JPS61279166A - 混成集積回路用基板 - Google Patents

混成集積回路用基板

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Publication number
JPS61279166A
JPS61279166A JP12101285A JP12101285A JPS61279166A JP S61279166 A JPS61279166 A JP S61279166A JP 12101285 A JP12101285 A JP 12101285A JP 12101285 A JP12101285 A JP 12101285A JP S61279166 A JPS61279166 A JP S61279166A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
film capacitor
integrated circuit
substrate
dielectric layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP12101285A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Ono
大野 兼一
Yasushi Suda
康司 須田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS61279166A publication Critical patent/JPS61279166A/ja
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  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、絶縁基板の上に膜技術によシ、コンデンサや
抵抗などの受動素子を形成し、さらに集積回路チップな
どの能動素子を搭載して混成集積回路を形成するための
基板に関する。
〔従来の技術〕
$2[1(a)〜(d)は、従来の混成集積回路におけ
る薄膜コンデンサの製造方法を説明するための断面図で
ある。まず、第2図(a)のよつに、アルミナセラミッ
クなどの絶縁基板1の上のコンデンサ形成部に、できる
だけの平滑面とするためにガラス層12を被着し、つぎ
に同図(b)のように、陽極化成などの方法で誘電体と
することができる金属、例えばタンタルをスパッタリン
グなどの方法で全面に被着したのち、ガラス層2の上に
タンタル3が所定の形状で残るように、化学的エツチン
グなどでパターン化する。つぎに同図(C)のよりに、
タンタル層3の一部を陽極化成などの方法で誘電体層4
に変える。つぎに同図(d)のように、タンタル3の未
化成部分5から下部引出し電極7を引出し、また、誘電
体層4の上に上部電極6を設け、誘電体層4を下面の未
化成タンタルと上面の電極6ではさんだ薄膜コンデンサ
が絶縁性基板1の上面に形成される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のような薄膜コンデンサの容量値は、その面積およ
び誘電体層の厚さで決まることは周知である。よって、
できるだけ大きな容量を得ようとすれば、当然面積を大
きくするか、誘電体層の厚さを薄くすればよい。しかし
、誘電体層の厚さを薄くするには耐圧の点で限界があシ
、また、面積を広げることは、当然コンデンサの占有面
積が増大し、ひいては基板の大形化によシ、実装面積が
増大するとか、コスト増の問題が生じる。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点に対し、本溌咽では、混成集積回路を形成す
る絶縁基板上の少lくとも薄膜コンデンサを形成する部
分を凹凸面とし、この凹凸によシ、この部分に形成され
た薄膜コンデンサの容量を、従来の平坦面上に形成した
薄膜コンデンサに比べ、大幅に増大させるのである。
〔実施例〕
つぎに本発明を実施例によシ説明する。
第1図は本発明の一実施例の部分断面図である。
図において、アルミナセラミックなどの絶縁基板1の薄
膜コンデンサの形成部に、表面に凹凸のあるガラス層2
が形成されている。ガラス層2の表面は、この上に形成
される薄膜コンデンサが不良とならない程度の平滑さを
有し、かつ、その凹凸は、ガラス層2の上の薄膜コンデ
ンサの誘電体層の厚さの約100倍以上の一定の距離で
くシ返しをもつものである。
なお、上記実施例は、コンデンサ形成部が基板本体と別
個のガラスでもって凹凸面とされているが、これはガラ
スに限定されず他の材料でもよく、また、直接基板自身
に所望の凹凸をつけることでもよいのはいうまでもない
〔発明の効果〕
本発明の混成集積回路用基板を用いて、凹凸面のガラス
層2の上に陽極化成によシ誘電体とすることのできる金
属を被着し、第2図(b) 、 (C) 、 (d)に
示す従来例と同様の工程を加えることによシ、ガラス層
2の凹凸面に沿った誘電体層を有する薄膜コンデンサが
答易に製造できる。そして、このコンデンサは、凹凸面
に沿った誘電体層の実効面積を、その面を垂直に投射し
た見かけの平面面積より大きな面積となplよって従来
の平坦面に形成したコンデンサに比べ、同じ基板占有面
積に拘わらず、遥かに大きな容量をもつ薄膜コンデンサ
を作ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の部分断面図、第2図(a)
〜(d)は従来の混成集積回路用基板を用いた薄膜コン
デンサの製造方法を説明するだめの工程順の断面図であ
る。 1・・・絶縁基板、2・・・凹凸面ガラス層、3・・・
タンタル層、4・・・誘電体層、6・・・上部電極、7
・・・下部引出し電極、12・・・平坦面ガラス層。 華 1  図 $ 2 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  上面に薄膜コンデンサが形成される混成集積回路用基
    板において、少なくとも前記薄膜コンデンサ形成部分が
    凹凸面とされていることを特徴とする混成集積回路用基
    板。
JP12101285A 1985-06-04 1985-06-04 混成集積回路用基板 Pending JPS61279166A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5068199A (en) * 1991-05-06 1991-11-26 Micron Technology, Inc. Method for anodizing a polysilicon layer lower capacitor plate of a DRAM to increase capacitance
US5290729A (en) * 1990-02-16 1994-03-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Stacked type capacitor having a dielectric film formed on a rough surface of an electrode and method of manufacturing thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5290729A (en) * 1990-02-16 1994-03-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Stacked type capacitor having a dielectric film formed on a rough surface of an electrode and method of manufacturing thereof
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