JPH01130519A - Ｍｏｃｖｄ結晶成長装置 - Google Patents
Ｍｏｃｖｄ結晶成長装置Info
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- JPH01130519A JPH01130519A JP28997287A JP28997287A JPH01130519A JP H01130519 A JPH01130519 A JP H01130519A JP 28997287 A JP28997287 A JP 28997287A JP 28997287 A JP28997287 A JP 28997287A JP H01130519 A JPH01130519 A JP H01130519A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、ＭＯＣＶＤ法により結晶成長を行うＭＯＣ
ＶＤ結晶成長装置に関するものである。
ＶＤ結晶成長装置に関するものである。
（従来の技術）
第２図は従来の典型的なＭＯＣＶＤ結晶成長装置の構成
を示す配管の模式図である。
を示す配管の模式図である。
この図において、１はアルシンＡｓＨ３，ホスフィンＰ
Ｈ，などのＶ族材料ガスボンベ、２はトリメチルガリウ
ムＴＭＧａ、 トリメチルアルミニウムＴＭＡＩ、
トリエチルインジウムＴＥＩｎなとのＩＩＩ族材料の
有機金属バブラ、３は恒温槽、４は供給ガスのガス流量
を調整するマスフローコントローラ（以下ＭＦＣと称す
）、５．５Ａ、５Ｂはエア作動弁、６は反応管、７はＶ
族材料ガスを反応管６へ導入するキャリアライン（以下
Ｖ族プロセスラインと称す）、８はＩＩＩ族有機金属ガ
スを反応管６へ導入するキャリアライン（以下ＩＩＩ族
プロセスラインと称す）、９は前記反応管６へ導入しな
いガスを流す排気ライン（以下ベントラインと称す）、
１０は結晶を成長させる基板をセットするサセプタであ
る。
Ｈ，などのＶ族材料ガスボンベ、２はトリメチルガリウ
ムＴＭＧａ、 トリメチルアルミニウムＴＭＡＩ、
トリエチルインジウムＴＥＩｎなとのＩＩＩ族材料の
有機金属バブラ、３は恒温槽、４は供給ガスのガス流量
を調整するマスフローコントローラ（以下ＭＦＣと称す
）、５．５Ａ、５Ｂはエア作動弁、６は反応管、７はＶ
族材料ガスを反応管６へ導入するキャリアライン（以下
Ｖ族プロセスラインと称す）、８はＩＩＩ族有機金属ガ
スを反応管６へ導入するキャリアライン（以下ＩＩＩ族
プロセスラインと称す）、９は前記反応管６へ導入しな
いガスを流す排気ライン（以下ベントラインと称す）、
１０は結晶を成長させる基板をセットするサセプタであ
る。
なお、図中同一形状のものは同一部分を表すが、符号は
省略しである。
省略しである。
次に動作について説明する。ＭＯＣＶＤ法による結晶成
長法は、ＩＩＩ族材料に有機金属（ＭＯ）が用いられる
のが特徴である。有機金属は一部の例外を除いて常温で
液体である。有機金属は、有機金属バブラ２でＨ２ガス
を導入してバブリングし、恒温槽３により蒸気圧を制御
して供給される。有機金属が固体である場合は、昇華さ
せることにより供給される。結晶成長を行うには、Ｖ族
材料はＶ族材料ガスボンベ１より、ＩＩＩ族の有機金属
は有機金属バブラ２にＨ２を導入して、ＭＦＣ４で流量
を制御することにより、各々Ｖ族プロセスライン７、Ｉ
ＩＩ族プロセスライン８に供給され反応管６へ、導入さ
れφ。結晶成長層の組成はＭＦＣ４による流量制御の他
、エア作動弁５の開閉により制御される。エア作動弁５
Ａを開、エア作動弁５Ｂを閉にすることにより、ＩＩＩ
族有機金属ガスはＩＩＩ族プロセスライン８へ供給され
る。また、エア作動弁５Ａを閉、エア作動弁５Ｂを開と
することで、ＩＩＩ族有機金属ガスはベントライン９に
供給され、反応管６へは導入されない。反応管６へ導入
されたＶ原材料ガス、 ＩＩＩ族有機金属ガスは、高温
に熱せられたサセプタ１０およびその上にセットされた
基板近傍で熱分解し結晶成長が行われる。
長法は、ＩＩＩ族材料に有機金属（ＭＯ）が用いられる
のが特徴である。有機金属は一部の例外を除いて常温で
液体である。有機金属は、有機金属バブラ２でＨ２ガス
を導入してバブリングし、恒温槽３により蒸気圧を制御
して供給される。有機金属が固体である場合は、昇華さ
せることにより供給される。結晶成長を行うには、Ｖ族
材料はＶ族材料ガスボンベ１より、ＩＩＩ族の有機金属
は有機金属バブラ２にＨ２を導入して、ＭＦＣ４で流量
を制御することにより、各々Ｖ族プロセスライン７、Ｉ
ＩＩ族プロセスライン８に供給され反応管６へ、導入さ
れφ。結晶成長層の組成はＭＦＣ４による流量制御の他
