JPS63236530A - 低圧又は真空系統に低蒸気圧の物質を注入するための装置 - Google Patents
低圧又は真空系統に低蒸気圧の物質を注入するための装置Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
- C23C16/4482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、低圧又は真空系統に低蒸気圧の物質を精確に
注入するための装置に関する。
注入するための装置に関する。
ガス源を使用する気相エビタクシ−および分子線エビタ
クシ−成長においては、半導体化合物はガス状凝集状態
において低圧又は真空系統の中に、そこで加熱された氷
晶物質表面上に薄い被膜を成長させるために注入される
。この目的のために、真空室への出口開口において十分
な量で精確に配分できる粒子流を得るための装置が必要
である。
クシ−成長においては、半導体化合物はガス状凝集状態
において低圧又は真空系統の中に、そこで加熱された氷
晶物質表面上に薄い被膜を成長させるために注入される
。この目的のために、真空室への出口開口において十分
な量で精確に配分できる粒子流を得るための装置が必要
である。
特に複数のガス供給配管を使用して、種々の半導体化合
物特に金属有機化合物を所定の化学量論比で注入室に入
れるようにする場合、流出率は非常に精確に調整できね
ばならない。
物特に金属有機化合物を所定の化学量論比で注入室に入
れるようにする場合、流出率は非常に精確に調整できね
ばならない。
従来かかる装置では、注入すべき物質の純粋な藤気が圧
力制御のちとに真空系統に直接注入されていた。しかし
これは不可避の伝導抵抗により、小さな飽和蒸気圧の物
質（例えばトリエチルインジウムは２０゛Ｃで約０．２
５ ａ＋ｂａｒにすぎない）の場合、非常に小さな物質
流しか得られない、従来大きな物質流を得るには、キャ
リアガス例えば水素を注入すべき物質が収容されている
容器内に導き（いわゆるバブリング）、このキャリアガ
スを容器の上側部分においてガス状凝集状態で集合して
いる物質と混合させ、この混合物をポンプ系統によって
低圧あるいは真空に維持されている真空室にある程度の
圧力のもとに導入しなければならなかった。
力制御のちとに真空系統に直接注入されていた。しかし
これは不可避の伝導抵抗により、小さな飽和蒸気圧の物
質（例えばトリエチルインジウムは２０゛Ｃで約０．２
５ ａ＋ｂａｒにすぎない）の場合、非常に小さな物質
流しか得られない、従来大きな物質流を得るには、キャ
リアガス例えば水素を注入すべき物質が収容されている
容器内に導き（いわゆるバブリング）、このキャリアガ
スを容器の上側部分においてガス状凝集状態で集合して
いる物質と混合させ、この混合物をポンプ系統によって
低圧あるいは真空に維持されている真空室にある程度の
圧力のもとに導入しなければならなかった。
従ってかかる装置の場合、貫流ガス量を調整する必要が
ある。これは一般には、半導体化合物を収容している容
器の前で、貫流キャリアガスを測定する質量流量制御装
置によって行われる。この方法は、質量流量制御装置の
測定精度が小さな流１ （１ｃｄ／ｗｉｎ以下）の場合
には低すぎるという欠点を有する。これに対し配管内の
圧力は権めて精確に測定することができる。
ある。これは一般には、半導体化合物を収容している容
器の前で、貫流キャリアガスを測定する質量流量制御装
置によって行われる。この方法は、質量流量制御装置の
測定精度が小さな流１ （１ｃｄ／ｗｉｎ以下）の場合
には低すぎるという欠点を有する。これに対し配管内の
圧力は権めて精確に測定することができる。
本発明の目的は、低圧又は真空系統に低蒸気圧の物質を
十分な物質流量において精確に配分して注入することが
できるような装置を提供することにある。
十分な物質流量において精確に配分して注入することが
できるような装置を提供することにある。
本発明によればこの目的は、少なくとも一つの低圧／真
空室と液状あるいは固形状の注入すべき物質を収容する
ための少なくとも一つの容器とを備え、この容器の中に
その底の近くまで達しているキャリアガスの供給配管と
、キャリアガスと気相状態にある注入すべき物質との混
合物に対する前記容器の上方にあって蓋の下側から出て
いる出口配管とが設けられている、低圧又は真空系統に
低蒸気圧の物質を精確に注入するためのガス系統におい
て、供給配管に第１の制御弁が、出口配管の端部に第２
の制御弁が設けられ、第２の制御弁の後ろに低圧／真空
室にガス流を導くための注入配管が設けられ、出口配管
に第１の圧力測定個所が、注入配管に第２の圧力測定個
所が設けられ、第１の圧力測定個所に第１の圧力測定器
が、第２の圧力測定個所に第２の圧力測定器が接続され
、第１の圧力測定器から第１の制御弁に第１の信号線が
、第２の圧力測定器から第２の制御弁に第２の信号線が
