JP2539359B2 - 半導体装置へのイオンビ−ム加工方法およびその装置 - Google Patents
半導体装置へのイオンビ−ム加工方法およびその装置Info
- Publication number
- JP2539359B2 JP2539359B2 JP60060573A JP6057385A JP2539359B2 JP 2539359 B2 JP2539359 B2 JP 2539359B2 JP 60060573 A JP60060573 A JP 60060573A JP 6057385 A JP6057385 A JP 6057385A JP 2539359 B2 JP2539359 B2 JP 2539359B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- ion beam
- current
- processing
- detected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 50
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims description 47
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 46
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 235000018734 Sambucus australis Nutrition 0.000 description 1
- 244000180577 Sambucus australis Species 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は半導体装置、特にVLSI等をイオンビーム加工
するのに好適な方法及びその装置に関する。
するのに好適な方法及びその装置に関する。
従来、「表面分析」染野、安盛編、講談社第４版1981
年９月１日発行、第61頁に記載してあるように、イオン
ビームを細く絞り、ターゲットに照射し、ターゲットを
加工することを目的とした装置はなく、ただ、SIMS「セ
コンダリー イオン マス スペストロコピー」（Seco
ndary Ion Mass Spectroscopy）の分野でビームをター
ゲットにあて、ターゲットの原子をスパッタして、出て
くる２次イオンを分析することは行なわれていた。も
し、SIMSの装置をイオンビーム加工装置と見るならば、
その加工終点検出は２次イオンの検出によって行なわれ
ると言える。しかし、本発明で言及しているイオンビー
ム加工装置はターゲットに照射するビーム電流自体がSI
MS等のビーム電流により２桁から３桁小さいため、発生
する２次イオンの量が少なく、それを加工の終点検出に
利用するのは困難である。また、２次イオンを検出しよ
うとした場合、２次イオンのエネルギーフィルタを備え
た高感度の質量分析計が必要となり、加工装置の価格を
大きく引き上げることになる。
年９月１日発行、第61頁に記載してあるように、イオン
ビームを細く絞り、ターゲットに照射し、ターゲットを
加工することを目的とした装置はなく、ただ、SIMS「セ
コンダリー イオン マス スペストロコピー」（Seco
ndary Ion Mass Spectroscopy）の分野でビームをター
ゲットにあて、ターゲットの原子をスパッタして、出て
くる２次イオンを分析することは行なわれていた。も
し、SIMSの装置をイオンビーム加工装置と見るならば、
その加工終点検出は２次イオンの検出によって行なわれ
ると言える。しかし、本発明で言及しているイオンビー
ム加工装置はターゲットに照射するビーム電流自体がSI
MS等のビーム電流により２桁から３桁小さいため、発生
する２次イオンの量が少なく、それを加工の終点検出に
利用するのは困難である。また、２次イオンを検出しよ
うとした場合、２次イオンのエネルギーフィルタを備え
た高感度の質量分析計が必要となり、加工装置の価格を
大きく引き上げることになる。
本発明の目的は、半導体装置へのイオンビーム加工に
おける終点を簡単に、且つ高精度に検出できるようにし
た半導体装置へのイオンビーム加工方法及びその装置を
提供するにある。
おける終点を簡単に、且つ高精度に検出できるようにし
た半導体装置へのイオンビーム加工方法及びその装置を
提供するにある。
本発明は、複数層を有する半導体装置の所望の個所に
集束させたイオンビームを偏向・走査して照射すること
により半導体装置の所望の個所を加工する方法であっ
て、イオンビームの照射により半導体装置からアース側
へ流れて半導体装置の層またはイオンビームの走査位置
に応じて最小値と振幅とが変化する電流を検出し、この
検出した電流の最小値または振幅の変化に基づいて半導
体装置の所定の層の加工の終点を検出することを特徴と
する半導体装置へのイオンビーム加工方法である。ま
た、本発明は、イオン源と、このイオン源から出射され
るイオンビームを複数層を有する半導体装置上の所望の
個所に集束させて偏向・走査して照射するイオンビーム
照射手段と、イオンビームを半導体装置上の所望の個所
に偏向・走査して照射することにより半導体装置からア
ース側へ流れて半導体装置の層またはイオンビームの走
査位置に応じて最小値と振幅とが変化する電流を検出す
る電流検出手段と、この電流検出手段で検出した半導体