、エア作動弁５の開閉により制御される。エア作動弁５
Ａを開、エア作動弁５Ｂを閉にすることにより、ＩＩＩ
族有機金属ガスはＩＩＩ族プロセスライン８へ供給され
る。また、エア作動弁５Ａを閉、エア作動弁５Ｂを開と
することで、ＩＩＩ族有機金属ガスはベントライン９に
供給され、反応管６へは導入されない。反応管６へ導入
されたＶ原材料ガス、 ＩＩＩ族有機金属ガスは、高温
に熱せられたサセプタ１０およびその上にセットされた
基板近傍で熱分解し結晶成長が行われる。
実際のデバイス構造の結晶成長が行われる際には数層の
組成、ドーピング量の異なる多層成長が行われることと
なる。ＭＦＣ４による流量制御とエア作動弁５の開閉制
御によって多層成長が可能となる。
組成、ドーピング量の異なる多層成長が行われることと
なる。ＭＦＣ４による流量制御とエア作動弁５の開閉制
御によって多層成長が可能となる。
しかし、多層成長においては、例えばＩＩＩ族プロセス
ライン８へ供給されているＩＩＩ族有機金属ガスをベン
トライン９に切り換えることが必要な場合もある。この
際エア作動弁５Ａを開から閉に、エア作動弁５Ｂを閉か
ら開へと同時に行なったとしても、ＩＩＩ族有機金属ガ
スはエア作動弁５Ａから反応管６までの間のＩＩＩ族プ
ロセスライン８内に停滞する。このために、メモリ効果
と呼ばれる現象を引き起こす。すなわち、急峻な界面が
得られないわけである。これは、超格子構造のような数
原子層単位の結晶成長が制御できなくなる他、ＩｎＧａ
ＡｓＰ系、ＩｎＡｌＧａＡｓ系等、格子定数が組成によ
り大きく異なる場合に、格子不整合をおこす原因となっ
たりする。また、ドーピング量の少ない結晶成長層が必
要な場合に問題となる。
ライン８へ供給されているＩＩＩ族有機金属ガスをベン
トライン９に切り換えることが必要な場合もある。この
際エア作動弁５Ａを開から閉に、エア作動弁５Ｂを閉か
ら開へと同時に行なったとしても、ＩＩＩ族有機金属ガ
スはエア作動弁５Ａから反応管６までの間のＩＩＩ族プ
ロセスライン８内に停滞する。このために、メモリ効果
と呼ばれる現象を引き起こす。すなわち、急峻な界面が
得られないわけである。これは、超格子構造のような数
原子層単位の結晶成長が制御できなくなる他、ＩｎＧａ
ＡｓＰ系、ＩｎＡｌＧａＡｓ系等、格子定数が組成によ
り大きく異なる場合に、格子不整合をおこす原因となっ
たりする。また、ドーピング量の少ない結晶成長層が必
要な場合に問題となる。
第３図は従来公知のＭＯＣＶＤ結晶成長装置の構成を示
す配管模式図である。
す配管模式図である。
図において、第２図と同一符号は同一または相当部分を
示し、１１はエア作動三方弁、１２はＨ２ガスを導入す
るキャリアライン、１３はラジアルマニホールドである
。
示し、１１はエア作動三方弁、１２はＨ２ガスを導入す
るキャリアライン、１３はラジアルマニホールドである
。
エア作動三方弁１１は、第２図に示したエア作動弁５Ａ
、５Ｂを一体構造としたものであり、ベントライン９側
とプロセスライン７側または８側との切り換えを行うも
のである。エア作動三方弁１１は、反応管６の直前に設
置され、各々円周上に配置されている。エア作動三方弁
１１がプロセスライン７または８になっている時には、
Ｖ原材料ガス、 ＩＩＩ族有機金属ガスは、キャリアラ
イン１２から供給されるＨ２ガスと混合されて反応管６
に導入される。また、ベントライン９側にすることによ
り、ベントライン９へ供給され反応間６へは導入されな
い。エア作動三方弁１１が円周上に配置されたＶ原材料
ガス、 ＩＩＩ族有機金属ガス導入システムをラジアル
マニホールド１３という。
、５Ｂを一体構造としたものであり、ベントライン９側
とプロセスライン７側または８側との切り換えを行うも
のである。エア作動三方弁１１は、反応管６の直前に設
置され、各々円周上に配置されている。エア作動三方弁
１１がプロセスライン７または８になっている時には、
Ｖ原材料ガス、 ＩＩＩ族有機金属ガスは、キャリアラ
イン１２から供給されるＨ２ガスと混合されて反応管６
に導入される。また、ベントライン９側にすることによ
り、ベントライン９へ供給され反応間６へは導入されな
い。エア作動三方弁１１が円周上に配置されたＶ原材料
ガス、 ＩＩＩ族有機金属ガス導入システムをラジアル
マニホールド１３という。
このようなＭＯＣＶＤ結晶成長装置ならば、■原材料ガ
スをＶ族プロセスライン７側からベントライン９側へ切
り換えた際のＶ族プロセスライン７内のガスの停滞を最
少限におさえることができ、急峻な界面の結晶成長が行
える他、ドーピング量の少ない結晶成長層を得ることも
できる。
スをＶ族プロセスライン７側からベントライン９側へ切
