JPS61170057A - 縦型キヤパシタ− - Google Patents

縦型キヤパシタ−

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Publication number
JPS61170057A
JPS61170057A JP1135485A JP1135485A JPS61170057A JP S61170057 A JPS61170057 A JP S61170057A JP 1135485 A JP1135485 A JP 1135485A JP 1135485 A JP1135485 A JP 1135485A JP S61170057 A JPS61170057 A JP S61170057A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capacitor
electrodes
vertical type
oxide film
field oxide
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Pending
Application number
JP1135485A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS61170057A publication Critical patent/JPS61170057A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はキャパシターに係り、とりわけ集積回路装置に
用いるキャパシターの構造に関する。
〔従来の技術〕
従来、半導体集積回路に用いるキャパシターは第１図に
断面構造で示す如き構造となっていた。
すなわち、シリコン基板１の表面にフィールド酸化膜２
．拡散層３ｅゲートａ化膜４．ゲート電極５から成り、
前記拡散層３とゲート電極５間の電極６と７との電気容
量をキャパシターとして用いるのが通例であった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前記の如く集積回路装置において基板に平行に、すなわ
ち横型キャパシターを形成するキャパシターの占める面
積が大きく、すなわち高集積化に向かないという問題点
かありた。
〔問題点を解決するための手段〕
前記問題点を解決するために、キャパシターに関し、絶
縁基板上には第１の電極と第２の電極とが交互に形成さ
れ、少くとも該第１の電極と第２の電極の間隔には誘電
体が埋め込まれて形成されたいわゆる縦型キャパシター
と成すことを特徴とする。
〔作用〕
本発明の如く集積回路装置のキャパシターを縦型に形成
することによりキャパシターの占める面積が小さくでき
、それだけ高集積化が計れることとなる。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図は本発明の一実施例を示す半導体装置におけるキ
ャパシタ一部の断面図である。すなわち、シリコン基板
１１上にはフィールド酸化膜、１２が形成され、該フィ
ールド酸化膜１２上に電極１３と１４が櫛型に形成され
、該電極１５と１４との間の極めて細い間隔には誘電体
１５が埋めこまれて成ることにより、電極１３と１４間
のリード線１６と１７間には大きな電気容量を得る。
〔発明の効果〕
本発明の如く縦型にキャパシターを形成することにより
、小面積で大容量のキャパシターが形成でき、集積回路
装置の高集積化を計ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術による横型キャパシターの断面図、第
２図は本発明の一実施例を示す縦型キヤ、パシターの断
面図である。 １．１１・・・・・・シリコン基板 ２．１２・・・・・・フィールド酸化膜５・・・・・・
拡散層 ４・・・・・・ゲート酸化膜 ５・・・・・・ゲート電極 １３．１４・・・・・・電　極 １５・・・・・・誘電体

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 絶縁基板上には第１の電極と第２の電極とが交互に形成
    され、少くとも該第１の電極と第２の電極の間隔には誘
    電体が埋め込まれて形成されて成ることを特徴とする縦
    型キャパシター。
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