通じており、前記測定個所における圧力が前記制御弁を
介して調整され、その制御弁が圧力測定器によって信号
線を介して制御されることによって達成できる。
空室と液状あるいは固形状の注入すべき物質を収容する
ための少なくとも一つの容器とを備え、この容器の中に
その底の近くまで達しているキャリアガスの供給配管と
、キャリアガスと気相状態にある注入すべき物質との混
合物に対する前記容器の上方にあって蓋の下側から出て
いる出口配管とが設けられている、低圧又は真空系統に
低蒸気圧の物質を精確に注入するためのガス系統におい
て、供給配管に第１の制御弁が、出口配管の端部に第２
の制御弁が設けられ、第２の制御弁の後ろに低圧／真空
室にガス流を導くための注入配管が設けられ、出口配管
に第１の圧力測定個所が、注入配管に第２の圧力測定個
所が設けられ、第１の圧力測定個所に第１の圧力測定器
が、第２の圧力測定個所に第２の圧力測定器が接続され
、第１の圧力測定器から第１の制御弁に第１の信号線が
、第２の圧力測定器から第２の制御弁に第２の信号線が
通じており、前記測定個所における圧力が前記制御弁を
介して調整され、その制御弁が圧力測定器によって信号
線を介して制御されることによって達成できる。
即ち本発明に基づく装置は次のように構成されている。
注入すべき物質例えば液状凝集状態にある半金属有機化
合物を収容するために、そのために寸法づけられた容器
が用いられる。この容器に対してキャリアガスが貫流す
る供給配管と出口配管が設けられている。その供給配管
および容器と真空室との間の配管に、それぞれ制御弁が
組み込まれている。キャリアガス用の供給配管における
制御弁は、電子制御装置を介して制御される。この制御
装置は主に、容器から出ている配管内の圧力を測定して
所定の設定値と比較する圧力測定器から成っている。容
器と真空室との間にあるこの制御弁の後ろに、相応した
調整装置が設けられている。この場合圧力測定個所は制
御弁のすぐ後ろに設定される。
合物を収容するために、そのために寸法づけられた容器
が用いられる。この容器に対してキャリアガスが貫流す
る供給配管と出口配管が設けられている。その供給配管
および容器と真空室との間の配管に、それぞれ制御弁が
組み込まれている。キャリアガス用の供給配管における
制御弁は、電子制御装置を介して制御される。この制御
装置は主に、容器から出ている配管内の圧力を測定して
所定の設定値と比較する圧力測定器から成っている。容
器と真空室との間にあるこの制御弁の後ろに、相応した
調整装置が設けられている。この場合圧力測定個所は制
御弁のすぐ後ろに設定される。
この本発明に基づく装置の作用を説明する上で注意すべ
きことは、容器から出ている出口配管内の全圧力が、キ
ャリアガスの分圧とガス状凝集状非にある注入すべき物
質の分圧とから成っていることである。しかしこの装置
の作用にとって重要なのは、圧力ではなく粒子流である
。その流量は圧力の関数である。ガス密度および配管の
幾何学的形状に応じて、粘性流あるいは分子流あるいは
それらの中間流が生じる。粘性流は流量と圧力の二乗と
の比で表され、分子流あるいはクヌーセン流は流量と圧
力の比で表される。約０．１〜１０ｍｂａｒの範囲の圧
力の場合、一般には流量と１より大きいべき乗の圧力と
の間に比が生じる。従って？Ｒ量と圧力との関係は通線
形である。これにより配管内における圧力の増加によっ
て流量は過比例で著しく増大する。例えば二乗であれば
、キャリアガスがない場合、流量は注入すべき物質の蒸
気圧の二乗に比例する。このガスに同じ大きさの分圧を
有するキャリアガスを混合すると、全圧力は最初の場合
の２倍の大きさとなる。しかし流量が圧力の二乗に関係
することから、総流量は４倍となる。総流量は等分のキ
ャリアガス流量とガス状注入物質流量とから構成される
。このようにキャリアガスの添加によって物質流量は倍
増できる。
きことは、容器から出ている出口配管内の全圧力が、キ
ャリアガスの分圧とガス状凝集状非にある注入すべき物
質の分圧とから成っていることである。しかしこの装置
の作用にとって重要なのは、圧力ではなく粒子流である
。その流量は圧力の関数である。ガス密度および配管の
幾何学的形状に応じて、粘性流あるいは分子流あるいは
それらの中間流が生じる。粘性流は流量と圧力の二乗と
の比で表され、分子流あるいはクヌーセン流は流量と圧
力の比で表される。約０．１〜１０ｍｂａｒの範囲の圧
力の場合、一般には流量と１より大きいべき乗の圧力と
の間に比が生じる。従って？Ｒ量と圧力との関係は通線
形である。これにより配管内における圧力の増加によっ
て流量は過比例で著しく増大する。例えば二乗であれば
、キャリアガスがない場合、流量は注入すべき物質の蒸
気圧の二乗に比例する。このガスに同じ大きさの分圧を
有するキャリアガスを混合すると、全圧力は最初の場合
の２倍の大きさとなる。しかし流量が圧力の二乗に関係
することから、総流量は４倍となる。総流量は等分のキ
