不良箇所での表面電位が電気
的に正常な箇所での表面電位と異なるため、正常箇所と
は異なる電位コントラストが現れる。
せて得られる二次、反射および後方散乱電子像において
は、形状によって発生したコントラスト（形状コントラ
スト）に加えて、この電位コントラストが必ず含まれて
いる。従って、半導体配線パターンのコンタクトホール
や配線同士で、ショートやオープンなどの電気的導通不
良箇所があった場合には、不良箇所での表面電位が電気
的に正常な箇所での表面電位と異なるため、正常箇所と
は異なる電位コントラストが現れる。
【００１０】例えば、図１１に示す半導体ウェーハ１１
０のように、タングステン（Ｗ）で形成された配線パタ
ーン１１２、１１３について説明すると、配線パターン
１１２、１１３は、いずれも接地されるように設計され
ており、二次電子、反射電子および後方散乱電子の検出
率はいずれも低くなるはずである。しかし、同図に示す
ように、配線パターン１１３については、コンタクトホ
ールが充分に形成されていないため、オープンの状態と
なっている。これにより、配線パターン１１３からは多
くの二次電子、反射電子および後方散乱電子が検出され
ることになり、これにより、検出画像において電気的に
正常箇所と異なる電位コントラストが検出される。以下
では、電気的導通条件が正常な箇所とは異なる電位コン
トラストを異常電位コントラストと呼ぶ。
０のように、タングステン（Ｗ）で形成された配線パタ
ーン１１２、１１３について説明すると、配線パターン
１１２、１１３は、いずれも接地されるように設計され
ており、二次電子、反射電子および後方散乱電子の検出
率はいずれも低くなるはずである。しかし、同図に示す
ように、配線パターン１１３については、コンタクトホ
ールが充分に形成されていないため、オープンの状態と
なっている。これにより、配線パターン１１３からは多
くの二次電子、反射電子および後方散乱電子が検出され
ることになり、これにより、検出画像において電気的に
正常箇所と異なる電位コントラストが検出される。以下
では、電気的導通条件が正常な箇所とは異なる電位コン
トラストを異常電位コントラストと呼ぶ。
【００１１】このように、異常電位コントラストを検出
することで、半導体ウエーハの電気的導通不良箇所の検
査が可能となる。
することで、半導体ウエーハの電気的導通不良箇所の検
査が可能となる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
従来技術においては、以下の理由から異常電位コントラ
ストの検出精度が劣るという問題点があった。
従来技術においては、以下の理由から異常電位コントラ
ストの検出精度が劣るという問題点があった。
【００１３】即ち、電位コントラスト欠陥の表面電位
は、１０Ｖ以下と推定されるため、このような欠陥の検
出には、その表面電位の差に応じた電位コントラスト像
を用いる必要がある。従って、表面電位差以上のエネル
ギー幅をもつ電子を結像させた場合には、表面電位差を
超えるエネルギー成分がノイズ成分となり、異常電位コ
ントラストの検出精度を劣化させる要因となる。前述の
従来技術では、ウェーハ試料から発生した二次電子、反
射電子および後方散乱電子の全てのエネルギー範囲の電
子を検出器上に結像させるため、得られる電位コントラ
スト画像は、連続したエネルギーを有する電子で形成さ
れることになる。このため、ウェーハ試料の表面電位の
微妙な差を検出することが困難である、という問題点が
あった。
は、１０Ｖ以下と推定されるため、このような欠陥の検
出には、その表面電位の差に応じた電位コントラスト像
を用いる必要がある。従って、表面電位差以上のエネル
ギー幅をもつ電子を結像させた場合には、表面電位差を
超えるエネルギー成分がノイズ成分となり、異常電位コ
ントラストの検出精度を劣化させる要因となる。前述の
従来技術では、ウェーハ試料から発生した二次電子、反
射電子および後方散乱電子の全てのエネルギー範囲の電
子を検出器上に結像させるため、得られる電位コントラ
スト画像は、連続したエネルギーを有する電子で形成さ
れることになる。このため、ウェーハ試料の表面電位の
微妙な差を検出することが困難である、という問題点が
あった。
【００１４】さらに、前述の従来技術においては、得ら
れた電位コントラスト像から電位コントラスト欠陥の電
気的特性を定量的に測定することが不可能であった。
れた電位コントラスト像から電位コントラスト欠陥の電
気的特性を定量的に測定することが不可能であった。
【００１５】前述したとおり、コンタクト抵抗値などの
欠陥の電気的特性は、ウェーハ試料の表面電位に反映す
る。従って、電位コントラスト像において表面電位を定
量的に測定できると、電気的特性を定量的に測定するこ
とができ、その効果は極めて大きい。
欠陥の電気的特性は、ウェーハ試料の表面電位に反映す
る。従って、電位コントラスト像において表面電位を定
量的に測定できると、電気的特性を定量的に測定するこ
とができ、その効果は極めて大きい。
【００１６】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、高い精度で試料の電位コントラス
ト欠陥を検出し、かつ、これを定量的に測定することが
できる基板検査装置およびこれを備えた基板検査システ
ム並びに基板検査方法を提供することにある。
であり、その目的は、高い精度で試料の電位コントラス
ト欠陥を検出し、かつ、これを定量的に測定することが
できる基板検査装置およびこれを備えた基板検査システ
ム並びに基板検査方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、以下の手段に
より上記課題の解決を図る。即ち、本発明（請求項１）
によれば、試料である基板に電子ビームを一次電子ビー
ムとして照射する一次電子ビーム照射手段と、この一次
電子ビームの照射を受けて、上記基板から発生する二次
電子および反射電子を導いて二次電子ビームに集束して
結像させる写像投影手段と、上記二次電子ビームを上記
試料表面の電気的状態に対応したエネルギー成分ごとに
分離して取出す電子ビーム分離手段と、この電子ビーム
分離手段により分離され、上記写像投影手段により結像
された上記二次電子ビームを検出し、画像信号として出
力する電子ビーム検出手段と、上記電子ビーム検出手段
から上記画像信号の供給を受けて、上記基板の表面の物
理的・電気的状態を表す画像を表示する画像表示手段と
を備えた基板検査装置が提供される。
より上記課題の解決を図る。即ち、本発明（請求項１）
によれば、試料である基板に電子ビームを一次電子ビー
ムとして照射する一次電子ビーム照射手段と、この一次
電子ビームの照射を受けて、上記基板から発生する二次
電子および反射電子を導いて二次電子ビームに集束して
結像させる写像投影手段と、上記二次電子ビームを上記
試料表面の電気的状態に対応したエネルギー成分ごとに
分離して取出す電子ビーム分離手段と、この電子ビーム
分離手段により分離され、上記写像投影手段により結像
された上記二次電子ビームを検出し、画像信号として出
力する電子ビーム検出手段と、上記電子ビーム検出手段
から上記画像信号の供給を受けて、上記基板の表面の物
理的・電気的状態を表す画像を表示する画像表示手段と
を備えた基板検査装置が提供される。
【００１８】上記分離手段により、上記電子ビーム検出
器で結像する二次電子および反射電子のエネルギーを制
御することができる。
器で結像する二次電子および反射電子のエネルギーを制
御することができる。
【００１９】上記電子ビーム分離手段は、静電平行平板
型エネルギーフィルタであり、上記二次電子ビームのう
ち、所定値以上のエネルギーを有する二次電子ビームの
みを通過させると良い。これにより、上記試料の表面電
位差を上回るノイズ成分を除去することができ、電位コ
ントラスト像のＳ／Ｎを向上させることができ、電位コ
ントラスト欠陥の検出感度を向上させることが可能とな
る。
型エネルギーフィルタであり、上記二次電子ビームのう
ち、所定値以上のエネルギーを有する二次電子ビームの