装置からアース側へ流れる電流の最小値または振幅の変
化に基づいて半導体装置の所定の層の加工の終点を検出
する加工終点検出手段とを備えたことを特徴とする半導
体装置へのイオンビーム加工装置である。
集束させたイオンビームを偏向・走査して照射すること
により半導体装置の所望の個所を加工する方法であっ
て、イオンビームの照射により半導体装置からアース側
へ流れて半導体装置の層またはイオンビームの走査位置
に応じて最小値と振幅とが変化する電流を検出し、この
検出した電流の最小値または振幅の変化に基づいて半導
体装置の所定の層の加工の終点を検出することを特徴と
する半導体装置へのイオンビーム加工方法である。ま
た、本発明は、イオン源と、このイオン源から出射され
るイオンビームを複数層を有する半導体装置上の所望の
個所に集束させて偏向・走査して照射するイオンビーム
照射手段と、イオンビームを半導体装置上の所望の個所
に偏向・走査して照射することにより半導体装置からア
ース側へ流れて半導体装置の層またはイオンビームの走
査位置に応じて最小値と振幅とが変化する電流を検出す
る電流検出手段と、この電流検出手段で検出した半導体
装置からアース側へ流れる電流の最小値または振幅の変
化に基づいて半導体装置の所定の層の加工の終点を検出
する加工終点検出手段とを備えたことを特徴とする半導
体装置へのイオンビーム加工装置である。
即ち本発明は、例えば第２図（ａ）に示すようにパッ
シベーション膜Ａ、アルミ配線層Ｂ、SiO2層Ｃ、シリコ
ン基板Ｄで、場所によってはアルミ配線層とSiO2層が数
層積層されたVLSI等の半導体装置をイオンビームを所定
の領域で例えば第２図（ｃ）に示すように走査して加工
していく際、シリコン基板から流れる基板電流が第２図
（ｂ）に示すように、パッシベーション膜を加工する領
域Ａは走査による電流の変化が小さく、アルミ層を加工
する領域Ｂは次に走査による電流の変化が大きくなり、
SiO2層Ｃを加工する領域は更に走査による電流の変化が
大きくなり、シリコン基板Ｄを加工する領域は最後に走
査による電流の変化は小さくなることに着目し、この基
板電流の変化を検出することによってイオンビーム加工
が必要とする層までの加工終点を高精度に検出できるよ
うにし、超微細加工を可能にしたものである。
シベーション膜Ａ、アルミ配線層Ｂ、SiO2層Ｃ、シリコ
ン基板Ｄで、場所によってはアルミ配線層とSiO2層が数
層積層されたVLSI等の半導体装置をイオンビームを所定
の領域で例えば第２図（ｃ）に示すように走査して加工
していく際、シリコン基板から流れる基板電流が第２図
（ｂ）に示すように、パッシベーション膜を加工する領
域Ａは走査による電流の変化が小さく、アルミ層を加工
する領域Ｂは次に走査による電流の変化が大きくなり、
SiO2層Ｃを加工する領域は更に走査による電流の変化が
大きくなり、シリコン基板Ｄを加工する領域は最後に走
査による電流の変化は小さくなることに着目し、この基
板電流の変化を検出することによってイオンビーム加工
が必要とする層までの加工終点を高精度に検出できるよ
うにし、超微細加工を可能にしたものである。
以下本発明を図に示す実施例に基づいて説明する。第
１図は本発明の半導体装置へのイオンビーム加工方法を
実施するためのイオンビーム加工装置の基本構成を示す
図である。即ち、イオン源１と引き出し電極３との間に
電圧をかけてイオンビーム２を引き出し、集束レンズ４
でターゲット９上にビームを集束する。イオン光学系に
は上記電極以外にビームディファイディングアパーチャ
５、ブランキング電極６、ブランキングアパーチャ７、
ディフレクタ電極８を設けている。ブランキング電極６
とはブランキング電極17から電圧を与え、イオンビーム
を高速で偏向し、ターゲット９上でのビームのオンオフ
を行なう。また、ディフレクタ電極８には、ディフレク
タコントローラ14からイオンビーム偏向電圧を与える
が、同じ偏向電圧をCRT15の偏向電極に与える。この
時、ターゲット９から発生する２次電子11をディテクタ
12で検出し、ヘッドアンプ13で増巾した信号でCRT15に
輝度変調をかけることにより、ターゲット９表面の２次
電子信号を得、走査電子顕微鏡と同じ原理で走査イオン
顕微鏡として、加工すべきターゲット９表面を観察でき
る。これで、加工位置決めを行なう。また、テーブル10
から取り出した電流を電流計16で計測し、レコーダ18に
記録している。
１図は本発明の半導体装置へのイオンビーム加工方法を
実施するためのイオンビーム加工装置の基本構成を示す
図である。即ち、イオン源１と引き出し電極３との間に
電圧をかけてイオンビーム２を引き出し、集束レンズ４
でターゲット９上にビームを集束する。イオン光学系に
は上記電極以外にビームディファイディングアパーチャ
５、ブランキング電極６、ブランキングアパーチャ７、
ディフレクタ電極８を設けている。ブランキング電極６
とはブランキング電極17から電圧を与え、イオンビーム
を高速で偏向し、ターゲット９上でのビームのオンオフ
を行なう。また、ディフレクタ電極８には、ディフレク
タコントローラ14からイオンビーム偏向電圧を与える
が、同じ偏向電圧をCRT15の偏向電極に与える。この
時、ターゲット９から発生する２次電子11をディテクタ
12で検出し、ヘッドアンプ13で増巾した信号でCRT15に
輝度変調をかけることにより、ターゲット９表面の２次
電子信号を得、走査電子顕微鏡と同じ原理で走査イオン
顕微鏡として、加工すべきターゲット９表面を観察でき
