JP3098333B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP3098333B2 JP3098333B2 JP04245904A JP24590492A JP3098333B2 JP 3098333 B2 JP3098333 B2 JP 3098333B2 JP 04245904 A JP04245904 A JP 04245904A JP 24590492 A JP24590492 A JP 24590492A JP 3098333 B2 JP3098333 B2 JP 3098333B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor film
- wiring conductor
- semiconductor device
- film
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップを樹脂で封
止した半導体装置に関し、特に半導体チップのコーナ領
域の隣接部に配置される配線用導体膜の耐応力性を向上
した半導体装置に関する。
止した半導体装置に関し、特に半導体チップのコーナ領
域の隣接部に配置される配線用導体膜の耐応力性を向上
した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置は、図３（ａ）及び
（ｂ）に示すように、半導体基板１０の一主面に半導体
素子領域１１が形成され、第１の層間絶縁膜２０を介し
てアルミニウム等の内部配線用導体膜１２及び半導体装
置周辺部の第１の配線用導体膜１３を形成し、次に第２
の層間絶縁膜２１を介してアルミニウム等の半導体装置
周辺部の第２の配線用導体膜１４をボンディングパッド
部１８を含めて形成し、リンシリケートガラス、シリコ
ン窒化膜等の保護用絶縁膜２３で覆った後、ボンディン
グパッド部１８のみエッチングして露出させる構造とな
っていた。
（ｂ）に示すように、半導体基板１０の一主面に半導体
素子領域１１が形成され、第１の層間絶縁膜２０を介し
てアルミニウム等の内部配線用導体膜１２及び半導体装
置周辺部の第１の配線用導体膜１３を形成し、次に第２
の層間絶縁膜２１を介してアルミニウム等の半導体装置
周辺部の第２の配線用導体膜１４をボンディングパッド
部１８を含めて形成し、リンシリケートガラス、シリコ
ン窒化膜等の保護用絶縁膜２３で覆った後、ボンディン
グパッド部１８のみエッチングして露出させる構造とな
っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の半導
体装置は、＋ 150℃〜−65℃の温度サイクル試験を行っ
た場合に、半導体チップを封止する樹脂の伸び縮みによ
り応力が発生し、図３（ａ）の矢印のように半導体装置
周辺部の第２の配線用導体膜１４に大きな応力が加わ
る。このとき、近年における大チップの樹脂封止化に伴
い、チップサイズが１５mm□を越えるような大チップを
樹脂封止して温度サイクル試験を行った場合、図３
（ｂ）のように、応力が半導体装置周辺部の第２の配線
用導体膜１４に直接加わるため、この第２の配線用導体
膜１４を覆う保護用絶縁膜２３にクラックが発生する。
体装置は、＋ 150℃〜−65℃の温度サイクル試験を行っ
た場合に、半導体チップを封止する樹脂の伸び縮みによ
り応力が発生し、図３（ａ）の矢印のように半導体装置
周辺部の第２の配線用導体膜１４に大きな応力が加わ
る。このとき、近年における大チップの樹脂封止化に伴
い、チップサイズが１５mm□を越えるような大チップを
樹脂封止して温度サイクル試験を行った場合、図３
（ｂ）のように、応力が半導体装置周辺部の第２の配線
用導体膜１４に直接加わるため、この第２の配線用導体
膜１４を覆う保護用絶縁膜２３にクラックが発生する。
【０００４】更には、図４のモデル図に示すように、応
力により配線用導体膜にスライドが発生する。このスラ
イドは、半導体装置のコーナ領域２４よりコーナ隣接領
域２５においてスライドの移動幅が大きいという傾向を
有し、コーナ隣接領域２５において半導体装置周辺部の
第２の配線用導体膜１４のずれが発生し、配線の信頼性
を低下させるという問題がある。例えば、14.8mm□のチ
ップを樹脂封止して実験を行った結果、３〜４mm長のコ
ーナ隣接領域２５でクラックやずれ２６の発生が認めら
れた。本発明の目的は、応力によるクラックの発生と配
線用導体膜のスライドを防止して配線の信頼性を改善し
た半導体装置を提供することにある。
力により配線用導体膜にスライドが発生する。このスラ
イドは、半導体装置のコーナ領域２４よりコーナ隣接領
域２５においてスライドの移動幅が大きいという傾向を
有し、コーナ隣接領域２５において半導体装置周辺部の
第２の配線用導体膜１４のずれが発生し、配線の信頼性
を低下させるという問題がある。例えば、14.8mm□のチ
ップを樹脂封止して実験を行った結果、３〜４mm長のコ
ーナ隣接領域２５でクラックやずれ２６の発生が認めら
れた。本発明の目的は、応力によるクラックの発生と配
線用導体膜のスライドを防止して配線の信頼性を改善し
た半導体装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は半導体基板に絶
縁膜を介して周辺部に沿うように配線用導体膜を形成し
た半導体装置において、前記配線用導体膜を覆う絶縁膜
が形成され、半導体装置の周辺部のコーナー隣接領域の
前記配線用導体膜に沿ってかつ前記絶縁膜の上側から前
記配線用導体膜を覆うダミー用導体膜が形成されている
ことを特徴とする半導体装置である。
縁膜を介して周辺部に沿うように配線用導体膜を形成し
た半導体装置において、前記配線用導体膜を覆う絶縁膜
が形成され、半導体装置の周辺部のコーナー隣接領域の
前記配線用導体膜に沿ってかつ前記絶縁膜の上側から前
記配線用導体膜を覆うダミー用導体膜が形成されている
ことを特徴とする半導体装置である。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施例を示す
半導体装置の平面図とそのＡ−Ａ線断面図である。半導
体基板１０の一主面に例えば１.0μｍのフィールド酸化
膜１９を形成して半導体素子領域１１を区画し、この上
