JPS60245783A - Electroless copper plating bath - Google Patents
Electroless copper plating bathInfo
- Publication number
- JPS60245783A JPS60245783A JP340985A JP340985A JPS60245783A JP S60245783 A JPS60245783 A JP S60245783A JP 340985 A JP340985 A JP 340985A JP 340985 A JP340985 A JP 340985A JP S60245783 A JPS60245783 A JP S60245783A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- plating bath
- bath
- plating
- grams
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は無電解銅めっき浴に関する。更に詳細に説明す
れば本発明は、安定性があり、更にめっき速度が速く高
品質の銅表面を形成し、外に付着した銅の止痛をかなシ
減少できる、すぐれた無電解銅めっき浴に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an electroless copper plating bath. More specifically, the present invention relates to an excellent electroless copper plating bath that is stable, has a high plating speed, forms a high-quality copper surface, and can significantly reduce the damage caused by copper deposited on the outside. .
基板の無電解銅めっきは従来からよく知られている。例
えば、無電解すなわち自触媒作用銅めっき浴は、一般に
銅（ＩＩ）イオン源、銅（ＩＩ）イオン還元剤、キレー
ト剤捷たは錯化剤、およびｐ Ｉ−１アジヤスタを含む
。更に、若し、めっきしようとする表面が所望の金属の
析出により既に触媒の働きをしないならば、めっき浴と
接触させる前に、適切な触媒を該表面に沈積させる。更
に広く行なわれている基板を触媒作用化する手順の中に
は、金属パラジウム粒子の層を形成するのに、塩化第一
錫の増感溶液および塩化パラジウムの活性剤を使用する
ものがある。Electroless copper plating of substrates is well known in the art. For example, electroless or autocatalytic copper plating baths generally include a source of copper(II) ions, a copper(II) ion reducing agent, a chelating or complexing agent, and a p I-1 adjuster. Additionally, if the surface to be plated is already non-catalytic due to deposition of the desired metal, a suitable catalyst is deposited on the surface prior to contact with the plating bath. Among the more widely practiced procedures for catalyzing substrates is the use of a stannous chloride sensitizing solution and a palladium chloride activator to form a layer of metallic palladium particles.
無電解銅めっきに関する技術は不断に改善されつつある
けれども、更に改善の余地が残っている。Although the technology for electroless copper plating is constantly improving, there remains room for further improvement.
特定の問題が特に明白になるのは、印刷回路（例えば、
高密度回路および、スルーホールやめくら穴のような多
数の穴を含む印刷回路基板）に用いられるような極めて
高い品質の粒子を作る場合である。Certain problems become particularly evident in printed circuits (e.g.
This is the case for producing extremely high quality particles, such as those used in high-density circuits and printed circuit boards containing large numbers of holes, such as through-holes and blind holes.
無電解銅めっきの歩どまりが低いのは、土に、表面に銅
が付着することにより小瘤が形成されることに起因する
。基板上に不要な小瘤が作られると、基板上の回路間の
接触により短絡が生じることがある。更に、保護被覆、
はんだ付け、およびピン挿入のようなプロセスも、表面
に存在する小瘤によって悪影響を受ける。The low yield of electroless copper plating is due to the formation of nodules in the soil due to copper adhering to the surface. When unwanted nodules are created on the board, contact between circuits on the board can cause short circuits. Furthermore, a protective coating,
Processes such as soldering and pin insertion are also adversely affected by nodules present on the surface.
小瘤が形成される問題は、活性の度合の低い浴を設け、
浴およびめっきの状態を慎重に選択することにより回避
できるけれども、すぐれた安定性を示し、同時にめっき
速度を増大できる浴を設けることが有利であり望せしい
。The problem of nodule formation can be solved by providing a bath with a low degree of activity.
Although this can be avoided by careful selection of bath and plating conditions, it would be advantageous and desirable to have a bath that exhibits excellent stability and at the same time allows for increased plating rates.