り換えた際のＶ族プロセスライン７内のガスの停滞を最
少限におさえることができ、急峻な界面の結晶成長が行
える他、ドーピング量の少ない結晶成長層を得ることも
できる。
しかし、Ｖ原材料ガス、ＩＩＩ族有機金属ガスを反応管
６直前で混合しているために、ガスの混合が悪くなり、
結晶成長層面内での組成あるいはドーピング量の均一性
が悪くなるといった問題がおきる。
６直前で混合しているために、ガスの混合が悪くなり、
結晶成長層面内での組成あるいはドーピング量の均一性
が悪くなるといった問題がおきる。
従来のＭＯＣＶＤ装置は以上のように構成されているの
で、第２図に示した装置では、Ｖ原材料ガス、ＩＩＩ族
有機金属ガスの切り換え時におこるメモリ効果のために
急峻な界面が得られない。また低ドーピング量の制御が
困難であるなどの問題点があった。
で、第２図に示した装置では、Ｖ原材料ガス、ＩＩＩ族
有機金属ガスの切り換え時におこるメモリ効果のために
急峻な界面が得られない。また低ドーピング量の制御が
困難であるなどの問題点があった。
また第３図に示した装置では、Ｖ族材料ガス。
ＩＩＩ族有機金属ガスの混合が悪くなり、結晶成長層の
組成、ドーピング量の面内均一性が悪くなるという問題
点があった。
組成、ドーピング量の面内均一性が悪くなるという問題
点があった。
この発明は、上記の問題点を解消するためになされたも
ので、急峻な界面が得られ低ドーピング量の制御が可能
であるとともに、優れた結晶成長層の組成、ドーピング
量の面内均一性が得られるＭＯＣＶＤ結晶成長装置を得
ることを目的とする。
ので、急峻な界面が得られ低ドーピング量の制御が可能
であるとともに、優れた結晶成長層の組成、ドーピング
量の面内均一性が得られるＭＯＣＶＤ結晶成長装置を得
ることを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
この発明に係るＭＯＣＶＤ結晶成長装置は、供給ガス毎
にガス濃度の異なる供給ガスを供給する複数系統の供給
ラインと、この複数系統の供給ラインの供給ガスを排気
する排気ラインと、この排気ラインまたは複数系統の供
給ラインに供給ガスの供給を切り換える切り換え機構と
、複数系統の供給ラインの供給ガスを反応管に選択的に
導入するマニホールドとを設けたものである。
にガス濃度の異なる供給ガスを供給する複数系統の供給
ラインと、この複数系統の供給ラインの供給ガスを排気
する排気ラインと、この排気ラインまたは複数系統の供
給ラインに供給ガスの供給を切り換える切り換え機構と
、複数系統の供給ラインの供給ガスを反応管に選択的に
導入するマニホールドとを設けたものである。
（作用）
この発明のＭＯＣＶＤ結晶成長装置においては、複数系
統の供給ラインが供給ガス毎にガス濃度の異なる供給ガ
スを供給し、排気ラインが複数系統の供給ラインの供給
ガスを排気し、切り換え機構が排気ラインまたは複数系
統の供給ラインに供給ガスの供給を切り換え、マニホー
ルドが複数系統の供給ラインの供給ガスを反応管に選択
的に導入する。
統の供給ラインが供給ガス毎にガス濃度の異なる供給ガ
スを供給し、排気ラインが複数系統の供給ラインの供給
ガスを排気し、切り換え機構が排気ラインまたは複数系
統の供給ラインに供給ガスの供給を切り換え、マニホー
ルドが複数系統の供給ラインの供給ガスを反応管に選択
的に導入する。
第１図はこの発明の一実施例を示すＭＯＣＶＤ結晶成長
装置の配管模式図であり、第３図と同一符号は同一また
は相当部分を示す。
装置の配管模式図であり、第３図と同一符号は同一また
は相当部分を示す。
この発明のＭＯＣＶＤ結晶成長装置は、この発明による
供給ラインとなるＶ族プロセスライン７およびＩＩＩ族
プロセスライン８を各々２本有している。これらのＶ族
プロセスライン７およびＩＩＩ族プロセスライン８は、
ガス濃度の異なる供給ガス、すなわちＶ族材料ガスおよ
びＩＩＩ族有機金属ガスを供給する。
供給ラインとなるＶ族プロセスライン７およびＩＩＩ族
プロセスライン８を各々２本有している。これらのＶ族
プロセスライン７およびＩＩＩ族プロセスライン８は、
ガス濃度の異なる供給ガス、すなわちＶ族材料ガスおよ
びＩＩＩ族有機金属ガスを供給する。
この発明による排気ラインとなるベントライン９は、上
記各々の供給ライン７．８に必要に応じて設けられてお
り、Ｖ族プロセスライン７およびＩＩＩ族プロセスライ
ン８のＶ族材料ガスおよびＩＩＩ族有機金属ガスを排気
する。この発明による切り換え機構となるエア作動弁５
Ａ、５Ｂは、ベントライン９またはＶ族プロセスライン
７・ｍ族プロセスライン８にＶ族材料ガスおよびＩＩＩ
