JPS6057635A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6057635A JPS6057635A JP58165431A JP16543183A JPS6057635A JP S6057635 A JPS6057635 A JP S6057635A JP 58165431 A JP58165431 A JP 58165431A JP 16543183 A JP16543183 A JP 16543183A JP S6057635 A JPS6057635 A JP S6057635A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- refractive index
- moisture
- semiconductor device
- cvd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属配線膜を被覆する絶縁膜を改良した半導体
装ＩｔＫ関するものである。
装ＩｔＫ関するものである。
一般に、Ｓｉ基板上に半導体装置を形成する場合、前記
基板上に回路素子群を形成したのち、該基板上に絶縁膜
を介して前記回路素子群を接続する金属配線膜を形成し
、その後、該金属配線膜を絶縁膜で被覆する構造、又は
さらに、該金属配線膜上に絶縁膜を介して上層金属配綜
膜を形成する構造がとられている。
基板上に回路素子群を形成したのち、該基板上に絶縁膜
を介して前記回路素子群を接続する金属配線膜を形成し
、その後、該金属配線膜を絶縁膜で被覆する構造、又は
さらに、該金属配線膜上に絶縁膜を介して上層金属配綜
膜を形成する構造がとられている。
この様な構造を有する半導体装置において、上記金属配
線膜上の絶縁膜としてプラズマＣＶＤ−８ｉＮ膜を用い
、金属配線膜としてＡｌを用いると、プラズマＣＶＤ−
８ｉＮ膜の屈折率値が２００より大では耐湿性に問題が
あり、２００以下では熱処理によってＡＩとの反応が顕
著になるという欠点があった。
線膜上の絶縁膜としてプラズマＣＶＤ−８ｉＮ膜を用い
、金属配線膜としてＡｌを用いると、プラズマＣＶＤ−
８ｉＮ膜の屈折率値が２００より大では耐湿性に問題が
あり、２００以下では熱処理によってＡＩとの反応が顕
著になるという欠点があった。
すなわち、第１図（ａ）および（ｂ）は共に従来の半導
体装置の断面図であシ、第１図（ａ）において、１はシ
リコン基板、２（ｌ′ｉシリコン基板１を被う絶縁膜、
例えばＳｉＯ，膜、３はシリコン基板１上に設けられた
回路素子群（図示せず）の間を接続するアルミ配線膜、
４ａはアルミ配線膜３を保獲するためにアルミ配線膜３
を被覆して設けられた屈折率が２．０５よりも大きいプ
ラズマＣＶＤ−８ｉＮ膜である。このような半導体装置
では、プラズマＣＶＩ）−８ｉＮ膜４ａの耐湿性に問題
があシ、アルミ配線膜３の腐蝕による断線の恐れがあっ
た。
体装置の断面図であシ、第１図（ａ）において、１はシ
リコン基板、２（ｌ′ｉシリコン基板１を被う絶縁膜、
例えばＳｉＯ，膜、３はシリコン基板１上に設けられた
回路素子群（図示せず）の間を接続するアルミ配線膜、
４ａはアルミ配線膜３を保獲するためにアルミ配線膜３
を被覆して設けられた屈折率が２．０５よりも大きいプ
ラズマＣＶＤ−８ｉＮ膜である。このような半導体装置
では、プラズマＣＶＩ）−８ｉＮ膜４ａの耐湿性に問題
があシ、アルミ配線膜３の腐蝕による断線の恐れがあっ
た。
第１図（ｂ）においては、アルミ配線膜３を被うグ７ズ
マＣＶＤ−８ｉＮ膜４ｂは屈折率が２００以下のもので
あることが第１図（ａ）と違うだけで、その他の構成は
第１図（ａ）と同様である。屈折率２．００以下のプラ
ズマＣＶＤ−８ｉＮ膜４ｂは、耐湿性はよいが、熱処理
の際に、アルミ配線膜３と反応し、界面に水分５がトラ
ップされ、この水分によシアルミ配線３の腐蝕を発生す
るという欠点がある。
マＣＶＤ−８ｉＮ膜４ｂは屈折率が２００以下のもので
あることが第１図（ａ）と違うだけで、その他の構成は
第１図（ａ）と同様である。屈折率２．００以下のプラ
ズマＣＶＤ−８ｉＮ膜４ｂは、耐湿性はよいが、熱処理
の際に、アルミ配線膜３と反応し、界面に水分５がトラ
ップされ、この水分によシアルミ配線３の腐蝕を発生す
るという欠点がある。
本発明の目的は、このような従来のアルミ配線膜を保護
するプラズマＣＶＤ−８ｉＮ膜の欠点を取除いた、信頼
性の高い半導体装置を提供するにある。
するプラズマＣＶＤ−８ｉＮ膜の欠点を取除いた、信頼
性の高い半導体装置を提供するにある。
本発明の半導体装置は、半導体基板に形成された回路素
子群を接続するだめの金属配線膜を被覆保護する絶縁膜
として、屈折率が２０５より大きい第１のプラズマＣＶ
Ｄ−８ｉＮ膜な下層とし、屈折率が２．００より小さい
第２のプラズマＣＶＤ−８ｉＮ膜を上層とした二層構造
にした構成を有する。
子群を接続するだめの金属配線膜を被覆保護する絶縁膜
として、屈折率が２０５より大きい第１のプラズマＣＶ
Ｄ−８ｉＮ膜な下層とし、屈折率が２．００より小さい
第２のプラズマＣＶＤ−８ｉＮ膜を上層とした二層構造
にした構成を有する。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第２図は本発明の一実施例の断面図である。第２図にお
いて、シリコンへ板１，５ｉｏ２膜２．アルミ配線膜３
は第１図の従来例と同様であるが、アルミ配線膜３を被
覆保護するための絶脈膜４は、屈折率が２．０５以上の
プラズマＣＶＪ）−８ｉＮ膜４ａを下層とし、屈折率が
２００より小さなプラズマＣＶＤ−８ｉＮ膜４ｂを上層
とした二層構造になっている。
いて、シリコンへ板１，５ｉｏ２膜２．アルミ配線膜３
は第１図の従来例と同様であるが、アルミ配線膜３を被
覆保護するための絶脈膜４は、屈折率が２．０５以上の
プラズマＣＶＪ）−８ｉＮ膜４ａを下層とし、屈折率が