る。これで、加工位置決めを行なう。また、テーブル10
から取り出した電流を電流計16で計測し、レコーダ18に
記録している。
次に本発明の具体的実施例を説明する。
＜実施例1.＞ 第３図は本発明の一実施例を示したものである。前述
の通り、イオンビーム２を引き出し、集束し、偏向し、
VLSI等の半導体装置９を加工する。この時、基板電流を
ヘッドアンプ20で増幅し、A/Dコンバータ21でデジタル
信号とし、メインコントローラ22へ入力する。また、基
板電流はビーム走査に同期して変化し、中央部の走査線
では小さく、上下端部の走査線では大きくなる。そこ
で、常に同じ走査線の信号が取れるようにデフレクタコ
ントローラ14からビーム走査の同期信号をメインコント
ローラ22へ入力している。メインコントローラ22は入力
された基板電流信号を処理し、例えばアルミ配線層Ｂま
での加工の終点を判断し、ブランキング電源17にオン信
号を送り、ビーム遮断して加工を停止する。
の通り、イオンビーム２を引き出し、集束し、偏向し、
VLSI等の半導体装置９を加工する。この時、基板電流を
ヘッドアンプ20で増幅し、A/Dコンバータ21でデジタル
信号とし、メインコントローラ22へ入力する。また、基
板電流はビーム走査に同期して変化し、中央部の走査線
では小さく、上下端部の走査線では大きくなる。そこ
で、常に同じ走査線の信号が取れるようにデフレクタコ
ントローラ14からビーム走査の同期信号をメインコント
ローラ22へ入力している。メインコントローラ22は入力
された基板電流信号を処理し、例えばアルミ配線層Ｂま
での加工の終点を判断し、ブランキング電源17にオン信
号を送り、ビーム遮断して加工を停止する。
基板電流は加工が進行するに従い第４図（ａ）の様に
変化する。基板電流は１走査が終了し、次の走査に移る
時に最大値を示す。また、走査領域中央部では最小値と
なる。そこで、デフレクタコントローラ14から同期信号
受信時とその時から１走査の時間の1/2が経過した時の
電流値を抽出して第４図（ｂ）の様な基板電流の最大、
最小をモニタする。今回は１走査が１秒オーダーで比較
的遅いため、同期信号による信号抽出を行なったが、１
操作を速くした場合には同期信号をトリガーとしてA/D
コンバータ21を動作させる方式に替える。第４図（ｂ）
の様に最小値を得、最小値の時間変化からだけでも加工
の終点検出は可能であるが、半導体の構造によっては最
小値に材質による著しい変動が見られない場合がある。
その場合には基板電流の最大値と最小値の差を計算し、
第４図（ｃ）の様な変化巾のモニタリングを行ない良好
な終点検出が可能となる。
変化する。基板電流は１走査が終了し、次の走査に移る
時に最大値を示す。また、走査領域中央部では最小値と
なる。そこで、デフレクタコントローラ14から同期信号
受信時とその時から１走査の時間の1/2が経過した時の
電流値を抽出して第４図（ｂ）の様な基板電流の最大、
最小をモニタする。今回は１走査が１秒オーダーで比較
的遅いため、同期信号による信号抽出を行なったが、１
操作を速くした場合には同期信号をトリガーとしてA/D
コンバータ21を動作させる方式に替える。第４図（ｂ）
の様に最小値を得、最小値の時間変化からだけでも加工
の終点検出は可能であるが、半導体の構造によっては最
小値に材質による著しい変動が見られない場合がある。
その場合には基板電流の最大値と最小値の差を計算し、
第４図（ｃ）の様な変化巾のモニタリングを行ない良好
な終点検出が可能となる。
現在、加工速度は0.1μm3/sec程度である。２μｍ×
２μｍの矩形加工を行なうとすると深さ方向の加工速度
は0.025μm/secとなる。一走査を１秒として加工を進め
ているが、終点の判断は４点を順次比較して行なうた
め、終点の判断中に0.1μｍ加工が進行する。しかし、
層間絶縁膜の厚さは１μｍ程度であり実用上0.1μｍ加
工が進んでも問題はなく、終点検出精度は充分である。
もし、さらに高精度の加工終点検出が必要ならば走査速
度を速めるか走査線数を減らし、一走査で加工される深
さを減らせば良い。
２μｍの矩形加工を行なうとすると深さ方向の加工速度
は0.025μm/secとなる。一走査を１秒として加工を進め
ているが、終点の判断は４点を順次比較して行なうた
め、終点の判断中に0.1μｍ加工が進行する。しかし、
層間絶縁膜の厚さは１μｍ程度であり実用上0.1μｍ加
工が進んでも問題はなく、終点検出精度は充分である。
もし、さらに高精度の加工終点検出が必要ならば走査速
度を速めるか走査線数を減らし、一走査で加工される深
さを減らせば良い。
＜実施例2.＞ 第５図は本実施例の説明図である。本実施例では２次
電子の効果を除き純粋な基板電流の変化のみをモニタで
きる事を考えた。２次電子11は引き込み電源23から引き
込み電極24にプラス電位を与え、そのほとんどをファラ
デーカップ26中へ導入する。ファラデーカップ26にはそ
こから発生する２次電子を逃がさない様に電子トラップ
電極25にトラップ電源27からマイナス電位をかける。ま
た、ファラデーカップ26自身を２次電子加速電源28でプ
ラス電位に浮かしている。２次電子電流は基板電流と同
様にヘッドアンプ29で増巾した後、減算器30で基板電流
から減算される。２次電子の効果を除いた基板電流をA/
Dコンバータ31を通しメインコントローラ22で信号処理
し、加工の終点を判断しブランキング電源17にオン信号
を送って加工を停止する。２次電子の効果を除いた基板