みを通過させると良い。これにより、上記試料の表面電
位差を上回るノイズ成分を除去することができ、電位コ
ントラスト像のＳ／Ｎを向上させることができ、電位コ
ントラスト欠陥の検出感度を向上させることが可能とな
る。
【００２０】また、上記写像投影手段は、上記二次電子
ビームをそのビーム軸に平行に進行させるコリメート手
段を備え、上記電子ビーム分離手段は、上記二次電子ビ
ームが上記コリメート手段により上記ビーム軸に平行に
進行する領域に配設されていると良い。これにより、上
記エネルギー分離手段のエネルギー分解能（エネルギー
の分離精度）が向上する。
ビームをそのビーム軸に平行に進行させるコリメート手
段を備え、上記電子ビーム分離手段は、上記二次電子ビ
ームが上記コリメート手段により上記ビーム軸に平行に
進行する領域に配設されていると良い。これにより、上
記エネルギー分離手段のエネルギー分解能（エネルギー
の分離精度）が向上する。
【００２１】また、本発明に係る基板検査装置は、複数
の上記電子ビーム検出手段を備え、上記電子ビーム分離
手段は、偏向磁場を形成して上記電子ビームを複数のエ
ネルギー領域ごとに分離して取出す磁場型エネルギーフ
ィルタであり、上記電子ビーム検出手段は、上記エネル
ギー領域ごとに上記二次電子ビームを検出し、上記エネ
ルギー領域に対応した上記基板表面の電気的特性を示す
情報を含む画像信号を出力することが好ましい。
の上記電子ビーム検出手段を備え、上記電子ビーム分離
手段は、偏向磁場を形成して上記電子ビームを複数のエ
ネルギー領域ごとに分離して取出す磁場型エネルギーフ
ィルタであり、上記電子ビーム検出手段は、上記エネル
ギー領域ごとに上記二次電子ビームを検出し、上記エネ
ルギー領域に対応した上記基板表面の電気的特性を示す
情報を含む画像信号を出力することが好ましい。
【００２２】また、上記電子ビーム分離手段は、上記二
次電子ビームが上記写像投影手段によりビーム軸に集束
する位置に配設されているものでも良い。
次電子ビームが上記写像投影手段によりビーム軸に集束
する位置に配設されているものでも良い。
【００２３】上記基板検査装置において、上記一次電子
ビーム照射手段から照射される上記一次電子ビームは、
その照射方向に垂直な断面形状がアスペクト比が１を超
える細長形状をなすことが好ましい。
ビーム照射手段から照射される上記一次電子ビームは、
その照射方向に垂直な断面形状がアスペクト比が１を超
える細長形状をなすことが好ましい。
【００２４】さらに、本発明に係る基板検査装置は、上
記一次電子ビームの上記試料への入射角度と上記二次電
子および反射電子の上記写像投影手段への取込み角度を
変化させる電子ビーム偏向手段をさらに備えることが望
ましい。
記一次電子ビームの上記試料への入射角度と上記二次電
子および反射電子の上記写像投影手段への取込み角度を
変化させる電子ビーム偏向手段をさらに備えることが望
ましい。
【００２５】また、本発明（請求項８）によれば、試料
である基板に電子ビームを一次電子ビームとして照射す
る第１の過程と、この一次電子ビームを受けて上記基板
から発生する二次電子および反射電子を導いて二次電子
ビームとして出射させる第２の過程と、この二次電子ビ
ームをエネルギー領域ごとに分離して取出す第３の過程
と、この第３の過程に基づいて取出された上記二次電子
ビームを結像し、その写像を検出して画像信号として出
力する第４の過程と、この画像信号に基づいて上記基板
表面の物理的・電気的特性を検査する第５の過程とを備
えた基板検査方法が提供される。
である基板に電子ビームを一次電子ビームとして照射す
る第１の過程と、この一次電子ビームを受けて上記基板
から発生する二次電子および反射電子を導いて二次電子
ビームとして出射させる第２の過程と、この二次電子ビ
ームをエネルギー領域ごとに分離して取出す第３の過程
と、この第３の過程に基づいて取出された上記二次電子
ビームを結像し、その写像を検出して画像信号として出
力する第４の過程と、この画像信号に基づいて上記基板
表面の物理的・電気的特性を検査する第５の過程とを備
えた基板検査方法が提供される。
【００２６】上記第３の過程は、上記二次電子ビームが
ビーム軸に平行に進行する領域で分離する過程であり、
上記第５の過程は、上記第３の過程により取出された上
記二次電子ビームの強度の変化を測定することにより、
上記基板表面の電位の相対的な変化を定量的に測定する
過程を含むことが好ましい。
ビーム軸に平行に進行する領域で分離する過程であり、
上記第５の過程は、上記第３の過程により取出された上
記二次電子ビームの強度の変化を測定することにより、
上記基板表面の電位の相対的な変化を定量的に測定する
過程を含むことが好ましい。
【００２７】また、上記第３の過程は、上記二次電子ビ
ームがそのビーム軸に集束する位置で複数のエネルギー
領域ごとに上記二次電子ビームを分離して取出す過程で
あり、上記第４の過程は、上記エネルギー領域ごとに写
像を検出し、この写像に対応した複数の画像信号として
出力する過程であるとさらに好ましい。
ームがそのビーム軸に集束する位置で複数のエネルギー
領域ごとに上記二次電子ビームを分離して取出す過程で
あり、上記第４の過程は、上記エネルギー領域ごとに写
像を検出し、この写像に対応した複数の画像信号として
出力する過程であるとさらに好ましい。
【００２８】また、本発明（請求項１１）によれば、上
記の本発明に係る基板検査装置と、上記画像信号を処理
する信号処理手段と、上記信号処理手段が出力する画像
データを格納する記憶手段と、上記の本発明に係る基板
検査方法に基づいて上記基板検査装置と上記信号処理手
段と上記記憶手段とを制御するＣＰＵとを備えた基板検
査システムが提供される。
記の本発明に係る基板検査装置と、上記画像信号を処理
する信号処理手段と、上記信号処理手段が出力する画像
データを格納する記憶手段と、上記の本発明に係る基板
検査方法に基づいて上記基板検査装置と上記信号処理手
段と上記記憶手段とを制御するＣＰＵとを備えた基板検
査システムが提供される。
【００２９】上記電子ビーム分離手段を制御することに
より、電位コントラスト欠陥の抵抗値等の電気的特性を
定量的に測定することができる。これにより、半導体ウ
ェーハ工程での電気的特性不良をモニターすることが可
能となる。
より、電位コントラスト欠陥の抵抗値等の電気的特性を
定量的に測定することができる。これにより、半導体ウ
ェーハ工程での電気的特性不良をモニターすることが可
能となる。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態のいく
つかについて図面を参照しながら説明する。
つかについて図面を参照しながら説明する。
【００３１】なお、以下の各図において、同一の部分に
は、同一の参照番号を付してその説明を適宜省略する。
は、同一の参照番号を付してその説明を適宜省略する。
【００３２】図１は、本発明に係る基板検査システムの
第１の実施の形態の基本的な構成を示すブロック図であ
る。本実施形態の基板検査システム６０は、同図の符号
３３、３４に示す電子ビーム分離手段を備えた点に特徴
がある。
第１の実施の形態の基本的な構成を示すブロック図であ
る。本実施形態の基板検査システム６０は、同図の符号
３３、３４に示す電子ビーム分離手段を備えた点に特徴
がある。
【００３３】まず、本実施形態の基板検査システム６０
の構成について説明する。
の構成について説明する。
【００３４】図１に示す基板検査システム６０は、一次
電子ビーム照射部およびその制御部と、試料１１および
その制御部と、二次電子ビーム写像投影部およびその制
御部と、電子ビーム検出部６１およびその制御部２６，
６７と、電子ビーム偏向部２７とその制御部２８とを備
えている。試料１１は、半導体ウェーハやフォトマスク
等の基板であり、本実施形態では、半導体ウェーハ（以
下、単にウェーハという）を試料として用いた場合につ
いて説明する。
電子ビーム照射部およびその制御部と、試料１１および
その制御部と、二次電子ビーム写像投影部およびその制
御部と、電子ビーム検出部６１およびその制御部２６，