本発明の目的は、
第１に、すぐれた安定性を有する無電解めっき浴を提供
し、
第２に、めっき速度を増加できるめっき浴を提供し、
第３に、すぐれた延性を有する高品質の沈積された銅を
提供することである。The objects of the present invention are: 1) to provide an electroless plating bath with excellent stability; 2) to provide a plating bath capable of increasing the plating rate; and 3) to provide a high quality plating bath with excellent ductility. of deposited copper.
本発明の、すぐれた安定性を有する無電解銅めっき浴は
、
ｌ Ｐ ｌ） Ｂ〜］０ＯＯＰＰＢ（ＰＰＢは１０億分
の］部）の、アクリルアミドまたはメタクリルアミドあ
るいは両者からのカチオン重合体と、硫酸銅（Ｉｔ）と
して計算された約３〜約５グラム（１リットル当り）の
量の、銅（Ｉｔ）イオン源と、０７〜７グラム（１リッ
トル当り）の量の、銅（Ｉｔ）イオン源の還元剤と、
２０〜約５０グラム（１リットル当り）の量の銅（ＩＩ
）イオンの錯化剤と
によって組成される。The electroless copper plating bath of the present invention with excellent stability comprises a cationic polymer of acrylamide or methacrylamide, or both, of lPl)B~]0OOPPB (PPB in parts per billion); a copper (It) ion source in an amount of about 3 to about 5 grams (per liter), calculated as copper (It) sulfate; and a copper (It) ion source in an amount of 0.7 to 7 grams (per liter), calculated as copper (It) sulfate. a source reducing agent and copper (II) in an amount of 20 to about 50 grams (per liter).
) and an ionic complexing agent.
約１． Ｐ Ｐ Ｂ〜約１０００１） Ｐ Ｂの、アク
リルアミドまだはメタクリルアミドあるいは両者からの
カチオン重合体と、硫酸銅（１）として計算された約３
〜約５グラム（１リットル当り）の量の、銅（ｎ）イオ
ン源と、約０７〜約７グラム（１リットル当り）の量の
、銅Ｃ１１）イオン源の還元剤と、約２０〜約５０グラ
ム（１リットル当り）の量の、銅（ｎ）イオンの錯化剤
とによって組成された無電解銅めっき浴は、安定性にす
ぐれ、めっき速度が速く、外に付着する銅の小瘤をかな
り減少して高品質の銅表面を形成する。Approximately 1. P P B to about 10,000 1) cationic polymer of P B of acrylamide or methacrylamide or both, calculated as copper(1) sulfate
a copper(n) ion source in an amount of from about 5 grams per liter, a reducing agent for a copper C11) ion source in an amount from about 0.7 to about 7 grams per liter, and from about 20 to about The electroless copper plating bath composed of 50 grams (per liter) of copper(n) ion complexing agent has excellent stability, fast plating rate, and no copper nodules that adhere to the outside. to form a high quality copper surface with considerable reduction.
本発明による無電解銅めっき浴のすぐれた安定性および
めっき速度の増加は、約ＩＰＰＢ〜約１０００ＰＰＢ、
できれば約Ｉ Ｐ ＩＦ １３〜約５００ＰＰ Ｂの、
アクリルアミドまたはメタクリルアミドあるいは両者か
らのカチオン重合体の使用により実現できることが分っ
た。The superior stability and increased plating rate of the electroless copper plating bath according to the present invention can range from about IPPB to about 1000 PPB,
If possible, about I P IF 13 to about 500 PP B,
It has been found that this can be achieved by using cationic polymers of acrylamide or methacrylamide or both.