に膜厚１.0μｍのリンシリケートガラス膜等の第１の層
間絶縁膜２０を介して膜厚０.5μｍのアルミニウム等の
内部配線用導体膜１２、及び半導体装置周辺部の第１の
配線用導体膜１３を含めて形成する。
る。図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施例を示す
半導体装置の平面図とそのＡ−Ａ線断面図である。半導
体基板１０の一主面に例えば１.0μｍのフィールド酸化
膜１９を形成して半導体素子領域１１を区画し、この上
に膜厚１.0μｍのリンシリケートガラス膜等の第１の層
間絶縁膜２０を介して膜厚０.5μｍのアルミニウム等の
内部配線用導体膜１２、及び半導体装置周辺部の第１の
配線用導体膜１３を含めて形成する。
【０００７】また、膜厚１.0μｍのプラズマ酸化膜等の
第２の層間絶縁膜２１を介して膜厚１.0μｍのアルミニ
ウム等の半導体装置周辺部の第２の配線用導体膜１４を
ボンディングパッド部１８を含めて形成する。更に、こ
の上に膜厚１.0μｍのプラズマ酸化膜等の第３の層間絶
縁膜２２を介して膜厚１.3μｍのアルミニウム等のダミ
ー導体膜１５を形成する。このダミー用導体膜１５は、
半導体装置のコーナ部に隣接する領域２５における２本
の配線用導体膜１４を覆うように形成する。その上に、
膜厚１.0μｍのリンシリケートガラス，シリコン窒化膜
等の保護用絶縁膜２３で覆った後、この絶縁膜２３をボ
ンディングパッド部のみをエッチングしてボンディング
パッド部を露出させることにより所望の構造を得る。
第２の層間絶縁膜２１を介して膜厚１.0μｍのアルミニ
ウム等の半導体装置周辺部の第２の配線用導体膜１４を
ボンディングパッド部１８を含めて形成する。更に、こ
の上に膜厚１.0μｍのプラズマ酸化膜等の第３の層間絶
縁膜２２を介して膜厚１.3μｍのアルミニウム等のダミ
ー導体膜１５を形成する。このダミー用導体膜１５は、
半導体装置のコーナ部に隣接する領域２５における２本
の配線用導体膜１４を覆うように形成する。その上に、
膜厚１.0μｍのリンシリケートガラス，シリコン窒化膜
等の保護用絶縁膜２３で覆った後、この絶縁膜２３をボ
ンディングパッド部のみをエッチングしてボンディング
パッド部を露出させることにより所望の構造を得る。
【０００８】この構成によれば、樹脂で封止された半導
体装置には、その中心方向に向かって応力が発生する。
このとき、半導体装置の周辺部のコーナに隣接する領域
２５に配置される第２の配線用導体膜１４の上に第３の
層間絶縁膜２２を介して２本の第２の配線用導体膜１４
を覆うようにダミー用導体膜１５が設けられているた
め、応力は直接このダミー用導体膜１５に加わり、ここ
で吸収され、或いは緩和される。これにより、第２の配
線用導体膜１４を覆う層間絶縁膜２２のクラックの発生
やコーナ隣接領域２５での第２の配線用導体膜１４のず
れの発生も防止できる。なお、ダミー用導体膜１５はア
ルミニウムの場合、幅は第２の配線用導体膜１４より２
０μｍ大きいのが適当であり、耐応力性の効果も大き
い。
体装置には、その中心方向に向かって応力が発生する。
このとき、半導体装置の周辺部のコーナに隣接する領域
２５に配置される第２の配線用導体膜１４の上に第３の
層間絶縁膜２２を介して２本の第２の配線用導体膜１４
を覆うようにダミー用導体膜１５が設けられているた
め、応力は直接このダミー用導体膜１５に加わり、ここ
で吸収され、或いは緩和される。これにより、第２の配
線用導体膜１４を覆う層間絶縁膜２２のクラックの発生
やコーナ隣接領域２５での第２の配線用導体膜１４のず
れの発生も防止できる。なお、ダミー用導体膜１５はア
ルミニウムの場合、幅は第２の配線用導体膜１４より２
０μｍ大きいのが適当であり、耐応力性の効果も大き
い。
【０００９】図２（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施
例の平面図とそのＢ−Ｂ線断面図である。図１の実施例
と同一部分には同一符号を付してある。この実施例で
は、ダミー用導体膜１５を半導体装置周辺部のコーナ領
域隣接部の第２の配線用導体膜１４のみを覆うように形
成している。この実施例においても、ダミー用導体膜１
５によって応力を吸収し、或いは緩和することができ、
層間絶縁膜２２のクラック防止や第２の配線用導体膜１
４のずれを有効に防止することができる。なお、ダミー
用導体膜１５はアルミニウムの場合、幅は前記第２の配
線用導体膜１４より２０μｍ大きいのが適当であり、耐
応力性の効果も大きい。
例の平面図とそのＢ−Ｂ線断面図である。図１の実施例
と同一部分には同一符号を付してある。この実施例で
は、ダミー用導体膜１５を半導体装置周辺部のコーナ領
域隣接部の第２の配線用導体膜１４のみを覆うように形
成している。この実施例においても、ダミー用導体膜１
５によって応力を吸収し、或いは緩和することができ、
層間絶縁膜２２のクラック防止や第２の配線用導体膜１
４のずれを有効に防止することができる。なお、ダミー
用導体膜１５はアルミニウムの場合、幅は前記第２の配
線用導体膜１４より２０μｍ大きいのが適当であり、耐
応力性の効果も大きい。
【００１０】
【発明の効果】 以上説明したように本発明は、配線用
導体膜を覆う絶縁膜が形成され、半導体装置の周辺部の
コーナー隣接領域の前記配線用導体膜に沿ってかつ前記
絶縁膜の上側から前記配線用導体膜を覆うダミー用導体
膜が形成されているので、封止用の樹脂等から生じる応
力をダミー用導体膜によって吸収し、或いは緩和し、配
線用導体膜に加わらなくすることができる。これによ
り、配線用導体膜を囲む絶縁膜等のクラックの発生や配
線用導体膜のずれを防止し、配線の信頼性を著しく高め
ることができる効果がある。
導体膜を覆う絶縁膜が形成され、半導体装置の周辺部の
コーナー隣接領域の前記配線用導体膜に沿ってかつ前記
絶縁膜の上側から前記配線用導体膜を覆うダミー用導体
膜が形成されているので、封止用の樹脂等から生じる応
力をダミー用導体膜によって吸収し、或いは緩和し、配
線用導体膜に加わらなくすることができる。これによ
り、配線用導体膜を囲む絶縁膜等のクラックの発生や配
線用導体膜のずれを防止し、配線の信頼性を著しく高め
ることができる効果がある。
【図１】本発明の第１実施例の周辺部の平面図とそのＡ
−Ａ線断面図である。