６７と、電子ビーム偏向部２７とその制御部２８とを備
えている。試料１１は、半導体ウェーハやフォトマスク
等の基板であり、本実施形態では、半導体ウェーハ（以
下、単にウェーハという）を試料として用いた場合につ
いて説明する。
【００３５】同図に示すように、電子ビーム照射部は、
ウェーハ１１表面の垂直方向に対して傾斜して配置され
ており、二次電子ビーム写像投影部の光軸は、ウェーハ
１１表面の垂直方向に配置されている。このような構成
により、一次電子ビーム３１はウェーハ１１の表面に対
して斜め方向から電子ビーム偏向部２７に入射され、こ
の電子ビーム偏向部２７により照射方向を試料面に対し
て垂直な方向に偏向されてウェーハ１１に入射される。
一次電子ビーム３１の照射を受けてウェーハ１１の表面
には、二次電子、反射電子および後方散乱電子が発生
し、回転対称レンズ１４がウェーハ１１表面付近に形成
する電界によって表面に垂直な方向に導かれて加速さ
れ、試料１１表面から出射して二次電子ビームとして写
像投影光学部へ入射される。
ウェーハ１１表面の垂直方向に対して傾斜して配置され
ており、二次電子ビーム写像投影部の光軸は、ウェーハ
１１表面の垂直方向に配置されている。このような構成
により、一次電子ビーム３１はウェーハ１１の表面に対
して斜め方向から電子ビーム偏向部２７に入射され、こ
の電子ビーム偏向部２７により照射方向を試料面に対し
て垂直な方向に偏向されてウェーハ１１に入射される。
一次電子ビーム３１の照射を受けてウェーハ１１の表面
には、二次電子、反射電子および後方散乱電子が発生
し、回転対称レンズ１４がウェーハ１１表面付近に形成
する電界によって表面に垂直な方向に導かれて加速さ
れ、試料１１表面から出射して二次電子ビームとして写
像投影光学部へ入射される。
【００３６】電子ビーム照射部は、電子銃と２段の四極
子レンズ５，６を備えている。電子銃は、１００μｍ×
１０μｍの矩形の電子放出面を有するランタンヘキサボ
ライド（ＬａＢ6 という）製の陰極１と、矩形開口を有
するウエーネルト電極（Ｗeh-nelt cylinder）２、矩形
開口部を有する陽極３、およびビーム軸調整用の偏向器
４とを備え、制御部７，８，９により照射電子ビームの
加速電圧、エミッション電流、光軸を制御している。ウ
ェーハ１１面上で１００μｍ×２５μｍ程度の矩形ビー
ムを形成するために、電子ビーム照射部は、２段の静電
四極子レンズ５，６とその制御部１０をさらに備えてい
る。なお、一次電子ビーム３１の照射方向に垂直な断面
形状は、アスペクト比が１を超えるものであれば、矩形
に限らず、線状または長楕円となるように電子ビーム照
射部を構成しても良い。一次電子ビーム３１の加速電圧
は、写像投影部の解像度、ウェーハ１１への入射電圧の
関係から決定される。
子レンズ５，６を備えている。電子銃は、１００μｍ×
１０μｍの矩形の電子放出面を有するランタンヘキサボ
ライド（ＬａＢ6 という）製の陰極１と、矩形開口を有
するウエーネルト電極（Ｗeh-nelt cylinder）２、矩形
開口部を有する陽極３、およびビーム軸調整用の偏向器
４とを備え、制御部７，８，９により照射電子ビームの
加速電圧、エミッション電流、光軸を制御している。ウ
ェーハ１１面上で１００μｍ×２５μｍ程度の矩形ビー
ムを形成するために、電子ビーム照射部は、２段の静電
四極子レンズ５，６とその制御部１０をさらに備えてい
る。なお、一次電子ビーム３１の照射方向に垂直な断面
形状は、アスペクト比が１を超えるものであれば、矩形
に限らず、線状または長楕円となるように電子ビーム照
射部を構成しても良い。一次電子ビーム３１の加速電圧
は、写像投影部の解像度、ウェーハ１１への入射電圧の
関係から決定される。
【００３７】一次電子ビーム３１は、陰極１から放出さ
れ、四極子レンズ５，６により集束されながら電子ビー
ム照射部を出射し、電子ビーム偏向部２７に入射し、こ
の電子ビーム偏向部２７により偏向されて、電子ビーム
偏向部２７を出射する。
れ、四極子レンズ５，６により集束されながら電子ビー
ム照射部を出射し、電子ビーム偏向部２７に入射し、こ
の電子ビーム偏向部２７により偏向されて、電子ビーム
偏向部２７を出射する。
【００３８】次に、一次電子ビーム３１は、回転対称型
静電レンズ１４によってビーム線束を縮小された後、ウ
ェーハ１１の表面に垂直に照射される。回転対称型静電
レンズ１４には、電源１５によって電圧が印加される。
静電レンズ１４によってビーム線束を縮小された後、ウ
ェーハ１１の表面に垂直に照射される。回転対称型静電
レンズ１４には、電源１５によって電圧が印加される。
【００３９】試料部は、上面にウェーハ１１を搭載する
基板ステージ１２とその制御部１３と電源４５とを備
え、試料１１に電圧が印加できる構造を有する。電源４
５は、ウェーハ１１に正電圧を印加している。基板ステ
ージ１２は、移動自由な構造を有し、制御部１３の制御
に基づいて移動することにより一次電子ビーム３１がウ
ェーハ１１の表面を走査できるようになっている。
基板ステージ１２とその制御部１３と電源４５とを備
え、試料１１に電圧が印加できる構造を有する。電源４
５は、ウェーハ１１に正電圧を印加している。基板ステ
ージ１２は、移動自由な構造を有し、制御部１３の制御
に基づいて移動することにより一次電子ビーム３１がウ
ェーハ１１の表面を走査できるようになっている。
【００４０】ここで、ウェーハ１１への印加電圧値は、
写像投影部の解像性能から決定される。例えば、０．１
μｍ以下の解像度を得るために、二次電子ビーム３２の
電圧には、高いエネルギーが必要とされるため、試料印
加電圧は５ｋＶが好ましい。この一方、一次電子ビーム
３１のエネルギーは、試料印加電圧と試料１１への入射
電圧の差によって決定される。電子ビームの照射により
ウェーハ１１がダメージを受けることを回避し、またウ
ェーハ１１が帯電することを防止するという観点から、
ウェーハ１１への入射電圧は、８００Ｖ程度が一般に用
いられている。この結果、一次電子ビーム３１の電圧
は、約５．８ｋＶとなる。
写像投影部の解像性能から決定される。例えば、０．１
μｍ以下の解像度を得るために、二次電子ビーム３２の
電圧には、高いエネルギーが必要とされるため、試料印
加電圧は５ｋＶが好ましい。この一方、一次電子ビーム
３１のエネルギーは、試料印加電圧と試料１１への入射
電圧の差によって決定される。電子ビームの照射により
ウェーハ１１がダメージを受けることを回避し、またウ
ェーハ１１が帯電することを防止するという観点から、
ウェーハ１１への入射電圧は、８００Ｖ程度が一般に用
いられている。この結果、一次電子ビーム３１の電圧
は、約５．８ｋＶとなる。
【００４１】一次電子ビーム３１が試料１１に照射され
ると、ウェーハ１１の表面からウェーハ１１表面の形
状、材料および電位の情報を有する二次電子、反射電子
および後方散乱電子が放出される。回転対称型静電レン
ズ１４は、静電レンズ間に加速電界を発生させ、この加
速電界により、これらの電子を導いた上で試料１１の表
面に対して垂直方向に加速させる。これにより、二次電
子、反射電子および後方散乱電子は、二次電子ビーム３
２としてビーム軸に平行な軌道を描きながら、電子ビー
ム偏向部２７に入射する。ここで、電子ビーム偏向部２
７は、試料１１側から入射された二次電子ビーム３２に
対しては、これを直進させる条件で制御されており、二
次電子ビーム３２は電子ビーム偏向部２７の中を直進し
て、本発明において特徴的な電子ビーム分離手段に入射
される。この電子ビーム分離手段は、ウェーハ１１から
発生した二次電子、反射電子および後方散乱電子でなる
二次電子ビーム３２のエネルギーの中で、所定のエネル
ギー値以上のエネルギーを有する電子ビームのみを通過
させて、写像投影部に入射させる。この電子ビーム分離
手段の機能の詳細については、後述する。
ると、ウェーハ１１の表面からウェーハ１１表面の形
状、材料および電位の情報を有する二次電子、反射電子
および後方散乱電子が放出される。回転対称型静電レン
ズ１４は、静電レンズ間に加速電界を発生させ、この加
速電界により、これらの電子を導いた上で試料１１の表