濃縮されたカチオン重合体は、Ｃｕ＋の酸化を促進し、
それによってＣｕ２Ｏの大量の沈澱を抑制し浴の安定性
を高めるとともに小瘤の形成を減少させる。更に、本発
明により、カチオン重合体は、銅（Ｉｌｌイオンの錯化
剤またはキレート剤として作用するものと考えられてい
る。その」二、めっき浴中のカチオン重合体の存在は、
金属イオンとコーティングされる表面との間をブリッジ
する配位子として作用し、それによって電気化学反応の
速度を増加するので、めっき速度が増加する。The concentrated cationic polymer promotes the oxidation of Cu+,
This inhibits heavy precipitation of Cu2O, increases bath stability and reduces nodule formation. Furthermore, according to the present invention, the cationic polymer is believed to act as a complexing agent or chelating agent for copper (Ill) ions. Second, the presence of the cationic polymer in the plating bath
The plating rate is increased because it acts as a bridging ligand between the metal ion and the surface being coated, thereby increasing the rate of electrochemical reactions.
本発明で使用された良好なカチオン重合体は、レチン（
几ｅｔｅｎ） という商品名で入手できる。A good cationic polymer used in the present invention is retin (
It is available under the trade name 几eten).
アクリルアミドまたはメタクリルアミドあるいは両者か
らの重合体は、少なくとも２つの活性部分、すなわち有
効なカチオン部分（ｍｏｉｅｔｙ）を含んでいるに違い
ないという点で、多機能カチオン物質である。該重合体
は少なくとも水との混和性があるが、できれば、水に溶
解可能であるか、寸たけ少なくとも本発明で使用された
水組成物に溶解可能であることが望捷しい。良好なカチ
オン部分は、第四級ホスホニウムおよび第四級アンモニ
ウム基である。少なくとも２つのカチオン部分を含む重
合体は市販されているので、本明細書ではその詳細につ
いては説明を省略する。市販の多機能カチオン重合体の
例として、レチン２１０、レチン２２０、およびレチン
３００がある。これらは、パーキュリーズ社（Ｈｅｒｃ
ｕｌｅｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ）−テラウェア州
つイルミントン市−から市販されている。これらの重合
体についての説明は、同社の広告ＶＣ−４８２Ａの“水
溶性重合体パ（”Ｗａｉｅｒ−８ｏｌｕｂｌｅ Ｐｏｌ
ｙｍｅｒｓ”）に記載されている。Polymers from acrylamide or methacrylamide or both are multifunctional cationic materials in that they must contain at least two active or effective cationic moieties. The polymer is at least miscible with water, but preferably soluble in water, or at least as soluble in the aqueous composition used in the present invention. Good cation moieties are quaternary phosphonium and quaternary ammonium groups. Since polymers containing at least two cationic moieties are commercially available, detailed description thereof will be omitted herein. Examples of commercially available multifunctional cationic polymers include Retin 210, Retin 220, and Retin 300. These are manufactured by Percules (Herc).
ules Incorporated, Ilmington, Terrace. A description of these polymers can be found in the company's advertisement VC-482A "Water-soluble polymer polymer" (Waier-8olable Pol
ymers”).
レチン２１０は散剤で、アクリルアミドとβ−メタクリ
ルオキシエチルトリメチルアンモニウムの硫酸メチルと
の共重合体であり、６００〜１２Ｑ Ｑ ｃｐｓの１％
溶液のブルックフィールド粘度を有する。Retin 210 is a powder, a copolymer of acrylamide and β-methacryloxyethyltrimethylammonium with methyl sulfate, which produces 1% of 600-12Q Q cps.
The solution has a Brookfield viscosity.
レチン２２０も散剤で、アクリルアミドとβ−メタクリ
ルオキ／エチルトリメチルアンモニウムの硫酸メチルと
の共重合体であり、８００〜１２００ＣｐＳ０１％溶液
のブルックフィールド粘度を有する。Retin 220 is also a powder, a copolymer of acrylamide and β-methacrylox/ethyltrimethylammonium methyl sulfate, and has a Brookfield viscosity of 800-1200 CpS01% solution.