電流の変化は第４図（ｂ）に示した基板電流の最小値の
変化に近いものが得られるが、それは完全に基板へのリ
ーク電流のみを反映したものであり、終点検出の信頼性
が高くなる。ただ、終点の判断は実施例1.と同じ方式の
ため、0.1μｍの誤差を生ずる。しかし、実用上問題と
はならない。
電子の効果を除き純粋な基板電流の変化のみをモニタで
きる事を考えた。２次電子11は引き込み電源23から引き
込み電極24にプラス電位を与え、そのほとんどをファラ
デーカップ26中へ導入する。ファラデーカップ26にはそ
こから発生する２次電子を逃がさない様に電子トラップ
電極25にトラップ電源27からマイナス電位をかける。ま
た、ファラデーカップ26自身を２次電子加速電源28でプ
ラス電位に浮かしている。２次電子電流は基板電流と同
様にヘッドアンプ29で増巾した後、減算器30で基板電流
から減算される。２次電子の効果を除いた基板電流をA/
Dコンバータ31を通しメインコントローラ22で信号処理
し、加工の終点を判断しブランキング電源17にオン信号
を送って加工を停止する。２次電子の効果を除いた基板
電流の変化は第４図（ｂ）に示した基板電流の最小値の
変化に近いものが得られるが、それは完全に基板へのリ
ーク電流のみを反映したものであり、終点検出の信頼性
が高くなる。ただ、終点の判断は実施例1.と同じ方式の
ため、0.1μｍの誤差を生ずる。しかし、実用上問題と
はならない。
以上説明したように、本発明によれば、0.1μ以下の
精度で加工の終点検出が可能であるので、実用上問題に
ならない程度に下部への損傷を抑えた状態で終点を検出
することができる。また、半導体装置からアース側へ流
れて半導体装置の層またはイオンビームの走査位置に応
じて最小値と振幅とが変化する電流を検出する方法を採
用したので、従来と比べてより単純な構成で、高精度に
加工の終点を検出することが可能になった。
精度で加工の終点検出が可能であるので、実用上問題に
ならない程度に下部への損傷を抑えた状態で終点を検出
することができる。また、半導体装置からアース側へ流
れて半導体装置の層またはイオンビームの走査位置に応
じて最小値と振幅とが変化する電流を検出する方法を採
用したので、従来と比べてより単純な構成で、高精度に
加工の終点を検出することが可能になった。
第１図はイオンビーム加工装置の構成図、第２図は加工
過程を示す説明図、第３図は実施例1.の機器構成図、第
４図は基板電流の信号処理を示す説明図、第５図は実施
例2.の機器構成図である。 １……イオン源、２……イオンビーム、３……引き出し
電極、４……集速レンズ、５……ビームディファイディ
ングアパーチャ、６……ブランキング電極、７……ブラ
ンキングアパチャー、８……デフレクタ電極、９……タ
ーゲット、10……テーブル、11……２次電子、12……２
次電子ディテクタ、13……ヘッドアンプ、14……デフレ
クタコントローラ、15……CRT、16……電流計、17……
ブランキング電源、19……レコーダ、20……ヘッドアン
プ、21……A/Dコンバータ、22……メインコントロー
ラ、23……２次電子引き込み電源、24……２次電子引き
込み電極、25……２次電子トラップ電極、26……ファラ
デーカップ、27……２次電子トラップ電極、28……２次
電子加速電源、29……ヘッドアンプ、30……減算器、31
……A/Dコンバータ。
過程を示す説明図、第３図は実施例1.の機器構成図、第
４図は基板電流の信号処理を示す説明図、第５図は実施
例2.の機器構成図である。 １……イオン源、２……イオンビーム、３……引き出し
電極、４……集速レンズ、５……ビームディファイディ
ングアパーチャ、６……ブランキング電極、７……ブラ
ンキングアパチャー、８……デフレクタ電極、９……タ
ーゲット、10……テーブル、11……２次電子、12……２
次電子ディテクタ、13……ヘッドアンプ、14……デフレ
クタコントローラ、15……CRT、16……電流計、17……
ブランキング電源、19……レコーダ、20……ヘッドアン
プ、21……A/Dコンバータ、22……メインコントロー
ラ、23……２次電子引き込み電源、24……２次電子引き
込み電極、25……２次電子トラップ電極、26……ファラ
デーカップ、27……２次電子トラップ電極、28……２次
電子加速電源、29……ヘッドアンプ、30……減算器、31
……A/Dコンバータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮内 建興 横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社 日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 宇佐美 光雄 小平市上水本町1450番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センター内 (72)発明者 高橋 貴彦 小平市上水本町1450番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センター内 (72)発明者 中村 英夫 国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式 会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−208830（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−200529（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−202038（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−9877（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】複数層を有する半導体装置の所望の個所に