族有機金属ガスの供給を切り換える。各プロセスライン
７．８に供給されたＶ族材料ガスおよびＩＩＩ族有機金
属ガスは、ラジアルマニホールド１３のエア作動三方弁
１１へと導かれる。この発明によるマニホールドとなる
ラジアルマニホールド１３は、複数系統のプロセスライ
ン７．８のＶ族材料ガスあるいはＩＩＩ族有機金属ガス
をエア作動三方弁１１を用いて反応管６に選択的に導入
する。ここで各々のガスが反応管６かベントライン９い
ずれに供給されるかで結晶成長層の制御が行われる。
記各々の供給ライン７．８に必要に応じて設けられてお
り、Ｖ族プロセスライン７およびＩＩＩ族プロセスライ
ン８のＶ族材料ガスおよびＩＩＩ族有機金属ガスを排気
する。この発明による切り換え機構となるエア作動弁５
Ａ、５Ｂは、ベントライン９またはＶ族プロセスライン
７・ｍ族プロセスライン８にＶ族材料ガスおよびＩＩＩ
族有機金属ガスの供給を切り換える。各プロセスライン
７．８に供給されたＶ族材料ガスおよびＩＩＩ族有機金
属ガスは、ラジアルマニホールド１３のエア作動三方弁
１１へと導かれる。この発明によるマニホールドとなる
ラジアルマニホールド１３は、複数系統のプロセスライ
ン７．８のＶ族材料ガスあるいはＩＩＩ族有機金属ガス
をエア作動三方弁１１を用いて反応管６に選択的に導入
する。ここで各々のガスが反応管６かベントライン９い
ずれに供給されるかで結晶成長層の制御が行われる。
ここで、２本のＶ族プロセスライン７へＶ族材料ガスボ
ンベ１からＶ族材料ガスを供給する際には、１木のＶ族
材料ガスボンベ１より２つのＭＦＣ４で各々のＶ族プロ
セスライン７へ供給することができる。一方、２本のＩ
ＩＩ族プロセスライン８へＩＩＩ族有機金属ガスを供給
するためには、各々のＩＩＩ族プロセスライン８が独立
してＩＩＩ族有機金属バブラ２群を有することが必要と
なる。これは、ＩＩＩ族プロセスライン８へのＩＩＩ族
有機金属ガスの供給量が！■■族有機金属バブラ２への
Ｈ２バブリング量で制御されるためである。
ンベ１からＶ族材料ガスを供給する際には、１木のＶ族
材料ガスボンベ１より２つのＭＦＣ４で各々のＶ族プロ
セスライン７へ供給することができる。一方、２本のＩ
ＩＩ族プロセスライン８へＩＩＩ族有機金属ガスを供給
するためには、各々のＩＩＩ族プロセスライン８が独立
してＩＩＩ族有機金属バブラ２群を有することが必要と
なる。これは、ＩＩＩ族プロセスライン８へのＩＩＩ族
有機金属ガスの供給量が！■■族有機金属バブラ２への
Ｈ２バブリング量で制御されるためである。
この実施例で示したＭＯＣＶＤ結晶成長装置で結晶成長
を行う場合には、各１本のＩＩＩ族プロセスライン８、
Ｖ族プロセスライン７を用いて結晶成長を行ない、その
開催の各１本のＩＩＩ族プロセスライン８．Ｖ族プロセ
スライン７には次に結晶成長を行なう層に必要な混合比
のＶ族材料ガス、 ＩＩＩ族有機金属ガスを各々供給し
ベントライン９へ流しておく。次いで、結晶成長層を切
り換える際にベントライン９から反応管６へとエア作動
三方弁１１を切り換える。この時同時に、それまで反応
管６側になっていた■族プロセスライン７、ＩＩＩ 族
プロセスライ８のエア作動三方弁１１をペントライン９
側に切り換えるのはいうまでもない。このようにするこ
とで、配管へのガスの停滞なしに反応管６へ供給するＶ
族材料ガス、ＩＩ族有機金属ガスの混合比を急峻に、し
かも混合のよい状態で変えることが可能となる。その結
果、結晶成長層間の界面を急峻にすることができる他、
低ドーピング量の結晶成長層を得ることができる。さら
に結晶成長層１組成、ドーピング量の均一性をはかるこ
とができる。また、反応管６側からベントライン９側へ
エア作動三方弁１１を切り変えた後、さらにＶ族プロセ
スライン７、■■族プロセスライン８へ次の結晶成長層
に必要な混合比のＩＩＩ族有機金属ガス、Ｖ族材料ガス
を各々に供給しておく。このようにして多層成長を行う
ことができる。
を行う場合には、各１本のＩＩＩ族プロセスライン８、
Ｖ族プロセスライン７を用いて結晶成長を行ない、その
開催の各１本のＩＩＩ族プロセスライン８．Ｖ族プロセ
スライン７には次に結晶成長を行なう層に必要な混合比
のＶ族材料ガス、 ＩＩＩ族有機金属ガスを各々供給し
ベントライン９へ流しておく。次いで、結晶成長層を切
り換える際にベントライン９から反応管６へとエア作動
三方弁１１を切り換える。この時同時に、それまで反応
管６側になっていた■族プロセスライン７、ＩＩＩ 族
プロセスライ８のエア作動三方弁１１をペントライン９
側に切り換えるのはいうまでもない。このようにするこ
とで、配管へのガスの停滞なしに反応管６へ供給するＶ