レチン３００は液体で、β−メタクリルオキ／エチルト
リメチルアンモニウムの硫酸メチルのホモポリマであり
、３００〜７００ ｃｐｓの１％溶液のブルックフィー
ルド粘度を有する。Retin 300 is a liquid, a homopolymer of β-methacrylox/ethyltrimethylammonium methyl sulfate, and has a Brookfield viscosity of a 1% solution of 300-700 cps.
レチン重合体の分子量は一般に比較的高く、約 −５０
０００〜約１． ＯＯＯ０００、まだはそれ以上の範囲
にわたって変化する。これらの高い分子量の重合体は固
体生成物で、それらの主要な基幹化学構造はポリアクリ
ルアミドである。カチオンレチン（正電荷）は、種々の
テトラアルキルアンモニウム化合物をポリアクリルアミ
ドに付着させることにより得られる。これらの４基のア
ンモニウム基は、重合体の正電荷数を供給する。アクリ
ルアミドおよび（寸たけ）メタクリルアミドからのカチ
オン重合体が本発明に従って付加される良好な無電解銅
めっき浴、ならびにその使用方法は米国特許第３８４４
７９９号、同第４１５２４６７号に開示されている。The molecular weight of retin polymers is generally relatively high, approximately -50
000 to about 1. It varies over a range of OOO000 and even more. These high molecular weight polymers are solid products and their main backbone chemical structure is polyacrylamide. Cationic retins (positively charged) are obtained by attaching various tetraalkylammonium compounds to polyacrylamide. These four ammonium groups provide the number of positive charges on the polymer. A good electroless copper plating bath to which cationic polymers from acrylamide and (syntake) methacrylamide are added in accordance with the present invention, and methods for its use, are described in U.S. Pat. No. 3,844.
No. 799 and No. 4152467.
このような無電解銅めっき浴は一般に、水溶性の組成物
で、銅（旧イオン源、還元剤、銅（Ｉｔ）イオンの錯化
剤、およびｐＨアジャスタを含む。まだ、メッキ浴には
シアン化物イオン源およびアニオン界面活性剤も含む。Such electroless copper plating baths are generally water-soluble compositions that include a copper (old ion source), a reducing agent, a complexing agent for copper (It) ions, and a pH adjuster. Also includes oxide ion sources and anionic surfactants.
一般に使用される銅（ｎ）イオン源は、使用される錯化
剤の硫酸銅（１１）まだは第２銅塩である。A commonly used source of copper(n) ions is the copper(n) sulfate (11) or cupric salt of the complexing agent used.
銅（１１）イオン源は一般に、１リットル当り約３グラ
ム〜約１５グラムの量で使用されるが、できれば硫酸銅
（Ｉｌｌとして計算された、１リットル当り約８グラム
〜約１２グラムの量で使用されるのが望ましい。Copper(11) ion sources are generally used in amounts of about 3 grams to about 15 grams per liter, preferably copper sulfate (calculated as Ill), in amounts of about 8 grams to about 12 grams per liter. preferably used.
最も一般に使用される還元剤はホルムアルデヒドで、本
発明の良好な実施例では、１リットル当り約０７グラム
〜約７グラムの量で使用されるができれば１リットル当
り約０７グラム〜約２２グラムの量を使用するのが最も
望捷しい。The most commonly used reducing agent is formaldehyde, which in preferred embodiments of the invention is used in amounts of from about 0.7 grams to about 7 grams per liter, but preferably from about 0.7 grams to about 22 grams per liter. It is most desirable to use .
他の還元剤の例には、パラホルムアルデヒド、トリオキ
サン、ジメチルヒダントイン、およびグリオキザールの
ようなホルムアルテヒド誘導体まだは前駆物質；アルカ
リ金属およびアルカリ硼化水素（ナトリウムおよびカリ
ウム硼化水素）のような硼化水素ならびにす［・リウム
トリメトキシ硼化水素のような置換硼化水素；アミンボ
ラン（イノプロピルアミンボランおよびモルホリンボラ
ン）のようなボランがある。Examples of other reducing agents include formaldehyde derivatives such as paraformaldehyde, trioxane, dimethylhydantoin, and glyoxal; There are substituted hydrogen borides such as hydrogen hydride and s[rium trimethoxyhydrogen borolide; borane such as amine borane (inopropylamine borane and morpholine borane).