面に対して垂直方向に加速させる。これにより、二次電
子、反射電子および後方散乱電子は、二次電子ビーム３
２としてビーム軸に平行な軌道を描きながら、電子ビー
ム偏向部２７に入射する。ここで、電子ビーム偏向部２
７は、試料１１側から入射された二次電子ビーム３２に
対しては、これを直進させる条件で制御されており、二
次電子ビーム３２は電子ビーム偏向部２７の中を直進し
て、本発明において特徴的な電子ビーム分離手段に入射
される。この電子ビーム分離手段は、ウェーハ１１から
発生した二次電子、反射電子および後方散乱電子でなる
二次電子ビーム３２のエネルギーの中で、所定のエネル
ギー値以上のエネルギーを有する電子ビームのみを通過
させて、写像投影部に入射させる。この電子ビーム分離
手段の機能の詳細については、後述する。
【００４２】写像投影部は、３段の回転対称型静電レン
ズを備えている。二次電子ビーム３２は回転対称型静電
レンズ１６，１８，２０によって拡大投影されて、ＭＣ
Ｐ（Ｍicro Ｃhannel Ｐlate）検出器２２の上に結像
される。制御部１７，１９，２１は各々の静電レンズの
電圧制御を行う。
ズを備えている。二次電子ビーム３２は回転対称型静電
レンズ１６，１８，２０によって拡大投影されて、ＭＣ
Ｐ（Ｍicro Ｃhannel Ｐlate）検出器２２の上に結像
される。制御部１７，１９，２１は各々の静電レンズの
電圧制御を行う。
【００４３】電子ビーム検出部６１は、ＭＣＰ検出器２
２と、蛍光面２３と、ライトガイド２４と、ＣＣＤエリ
アセンサを有するＣＣＤカメラ２５とを備えている。Ｍ
ＣＰ検出器２２に入射した二次電子ビーム３２は、ＭＣ
Ｐ検出器２２により入射時の電子量の４乗から５乗倍に
増幅されて蛍光面２３を照射する。これにより蛍光面２
３で発生した蛍光像をライトガイド２４を介してＣＣＤ
エリアセンサが検出し、検出された画像信号は、制御部
６７を介して画像データとしてホストコンピュータ２８
に送られる。ホストコンピュータ２８は、この画像デー
タを表示器２９上に表示するとともに、画像信号処理部
３０にて所定の画像処理を行い、メモリ５８に保存す
る。本実施形態では、ＣＣＤエリアセンサにより蛍光像
を取込むこととしたが、基板ステージ１２の移動と同期
させて蛍光像をＴＤＩＣＣＤセンサ（Ｔime Ｄelay Ｉ
ntegration Ｃharge Ｃoupled Ｄevice Ｓensor ）に
取込むことも可能である。この手法は、より高速で検査
する場合に非常に有効な手段である。
２と、蛍光面２３と、ライトガイド２４と、ＣＣＤエリ
アセンサを有するＣＣＤカメラ２５とを備えている。Ｍ
ＣＰ検出器２２に入射した二次電子ビーム３２は、ＭＣ
Ｐ検出器２２により入射時の電子量の４乗から５乗倍に
増幅されて蛍光面２３を照射する。これにより蛍光面２
３で発生した蛍光像をライトガイド２４を介してＣＣＤ
エリアセンサが検出し、検出された画像信号は、制御部
６７を介して画像データとしてホストコンピュータ２８
に送られる。ホストコンピュータ２８は、この画像デー
タを表示器２９上に表示するとともに、画像信号処理部
３０にて所定の画像処理を行い、メモリ５８に保存す
る。本実施形態では、ＣＣＤエリアセンサにより蛍光像
を取込むこととしたが、基板ステージ１２の移動と同期
させて蛍光像をＴＤＩＣＣＤセンサ（Ｔime Ｄelay Ｉ
ntegration Ｃharge Ｃoupled Ｄevice Ｓensor ）に
取込むことも可能である。この手法は、より高速で検査
する場合に非常に有効な手段である。
【００４４】ここで、ビーム偏向部２７の構成について
図２および図３を参照しながら簡単に説明する。
図２および図３を参照しながら簡単に説明する。
【００４５】図２は、図１に示す基板検査システム６０
が備えるビーム偏向部２７の詳細な構成を示す断面図で
ある。
が備えるビーム偏向部２７の詳細な構成を示す断面図で
ある。
【００４６】同図に示すように、ビーム偏向部２７は、
上記写像投影部のビーム軸に垂直な平面内において、電
界Ｅと磁界Ｂとを直交させた構造（Ｅ×Ｂ構造）とす
る。
上記写像投影部のビーム軸に垂直な平面内において、電
界Ｅと磁界Ｂとを直交させた構造（Ｅ×Ｂ構造）とす
る。
【００４７】ここで、電界Ｅは、平行平板電極４０ａ，
４０ｂにより発生させる。平行平板電極４０ａ，４０ｂ
が発生させる電界は、それぞれ制御部４３ａ，４３ｂに
より、制御される。一方、磁界Ｂは、電磁コイル４１
ａ，４１ｂを電界発生用の平行平板電極４０ａ，４０ｂ
と直交するように配置させることにより発生させてい
る。磁界の均一性を向上させるために、平行平板形状を
有するポールピースを有している。
４０ｂにより発生させる。平行平板電極４０ａ，４０ｂ
が発生させる電界は、それぞれ制御部４３ａ，４３ｂに
より、制御される。一方、磁界Ｂは、電磁コイル４１
ａ，４１ｂを電界発生用の平行平板電極４０ａ，４０ｂ
と直交するように配置させることにより発生させてい
る。磁界の均一性を向上させるために、平行平板形状を
有するポールピースを有している。
【００４８】図３は、図２のＡ−Ａ断面図である。照射
された一次電子ビーム３１は、同図に示すように、平行
平板電極４０ａ，４０ｂが発生させる電界Ｅと、電磁コ
イル４１ａ，４１ｂが発生させる磁界Ｂとによって偏向
された後、回転対称型静電レンズ１４（図１参照）に入
射する。回転対称型静電レンズ１４を通過した一次電子
ビーム３１は、試料１１（図１参照）の表面に対して垂
直に入射する。この一方、試料１１の表面で発生した二
次電子、反射電子および後方散乱電子でなる二次電子ビ
ーム３２は、試料１１と回転対称型静電レンズ１４との
間で発生した加速電界で加速されて試料１１表面に対し
て垂直な方向に進み、回転対称型静電レンズ１４を通過
した後に、再びビーム偏向部２７に入射する。
された一次電子ビーム３１は、同図に示すように、平行
平板電極４０ａ，４０ｂが発生させる電界Ｅと、電磁コ
イル４１ａ，４１ｂが発生させる磁界Ｂとによって偏向
された後、回転対称型静電レンズ１４（図１参照）に入
射する。回転対称型静電レンズ１４を通過した一次電子
ビーム３１は、試料１１（図１参照）の表面に対して垂
直に入射する。この一方、試料１１の表面で発生した二
次電子、反射電子および後方散乱電子でなる二次電子ビ
ーム３２は、試料１１と回転対称型静電レンズ１４との
間で発生した加速電界で加速されて試料１１表面に対し
て垂直な方向に進み、回転対称型静電レンズ１４を通過
した後に、再びビーム偏向部２７に入射する。
【００４９】ここで、一次電子ビーム３１のビーム偏向
部２７への入射位置と角度は、各電子ビーム３１，３２
のエネルギーが決定されると、一義的に決定される。さ
らに、二次電子ビーム３２が直進するように、電界Ｅお
よび磁界Ｂの条件、即ち、ｖＢ＝ｅＥを満たすように平
行平板電極４０ａ，４０ｂが発生させる電界と、電磁コ
イル４１ａ，４１ｂが発生させる磁界とを、それぞれの
制御部４３ａ，４３ｂ、４４ａ，４４ｂが制御すること
で、二次電子ビーム３２は、電子ビーム偏向部２７を直
進し、写像投影部に入射する。なお、ここで、ｖは二次
電子ビーム３２の速度（ｍ／ｓ）、Ｂは磁場（Ｔ）、ｅ
は電荷量（Ｃ）、Ｅは電界（Ｖ／ｍ）である。
部２７への入射位置と角度は、各電子ビーム３１，３２
のエネルギーが決定されると、一義的に決定される。さ
らに、二次電子ビーム３２が直進するように、電界Ｅお
よび磁界Ｂの条件、即ち、ｖＢ＝ｅＥを満たすように平
行平板電極４０ａ，４０ｂが発生させる電界と、電磁コ
イル４１ａ，４１ｂが発生させる磁界とを、それぞれの
制御部４３ａ，４３ｂ、４４ａ，４４ｂが制御すること
で、二次電子ビーム３２は、電子ビーム偏向部２７を直
進し、写像投影部に入射する。なお、ここで、ｖは二次
電子ビーム３２の速度（ｍ／ｓ）、Ｂは磁場（Ｔ）、ｅ
は電荷量（Ｃ）、Ｅは電界（Ｖ／ｍ）である。
【００５０】次に、本実施形態において特徴的な電子ビ
ーム分離手段を用いた画像取得方法について図４を参照
しながら説明する。
ーム分離手段を用いた画像取得方法について図４を参照
しながら説明する。