族材料ガス、ＩＩ族有機金属ガスの混合比を急峻に、し
かも混合のよい状態で変えることが可能となる。その結
果、結晶成長層間の界面を急峻にすることができる他、
低ドーピング量の結晶成長層を得ることができる。さら
に結晶成長層１組成、ドーピング量の均一性をはかるこ
とができる。また、反応管６側からベントライン９側へ
エア作動三方弁１１を切り変えた後、さらにＶ族プロセ
スライン７、■■族プロセスライン８へ次の結晶成長層
に必要な混合比のＩＩＩ族有機金属ガス、Ｖ族材料ガス
を各々に供給しておく。このようにして多層成長を行う
ことができる。
なお、上記実施例ではプロセスライン７および８をＩＩ
族、Ｖ族各２本ずつ設けた例を示したが必要が生じれば
さらに設置本数を増やしてもよい。
族、Ｖ族各２本ずつ設けた例を示したが必要が生じれば
さらに設置本数を増やしてもよい。
また、上記実施例では、Ｖ原材料ガスボンベ１を２本、
有機金属バブラ２を各３木とした例を示したが、必要に
応じてこれらの数は増減させても上記実施例と同様の効
果を奏する。
有機金属バブラ２を各３木とした例を示したが、必要に
応じてこれらの数は増減させても上記実施例と同様の効
果を奏する。
さらに、Ｖ原材料ガスボンベ１を、セレン化水素Ｈ２Ｓ
ｅ、硫化水素Ｈ２Ｓなどのドーピングガスボンベとし、
有機金属バブラ２をジエチルジンクＤＥＺｎ、シクロペ
ンタジェニルマグネシウムＣＰ２Ｍｇなどのドーピング
有機金属バブラとしてこの発明のＭＯＣＶＤ結晶成長装
置を構成してもよく、上記実施例と同様の効果を奏する
。
ｅ、硫化水素Ｈ２Ｓなどのドーピングガスボンベとし、
有機金属バブラ２をジエチルジンクＤＥＺｎ、シクロペ
ンタジェニルマグネシウムＣＰ２Ｍｇなどのドーピング
有機金属バブラとしてこの発明のＭＯＣＶＤ結晶成長装
置を構成してもよく、上記実施例と同様の効果を奏する
。
上記実施例は、ＩＩＩ −Ｖ族の結晶成長の場合につい
て述べたが、さらにＩＩ −Ｖ族、ＩＩ−ｍＶ族につい
ても、あるいはそれら化合物半導体結晶の二元系、三元
系および四元系についても同様の効果を奏することは明
白である。また、ラジアルマニホールド１３は、一般に
はマニホールドであればよい。
て述べたが、さらにＩＩ −Ｖ族、ＩＩ−ｍＶ族につい
ても、あるいはそれら化合物半導体結晶の二元系、三元
系および四元系についても同様の効果を奏することは明
白である。また、ラジアルマニホールド１３は、一般に
はマニホールドであればよい。
（発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、供給ガス毎にガス濃度
の異なる供給ガスを供給する複数系統の供給ラインと、
この複数系統の供給ラインの供給ガスを排気する排気ラ
インと、この排気ラインまたは複数系統の供給ラインに
供給ガスの供給を切り換える切り換え機構と、複数系統
の供給ラインの供給ガスを反応管に選択的に導入するマ
ニホールドとを設けたので、結晶成長層間の急峻な界面
が得られ、低ドーピング量の制御が可能となるほか、優
れた結晶成長層の組成、ドーピング量の面内均一性を得
られる効果がある。
の異なる供給ガスを供給する複数系統の供給ラインと、
この複数系統の供給ラインの供給ガスを排気する排気ラ
インと、この排気ラインまたは複数系統の供給ラインに
供給ガスの供給を切り換える切り換え機構と、複数系統
の供給ラインの供給ガスを反応管に選択的に導入するマ
ニホールドとを設けたので、結晶成長層間の急峻な界面
が得られ、低ドーピング量の制御が可能となるほか、優
れた結晶成長層の組成、ドーピング量の面内均一性を得
られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示すＭＯＣＶＤ結晶成長
装置の配管模式図、第２図および第３図は従来のＭＯＣ
ＶＤ結晶成長装置の配管模式図である。 図において、５Ａ、５Ｂはエアー作動弁、６は反応管、
７はＶ族プロセスライン、８はＩＩＩ族プロセスライン
、９はベントライン、１１はエア作動三方弁、１３はラ
ジアルマニホールドである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 手続補正書（自発） １．事件の表示 特願昭６２−２８９９７２号２、
発明の名称 ＭＯＣＶＤ結晶成長装置３、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号。 名 称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三
菱電機株式会社内 氏名 （７３７５）弁理士大君増進 。 （連絡先０３（２１３）３４２１持許部） ′５