適切な錯化剤の例として、ロッシェル塩、エチレンジア
ミン四酢酸と、エチレンジアミン四酢酸のナトリウム（
単ナトリウム、２すトリウム、３ナトリウムおよび４ナ
トリウム）と、ニトリロ３酢酸およびそのアルカリ塩ど
、グルコン酸と、グルコン酸塩ト、トリエタノールアミ
ント、クルコノ（γ）ラクトンと、Ｎ−ヒドロキシエチ
ルまたはエチレンジアミントリアセテートのような変性
エチレンンアミンアセテートとがある。更に、いくつか
の他の適切な銅（ＩＩｊＭ化剤が、米国特許第２９９６
４０８号、同第３０７５８５Ｇ号、同第３０７５８５５
号、同第２９３８８０５号に示唆されている。Examples of suitable complexing agents include Rochelle's salt, ethylenediaminetetraacetic acid, and sodium ethylenediaminetetraacetic acid (
nitrilotriacetic acid and its alkali salts, gluconic acid, gluconate, triethanolamine, curcono(γ) lactone, N-hydroxyethyl or There are modified ethyleneamine acetates such as ethylenediamine triacetate. Additionally, some other suitable copper(IIjM) agents are described in U.S. Pat.
No. 408, No. 307585G, No. 3075855
No. 2938805.
錯化剤の量は、一般に１リットル当シ約２０グラム−約
５０グラム、すなわち３〜４倍のモル過剰の溶液に存在
する銅（Ｉｔ）イオンの量に応じて決まる。The amount of complexing agent will generally depend on the amount of copper (It) ions present in the solution from about 20 grams to about 50 grams per liter, or a 3- to 4-fold molar excess.
まだ、めっき浴は、被覆される表面の湿潤を補助するア
ニオン界面活性剤を含むことが望ましい。It is still desirable that the plating bath contain an anionic surfactant to assist in wetting the surface being coated.
条件に合ったアニオン界面活性剤の例として“ガフアク
（Ｇａｆａｃ） ＲＥ−６１０”の商品名で市販されて
いる有機燐酸エステルがある。一般に、アニオン界面活
性剤は、１リットル当シ約０．０２グラム〜０：３グラ
ムの範囲の量が存在する。An example of a suitable anionic surfactant is an organic phosphate commercially available under the trade name "Gafac RE-610". Generally, the anionic surfactant is present in an amount ranging from about 0.02 grams per liter to 0:3 grams per liter.
更に、浴のｐＨは一般に、例えば、所望のｐＨを得るの
に必要な量の、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウム
のような塩基性化合物の付加により調整される。本発明
に従って使用される無電解めっき浴の良好なＩ）Ｉ−■
は、１１６と］１８の間である。Additionally, the pH of the bath is generally adjusted by the addition of a basic compound such as, for example, sodium hydroxide or potassium hydroxide in the amount necessary to obtain the desired pH. Good I) I-■ of the electroless plating bath used according to the invention
is between 116 and ]18.
また、できれば、めっき浴は、シアン化物イオン、特に
］リットル当り約１０〜約２５ミリグラムのシアン化物
イオンを含み、０．０００２〜００００４モルの範囲内
の浴中シアン化物イオン濃度にすることが望ましい。本
発明によって使用できるシアン化物の例として、アルカ
リ金属、アルカリ土類金属およびシアン化アンモニウム
がある。Preferably, the plating bath also contains cyanide ions, particularly from about 10 to about 25 milligrams per liter, with a cyanide ion concentration in the bath ranging from 0.0002 to 00004 moles. . Examples of cyanides that can be used according to the invention include alkali metals, alkaline earth metals and ammonium cyanide.