【００５１】電子ビーム分離手段は、平行平板型エネル
ギーフィルタ３３とその制御部３４を備えている。図４
は、本実施形態における電子ビーム分離手段が備える平
行平板型エネルギーフィルタ３３を示す概略図である。
ギーフィルタ３３とその制御部３４を備えている。図４
は、本実施形態における電子ビーム分離手段が備える平
行平板型エネルギーフィルタ３３を示す概略図である。
【００５２】同図に示す平行平板型エネルギーフィルタ
３３は、接地されたメッシュ電極３５，３７と、電圧が
印加されるメッシュ電極３６と、このメッシュ電極３６
に電圧を印加する制御部３４とを備えている。ここで、
電極３６への印加電圧をＶｆとすると、二次電子ビーム
３２のうち、Ｖｆ以上のエネルギーの電子ビーム３２ａ
のみが平行平板型エネルギーフィルタ３３を通過する。
この一方、Ｖｆより低いエネルギーの電子３２ｂは電極
３７と電極３６の間に形成される減速電界により試料１
１側へ追戻される。
３３は、接地されたメッシュ電極３５，３７と、電圧が
印加されるメッシュ電極３６と、このメッシュ電極３６
に電圧を印加する制御部３４とを備えている。ここで、
電極３６への印加電圧をＶｆとすると、二次電子ビーム
３２のうち、Ｖｆ以上のエネルギーの電子ビーム３２ａ
のみが平行平板型エネルギーフィルタ３３を通過する。
この一方、Ｖｆより低いエネルギーの電子３２ｂは電極
３７と電極３６の間に形成される減速電界により試料１
１側へ追戻される。
【００５３】図４に示す構成を有するエネルギーフィル
タ３３では、フィルタの電界分布に入射ビーム３２が垂
直になっている場合が最もフィルタ電圧分解能を高める
ことができる。従って、平行平板型エネルギーフィルタ
３３は、二次電子ビーム３２がそのビーム軸に対して平
行に進行する領域、即ち、コリメートされた光学条件を
満たす、電子ビーム偏向部２７と回転対称型静電レンズ
１６との間に設置することが望ましい。また、電子ビー
ム偏向部２７と回転対称型静電レンズ１６の間以外の写
像投影手段においても、二次電子ビーム３２をコリメー
トする光学系を形成し、そこに電子ビーム分離手段を設
けても同様の効果が期待できる。なお、コリメートして
いない箇所に設置しても、エネルギー分離による効果自
体は得られるが、エネルギー分解能が劣化するという短
所がある。
タ３３では、フィルタの電界分布に入射ビーム３２が垂
直になっている場合が最もフィルタ電圧分解能を高める
ことができる。従って、平行平板型エネルギーフィルタ
３３は、二次電子ビーム３２がそのビーム軸に対して平
行に進行する領域、即ち、コリメートされた光学条件を
満たす、電子ビーム偏向部２７と回転対称型静電レンズ
１６との間に設置することが望ましい。また、電子ビー
ム偏向部２７と回転対称型静電レンズ１６の間以外の写
像投影手段においても、二次電子ビーム３２をコリメー
トする光学系を形成し、そこに電子ビーム分離手段を設
けても同様の効果が期待できる。なお、コリメートして
いない箇所に設置しても、エネルギー分離による効果自
体は得られるが、エネルギー分解能が劣化するという短
所がある。
【００５４】図５は、試料の表面電位Ｖｓに対する電極
３６の印加電圧Ｖｆと電子ビーム検出部６１にて検出さ
れる信号強度との関係を示す特性図である。同図に示す
ように、電極電圧Ｖｆを試料表面電位Ｖｓに対して正電
圧に増大させると信号強度は減少し、Ｓカーブと呼ばれ
る特性曲線５１を描く。このＳカーブ特性は、試料１１
の表面電位に影響されるものであり、試料１１の表面の
領域のうち、正電位に帯電された領域では、二次電子ビ
ームのエネルギーが減少するため、Ｓカーブは左側にシ
フトする。また、負電位に帯電した領域では、二次電子
ビームのエネルギーが増大するため、Ｓカーブが右側に
シフトする。試料表面電位が正側に増大した、ある領域
における検出信号強度の特性曲線をＳカーブ５１に、ま
た、試料表面電位が負側に増大した、他の領域における
検出信号強度の特性曲線をＳカーブ５２に示す。Ｓカー
ブ５１，５２の電極電圧Ｖｆのシフト量５６が試料１１
の表面電位差に相当することになる。
３６の印加電圧Ｖｆと電子ビーム検出部６１にて検出さ
れる信号強度との関係を示す特性図である。同図に示す
ように、電極電圧Ｖｆを試料表面電位Ｖｓに対して正電
圧に増大させると信号強度は減少し、Ｓカーブと呼ばれ
る特性曲線５１を描く。このＳカーブ特性は、試料１１
の表面電位に影響されるものであり、試料１１の表面の
領域のうち、正電位に帯電された領域では、二次電子ビ
ームのエネルギーが減少するため、Ｓカーブは左側にシ
フトする。また、負電位に帯電した領域では、二次電子
ビームのエネルギーが増大するため、Ｓカーブが右側に
シフトする。試料表面電位が正側に増大した、ある領域
における検出信号強度の特性曲線をＳカーブ５１に、ま
た、試料表面電位が負側に増大した、他の領域における
検出信号強度の特性曲線をＳカーブ５２に示す。Ｓカー
ブ５１，５２の電極電圧Ｖｆのシフト量５６が試料１１
の表面電位差に相当することになる。
【００５５】図５において、電極電圧Ｖｆ−試料表面電
圧Ｖｓを示す横軸方向の領域のうち、Ｖｆ−Ｖｓが小さ
い電圧領域５４と、Ｖｆ−Ｖｓが大きい電圧領域５５に
おいては、Ｓカーブ５１，５２は相互に近づいており、
このため、両者の信号からは高いＳ／Ｎを得ることがで
きないことがわかる。この一方、これらの中間の電圧領
域５７では、両者の信号強度には大きな差ができるた
め、良好なＳ／Ｎを得ることが可能となる。このような
特性はＥＢテスティングによる相対的表面電位測定に応
用されている。
圧Ｖｓを示す横軸方向の領域のうち、Ｖｆ−Ｖｓが小さ
い電圧領域５４と、Ｖｆ−Ｖｓが大きい電圧領域５５に
おいては、Ｓカーブ５１，５２は相互に近づいており、
このため、両者の信号からは高いＳ／Ｎを得ることがで
きないことがわかる。この一方、これらの中間の電圧領
域５７では、両者の信号強度には大きな差ができるた
め、良好なＳ／Ｎを得ることが可能となる。このような
特性はＥＢテスティングによる相対的表面電位測定に応
用されている。
【００５６】本実施形態においては、矩形の一次電子ビ
ーム３１によりウェーハ１１上を照射し、そこから発生
する二次電子、反射電子および後方散乱電子でなる二次
電子ビーム３２を結像しているため、照射領域内での画
像の中から、電位コントラスト欠陥部での表面電位の変
化箇所を検出する場合には、欠陥箇所とそうでない箇所
（良品箇所）との画像信号のＳ／Ｎが重要となる。良品
部、例えば、図１１に示すウェーハ１１０の配線パター
ン１１２から出射された二次電子ビームに基づく画像信
号の信号強度特性をＳカーブ５１とし、また、電気的不
良部、例えば図１１に示すウェーハ１１０の配線パター
ン１１３から出射された二次電子ビームに基づく画像信
号の信号強度特性をＳカーブ５２とすると、電極電圧Ｖ
ｆについて、破線５３に示すような条件に設定すること
により、欠陥部と良品部との画像信号のＳ／Ｎを大幅に
向上させることができる。
ーム３１によりウェーハ１１上を照射し、そこから発生
する二次電子、反射電子および後方散乱電子でなる二次
電子ビーム３２を結像しているため、照射領域内での画
像の中から、電位コントラスト欠陥部での表面電位の変
化箇所を検出する場合には、欠陥箇所とそうでない箇所
（良品箇所）との画像信号のＳ／Ｎが重要となる。良品
部、例えば、図１１に示すウェーハ１１０の配線パター
ン１１２から出射された二次電子ビームに基づく画像信
号の信号強度特性をＳカーブ５１とし、また、電気的不
良部、例えば図１１に示すウェーハ１１０の配線パター
ン１１３から出射された二次電子ビームに基づく画像信
号の信号強度特性をＳカーブ５２とすると、電極電圧Ｖ
ｆについて、破線５３に示すような条件に設定すること
により、欠陥部と良品部との画像信号のＳ／Ｎを大幅に
向上させることができる。
【００５７】さらに、電子ビーム検出部６１にて検出さ
れる画像信号の中から、電位コントラスト欠陥箇所から
の信号量が一定になるように、フィルタ電圧Ｖｆを制御
し、その変動分をモニタすることにより、電位コントラ
スト欠陥箇所の相対的な表面電位を定量的に測定するこ