、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄、発明の詳細な説明の欄お
よび図面 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のように補正する
。 （２）明細書第５頁１１行の［プロセスライン７側また
は８側」を、「■族プロセスライン７側または■族プロ
セスライン８側」と補正する。 （３） 同じく第５頁１４〜１５行の［プロセスライ
ン７または８」を、［■族プロセスライン７または■族
プ四セスライン８］と補正する。 （４）同じく第５頁１９行の「反応間６」を、「反応管
６」と補正する。 （５）同じく第９頁１行の「供給ライン７．８」を、［
プロセスライン７．８」と補正する。 （６）同じく第９頁１３行の「プロセスライン７゜８」
を、「各々のプロセスライン７．８」と補正する。 （７）同じく第１０頁４〜５行、７行の「■族有機金属
バブラ２」を、「有機金属バブラ２」と補正する。 （８）図面中、第２図を別紙のように補正する。 以 上 ２、特許請求の範囲 反応管に供給ガスを導入して化合物半導体結晶を成長さ
せるＭＯＣＶＤ結晶成長装置において、供給ガス毎にガ
ス濃度の異なる前記供給ガスを供給する複数系統の供給
ラインと、この複数系統の供給ラインの前記典雁ガスを
排気する排気ラインと、この排気ラインまたは前記複数
系統の供給ラインに前記供給ガスの供給を切り換える切
り換丸機構と、前記複数系統の供給ラインの供給ガスを
前記反応管に選択的に導入するマニホールドとを具備し
たことを特徴とするＭＯＣＶＤ結晶成長装置。
装置の配管模式図、第２図および第３図は従来のＭＯＣ
ＶＤ結晶成長装置の配管模式図である。 図において、５Ａ、５Ｂはエアー作動弁、６は反応管、
７はＶ族プロセスライン、８はＩＩＩ族プロセスライン
、９はベントライン、１１はエア作動三方弁、１３はラ
ジアルマニホールドである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 手続補正書（自発） １．事件の表示 特願昭６２−２８９９７２号２、
発明の名称 ＭＯＣＶＤ結晶成長装置３、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号。 名 称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三
菱電機株式会社内 氏名 （７３７５）弁理士大君増進 。 （連絡先０３（２１３）３４２１持許部） ′５
、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄、発明の詳細な説明の欄お
よび図面 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のように補正する
。 （２）明細書第５頁１１行の［プロセスライン７側また
は８側」を、「■族プロセスライン７側または■族プロ
セスライン８側」と補正する。 （３） 同じく第５頁１４〜１５行の［プロセスライ
ン７または８」を、［■族プロセスライン７または■族
プ四セスライン８］と補正する。 （４）同じく第５頁１９行の「反応間６」を、「反応管
６」と補正する。 （５）同じく第９頁１行の「供給ライン７．８」を、［
プロセスライン７．８」と補正する。 （６）同じく第９頁１３行の「プロセスライン７゜８」
を、「各々のプロセスライン７．８」と補正する。 （７）同じく第１０頁４〜５行、７行の「■族有機金属
バブラ２」を、「有機金属バブラ２」と補正する。 （８）図面中、第２図を別紙のように補正する。 以 上 ２、特許請求の範囲 反応管に供給ガスを導入して化合物半導体結晶を成長さ
せるＭＯＣＶＤ結晶成長装置において、供給ガス毎にガ
ス濃度の異なる前記供給ガスを供給する複数系統の供給
ラインと、この複数系統の供給ラインの前記典雁ガスを
排気する排気ラインと、この排気ラインまたは前記複数
系統の供給ラインに前記供給ガスの供給を切り換える切
り換丸機構と、前記複数系統の供給ラインの供給ガスを
前記反応管に選択的に導入するマニホールドとを具備し
たことを特徴とするＭＯＣＶＤ結晶成長装置。
Claims (1)
- 反応管に供給ガスを導入して化合物半導体結晶を成長
させるＭＯＣＶＤ結晶成長装置において、供給ガス毎に
ガス濃度の異なる前記供給ガスを供給する複数系統の供
給ラインと、この複数系統の供給ラインの前記化合物ガ
スを排気する排気ラインと、この排気ラインまたは前記
複数系統の供給ラインに前記供給ガスの供給を切り換え