更に、めっき浴には、従来からよく知られているような
他の小量の添加剤を含むことかある。Additionally, the plating bath may contain other minor additives as are well known in the art.
本発明の良好なめつき浴は、］０６０〜１０８０の範囲
内の特定の比重を有する。更に、浴の温度は、７０Ｕと
８０Ｃの間に維持するのが望ましく、最も望捷しいのは
７（Ｉ”と７５１Ｚ″の間である。A good plating bath of the present invention has a specific gravity within the range of ]060-1080. Additionally, the temperature of the bath is desirably maintained between 70U and 80C, most preferably between 7(I" and 751Z").
良好なシアン化物イオン濃度に関連した良好なめつき温
度に関する説明は米国特許第３８４４７９９！′ｉに記
載されている。A description of good plating temperatures associated with good cyanide ion concentration is provided in US Pat. No. 3,844,799! 'i.
更に、米国特許第４１５２４６７号で説明しているよう
に、浴のＯ２は２ＰＰＭと４ＰＩ）Ｍの間に、できれば
約２．５ Ｐ Ｐ Ｍ〜約３．５ Ｐ Ｐ Ｍの間に維
持することが望ましい。０２の含有量は、酸素および不
活性気体を浴に注入することにより調整される。Further, as described in U.S. Pat. No. 4,152,467, the O2 of the bath should be maintained between 2 PPM and 4 PPM, preferably between about 2.5 PPM and about 3.5 PPM. is desirable. The content of 02 is adjusted by injecting oxygen and inert gas into the bath.
浴に対する気体注入速度は一般に、１．０００ガロン当
り毎分約１〜約２０標準立方フイートであるが、約５〜
１０標準立方フイートが望ましい。Gas injection rates to the bath are generally from about 1 to about 20 standard cubic feet per minute per 1.000 gallons, but from about 5 to about 20 standard cubic feet per minute.
10 standard cubic feet is preferred.
本発明に従って行なわれる良好なめつき速度は１時間当
り約０２〜約０３ミルの銅めっきの厚さである。A good plating rate performed in accordance with the present invention is about 0.2 to about 0.3 mils of copper plating thickness per hour.
本発明の無電解めっき浴を、制約されない下記の例によ
って示す。The electroless plating bath of the present invention is illustrated by the following non-limiting example.
例１
めっき浴は、約９グラム／リツトルの硫酸銅（Ｉｌ］、
約２ミリリツトル／′リツトルのホルムアルデヒド、約
３６グラノ、／リットルのエチレンジアミ／四酢酸、約
９ミリクラム／リットルの／アン化ナトリウム、約１．
２ Ｐ Ｐ Ｂのレチン２１０、および約００５クラム
／リットルの“ガファクパを含むのが望ましい。浴は約
］２のｐＨを有する。浴は、杓７３Ｃの温度のめつき槽
を介して供給される。めっき槽は、表面に薄い層の銅を
有する基板を含む。Example 1 The plating bath consisted of approximately 9 grams/liter copper sulfate (Il),
Approximately 2 milliliters/liter formaldehyde, approximately 36 grams/liter ethylenediami/tetraacetic acid, approximately 9 milligrams/liter/sodium anhydride, approximately 1.
Preferably, it contains 2 P P B of Retin 210 and about 0.005 crumbs/liter of "Gafakpa". The bath has a pH of about ]2. The bath is fed through a plating bath at a temperature of 73C. The plating bath includes a substrate with a thin layer of copper on its surface.
めっき中の浴の酸素含有量は、約３ＰＰＭである。The oxygen content of the bath during plating is approximately 3 PPM.