とが可能となる。これにより、電位コントラスト欠陥の
抵抗値等の電気的特性を定量的に測定できることにな
る。
れる画像信号の中から、電位コントラスト欠陥箇所から
の信号量が一定になるように、フィルタ電圧Ｖｆを制御
し、その変動分をモニタすることにより、電位コントラ
スト欠陥箇所の相対的な表面電位を定量的に測定するこ
とが可能となる。これにより、電位コントラスト欠陥の
抵抗値等の電気的特性を定量的に測定できることにな
る。
【００５８】次に、本発明に係る基板検査システムの第
２の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
２の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００５９】図６は、本実施形態の基板検査システムの
基本的な構成を示すブロック図である。電子ビーム分離
手段以外の構成要素は、図１に示す第１の実施形態と同
様である。
基本的な構成を示すブロック図である。電子ビーム分離
手段以外の構成要素は、図１に示す第１の実施形態と同
様である。
【００６０】図１との対照において明らかなように、本
実施形態にかかる基板検査システムの特徴は、回転対称
型静電レンズ２０と電子ビーム検出部６１との間におい
て、二次電子ビーム３２がクロスオーバを形成する光学
条件位置、即ち、二次電子ビームがビーム線軸上の一点
を中心とする最小錯乱円に集束する位置に配設された電
子ビーム分離手段と、この電子ビーム分離手段により分
離された二次電子ビームの一部である二次電子ビーム３
２ｂを結像する第二の電子ビーム検出部６２を備えてい
る点にある。
実施形態にかかる基板検査システムの特徴は、回転対称
型静電レンズ２０と電子ビーム検出部６１との間におい
て、二次電子ビーム３２がクロスオーバを形成する光学
条件位置、即ち、二次電子ビームがビーム線軸上の一点
を中心とする最小錯乱円に集束する位置に配設された電
子ビーム分離手段と、この電子ビーム分離手段により分
離された二次電子ビームの一部である二次電子ビーム３
２ｂを結像する第二の電子ビーム検出部６２を備えてい
る点にある。
【００６１】本実施形態において、電子ビーム分離手段
は、二次電子ビーム３２の進行方向に対して直交する磁
場を発生する磁場型エネルギーフィルタ４６とその制御
部６３とを備えている。この磁場型エネルギーフィルタ
４６は、二次電子ビーム３２のうち、高エネルギー成分
の二次電子ビーム３２ａは直進させて電子ビーム検出部
６１にて検出し、また、低エネルギー成分の二次電子ビ
ーム３２ｂは大きな角度で偏向させる。この偏向された
電子ビーム３２ｂは、電子ビーム検出部６２に導入され
て低エネルギー成分の画像データが検出される。
は、二次電子ビーム３２の進行方向に対して直交する磁
場を発生する磁場型エネルギーフィルタ４６とその制御
部６３とを備えている。この磁場型エネルギーフィルタ
４６は、二次電子ビーム３２のうち、高エネルギー成分
の二次電子ビーム３２ａは直進させて電子ビーム検出部
６１にて検出し、また、低エネルギー成分の二次電子ビ
ーム３２ｂは大きな角度で偏向させる。この偏向された
電子ビーム３２ｂは、電子ビーム検出部６２に導入され
て低エネルギー成分の画像データが検出される。
【００６２】図７は、この磁場型エネルギーフィルタ４
６の基本的な構造を示す斜視図である。同図に示すよう
に、磁場型エネルギーフィルタ４６は、二次電子ビーム
３２の進行方向を挾んで対向するように配設された電磁
石コイル３８，３９と、これら電磁石コイル３８，３９
を励磁する電流源６３とを備えている。電磁石コイル３
８，３９を電流源６３で励磁することにより、二次電子
ビーム３２の進行方向に直交する方向に磁場Ｂを誘起さ
せる。
６の基本的な構造を示す斜視図である。同図に示すよう
に、磁場型エネルギーフィルタ４６は、二次電子ビーム
３２の進行方向を挾んで対向するように配設された電磁
石コイル３８，３９と、これら電磁石コイル３８，３９
を励磁する電流源６３とを備えている。電磁石コイル３
８，３９を電流源６３で励磁することにより、二次電子
ビーム３２の進行方向に直交する方向に磁場Ｂを誘起さ
せる。
【００６３】図８は、図７に示す磁場型エネルギーフィ
ルタ４６を通過する電子の軌道を示す模式図であり、仮
想光源Ｐを含み、電磁石コイル３８，３９の電子ビーム
側の側面に平行な面を切断面とする図７の断面図であ
る。
ルタ４６を通過する電子の軌道を示す模式図であり、仮
想光源Ｐを含み、電磁石コイル３８，３９の電子ビーム
側の側面に平行な面を切断面とする図７の断面図であ
る。
【００６４】図８に示すように、エネルギーの高い電子
３２ａは偏向磁界の影響を受けずに直進し、この一方、
エネルギーの低い電子３２ｂは磁場Ｂによって偏向さ
れ、所定の角度をもって、この磁場型エネルギーフィル
タ４６を出射する。第１の実施形態における平行平板型
エネルギーフィルタ３３（図３参照）によれば、フィル
タ電圧Ｖｆより高いエネルギーを有する電子ビームの画
像が得られ、そのエネルギー成分を変化させるにはフィ
ルタ電圧Ｖｆを変化させる必要がある。しかし、本実施
形態の磁場型エネルギーフィルタ４６によれば、偏向磁
場を一定に設定するだけで、複数のエネルギー成分の画
像を同時に取得することが可能である。このエネルギー
成分の種類は、基板検査装置が備える検出部の数量によ
って決定される。
３２ａは偏向磁界の影響を受けずに直進し、この一方、
エネルギーの低い電子３２ｂは磁場Ｂによって偏向さ
れ、所定の角度をもって、この磁場型エネルギーフィル
タ４６を出射する。第１の実施形態における平行平板型
エネルギーフィルタ３３（図３参照）によれば、フィル
タ電圧Ｖｆより高いエネルギーを有する電子ビームの画
像が得られ、そのエネルギー成分を変化させるにはフィ
ルタ電圧Ｖｆを変化させる必要がある。しかし、本実施
形態の磁場型エネルギーフィルタ４６によれば、偏向磁
場を一定に設定するだけで、複数のエネルギー成分の画
像を同時に取得することが可能である。このエネルギー
成分の種類は、基板検査装置が備える検出部の数量によ
って決定される。
【００６５】本実施形態に係る基板検査装置では、図６
に示すように、２つの電子ビーム検出部６１，６２を備
えているので、２つのエネルギー領域の画像を同時に取
り込むことができる。
に示すように、２つの電子ビーム検出部６１，６２を備
えているので、２つのエネルギー領域の画像を同時に取
り込むことができる。
【００６６】以上、本発明の実施の形態のいくつかにつ
いて説明したが、本発明は上記実施の形態に限るもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施
することができる。例えば、第２の実施の形態において
は、２つの電子ビーム検出部により２つのエネルギー領
域の画像を取り込むこととしたが、電子ビーム検出部を
３個以上備えることとすれば、３個以上のエネルギー領
域の画像を同時に取り込むことが可能となる。また、複
数個の電子ビーム検出部により複数のエネルギー領域の
画像取得を行う代りに、電子ビーム検出部を１個にし
て、この単一の電子ビーム検出部の内部において検出領
域を分割し、各検出領域毎に独立して画像取得を行うこ
ととしても、同様の効果を得ることができる。
いて説明したが、本発明は上記実施の形態に限るもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施
することができる。例えば、第２の実施の形態において
は、２つの電子ビーム検出部により２つのエネルギー領
域の画像を取り込むこととしたが、電子ビーム検出部を
３個以上備えることとすれば、３個以上のエネルギー領
域の画像を同時に取り込むことが可能となる。また、複
数個の電子ビーム検出部により複数のエネルギー領域の
画像取得を行う代りに、電子ビーム検出部を１個にし
て、この単一の電子ビーム検出部の内部において検出領
域を分割し、各検出領域毎に独立して画像取得を行うこ
ととしても、同様の効果を得ることができる。
【００６７】また、各手段の構成要素も仕様に応じて適