ャリアガス流量とガス状注入物質流量とから構成される
。このようにキャリアガスの添加によって物質流量は倍
増できる。
二乗より小さい場合、即ち流量と指数が１〜２の間のべ
き乗の圧力との比例関係の場合、発生する効果は相応し
て弱められる。低蕉気圧の物質の場合、このようにして
キャリアガスのポンプ搬送によって注入すべき物質の流
量を増加することができる。
き乗の圧力との比例関係の場合、発生する効果は相応し
て弱められる。低蕉気圧の物質の場合、このようにして
キャリアガスのポンプ搬送によって注入すべき物質の流
量を増加することができる。
注入すべき物質の蒸気圧は、容器がその物質と共に温浴
などで一定した温度に保たれることにより一定に維持さ
れる。全圧力の測定によりキャリアガス用の供給配管に
組み込まれた制御弁が制御され、このようにして全圧力
は一定に維持されるか、あるいはその都度設定された値
に調整される。
などで一定した温度に保たれることにより一定に維持さ
れる。全圧力の測定によりキャリアガス用の供給配管に
組み込まれた制御弁が制御され、このようにして全圧力
は一定に維持されるか、あるいはその都度設定された値
に調整される。
７Ｒ２の制２Ｂ弁によって、混合ガス従って真空室に流
入する粒子流の圧力が個々に制御される。
入する粒子流の圧力が個々に制御される。
以下図面に示した実施例を参照して本発明の詳細な説明
する。
する。
容器１は液状あるいは固形状の注入すべき物質を収容す
るために使用される。この容器１にはキャリアガスの供
給配管２が通じている。この供給配管２は容器ｌの底に
接近して開口している。この容器１から出口配管３が出
ており、その開口は容器ｌ内の上方においてその覆い又
は閉鎖蓋の下側に位置している。このようにしてキャリ
アガスを供給配管２を介して容器１内にある物質に導入
することができる。その場合キャリアガスは気泡の形で
物質内を上昇し、蒸気圧の平衡により気相状態にある物
質と混合され、出口配管３の開口を通して容器ｌから排
出される。
るために使用される。この容器１にはキャリアガスの供
給配管２が通じている。この供給配管２は容器ｌの底に
接近して開口している。この容器１から出口配管３が出
ており、その開口は容器ｌ内の上方においてその覆い又
は閉鎖蓋の下側に位置している。このようにしてキャリ
アガスを供給配管２を介して容器１内にある物質に導入
することができる。その場合キャリアガスは気泡の形で
物質内を上昇し、蒸気圧の平衡により気相状態にある物
質と混合され、出口配管３の開口を通して容器ｌから排
出される。
供給配管２には第１の制御弁７が、出口配管３の端部に
は第２の制御弁１１が設置されている。
は第２の制御弁１１が設置されている。
容器１とこの第２の制御弁１１との間に第１の圧力測定
個所５が設けられている。この圧力測定個所５に接続さ
れている第１の圧力測定器４は、この個所における圧力
を測定し、この圧力を目標値と比較し、第１の信号線６
を介して第１の制御弁７を制御し、これによって第１の
圧力測定個所５におけるガス圧が所定の圧力に調整され
、一定に保持される。精確な圧力検出器を使用する場合
、これは＋０．１％以上の精度で行うことができる。
個所５が設けられている。この圧力測定個所５に接続さ
れている第１の圧力測定器４は、この個所における圧力
を測定し、この圧力を目標値と比較し、第１の信号線６
を介して第１の制御弁７を制御し、これによって第１の
圧力測定個所５におけるガス圧が所定の圧力に調整され
、一定に保持される。精確な圧力検出器を使用する場合
、これは＋０．１％以上の精度で行うことができる。
出口配管３は第２の制御弁１１の後ろで、低圧又は真空
系統の一部を成す真空室１２にガスを導入するための注
入配管１３に接続されている。この注入配管１３には第
２の圧力測定個所９が設けられ、ここには第２の圧力測
定器８が接続されている。この第２の圧力測定器８は個
所９の圧力を測定し、第２の信号線１０を介して第２の
制御弁１１を制御する。このような制御機構によって第
２の圧力測定個所９における圧力従って粒子流量が所定
の値に精確に調整される。その場合筒２の圧力測定個所
９における圧力は第１の圧力測定個所５における圧力を
超えることはない。
系統の一部を成す真空室１２にガスを導入するための注
入配管１３に接続されている。この注入配管１３には第
２の圧力測定個所９が設けられ、ここには第２の圧力測
定器８が接続されている。この第２の圧力測定器８は個
所９の圧力を測定し、第２の信号線１０を介して第２の
制御弁１１を制御する。このような制御機構によって第
２の圧力測定個所９における圧力従って粒子流量が所定
の値に精確に調整される。その場合筒２の圧力測定個所
９における圧力は第１の圧力測定個所５における圧力を
超えることはない。
更に本発明によれば、容器１に対して補助的なバイパス
路１６が設けられる。供給配管２には第１の制御弁７と