めっき速度は約０２ミル／時間である。基板の小瘤等級
は１である（小瘤等級は２．５４ｃｍ平方当りの止痛数
で、１が最り級、５が最ト級である）。The plating rate is about 0.2 mils/hour. The nodule grade of the substrate is 1 (the nodule grade is the number of pain relief per 2.54 cm square, where 1 is the worst and 5 is the worst).
同様な結果が、被覆銅の無電解めっきを触媒する誘電性
の基板によって得られる。Similar results are obtained with dielectric substrates that catalyze electroless plating of coated copper.
本発明の無電解銅めっき浴は安定性にすぐれ、めっき速
度が早く、めっき中に止痛の形成を、完全にではないが
、かなり排除し、更に、浴の耐用期間が比較的長い（例
えば、約１週間使用できる浴もある）。The electroless copper plating bath of the present invention has excellent stability, fast plating speed, substantially, but not completely, elimination of analgesia formation during plating, and has a relatively long bath life (e.g. Some baths can be used for about a week).
出願人 インタープンヨナル°ビジネス・マンーンズコ
ーホリーショノ復代理人 弁理士 篠 目」 文 随
第１頁の続き
０発 明 者 ヴオヤ・マルコヴイツ アチ ド
＠発 明 者 ラルフ・エリオツド・ アパーソンズ
リ
メリ力合衆国ニューヨーク州エンドウェル、ショール・
ライブ３６１１番地
メリカ合衆国ニューヨーク州エンディコツト、ニューベ
・ドライブ１幡地Applicant Interdisciplinary Business Corporation Sub-Attorney Patent Attorney Shinome Text Continued from Page 1 0 Inventor Voya Markovits At Inventor Ralph Eliott Appersons
Shoal, Endwell, New York, United States
Live 3611 1 Newbe Drive, Endicott, New York, United States
Claims (1)
の銅ｔｎ＞イオン源と、 ０７〜７グラム／リツトルの量の銅（Ｉｌｌイオン源還
元剤と、 ２０〜５０グラム／リツトルの量の銅（Ｉｌｌイオン錯
化剤と、 ］ ＰＰＢ〜１０００ Ｐ Ｐ Ｔ３の、アクリルアミ
ド、メタクリルアミドの１方あるいは両方を含むカチオ
ン重合体と、 を含む安定性を有する無電解銅めっき浴。[Claims] Copper tn > ion source in an amount of 3 to 15 grams/liter, calculated as copper sulfate, copper (Ill ion source reducing agent) in an amount of 0.7 to 7 grams/liter, 20 to 50 grams /liter of copper (Ill ion complexing agent); a cationic polymer containing one or both of acrylamide and methacrylamide of PPB to 1000 PPT3; and a stable electroless copper plating bath comprising: .
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US61127884A | 1984-05-17 | 1984-05-17 | |
| US611278 | 1984-05-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245783A true JPS60245783A (en) | 1985-12-05 |
| JPH0214430B2 JPH0214430B2 (en) | 1990-04-09 |
Family
ID=24448389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP340985A Granted JPS60245783A (en) | 1984-05-17 | 1985-01-14 | Electroless copper plating bath |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0164580B1 (en) |
| JP (1) | JPS60245783A (en) |
| DE (1) | DE3573139D1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4814009A (en) * | 1986-11-14 | 1989-03-21 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroless copper plating solution |
| US4834796A (en) * | 1986-11-06 | 1989-05-30 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroless copper plating solution and process for electrolessly plating copper |
| WO2005038086A1 (en) * | 2003-10-17 | 2005-04-28 | Nikko Materials Co., Ltd. | Plating solution for electroless copper plating |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4654126A (en) * | 1985-10-07 | 1987-03-31 | International Business Machines Corporation | Process for determining the plating activity of an electroless plating bath |
| AU579776B2 (en) * | 1986-11-06 | 1988-12-08 | Nippondenso Co. Ltd. | Electroless copper plating solution and process for electrolessly plating copper |
| JP2595319B2 (en) * | 1988-07-20 | 1997-04-02 | 日本電装株式会社 | Chemical copper plating solution and method for forming copper plating film using the same |
| JPH02161130A (en) * | 1988-12-15 | 1990-06-21 | Hino Motors Ltd | Control device for turbo-charger |