宜変更することができる。上述の実施の形態では、磁場
型エネルギーフィルタとして、均一偏向磁界型分離器を
挙げているが、電磁界プリズムやウィーンフィルタなど
の電界磁界重畳型分離器を用いても同様の効果を得るこ
とができる。
宜変更することができる。上述の実施の形態では、磁場
型エネルギーフィルタとして、均一偏向磁界型分離器を
挙げているが、電磁界プリズムやウィーンフィルタなど
の電界磁界重畳型分離器を用いても同様の効果を得るこ
とができる。
【００６８】なお、上述の実施形態では、半導体ウェー
ハの欠陥、異物の検出に用いる検査システムについて説
明したが、半導体ウェーハに限らず、フォトマスク等の
基板の検査にも本発明が適用できるのは、勿論である。
ハの欠陥、異物の検出に用いる検査システムについて説
明したが、半導体ウェーハに限らず、フォトマスク等の
基板の検査にも本発明が適用できるのは、勿論である。
【００６９】
【発明の効果】以上詳述したとおり、本発明は、以下の
効果を奏する。
効果を奏する。
【００７０】即ち、本発明に係る基板検査装置によれ
ば、二次電子ビームを試料表面の電気的状態に対応した
エネルギー成分ごとに分離して取出す電子ビーム分離手
段を備えているので、基板の表面の物理的・電気的状態
を表す画像信号のＳ／Ｎを向上させることができる。こ
れにより、表面電位の差から電気的導通異常を起こして
いる欠陥の検出を行う電位コントラスト欠陥検査におい
て、検出感度を特に向上させることができる。
ば、二次電子ビームを試料表面の電気的状態に対応した
エネルギー成分ごとに分離して取出す電子ビーム分離手
段を備えているので、基板の表面の物理的・電気的状態
を表す画像信号のＳ／Ｎを向上させることができる。こ
れにより、表面電位の差から電気的導通異常を起こして
いる欠陥の検出を行う電位コントラスト欠陥検査におい
て、検出感度を特に向上させることができる。
【００７１】また、電子ビーム分離手段が電子ビームを
複数のエネルギー領域ごとに分離して取り出す磁場型エ
ネルギーフィルタであり、上記電子ビーム検出手段が上
記エネルギー領域に対応して複数備えられている場合
は、複数のエネルギー領域の信号画像を同時に取込むこ
とができる。
複数のエネルギー領域ごとに分離して取り出す磁場型エ
ネルギーフィルタであり、上記電子ビーム検出手段が上
記エネルギー領域に対応して複数備えられている場合
は、複数のエネルギー領域の信号画像を同時に取込むこ
とができる。
【００７２】また、本発明に係る基板検査方法によれ
ば、二次電子ビームをエネルギー領域ごとに分離して取
出す過程を備えているので、基板の表面の物理的・電気
的状態を優れた検出感度で検査することができる。
ば、二次電子ビームをエネルギー領域ごとに分離して取
出す過程を備えているので、基板の表面の物理的・電気
的状態を優れた検出感度で検査することができる。
【００７３】また、本発明に係る基板検査システムによ
れば、上記基板検査装置を備え、上記検査方法に基づい
て作動するので、基板の表面の物理的・電気的状態を優
れた検出感度で検査することができる基板検査システム
が提供される。特に、検出信号量が一定となるように電
子ビーム分離手段に印加される電圧を制御する場合は、
制御電圧の変化分から相対的な表面電位を測定すること
ができるので、電位コントラスト欠陥の抵抗値等の電気
的特性の定量的な測定が可能となる。
れば、上記基板検査装置を備え、上記検査方法に基づい
て作動するので、基板の表面の物理的・電気的状態を優
れた検出感度で検査することができる基板検査システム
が提供される。特に、検出信号量が一定となるように電
子ビーム分離手段に印加される電圧を制御する場合は、
制御電圧の変化分から相対的な表面電位を測定すること
ができるので、電位コントラスト欠陥の抵抗値等の電気
的特性の定量的な測定が可能となる。
【図１】本発明に係る基板検査システムの第１の実施の
形態の基本的な構成を示すブロック図である。
形態の基本的な構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示す基板検査システムの電子ビーム偏向
部の詳細な構成を示す断面図である。
部の詳細な構成を示す断面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図４】図１に示す基板検査システムが備える平行平板
型エネルギーフィルタを示す概略図である。
型エネルギーフィルタを示す概略図である。
【図５】図４に示す平行平板型エネルギーフィルタへの
印加電圧Ｖｆと電子ビーム検出部にて検出される信号強
度との関係を示す特性図である。
印加電圧Ｖｆと電子ビーム検出部にて検出される信号強
度との関係を示す特性図である。
【図６】本発明に係る基板検査システムの第２の実施の
形態の基本的な構成を示すブロック図である。
形態の基本的な構成を示すブロック図である。
【図７】図６に示す基板検査システムが備える磁場型エ
ネルギーフィルタの基本的な構造を示す斜視図である。
ネルギーフィルタの基本的な構造を示す斜視図である。
【図８】図７に示す磁場型エネルギーフィルタを通過す
る電子の軌道を示す模式図であ
る電子の軌道を示す模式図であ
【図９】従来の技術による半導体ウェーハパターン欠陥
検出装置の一例のブロック図である。
検出装置の一例のブロック図である。
【図１０】電位コントラスト欠陥を検出する原理を説明
するための半導体ウェーハの一例の部分断面図である。
するための半導体ウェーハの一例の部分断面図である。
【図１１】電位コントラスト欠陥を検出する原理を説明
するための半導体ウェーハの他の一例の部分断面図であ
る。
するための半導体ウェーハの他の一例の部分断面図であ
る。
１ ＬａＢ6 陰極 ２ ウエーネルト電極 ３ 陽極 ４ 偏向器 ５、６ 静電型四極子レンズ ７〜１０、１３、１７、１９、２１、２６、２７、３
４、４３ａ、４３ｂ、４４ａ、４４ｂ、６３ 制御部 １１ 試料 １２ 基板ステージ １５、４５ 電源 １４，１６、１８、２０ 回転対称型静電レンズ ２２ ＭＣＰ検出器 ２３ 蛍光面 ２４ ライトガイド ２５ ＣＣＤカメラ ２８ ホストコンピュータ ２９ 表示器 ３０ 信号制御部 ３１ 一次電子ビーム ３２ 二次電子ビーム ３３ 平行平板型エネルギーフィルタ ３５，３６，３７ メッシュ電極 ３８、３９ 電磁石コイル ４０ａ、４０ｂ 平行平板電極 ４１ａ、４１ｂ 電磁コイル ４６ 磁場型エネルギーフィルタ ５８ メモリ ６０，７０ 基板検査システム ６１，６２ 電子ビーム検出部 ６３ 電流源
４、４３ａ、４３ｂ、４４ａ、４４ｂ、６３ 制御部 １１ 試料 １２ 基板ステージ １５、４５ 電源 １４，１６、１８、２０ 回転対称型静電レンズ ２２ ＭＣＰ検出器 ２３ 蛍光面 ２４ ライトガイド ２５ ＣＣＤカメラ ２８ ホストコンピュータ ２９ 表示器 ３０ 信号制御部 ３１ 一次電子ビーム ３２ 二次電子ビーム ３３ 平行平板型エネルギーフィルタ ３５，３６，３７ メッシュ電極 ３８、３９ 電磁石コイル ４０ａ、４０ｂ 平行平板電極 ４１ａ、４１ｂ 電磁コイル ４６ 磁場型エネルギーフィルタ ５８ メモリ ６０，７０ 基板検査システム ６１，６２ 電子ビーム検出部 ６３ 電流源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｊ 37/28 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｚ Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｌ
Claims (11)
- 【請求項１】試料である基板に電子ビームを一次電子ビ
ームとして照射する一次電子ビーム照射手段と、 前記一次電子ビームの照射を受けて、前記基板から発生
する二次電子および反射電子を導いて二次電子ビームに
集束して結像させる写像投影手段と、 前記二次電子ビームを前記試料表面の電気的状態に対応
したエネルギー成分ごとに分離して取出す電子ビーム分
離手段と、 前記電子ビーム分離手段により分離され、前記写像投影