容器１との間に遮断弁１４が組み込まれている。第１の
制御弁７とこの遮断弁１４との間で供給配管２から一つ
の配管が分岐している。この配管は容器１と第２の制御
弁１１との間における出口配管３に開口し、バイパス路
１６を形成している。このバイパス路１６を遮断するた
めにこの配管には少なくとも一つの弁１５が組み込まれ
ている。洗流されない死空間ができることを避けるため
に、バイパス路１６の接続個所にそれぞれ弁を設けると
有利である。
路１６が設けられる。供給配管２には第１の制御弁７と
容器１との間に遮断弁１４が組み込まれている。第１の
制御弁７とこの遮断弁１４との間で供給配管２から一つ
の配管が分岐している。この配管は容器１と第２の制御
弁１１との間における出口配管３に開口し、バイパス路
１６を形成している。このバイパス路１６を遮断するた
めにこの配管には少なくとも一つの弁１５が組み込まれ
ている。洗流されない死空間ができることを避けるため
に、バイパス路１６の接続個所にそれぞれ弁を設けると
有利である。
この装置の有利な作動方式は、第１の圧力測定個所５に
おける圧力を第１の圧力測定器４および第１の制御弁７
を制御するための第１の信号線６を介して一定に保持し
、注入配管１３における圧力を第２の測定個所９におい
て検出し、第２の圧力測定器８、第２の信号線１０およ
び第２の制御弁１１を介してその都度必要な物質流に相
応した値に調整することにある。
おける圧力を第１の圧力測定器４および第１の制御弁７
を制御するための第１の信号線６を介して一定に保持し
、注入配管１３における圧力を第２の測定個所９におい
て検出し、第２の圧力測定器８、第２の信号線１０およ
び第２の制御弁１１を介してその都度必要な物質流に相
応した値に調整することにある。
別の有利な作動方式は、第２の圧力測定個所９における
圧力を制御機構を介して一定に保持し、第１の圧力測定
個所５における圧力の変動に応じて第１の制御弁７に対
する制御機構によってキャリアガスと有効ガスとの比率
を変更することにあり、その場合同様に粒子流量と圧力
との間の非線形性の物理的特性が利用される。
圧力を制御機構を介して一定に保持し、第１の圧力測定
個所５における圧力の変動に応じて第１の制御弁７に対
する制御機構によってキャリアガスと有効ガスとの比率
を変更することにあり、その場合同様に粒子流量と圧力
との間の非線形性の物理的特性が利用される。
図面は本発明に基づく系統の概略図である。
ｌ・・・容器
２・・・供給配管
３・・・出口配管
４・・・第１の圧力測定器
５・・・第１の圧力測定個所
６・・・第１の信号線
７・・・第１の制御弁
８・・・第２の圧力測定器
９・・・第２の圧力測定個所
１０・・・第２の信号線
１１・・・第２の制御弁
１２・・・低圧ないし真空室
１３・・・注入配管
１４．１５・・・遮断弁
１６・・・バイパス路
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）少なくとも一つの低圧／真空室（１２）と液状ある
いは固形状の注入すべき物質を収容するための少なくと
も一つの容器（１）とを備え、この容器（１）の中にそ
の底の近くまで達しているキャリアガスの供給配管（２
）と、キャリアガスと気相状態にある注入すべき物質と
の混合物に対する前記容器（１）の上方にあって蓋の下
側から出ている出口配管（３）とが設けられている、低
圧又は真空系統に低蒸気圧の物質を精確に注入するため
の装置において、供給配管（２）に第１の制御弁（７）
が、出口配管（３）の端部に第２の制御弁（１１）が設
けられ、第２の制御弁（１１）の後ろに低圧／真空室（
１２）にガス流を導くための注入配管（１３）が設けら
れ、出口配管（３）に第１の圧力測定個所（５）が、注
入配管（１３）に第２の圧力測定個所（９）が設けられ
、第１の圧力測定個所（５）に第１の圧力測定器（４）
が、第２の圧力測定個所（９）に第２の圧力測定器（８
）が接続され、第１の圧力測定器（４）から第１の制御
弁（７）に第１の信号線（６）が、第２の圧力測定器（
８）から第２の制御弁（１１）に第２の信号線（１０）
が通じており、前記測定個所（５、９）における圧力が
前記制御弁（７、１１）を介して調整され、これらの制
御弁（７、１１）が圧力測定器（４、８）によって信号
線（６、１０）を介して制御されることを特徴とする低
圧又は真空系統に低蒸気圧の物質を注入するための装置
。 ２）供給配管（２）と出口配管（３）との間に弁（１５
）付のバイパス路（１６）が設けられ、供給配管（２）
においてバイパス路（１６）の接続個所の後ろに遮断弁
（１４）が設けられていることを特徴とする請求項１記
載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3707507.1 | 1987-03-09 | ||