集束させたイオンビームを偏向・走査して照射すること
により前記半導体装置の所望の個所を加工する方法であ
って、前記イオンビームの照射により前記半導体装置か
らアース側へ流れて前記半導体装置の層または前記イオ
ンビームの走査位置に応じて最小値と振幅とが変化する
電流を検出し、該検出した電流の最小値または振幅の変
化に基づいて前記半導体装置の所定の層の加工の終点を
検出することを特徴とする半導体装置へのイオンビーム
加工方法。 - 【請求項２】前記電流の検出を、前記イオンビームの走
査に同期して行なうことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体装置へのイオンビーム加工方法。 - 【請求項３】前記イオンビームを照射するときに、前記
半導体装置からアース側へ流出する電流と共に前記半導
体装置から放出される２次荷電粒子電流も検出し、前記
半導体装置からアース側へ流出する前記電流値と前記２
次荷電粒子電流値との差に基づいて前記半導体装置の加
工の終点を検出することを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体装置へのイオンビーム加工方法。 - 【請求項４】イオン源と、該イオン源から出射されるイ
オンビームを複数層を有する半導体装置上の所望の個所
に集束させて偏向・走査して照射するイオンビーム照射
手段と、前記イオンビームを前記半導体装置上の所望の
個所に偏向・走査して照射することにより前記半導体装
置からアース側へ流れて前記半導体装置の層または前記
イオンビームの走査位置に応じて最小値と振幅とが変化
する電流を検出する電流検出手段と、該電流検出手段で
検出した前記半導体装置からアース側へ流れる電流の最
小値または振幅の変化に基づいて前記半導体装置の所定
の層の加工の終点を検出する加工終点検出手段とを備え
たことを特徴とする半導体装置へのイオンビーム加工装
置。 - 【請求項５】前記電流検出手段は、前記イオンビームを
偏向・走査する前記イオンビーム照射手段の偏向信号に
同期して、前記電流をサンプリングすることを特徴とす
る特許請求の範囲第４項記載の半導体装置へのイオンビ
ーム加工装置。 - 【請求項６】前記半導体装置へのイオンビーム加工装置
は、前記イオンビームを前記半導体装置上の所望の個所
に偏向・走査して照射することにより前記半導体装置か
ら得られる２次荷電粒子を検出する２次荷電粒子検出手
段を更に備え、前記加工終点検出手段は、前記２次荷電
粒子検出手段で検出した２次荷電粒子電流値と、前記電
流検出手段で検出した前記半導体装置からアース側へ流
れて該半導体装置の層に応じて最小値と振幅とが変化す
る電流値との差に基づいて、前記半導体装置の所定の層
の加工の終点を検出することを特徴とする特許請求の範
囲第４項記載の半導体装置へのイオンビーム加工装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60060573A JP2539359B2 (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 半導体装置へのイオンビ−ム加工方法およびその装置 |
| KR8602240A KR900005783B1 (en) | 1985-03-27 | 1986-03-26 | Ion beam cutting method and device thereof for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60060573A JP2539359B2 (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 半導体装置へのイオンビ−ム加工方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220330A JPS61220330A (ja) | 1986-09-30 |
| JP2539359B2 true JP2539359B2 (ja) | 1996-10-02 |
Family
ID=13146134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60060573A Expired - Lifetime JP2539359B2 (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 半導体装置へのイオンビ−ム加工方法およびその装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2539359B2 (ja) |