る切り換え機構と、前記複数系統の供給ラインの供給ガ
スを前記反応管に選択的に導入するマニホールドとを具
備したことを特徴とするＭＯＣＶＤ結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28997287A JPH01130519A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | Ｍｏｃｖｄ結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28997287A JPH01130519A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | Ｍｏｃｖｄ結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01130519A true JPH01130519A (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=17750111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28997287A Pending JPH01130519A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | Ｍｏｃｖｄ結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01130519A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005072700A3 (en) * | 2004-01-30 | 2005-09-09 | Ferrosan As | Haemostatic sprays and compositions |
| US9265858B2 (en) | 2012-06-12 | 2016-02-23 | Ferrosan Medical Devices A/S | Dry haemostatic composition |
| US9533069B2 (en) | 2008-02-29 | 2017-01-03 | Ferrosan Medical Devices A/S | Device for promotion of hemostasis and/or wound healing |
| US9724078B2 (en) | 2013-06-21 | 2017-08-08 | Ferrosan Medical Devices A/S | Vacuum expanded dry composition and syringe for retaining same |
| US10111980B2 (en) | 2013-12-11 | 2018-10-30 | Ferrosan Medical Devices A/S | Dry composition comprising an extrusion enhancer |
| US10653837B2 (en) | 2014-12-24 | 2020-05-19 | Ferrosan Medical Devices A/S | Syringe for retaining and mixing first and second substances |
| US10918796B2 (en) | 2015-07-03 | 2021-02-16 | Ferrosan Medical Devices A/S | Syringe for mixing two components and for retaining a vacuum in a storage condition |
| US11046818B2 (en) | 2014-10-13 | 2021-06-29 | Ferrosan Medical Devices A/S | Dry composition for use in haemostasis and wound healing |
| US11109849B2 (en) | 2012-03-06 | 2021-09-07 | Ferrosan Medical Devices A/S | Pressurized container containing haemostatic paste |