２００より小さなプラズマＣＶＤ−８ｉＮ膜４ｂを上層
とした二層構造になっている。
このように、本発明では、Ａｌ配線膜」二に耐湿さらに
その上を耐湿性のよい屈折率の小さいプラズマＣＶＤ−
３ｉＮ膜で破うことにより、Ａ４と水分の反応を防止す
ると共に水分の浸入も防止して、高い信頼性の半導体装
置が得られる。
その上を耐湿性のよい屈折率の小さいプラズマＣＶＤ−
３ｉＮ膜で破うことにより、Ａ４と水分の反応を防止す
ると共に水分の浸入も防止して、高い信頼性の半導体装
置が得られる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ従来の半導体装置
の一例および他の例を示す断面図、第２図は本発明の一
実施例の断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・５ｉＯｚ
膜、３・・・・・・アルミ配線膜、４・・・・・・二層
構造絶縁膜、４ａ・・・・・・＠ｌのプラズマＣＶＤ−
８ｉＮ膜、４ｂ・・・・・・第２のプラズマＣＶＤ−８
ｉＮ膜、５・・・・・・トラップされた水分。 ′ｅ・。 代理人 弁理士 内 原 ヨ（，５ ＼、、−゛ （ ，１ ／ 第Ｚ図
の一例および他の例を示す断面図、第２図は本発明の一
実施例の断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・５ｉＯｚ
膜、３・・・・・・アルミ配線膜、４・・・・・・二層
構造絶縁膜、４ａ・・・・・・＠ｌのプラズマＣＶＤ−
８ｉＮ膜、４ｂ・・・・・・第２のプラズマＣＶＤ−８
ｉＮ膜、５・・・・・・トラップされた水分。 ′ｅ・。 代理人 弁理士 内 原 ヨ（，５ ＼、、−゛ （ ，１ ／ 第Ｚ図
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された回路素子群を金属配線膜で接
続し、さらにこの金属配線膜を絶縁膜で被覆した半導体
装置において、前記絶縁膜は、屈折率が２０５よシ大き
な下層の第１のプラズマＣＶ Ｄ −Ｓ ｉＮ膜と、屈
折率が２．００よシ小さい上層の第２のプラズマＣＶＤ
−８ｉＮ膜からなる二層構造とされていることを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58165431A JPS6057635A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58165431A JPS6057635A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057635A true JPS6057635A (ja) | 1985-04-03 |
Family
ID=15812294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58165431A Pending JPS6057635A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057635A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5760488A (en) * | 1980-09-29 | 1982-04-12 | Omron Tateisi Electronics Co | Parking fee collecting device for parking area |
| JPS6298625A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-08 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US5094983A (en) * | 1989-10-11 | 1992-03-10 | Telefunken Electronic Gmbh | Method for manufacture of an integrated mos semiconductor array |
| KR20000074693A (ko) * | 1999-05-25 | 2000-12-15 | 김영환 | 반도체 소자의 수분 침투 방지층 형성방법 |
-
1983
- 1983-09-08 JP JP58165431A patent/JPS6057635A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5760488A (en) * | 1980-09-29 | 1982-04-12 | Omron Tateisi Electronics Co | Parking fee collecting device for parking area |
| JPS6046477B2 (ja) * | 1980-09-29 | 1985-10-16 | オムロン株式会社 | 駐車場の駐車料金徴収装置 |
| JPS6298625A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-08 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US5094983A (en) * | 1989-10-11 | 1992-03-10 | Telefunken Electronic Gmbh | Method for manufacture of an integrated mos semiconductor array |
| KR20000074693A (ko) * | 1999-05-25 | 2000-12-15 | 김영환 | 반도체 소자의 수분 침투 방지층 형성방법 |
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