| KR (1) | KR900005783B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6753253B1 (en) * | 1986-06-18 | 2004-06-22 | Hitachi, Ltd. | Method of making wiring and logic corrections on a semiconductor device by use of focused ion beams |
| JPH0316125A (ja) * | 1989-03-30 | 1991-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4358338A (en) * | 1980-05-16 | 1982-11-09 | Varian Associates, Inc. | End point detection method for physical etching process |
| JPS58202038A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム加工装置 |
| JPS59208830A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム加工方法およびその装置 |
| JPS60200529A (ja) * | 1984-03-24 | 1985-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | イオンビ−ムによるエツチング加工方法 |
-
1985
- 1985-03-27 JP JP60060573A patent/JP2539359B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-03-26 KR KR8602240A patent/KR900005783B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61220330A (ja) | 1986-09-30 |
| KR900005783B1 (en) | 1990-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4093662B2 (ja) | 走査形電子顕微鏡 | |
| US4573008A (en) | Method for the contact-free testing of microcircuits or the like with a particle beam probe | |
| US4639301A (en) | Focused ion beam processing | |
| US4933552A (en) | Inspection system utilizing retarding field back scattered electron collection | |
| US7372050B2 (en) | Method of preventing charging, and apparatus for charged particle beam using the same | |
| JP3906866B2 (ja) | 荷電粒子ビーム検査装置 | |
| JPH10125271A (ja) | 走査型電子顕微鏡 | |
| US4855673A (en) | Electron beam apparatus | |
| US20080296496A1 (en) | Method and apparatus of wafer surface potential regulation | |
| JP2539359B2 (ja) | 半導体装置へのイオンビ−ム加工方法およびその装置 | |
| US20050173631A1 (en) | Determining end points during charged particle beam processing | |
| US6297503B1 (en) | Method of detecting semiconductor defects | |
| US6952105B2 (en) | Inspection method and apparatus for circuit pattern of resist material | |
| JP2953751B2 (ja) | 半導体装置の検査方法 | |
| JP3728956B2 (ja) | 回路パターン検査装置 | |
| JP4658783B2 (ja) | 試料像形成方法 | |
| JP3343421B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
| JPS59163505A (ja) | 微細溝の寸法測定方法および装置 | |
| JP2003303867A (ja) | コンタクトホールの検査方法およびその結果に基づいた不良コンタクトホールの補修加工方法 | |
| JP2696216B2 (ja) | イオンビーム加工装置 | |
| JP3231639B2 (ja) | イオンビーム加工解析方法 | |
| JPH0620059B2 (ja) | イオンビ−ム加工方法 | |
| JP2887407B2 (ja) | 集束イオンビームによる試料観察方法 | |
| JPH1074808A (ja) | 荷電粒子線を用いた理化学装置，半導体製造及び検査装置 | |
| JP2001266785A (ja) | イオンビーム加工装置 |