| US11801324B2 (en) | 2018-05-09 | 2023-10-31 | Ferrosan Medical Devices A/S | Method for preparing a haemostatic composition |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP28997287A patent/JPH01130519A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005072700A3 (en) * | 2004-01-30 | 2005-09-09 | Ferrosan As | Haemostatic sprays and compositions |
| US9533069B2 (en) | 2008-02-29 | 2017-01-03 | Ferrosan Medical Devices A/S | Device for promotion of hemostasis and/or wound healing |
| US11109849B2 (en) | 2012-03-06 | 2021-09-07 | Ferrosan Medical Devices A/S | Pressurized container containing haemostatic paste |
| US9265858B2 (en) | 2012-06-12 | 2016-02-23 | Ferrosan Medical Devices A/S | Dry haemostatic composition |
| US9999703B2 (en) | 2012-06-12 | 2018-06-19 | Ferrosan Medical Devices A/S | Dry haemostatic composition |
| US10799611B2 (en) | 2012-06-12 | 2020-10-13 | Ferrosan Medical Devices A/S | Dry haemostatic composition |
| US10595837B2 (en) | 2013-06-21 | 2020-03-24 | Ferrosan Medical Devices A/S | Vacuum expanded dry composition and syringe for retaining same |
| US9724078B2 (en) | 2013-06-21 | 2017-08-08 | Ferrosan Medical Devices A/S | Vacuum expanded dry composition and syringe for retaining same |
| US10111980B2 (en) | 2013-12-11 | 2018-10-30 | Ferrosan Medical Devices A/S | Dry composition comprising an extrusion enhancer |
| US11103616B2 (en) | 2013-12-11 | 2021-08-31 | Ferrosan Medical Devices A/S | Dry composition comprising an extrusion enhancer |
| US11046818B2 (en) | 2014-10-13 | 2021-06-29 | Ferrosan Medical Devices A/S | Dry composition for use in haemostasis and wound healing |
| US10653837B2 (en) | 2014-12-24 | 2020-05-19 | Ferrosan Medical Devices A/S | Syringe for retaining and mixing first and second substances |
| US10918796B2 (en) | 2015-07-03 | 2021-02-16 | Ferrosan Medical Devices A/S | Syringe for mixing two components and for retaining a vacuum in a storage condition |
| US11801324B2 (en) | 2018-05-09 | 2023-10-31 | Ferrosan Medical Devices A/S | Method for preparing a haemostatic composition |
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