手段により結像された前記二次電子ビームを検出し、画
像信号として出力する電子ビーム検出手段と、 前記二次電子ビーム検出手段から前記画像信号の供給を
受けて、前記基板の表面の物理的・電気的状態を表す画
像を表示する画像表示手段とを備えた基板検査装置。 - 【請求項２】前記電子ビーム分離手段は、静電平行平板
型エネルギーフィルタであり、前記二次電子ビームのう
ち、所定値以上のエネルギーを有する二次電子ビームの
みを通過させることを特徴とする請求項１に記載の基板
検査装置。 - 【請求項３】前記写像投影手段は、前記二次電子ビーム
をそのビーム軸に平行に進行させるコリメート手段を備
え、 前記電子ビーム分離手段は、前記二次電子ビームが前記
コリメート手段により前記ビーム軸に平行に進行する領
域に配設されていることを特徴とする請求項２に記載の
基板検査装置。 - 【請求項４】複数の前記電子ビーム検出手段を備え、 前記電子ビーム分離手段は、偏向磁場を形成して前記電
子ビームを複数のエネルギー領域ごとに分離して取出す
磁場型エネルギーフィルタであり、 前記電子ビーム検出手段は、前記エネルギー領域ごとに
前記二次電子ビームを検出し、前記エネルギー領域に対
応した前記基板表面の電気的特性を示す情報を含む画像
信号を出力することを特徴とする請求項１に記載の基板
検査装置。 - 【請求項５】前記電子ビーム分離手段は、前記二次電子
ビームが前記写像投影手段によりビーム軸に集束する位
置に配設されていることを特徴とする請求項４に記載の
基板検査装置。 - 【請求項６】前記一次電子ビーム照射手段から照射され
る前記一次電子ビームの照射方向に垂直な断面形状は、
アスペクト比が１を超える細長形状をなすことを特徴と
する請求項１ないし５のいずれかに記載の基板検査装
置。 - 【請求項７】前記一次電子ビームの前記試料への入射角
度と前記二次電子および反射電子の前記写像投影手段へ
の取込み角度を変化させる電子ビーム偏向手段をさらに
備えたことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに
記載の基板検査装置。 - 【請求項８】試料である基板に電子ビームを一次電子ビ
ームとして照射する第１の過程と、 この一次電子ビームを受けて前記基板から発生する二次
電子および反射電子を導いて二次電子ビームとして出射
させる第２の過程と、 前記二次電子ビームをエネルギー領域ごとに分離して取
出す第３の過程と、前記第３の過程に基づいて取出され
た前記二次電子ビームを結像し、その写像を検出して画
像信号として出力する第４の過程と、 前記画像信号に基づいて前記基板表面の物理的・電気的
特性を検査する第５の過程とを備えた基板検査方法。 - 【請求項９】前記第３の過程は、前記二次電子ビームが
ビーム軸に平行に進行する領域で分離する過程であり、 前記第５の過程は、前記第３の過程により取出された前
記二次電子ビームの強度の変化を測定することにより、
前記基板表面の電位の相対的な変化を定量的に測定する
過程を含むことを特徴とする請求項８に記載の基板検査
方法。 - 【請求項１０】前記第３の過程は、前記二次電子ビーム
がそのビーム軸に集束する位置で複数のエネルギー領域
ごとに前記二次電子ビームを分離して取出す過程であ
り、 前記第４の過程は、前記エネルギー領域ごとに写像を検
出し、この写像に対応した複数の画像信号として出力す
る過程であることを特徴とする請求項９に記載の基板検
査方法。 - 【請求項１１】請求項１ないし７のいずれかに記載の基
板検査装置と、 前記画像信号を処理する信号処理手段と、 前記信号処理手段が出力する画像データを格納する記憶
手段と、 請求項８ないし１０のいずれかに記載の基板検査方法に
基づいて前記基板検査装置と前記信号処理手段と前記記
憶手段とを制御するＣＰＵとを備えた基板検査システ
ム。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13390598A JP3724949B2 (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 基板検査装置およびこれを備えた基板検査システム並びに基板検査方法 |
| US09/311,271 US6038018A (en) | 1998-05-15 | 1999-05-14 | Substrate inspecting apparatus, substrate inspecting system having the same apparatus and substrate inspecting method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13390598A JP3724949B2 (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 基板検査装置およびこれを備えた基板検査システム並びに基板検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11326247A true JPH11326247A (ja) | 1999-11-26 |
| JP3724949B2 JP3724949B2 (ja) | 2005-12-07 |
Family
ID=15115851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13390598A Expired - Fee Related JP3724949B2 (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 基板検査装置およびこれを備えた基板検査システム並びに基板検査方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6038018A (ja) |
| JP (1) | JP3724949B2 (ja) |
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| US7838831B2 (en) | 2007-03-23 | 2010-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate inspection apparatus, substrate inspection method and semiconductor device manufacturing method |
| CN112525116A (zh) * | 2019-09-17 | 2021-03-19 | 铠侠股份有限公司 | 衬底、图案、及测量装置的校正方法 |
Families Citing this family (53)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3356056B2 (ja) * | 1998-05-15 | 2002-12-09 | 日本電気株式会社 | 配線不良検出回路、配線不良検出用半導体ウェハ及びこれらを用いた配線不良検出方法 |
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| US6586736B1 (en) | 1999-09-10 | 2003-07-01 | Kla-Tencor, Corporation | Scanning electron beam microscope having an electrode for controlling charge build up during scanning of a sample |
| FI107192B (fi) * | 1999-11-09 | 2001-06-15 | Outokumpu Oy | Menetelmä elektrodin pinnanlaadun tarkistamiseksi |
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