| US5965211A (en) * | 1989-12-29 | 1999-10-12 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroless copper plating solution and process for formation of copper film |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1530167A (en) * | 1967-07-03 | 1968-06-21 | Shipley Co | Composition and process for the electroless chemical deposition of copper on objects with a catalytic surface |
| JPS5230131B2 (en) * | 1973-07-11 | 1977-08-05 | ||
| JPS5220339A (en) * | 1975-08-08 | 1977-02-16 | Hitachi Ltd | Chemical copper plating solution |
-
1985
- 1985-01-14 JP JP340985A patent/JPS60245783A/en active Granted
- 1985-05-10 EP EP19850105723 patent/EP0164580B1/en not_active Expired
- 1985-05-10 DE DE8585105723T patent/DE3573139D1/en not_active Expired
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4834796A (en) * | 1986-11-06 | 1989-05-30 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroless copper plating solution and process for electrolessly plating copper |
| US4814009A (en) * | 1986-11-14 | 1989-03-21 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroless copper plating solution |
| WO2005038086A1 (en) * | 2003-10-17 | 2005-04-28 | Nikko Materials Co., Ltd. | Plating solution for electroless copper plating |
| KR100767942B1 (en) * | 2003-10-17 | 2007-10-17 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | Plating solution for electroless copper plating |
| CN100462480C (en) * | 2003-10-17 | 2009-02-18 | 日矿金属株式会社 | Plating solution for electroless copper plating |
| US8404035B2 (en) | 2003-10-17 | 2013-03-26 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Electroless copper plating solution |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0164580A3 (en) | 1986-12-30 |
| EP0164580A2 (en) | 1985-12-18 |
| EP0164580B1 (en) | 1989-09-20 |
| JPH0214430B2 (en) | 1990-04-09 |
| DE3573139D1 (en) | 1989-10-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5955141A (en) | Process for silver plating in printed circuit board manufacture | |
| US4269625A (en) | Bath for electroless depositing tin on substrates | |
| JP5526459B2 (en) | Electroless gold plating bath and electroless gold plating method | |
| EP0156212B1 (en) | Process for plating copper from electroless plating compositions | |
| JPS5818430B2 (en) | Electroless plating bath and plating method | |
| JPH0247551B2 (en) | ||
| JP3331261B2 (en) | Electroless gold plating solution | |
| US6383269B1 (en) | Electroless gold plating solution and process | |
| JPS60245783A (en) | Electroless copper plating bath | |
| JP2927142B2 (en) | Electroless gold plating bath and electroless gold plating method | |
| JP3051683B2 (en) | Electroless gold plating method | |
| JP2002180259A (en) | Metal deposition acceleration compound in plating liquid and plating liquid containing the same | |
| EP0331907B1 (en) | Electroless copper plating bath | |
| US4450191A (en) | Ammonium ions used as electroless copper plating rate controller | |
| US4655833A (en) | Electroless copper plating bath and improved stability | |
| JP3331260B2 (en) | Electroless gold plating solution | |
| JP4230813B2 (en) | Gold plating solution | |
| JPH02294487A (en) | Tetraaza-ligand system as complex formation agent for nonelectrolytic deposition of cop- per | |
| EP3517651B1 (en) | Electroless gold plating bath | |
| US5380400A (en) | Chemical etchant for palladium | |
| JP2002226975A (en) | Electroless gold plating solution | |
| JPH05295558A (en) | High-speed substitutional electroless gold plating solution | |
| JP3336535B2 (en) | Composition and method for selective plating | |
| JPS60218477A (en) | Catalyzing treatment for electroless deposition | |
| JP2960439B2 (en) | Replenisher for gold plating |