| DE3707507 | 1987-03-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63236530A true JPS63236530A (ja) | 1988-10-03 |
| JPH0747119B2 JPH0747119B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=6322603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63053408A Expired - Lifetime JPH0747119B2 (ja) | 1987-03-09 | 1988-03-07 | 低圧又は真空系統に低蒸気圧の物質を注入するための装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0286158B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0747119B2 (ja) |
| DE (1) | DE3861610D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6483661A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-29 | Toshiba Corp | Vapor growth device by method for thermally decomposing organic metal |
Families Citing this family (8)
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|---|---|---|---|---|
| EP0311446A3 (en) * | 1987-10-08 | 1990-11-22 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Apparatus for producing compound semiconductor |
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| US6098964A (en) * | 1997-09-12 | 2000-08-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring the condition of a vaporizer for generating liquid chemical vapor |
| US6033479A (en) * | 1998-04-22 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | Process gas delivery system for CVD having a cleaning subsystem |
Family Cites Families (1)
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|---|---|---|---|---|
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-
1988
- 1988-03-07 JP JP63053408A patent/JPH0747119B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-09 EP EP88200522A patent/EP0286158B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-09 DE DE8888200522T patent/DE3861610D1/de not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6483661A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-29 | Toshiba Corp | Vapor growth device by method for thermally decomposing organic metal |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3861610D1 (de) | 1991-02-28 |
| JPH0747119B2 (ja) | 1995-05-24 |
| EP0286158B1 (de) | 1991-01-23 |
| EP0286158A1 (de) | 1988-10-12 |
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