−Ａ線断面図である。
【図２】本発明の第２実施例の周辺部の平面図とそのＢ
−Ｂ線断面図である。
−Ｂ線断面図である。
【図３】従来の半導体装置の一例の平面図とそのＣ−Ｃ
線断面図である。
線断面図である。
【図４】配線用導体膜のスライドを説明するためのモデ
ル図である。
ル図である。
１０ 半導体基板 １２，１３ 第１の配線用導体膜 １４ 第２の配線用導体膜 １５ ダミー用導体膜 ２０ 第１の層間絶縁膜 ２１ 第２の層間絶縁膜 ２２ 第３の層間絶縁膜 ２３ 保護用絶縁膜
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板に絶縁膜を介して周辺部に沿う
ように配線用導体膜を形成した半導体装置において、前
記配線用導体膜を覆う絶縁膜が形成され、半導体装置の
周辺部のコーナー隣接領域の前記配線用導体膜に沿って
かつ前記絶縁膜の上側から前記配線用導体膜を覆うダミ
ー用導体膜が形成されていることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04245904A JP3098333B2 (ja) | 1992-08-22 | 1992-08-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04245904A JP3098333B2 (ja) | 1992-08-22 | 1992-08-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669212A JPH0669212A (ja) | 1994-03-11 |
| JP3098333B2 true JP3098333B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=17140557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04245904A Expired - Fee Related JP3098333B2 (ja) | 1992-08-22 | 1992-08-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3098333B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001210744A (ja) | 2000-01-25 | 2001-08-03 | Nec Corp | 回路基板 |
-
1992
- 1992-08-22 JP JP04245904A patent/JP3098333B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0669212A (ja) | 1994-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0637840A1 (en) | Integrated circuit with active devices under bond pads | |
| US4467345A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| JPH0228894B2 (ja) | ||
| JPH05226339A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| JPH07201855A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6156608B2 (ja) | ||
| JP3098333B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6018934A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0415626B2 (ja) | ||
| JPH0669211A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS61269333A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2572098B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62193263A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0621061A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60242643A (ja) | 電子部品の配線 | |
| JPH0574957A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2502702B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0677223A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS63111651A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0268944A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03196627A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS62232147A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2806538B2 (ja) | 集積回路装置 | |
| JPH03286541A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH065781A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990629 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |