JP2002180259A - Metal deposition acceleration compound in plating liquid and plating liquid containing the same - Google Patents
Metal deposition acceleration compound in plating liquid and plating liquid containing the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、めっき液における
金属析出促進化合物、該化合物を含むめっき液、および
該めっき液を用いた置換めっき方法に関する。特に、本
発明は、前記金属析出促進化合物を含む銀めっき液、お
よび該銀めっき液を用いたプリント回路ボード等の電子
部品の置換めっき方法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a compound for promoting metal deposition in a plating solution, a plating solution containing the compound, and a displacement plating method using the plating solution. In particular, the present invention relates to a silver plating solution containing the metal deposition promoting compound, and a method for displacement plating of electronic components such as a printed circuit board using the silver plating solution.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、プリント回路ボードに電子部品
を実装するまでの間における、プリント回路ボードの導
体表面の酸化及び腐食による、はんだ付け性の劣化を防
止するために、種々の表面処理方法を用いた、プリント
回路ボードの導体表面への金属保護被膜の形成が行われ
ている。これらの表面処理方法の一つとして、はんだレ
ベラー処理がある。はんだレベラー処理は、最も一般的
なプリント回路ボードの表面処理方法であり、プリント
回路ボード上のはんだ付けランド以外の部分にソルダレ
ジストをコーティングした後、プリント回路ボードを、
溶融した錫／鉛合金のはんだ槽に浸漬して、ソルダレジ
ストで被覆されていないランド部分にはんだを付着させ
るものである。しかし、単にはんだを付着させただけで
は、付着するはんだ量が多すぎたり、はんだがつらら状
になったり、ブリッジを形成したりするので、プリント
回路ボードを引き上げる際に熱風を用いて余分のはんだ
を吹き飛ばして適度の量のはんだが残るようにしてい
る。2. Description of the Related Art In order to prevent deterioration of solderability due to oxidation and corrosion of a conductor surface of a printed circuit board until electronic components are mounted on the printed circuit board, various surface treatment methods are generally used. A metal protective film is formed on a conductor surface of a printed circuit board used. One of these surface treatment methods is a solder leveler treatment. Solder leveling is the most common surface treatment method for printed circuit boards.After coating solder resist on parts other than the soldering lands on the printed circuit board, the printed circuit board is
The solder is immersed in a molten tin / lead alloy solder bath to attach the solder to the lands not covered with the solder resist. However, simply applying solder will cause too much solder to be applied, or the solder will become icicle-like, or form a bridge. Is blown off so that an appropriate amount of solder remains.
【０００３】しかし、熱風を用いて余分のはんだを吹き
飛ばしているために、熱風の圧力によりはんだの厚みに
バラツキができ、得られた表面処理済みプリント回路ボ
ードは高密度化実装に適していない。また、溶融したは
んだ槽に浸漬する際に、熱によりプリント回路ボードが
損傷し、さらに、はんだに含有される鉛の有害性により
環境汚染を引き起こす恐れがあり、労働衛生上も問題が
あり今後の使用は困難であるなどの問題があった。However, since excess solder is blown off using hot air, the thickness of the solder varies due to the pressure of the hot air, and the resulting surface-treated printed circuit board is not suitable for high-density mounting. In addition, when immersed in a molten solder bath, the printed circuit board may be damaged by heat, and the harmfulness of lead contained in the solder may cause environmental pollution. There were problems such as difficulty in use.
【０００４】このため、はんだレベラー処理に代わる方
法として、プリフラックス処理、銅キレート処理、ニッ
ケル−金めっき処理が主として行われている。プリフラ
ックス処理は、その希釈剤としてキシレン等の溶剤を使
用するため、可燃性であるなどの危険があると共に、人
体への悪影響および大気汚染を招くこととなる。また、
プリフラックス処理においては、スルーホール内にも塗
布しなければならないので、設備費用がかかるという欠
点もある。また、銅キレート処理では、高温はんだへの
繰り返し耐熱性に問題があるという欠点がある。また、
ニッケル−金メッキ処理は高密度化、高機能化には必要
な処理であるが、２種類のめっきを行うことによる処理
工数の増加と、それに伴うコスト増、また、使用される
シアンに起因する廃水処理の問題がある。[0004] For this reason, pre-flux treatment, copper chelate treatment, and nickel-gold plating treatment are mainly performed as alternatives to the solder leveler treatment. In the pre-flux treatment, since a solvent such as xylene is used as a diluent, there is a danger of being flammable, and also a bad influence on human bodies and an air pollution are caused. Also,
In the pre-flux treatment, there is also a disadvantage that the equipment cost is high because the coating has to be applied also in the through holes. Further, the copper chelate treatment has a drawback in that there is a problem in the repetitive heat resistance to high-temperature solder. Also,
Nickel-gold plating is necessary for high density and high functionality. However, the increase in the number of processing steps due to the two types of plating, the resulting increase in cost, and the wastewater caused by cyan used. There is a processing problem.
【０００５】また、上述の問題を有しない処理方法とし
て、銀めっき処理により、プリント回路ボードの銅表面
に銀を置換めっきすることにより析出させることが提案
されている。しかし、プリント回路ボード上には、様々
な形状、大きさ、分布状態で被めっき部分である銅が存
在している。かかるプリント回路ボードを置換銀めっき
する場合には、銀の析出速度はボード上で必ずしも一定
ではなく、ボード上の銅部分の形状、大きさ、分布状態
等により影響を受けることとなる。このため、ボード上
には、銀の析出速度が大きい部分と、析出速度が小さい
部分が生じることとなり、析出速度の小さい部分におい
ては銀被膜が形成されないという事態も生じうる。As a processing method which does not have the above-mentioned problem, it has been proposed that silver is deposited on a copper surface of a printed circuit board by displacement plating by silver plating. However, on a printed circuit board, copper as a portion to be plated exists in various shapes, sizes, and distributions. When such a printed circuit board is subjected to displacement silver plating, the deposition rate of silver is not always constant on the board, but is affected by the shape, size, distribution state, and the like of the copper portion on the board. For this reason, a portion where the deposition rate of silver is high and a portion where the deposition rate is low are generated on the board, and a situation where a silver film is not formed in a portion where the deposition rate is low may occur.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情に鑑みてなされたものであって、本発明は、めっき
液におけるめっき金属の析出速度を向上させ、さらに、
めっき液のｐＨが中性以上の範囲においても金属の析出
を可能にする化合物を提供することを目的とする。ま
た、本発明は、めっき液におけるめっき金属の析出速度
を向上させることにより、プリント回路ボードをはじめ
とする基体における、めっき金属の析出速度が小さい部
分にも、充分な金属の析出を可能にする化合物を提供す
ることを目的とする。より詳細には、プリント回路ボー
ド上の被めっき部分である銅に銀を置換めっきする場合
に、銀の析出を促進させる化合物を提供することを目的
とする。また、本発明は、前記金属析出促進化合物を含
むめっき液、および、該めっき液を用いた置換めっき方
法を提供し、プリント回路ボードのような基体を該めっ
き方法によりめっきすることにより、従来のめっき液を
用いた置換めっき方法では得ることが困難であった、基
体上の被めっき金属が全体的に、より均一にめっきさ
れ、リフロー時の変色が低減される複合材料を提供する
ことを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and the present invention has been made to improve the deposition rate of a plating metal in a plating solution.
It is an object of the present invention to provide a compound capable of depositing a metal even when the pH of a plating solution is in a neutral or higher range. In addition, the present invention improves the deposition rate of the plating metal in the plating solution, thereby enabling sufficient deposition of the metal even in a portion where the deposition rate of the plating metal is small in a substrate such as a printed circuit board. It is intended to provide a compound. More specifically, it is an object of the present invention to provide a compound that promotes silver precipitation when copper, which is a portion to be plated on a printed circuit board, is plated with silver. Also, the present invention provides a plating solution containing the metal deposition promoting compound, and a displacement plating method using the plating solution, and a conventional method of plating a substrate such as a printed circuit board by the plating method. It is an object of the present invention to provide a composite material in which a metal to be plated on a substrate is plated more uniformly as a whole and discoloration during reflow is reduced, which is difficult to obtain by a displacement plating method using a plating solution. And
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、１以上の窒素
原子を有する水溶性の糖質、特に、該窒素原子の１以上
が１以上のカチオン形成性基を形成している前記水溶性
の糖質である、めっき液における金属析出促進化合物を
提供し、さらに、該化合物をめっき液に添加して金属の
析出を促進させる方法を提供する。また、本発明は、前
記金属析出促進化合物および金属イオンを含むめっき液
を提供し、該めっき液は、さらに錯化剤、抑制剤、めっ
き金属以外の金属イオンをさらに含むことが可能であ
る。また、本発明は、前記めっき液を用いて、基体上の
被めっき金属を置換めっきする方法を提供し、また、該
方法により得られる複合材料を提供する。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention relates to a water-soluble saccharide having one or more nitrogen atoms, and particularly to the water-soluble saccharide having one or more nitrogen atoms forming one or more cation-forming groups. To provide a metal precipitation promoting compound in a plating solution, which is a saccharide, and to provide a method of adding the compound to the plating solution to promote metal deposition. The present invention also provides a plating solution containing the metal deposition accelerating compound and a metal ion, and the plating solution may further include a complexing agent, an inhibitor, and a metal ion other than the plating metal. The present invention also provides a method for displacement plating of a metal to be plated on a substrate using the plating solution, and a composite material obtained by the method.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】本発明の、めっき液における金属
析出促進化合物は、１以上の窒素原子を有する水溶性の
糖質である。本発明の金属析出促進化合物に含まれる窒
素原子の数は１以上であれば任意の数であって良く、特
に限定されるものではない。本発明の金属析出促進化合
物においては、本発明の目的を達成できる限りにおい
て、窒素原子は任意の状態で該化合物中に存在できる。
本発明の金属析出促進化合物に含まれる窒素原子の少な
くとも１つはカチオン形成性基を形成するのが好まし
い。また、本発明の１態様としては、めっき液における
金属析出促進化合物は、１以上のカチオン形成性基を有
する水溶性の糖質である。本発明の金属析出促進化合物
においては、カチオン形成性基は糖質中で、結合しうる
任意の元素に結合して存在することができる。好ましく
は、カチオン形成性基は、糖質のヒドロキシル基の酸素
原子と結合して存在する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The metal precipitation accelerating compound in a plating solution of the present invention is a water-soluble saccharide having one or more nitrogen atoms. The number of nitrogen atoms contained in the metal deposition accelerating compound of the present invention may be any number as long as it is one or more, and is not particularly limited. In the metal deposition accelerating compound of the present invention, a nitrogen atom can be present in the compound in any state as long as the object of the present invention can be achieved.
It is preferred that at least one of the nitrogen atoms contained in the metal deposition promoting compound of the present invention forms a cation-forming group. In one embodiment of the present invention, the metal deposition promoting compound in the plating solution is a water-soluble saccharide having one or more cation-forming groups. In the metal deposition accelerating compound of the present invention, the cation-forming group can be present in the saccharide by bonding to any bondable element. Preferably, the cation-forming group is present in association with the oxygen atom of the carbohydrate hydroxyl group.
【０００９】本発明の金属析出促進化合物が有するカチ
オン形成性基とは、水溶液中で＋に帯電しうる任意の基
をいう。ここでの水溶液とは、任意のｐＨおよび任意の
成分を含む水溶液をいい、特に限定されるものではな
い。カチオン形成性基として水溶液中で＋に帯電しうる
基としては、窒素原子が＋に帯電するものが好ましく、
より好ましくは、窒素原子がアンモニウム基を形成しう
るものである。さらにより好ましくは、中性より高いｐ
Ｈの範囲において塩基性を示すという観点から、カチオ
ン形成性基は第４級アンモニウム基である。本発明にお
けるカチオン形成性基であるアンモニウム基は、式； −Ｘ−Ｎ＋Ｒ１Ｒ２Ｒ３ （Ｉ） 〔式中、Ｘは、糖質とアンモニウム基の窒素原子とを連
結するためのスペーサーとして機能し、任意の構造を有
しており；Ｒ１Ｒ２Ｒ３は、それぞれ独立して、水素、
または任意の、置換または非置換の、脂肪族基、環式脂
肪族基、芳香族基、複素環基であるか、またはＲ１Ｒ２
Ｒ３およびＸから選択される２以上が一緒になって、飽
和または不飽和の窒素原子含有環式化合物を形成す
る。〕で表される。式（Ｉ）のアンモニウム基のＸとし
ては、好ましくは、任意の、置換または非置換の脂肪族
基であり、より好ましくは、ヒドロキシル基、シアノ
基、アミノ基、ハロゲンで置換された、または非置換
の、直鎖または分岐鎖の脂肪族基であり、さらにより好
ましくは、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ハロ
ゲンで置換された、または非置換の、直鎖または分岐鎖
のアルキレン基またはアルコキシアルキレン基である。
最も好ましくは、ヒドロキシル基で置換されたまたは非
置換の直鎖アルキレン基またはアルコキシルアルキレン
基である。式（Ｉ）のアンモニウム基のＲ１Ｒ２Ｒ３と
しては、好ましくは、それぞれ独立して、水素、また
は、置換もしくは非置換の、直鎖もしくは分岐鎖のＣ１
−Ｃ８脂肪族基、Ｃ３−Ｃ６環式脂肪族基、芳香族基お
よび複素環基からなる群から選択される。より好ましく
は、Ｒ１Ｒ２Ｒ３は、水素、または、置換もしくは非置
換の、直鎖もしくは分岐鎖のＣ１−Ｃ６脂肪族基であ
り、さらにより好ましくは、水素、または、置換もしく
は非置換の直鎖Ｃ１−Ｃ４脂肪族基であり、最も好まし
くは、水素、メチル基、エチル基、プロピル基またはブ
チル基である。また、Ｒ１Ｒ２Ｒ３およびＸから選択さ
れる２以上が一緒になって、飽和または不飽和の窒素原
子含有環式化合物を形成する場合としては、例えば、ピ
ロリジン環、ピペリジン環等を形成してアンモニウム基
となる場合、また、ピリジニウム環を形成して第４級ア
ンモニウム基を形成する場合等が挙げられるがこれらに
限定されるものではない。The cation-forming group contained in the metal deposition accelerating compound of the present invention refers to any group that can be positively charged in an aqueous solution. The aqueous solution here refers to an aqueous solution containing an arbitrary pH and an arbitrary component, and is not particularly limited. As the group capable of being charged to + in an aqueous solution as the cation-forming group, a group in which a nitrogen atom is charged to + is preferable,
More preferably, the nitrogen atom can form an ammonium group. Even more preferably, p above neutral
From the viewpoint of showing basicity in the range of H, the cation-forming group is a quaternary ammonium group. The ammonium group, which is a cation-forming group in the present invention, is represented by the formula: -XN + R 1 R 2 R 3 (I) [wherein X is a group for linking a saccharide to a nitrogen atom of the ammonium group. R 1 R 2 R 3 each independently function as a spacer and have an arbitrary structure;
Or any substituted or unsubstituted aliphatic, cycloaliphatic, aromatic, heterocyclic, or R 1 R 2
Two or more selected from R 3 and X together form a saturated or unsaturated nitrogen-containing cyclic compound. ] Is represented. X in the ammonium group of the formula (I) is preferably any substituted or unsubstituted aliphatic group, more preferably a hydroxyl group, cyano group, amino group, halogen-substituted or non-substituted aliphatic group. A substituted, straight-chain or branched-chain aliphatic group, even more preferably a hydroxyl-, cyano-, amino-, halogen-substituted or unsubstituted, straight-chain or branched-chain alkylene group or alkoxy. It is an alkylene group.
Most preferably, it is a straight-chain or unsubstituted linear alkylene or alkoxyl alkylene group substituted with a hydroxyl group. R 1 R 2 R 3 of the ammonium group of the formula (I) is preferably each independently hydrogen or substituted or unsubstituted, linear or branched C 1.
Selected from the group consisting of -C8 aliphatic groups, C3-C6 cycloaliphatic groups, aromatic groups and heterocyclic groups. More preferably, R 1 R 2 R 3 is hydrogen or a substituted or unsubstituted, linear or branched, C1-C6 aliphatic group, even more preferably, hydrogen, or substituted or unsubstituted. Is a straight-chain C1-C4 aliphatic group, most preferably hydrogen, methyl, ethyl, propyl or butyl. When two or more selected from R 1 R 2 R 3 and X together form a saturated or unsaturated nitrogen-containing cyclic compound, for example, a pyrrolidine ring, a piperidine ring, or the like is formed. To form an ammonium group, and a case where a pyridinium ring is formed to form a quaternary ammonium group.
【００１０】本発明の金属析出促進化合物は、化合物単
独で存在しても良いし、カチオン形成性基が陰イオンと
イオン結合した塩の状態で存在しても良く、該塩の形態
の化合物は、めっき液に溶解されることにより、カチオ
ン形成性基と該陰イオンとが解離することとなる。本発
明の金属析出促進化合物としては、めっき液に溶解され
た場合に、めっき処理に悪影響を及ぼさないものであれ
ば任意の塩の形態のものを使用することができる。例え
ば、本発明の金属析出促進化合物としては、水酸化物、
塩化物、臭化物、ヨウ化物、硫酸塩、酢酸塩、硝酸塩、
リン酸塩等のものが挙げられ、めっき金属、めっき浴の
組成等の条件に応じて適宜選択される。また、使用でき
る塩は、これら例示された塩に限定されるものではな
い。本発明の金属析出促進化合物は水溶性であるが、こ
こでの水溶性とは、めっき液において使用される条件下
で可溶性であれば足りる。The metal deposition accelerating compound of the present invention may be present alone or in the form of a salt in which a cation-forming group is ionically bonded to an anion. When dissolved in the plating solution, the cation-forming group and the anion are dissociated. As the metal deposition accelerating compound of the present invention, any salt can be used as long as it does not adversely affect the plating treatment when dissolved in a plating solution. For example, as the metal deposition accelerating compound of the present invention, hydroxide,
Chloride, bromide, iodide, sulfate, acetate, nitrate,
Phosphates and the like can be mentioned, and are appropriately selected according to conditions such as a plating metal and a composition of a plating bath. Further, usable salts are not limited to these exemplified salts. The metal deposition accelerating compound of the present invention is water-soluble, but the water-solubility herein only needs to be soluble under the conditions used in the plating solution.
【００１１】本明細書においては、糖質とは、ポリアル
コールのアルデヒド、ポリアルコールのケトン、ポリア
ルコール、およびこれらの誘導体からなる単糖；並びに
２以上の前記単糖の縮合体である多糖を含む。本発明に
おける「多糖」とは、２以上の単糖が縮合したものであ
れば良く、一般にオリゴ糖と呼ばれるような糖質も含む
ものである。「多糖」は前述の任意の単糖の１種類が縮
合されたホモ多糖であっても良いし、２種類以上の単糖
が任意の順番で縮合されることにより形成されるヘテロ
多糖であっても良い。また、多糖はあらかじめ誘導体と
された糖を含む単糖が縮合されたものであっても良い
し、任意の単糖から糖鎖が形成された後に、酸化、還
元、置換等の各種処理を行うことにより誘導体とされた
ものであっても良い。In the present specification, the saccharide means a monosaccharide comprising an aldehyde of a polyalcohol, a ketone of a polyalcohol, a polyalcohol or a derivative thereof; Including. The “polysaccharide” in the present invention may be any one obtained by condensing two or more monosaccharides, and includes a saccharide generally called an oligosaccharide. The “polysaccharide” may be a homopolysaccharide obtained by condensing any one of the aforementioned monosaccharides, or a heteropolysaccharide formed by condensing two or more monosaccharides in an arbitrary order. Is also good. In addition, the polysaccharide may be a condensed monosaccharide containing a saccharide that has been derivatized in advance, or after a sugar chain is formed from any monosaccharide, various treatments such as oxidation, reduction, and substitution are performed. Thus, the derivative may be used.
【００１２】単糖としては、グリセルアルデヒド、エリ
トロース、トレオース、アラビノース、リキソース、リ
ボース、キシロース、アロース、アルトロース、ガラク
トース、グルコース、グロース、イドース、マンノー
ス、タロース等のアルドース；リブロース、キシルロー
ス、セドヘプツロース、フルクトース、プシコース、ソ
ルボース、タガトース等のケトース；グリセロール、エ
リスリトール、キシリトール、リビトール、アラビトー
ル、ガラクチトール、ソルビトール、イジトール、マン
ニトール等の糖アルコール；フコース、ラムノース、デ
オキシリボース、デオキシグルコース、グルコサミン、
ガラクトサミン、マンノサミン、Ｎ−アセチルグルコサ
ミン、Ｎ−アセチルガラクトサミン、ガラクツロン酸、
グルクロン酸グルコン酸等の誘導体；およびこれらの単
糖をさらに酸化、還元、置換処理等することにより得ら
れた化合物が挙げられるがこれらに限定されるものでは
ない。好ましい単糖はグリセルアルデヒド、エリトロー
ス、トレオース、アラビノース、リキソース、リボー
ス、キシロース、アロース、アルトロース、ガラクトー
ス、グルコース、グロース、イドース、マンノース、タ
ロース等のアルドース；リブロース、キシルロース、セ
ドヘプツロース、フルクトース、プシコース、ソルボー
ス、タガトース等のケトース；グリセロール、エリスリ
トール、キシリトール、リビトール、アラビトール、ガ
ラクチトール、ソルビトール、イジトール、マンニトー
ル等の糖アルコールであり、より好ましくは、グリセロ
ール、エリスリトール、キシリトール、リビトール、ア
ラビトール、ガラクチトール、ソルビトール、イジトー
ル、マンニトール等の糖アルコールである。多糖として
は、２糖類であるパラチノース、マルトース、ラクトー
ス、スクロース、トレハロース、パラチトール、マルチ
トール、ラクチトール等、３糖類であるマルトトリオー
ス、イソマルトトリオース、マルトトライトール、イソ
マルトトライトール等、４糖類であるマルテトラオー
ス、イソマルテトラオース、マルテトラトライトール、
マルテトライトール、イソマルテトライトール等、ま
た、セルロース、デンプン、還元水飴糖、キチン、キシ
ラン、およびこれらの誘導体が挙げられるがこれらに限
定されるものではない。好ましい多糖としては、一般的
にオリゴ糖と呼ばれている２〜１０糖、およびこれらの
誘導体が挙げられる。The monosaccharides include aldoses such as glyceraldehyde, erythrose, threose, arabinose, lyxose, ribose, xylose, allose, altrose, galactose, glucose, growth, idose, mannose, and talose; ribulose, xylulose, sedhepturose, Ketose such as fructose, psicose, sorbose, tagatose; sugar alcohols such as glycerol, erythritol, xylitol, ribitol, arabitol, galactitol, sorbitol, iditol, mannitol; fucose, rhamnose, deoxyribose, deoxyglucose, glucosamine,
Galactosamine, mannosamine, N-acetylglucosamine, N-acetylgalactosamine, galacturonic acid,
Derivatives such as glucuronic acid gluconic acid; and compounds obtained by further oxidizing, reducing, or substituting these monosaccharides, but are not limited thereto. Preferred monosaccharides are aldoses such as glyceraldehyde, erythrose, threose, arabinose, lyxose, ribose, xylose, allose, altrose, galactose, glucose, gulose, idose, mannose and talose; ribulose, xylulose, sedoheptulose, fructose, psicose, Ketose such as sorbose and tagatose; sugar alcohols such as glycerol, erythritol, xylitol, ribitol, arabitol, galactitol, sorbitol, iditol, mannitol, and more preferably glycerol, erythritol, xylitol, ribitol, arabitol, galactitol, and sorbitol. Sugar alcohols, such as sucrose, iditol and mannitol. Examples of the polysaccharides include disaccharides such as palatinose, maltose, lactose, sucrose, trehalose, paratitol, maltitol, and lactitol. Sugars such as maltetraose, isomalteraose, maltetratetrathitol,
Examples include, but are not limited to, maltetritol, isomaltreitol, and the like, as well as cellulose, starch, reduced starch syrup, chitin, xylan, and derivatives thereof. Preferred polysaccharides include 2 to 10 saccharides generally called oligosaccharides, and derivatives thereof.
【００１３】本発明の金属析出促進化合物は、例えば、
置換めっき、無電解めっき、電解めっき等のような、任
意の公知のめっき処理に使用されるめっき液に添加され
ることができるが、これらに限定されるものではない。
本発明の金属析出促進化合物は、置換めっき処理に使用
されるめっき液に添加されるのが好ましい。The metal deposition accelerating compound of the present invention includes, for example,
It can be added to, but is not limited to, plating solutions used in any known plating process, such as displacement plating, electroless plating, electrolytic plating, and the like.
The metal deposition promoting compound of the present invention is preferably added to a plating solution used for displacement plating.
【００１４】本発明のめっき液は前記金属析出促進化合
物、およびめっき処理により析出される金属を金属イオ
ンとして含む水溶液である。本発明のめっき液を構成す
る水としては、本発明の目的を達成できるものであれば
任意のグレードの水であって良く、例えば、蒸留水、純
水、イオン交換水などが挙げられるがこれらに限定され
ない。また、本発明のめっき液には本発明の目的を達成
できる範囲内において、有機溶媒を含むことができる。The plating solution of the present invention is an aqueous solution containing the metal deposition accelerating compound and the metal deposited by plating as metal ions. The water constituting the plating solution of the present invention may be water of any grade as long as the object of the present invention can be achieved, and examples thereof include distilled water, pure water, and ion-exchanged water. It is not limited to. The plating solution of the present invention may contain an organic solvent as long as the object of the present invention can be achieved.
【００１５】本発明のめっき液にイオンの形態で含まれ
る金属としては、一般に、めっき処理によって基体上に
析出可能な、任意の金属を使用することができ、例え
ば、銀、亜鉛、アルミニウム、アンチモン、イリジウ
ム、インジウム、カドミウム、ガリウム、金、クロム、
ゲルマニウム、コバルト、すず、セレン、タリウム、
鉄、テルル、銅、鉛、ニッケル、白金、パラジウム、砒
素、ビスマス、マンガン、ロジウムなどが挙げられるが
これらに限定されるものではない。好ましくは、銀、亜
鉛、アルミニウム、カドミウム、金、クロム、コバル
ト、すず、鉄、銅、鉛、ニッケル、白金、パラジウムで
あり、より好ましくは、銀、金、白金、ニッケルであ
り、さらにより好ましくは、銀である。As the metal contained in the plating solution of the present invention in the form of ions, generally, any metal that can be deposited on a substrate by plating treatment can be used. For example, silver, zinc, aluminum, antimony , Iridium, indium, cadmium, gallium, gold, chrome,
Germanium, cobalt, tin, selenium, thallium,
Examples include, but are not limited to, iron, tellurium, copper, lead, nickel, platinum, palladium, arsenic, bismuth, manganese, rhodium, and the like. Preferably, silver, zinc, aluminum, cadmium, gold, chromium, cobalt, tin, iron, copper, lead, nickel, platinum, palladium, more preferably silver, gold, platinum, nickel, even more preferably Is silver.
【００１６】本発明のめっき液に含まれる前記金属元素
は、イオンの形態で、めっき液中に溶解された状態で存
在する。前記金属元素は、めっき液中で溶解しており、
該めっき液で基体をめっき処理することにより、金属と
して析出するものであれば、任意の形態のイオンとして
存在することができ、単独の金属イオンであっても良い
し、錯化剤と結合した錯イオンとして存在していても良
い。各金属イオンは、公知の金属めっき液で金属供給源
として使用されている任意の物質をソースとすることが
でき、特に限定されるものではない。例えば、金属元素
が銀の場合には、銀イオンのソースとなる物質として
は、例えば、硝酸銀、酢酸銀、硫酸銀、乳酸銀、安息香
酸銀、亜硝酸銀、炭酸銀、チオシアン酸銀、リン酸銀、
クエン酸銀等が挙げられるがこれらに限定されない。金
属イオンのソースとなる化合物は１種類であっても良い
し、２種類以上の化合物を混合して使用しても良い。The metal element contained in the plating solution of the present invention exists in the form of ions and dissolved in the plating solution. The metal element is dissolved in the plating solution,
By plating the substrate with the plating solution, it can exist as an ion of any form as long as it precipitates as a metal, it may be a single metal ion, or may be bound to a complexing agent. It may be present as a complex ion. The source of each metal ion may be any substance used as a metal supply source in a known metal plating solution, and is not particularly limited. For example, when the metal element is silver, a substance serving as a source of silver ions includes, for example, silver nitrate, silver acetate, silver sulfate, silver lactate, silver benzoate, silver nitrite, silver carbonate, silver thiocyanate, and phosphoric acid. Silver,
Examples include, but are not limited to, silver citrate. The compound serving as the source of the metal ion may be one kind, or two or more kinds of compounds may be used as a mixture.
【００１７】また、本発明のめっき液に含まれる金属イ
オンの量は被めっき金属の種類、望まれる金属被膜の厚
さ、めっき条件等に応じて適宜選択されるが、一般に、
金属元素として０．００１〜０．５モル／リットルの範
囲で含まれる。好ましくは、０．００２〜０．０５モル
／リットル、より好ましくは、０．００３〜０．０１モ
ル／リットルである。めっき液中の金属元素含有量が、
０．００１モル／リットル未満であると、めっき反応が
遅いか又はほとんど起こらず、０．５モル／リットルよ
り大きくしても、それに見合う効果はほとんど得られな
いことが多く経済的ではなく、さらに浴が分解しやすく
なる。The amount of metal ions contained in the plating solution of the present invention is appropriately selected according to the type of metal to be plated, the desired thickness of the metal film, plating conditions, and the like.
It is contained in the range of 0.001 to 0.5 mol / liter as a metal element. Preferably it is 0.002-0.05 mol / l, more preferably 0.003-0.01 mol / l. The metal element content in the plating solution is
If the amount is less than 0.001 mol / l, the plating reaction is slow or hardly occurs. Even if the amount is more than 0.5 mol / l, the effect corresponding thereto is hardly obtained, and it is not economical. The bath is easily decomposed.
【００１８】本発明のめっき液に含まれる、めっき液に
おける金属析出促進化合物の量は、被めっき金属の種
類、基体上での被めっき金属の面積および分布状態、望
まれる金属被膜の厚さ、めっき条件等に応じて適宜選択
されるが、一般に、糖質のカチオン形成性基の総量と金
属イオンの量が１：１０００〜１０：１のモル比の範囲
となるように含まれる。好ましくは、めっき液に含まれ
る、糖質のカチオン形成性基の総量と金属イオンの量の
モル比は１：７００〜５：１であり、より好ましくは、
１：３００〜１：１である。前記金属析出促進化合物の
カチオン形成性基の総量と金属イオンの量のモル比が
１：１０００未満の場合には、不均一な金属析出を招く
こととなり、基体上の被めっき金属の全てがめっきされ
ないこととなる。前記モル比を１０：１より大きくする
と異常析出が生じ易くなる。The amount of the metal deposition promoting compound in the plating solution contained in the plating solution of the present invention depends on the type of the metal to be plated, the area and distribution of the metal to be plated on the substrate, the desired thickness of the metal film, Although it is appropriately selected according to plating conditions and the like, it is generally included so that the total amount of the cation-forming group of the saccharide and the amount of the metal ion fall within a molar ratio of 1: 1000 to 10: 1. Preferably, the molar ratio of the total amount of carbohydrate cation-forming groups to the amount of metal ions contained in the plating solution is 1: 700 to 5: 1, more preferably
1: 300 to 1: 1. When the molar ratio of the total amount of the cation-forming groups of the metal deposition promoting compound to the amount of the metal ions is less than 1: 1000, non-uniform metal deposition is caused, and all of the metal to be plated on the substrate is plated. It will not be done. If the molar ratio is larger than 10: 1, abnormal precipitation is likely to occur.
【００１９】本発明の金属析出促進化合物は、１分子あ
たり１以上のカチオン形成性基を有し、１以上であれば
任意の数のカチオン形成性基を分子中に有することがで
きる。めっき液に添加される本発明の金属析出促進化合
物のカチオン形成性基の総量を上述の範囲に調節するた
めには、１分子中のカチオン形成性基の数を変えること
によって調節しても良いし、１分子中のカチオン形成性
基の数はそのままで、該化合物の添加量を変えることに
よって調節しても良い。また、本発明の金属析出促進化
合物は、カチオン形成性基を有しない糖と混合して使用
されても良い。The metal deposition accelerating compound of the present invention has one or more cation-forming groups per molecule, and can have any number of cation-forming groups in the molecule as long as it is one or more. In order to adjust the total amount of the cation-forming groups of the metal deposition accelerating compound of the present invention to be added to the plating solution within the above range, the total amount may be adjusted by changing the number of the cation-forming groups in one molecule. Alternatively, the number of the cation-forming groups in one molecule may be adjusted by changing the amount of the compound added while keeping the number of the cation-forming groups. Further, the metal precipitation accelerating compound of the present invention may be used as a mixture with a saccharide having no cation-forming group.
【００２０】本発明のめっき液は錯化剤を含むことがで
きる。本発明のめっき液に使用可能な錯化剤としては、
水溶性であって、めっき金属元素と可溶性錯体を形成す
るものであって、公知の金属めっき液で使用されている
物質であれば、任意の化合物を使用することができ、特
に限定されるものではない。また、単座または多座のい
ずれの形態で錯体形成するものであって良い。本発明で
使用される錯化剤の種類は、被めっき金属、望まれる金
属皮膜の厚さ、めっき液に含まれる金属元素の種類、金
属析出促進化合物等に応じて適宜選択される。好ましく
は、本発明の錯化剤としては、エチレンジアミンテトラ
酢酸、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、ジヒドロキシエ
チルグリシン、ニトリロトリ酢酸、ヒドロキシエチルエ
チレンジアミントリ酢酸、ジエチレントリアミンペンタ
酢酸、トリエチレンテトラアミンヘキサ酢酸、ジカルボ
キシメチルグルタミン酸、１，３−プロパンジアミンテ
トラ酢酸、１，３−ジアミノ−２−ヒドロキシプロパン
テトラ酢酸、アミノトリ（メチレンフォスフォン酸）、
エチレンジアミンテトラ（メチレンスルフォン酸）、ヘ
キサメチレンジアミンテトラ（メチレンスルフォン
酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンフォスフ
ォン酸）、ニトリロトリス（メチレンフォスフォン
酸）、酒石酸、クエン酸、コハク酸、リンゴ酸およびこ
れらの塩、並びに、シアン化カリウム、シアン化ナトリ
ウム等のシアン化物の塩等が挙げられる。前記錯化剤に
使用される塩としては、ナトリウムやカリウムなどのア
ルカリ金属塩や、アンモニウム塩等が挙げられるがこれ
らに限定されるものではない。本発明のめっき液におい
ては、錯化剤は１種類であっても良いし、２種類以上の
錯化剤が混合されて使用されても良い。The plating solution of the present invention can contain a complexing agent. Complexing agents that can be used in the plating solution of the present invention include:
Any compound can be used as long as it is water-soluble and forms a soluble complex with the plating metal element and is a substance used in a known metal plating solution, and is particularly limited. is not. Further, it may form a complex in either a monodentate or polydentate form. The type of the complexing agent used in the present invention is appropriately selected depending on the metal to be plated, the desired thickness of the metal film, the type of the metal element contained in the plating solution, the metal deposition promoting compound, and the like. Preferably, as the complexing agent of the present invention, ethylenediaminetetraacetic acid, hydroxyethyliminodiacetic acid, dihydroxyethylglycine, nitrilotriacetic acid, hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, triethylenetetraaminehexaacetic acid, dicarboxymethylglutamic acid 1,3-propanediaminetetraacetic acid, 1,3-diamino-2-hydroxypropanetetraacetic acid, aminotri (methylenephosphonic acid),
Ethylenediaminetetra (methylenesulfonic acid), hexamethylenediaminetetra (methylenesulfonic acid), diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid), nitrilotris (methylenephosphonic acid), tartaric acid, citric acid, succinic acid, malic acid and salts thereof And cyanide salts such as potassium cyanide and sodium cyanide. Examples of the salt used for the complexing agent include, but are not limited to, alkali metal salts such as sodium and potassium, and ammonium salts. In the plating solution of the present invention, one complexing agent may be used, or two or more complexing agents may be mixed and used.
【００２１】本発明のめっき液に含まれる錯化剤の量
は、被めっき金属の種類、金属イオンの量、望まれる金
属被膜の厚さ、金属析出促進化合物の種類および量、め
っき条件等に応じて適宜選択される。一般に、錯化剤の
モル濃度が、めっき液中に含まれる金属イオンのモル濃
度より低い場合には、金属イオンがフリーとなり浴が不
安定となる。よって、めっき液中の錯化剤のモル濃度
は、金属イオンのモル濃度よりも高いことが好ましく、
より好ましくは、金属イオンのモル濃度の１０〜５０倍
である。The amount of the complexing agent contained in the plating solution of the present invention depends on the type of the metal to be plated, the amount of metal ions, the desired thickness of the metal film, the type and amount of the metal deposition accelerating compound, the plating conditions and the like. It is appropriately selected according to the situation. Generally, when the molar concentration of the complexing agent is lower than the molar concentration of the metal ions contained in the plating solution, the metal ions become free and the bath becomes unstable. Therefore, the molar concentration of the complexing agent in the plating solution is preferably higher than the molar concentration of the metal ion,
More preferably, it is 10 to 50 times the molar concentration of the metal ion.
【００２２】本発明のめっき液には、金属の異常析出を
防止するために、抑制剤を添加することができる。本発
明における抑制剤としては、水溶性であって、めっき処
理における金属の異常析出を防止できるものであれば任
意の化合物を使用することができ、例えば、メチオニ
ン、システイン等のアミノ酸、３−アミノ−１，２，４
−トリアゾール、１Ｈ−ベンゾトリアゾール等の水溶性
ベンゾトリアゾール誘導体、ピロール、ピラゾール、イ
ミダゾール等の複素五員環物質、ピリジン、トリアジ
ン、ニコチン酸等の複素六員環物質、２，２'−ビピリ
ジン、ベンゾチアゾリルチオ酢酸、シアン化ナトリウム
およびチオシアン酸ナトリウムなどが挙げられるがこれ
らに限定されるものではない。好ましくは、メチオニ
ン、システイン、３−アミノ−１，２，４−トリアゾー
ル、１Ｈ−ベンゾトリアゾール、ピロール、ピラゾー
ル、イミダゾール、ピリジン、トリアジン、ニコチン
酸、２，２'−ビピリジン、ベンゾチアゾリルチオ酢
酸、シアン化ナトリウムおよびチオシアン酸ナトリウム
であり、より好ましくはメチオニンである。An inhibitor can be added to the plating solution of the present invention in order to prevent abnormal deposition of metal. As the inhibitor in the present invention, any compound can be used as long as it is water-soluble and can prevent abnormal deposition of a metal in plating treatment. Examples of the inhibitor include amino acids such as methionine and cysteine, and 3-amino acids. −1, 2, 4
Water-soluble benzotriazole derivatives such as -triazole and 1H-benzotriazole; 5-membered heterocyclic substances such as pyrrole, pyrazole and imidazole; 6-membered heterocyclic substances such as pyridine, triazine and nicotinic acid; 2,2'-bipyridine; Examples include, but are not limited to, thiazolylthioacetic acid, sodium cyanide and sodium thiocyanate. Preferably, methionine, cysteine, 3-amino-1,2,4-triazole, 1H-benzotriazole, pyrrole, pyrazole, imidazole, pyridine, triazine, nicotinic acid, 2,2′-bipyridine, benzothiazolylthioacetic acid, Sodium cyanide and sodium thiocyanate, more preferably methionine.
【００２３】本発明のめっき液における前記抑制剤の量
は、被めっき金属の種類、金属イオンの量、望まれる金
属被膜の厚さ、金属析出促進化合物の種類および量、め
っき条件等に応じて適宜選択されるが、例えば、メチオ
ニンの場合には、０．０１ｇ／リットル〜５０ｇ／リッ
トルの濃度であり、好ましくは、０．０５ｇ／リットル
〜１０ｇ／リットルの濃度であり、より好ましくは、
０．１ｇ／リットル〜５ｇ／リットルである。抑制剤の
濃度が０．０１ｇ／リットルより低い場合には、異常析
出が生じやすくなるので好ましくない。また、５０ｇ／
リットルより多い場合には、金属が充分に析出しなくな
るので好ましくない。The amount of the inhibitor in the plating solution of the present invention depends on the type of the metal to be plated, the amount of metal ions, the desired thickness of the metal film, the type and amount of the metal deposition accelerating compound, the plating conditions and the like. It is appropriately selected, for example, in the case of methionine, the concentration is 0.01 g / L to 50 g / L, preferably 0.05 g / L to 10 g / L, more preferably
0.1 g / liter to 5 g / liter. If the concentration of the inhibitor is lower than 0.01 g / liter, abnormal precipitation is likely to occur, which is not preferable. In addition, 50g /
If the amount is larger than 1 liter, the metal is not sufficiently precipitated, which is not preferable.
【００２４】本発明のめっき液には、建浴初期の金属析
出を向上させるために、基体上の被めっき金属元素と同
じ金属元素をイオンの形態でめっき液に添加することが
できる。該被めっき金属元素は、めっき液中で、任意の
形態のイオンとして存在することができ、単独の金属イ
オンであっても良いし、錯化剤と結合した錯イオンとし
て存在していても良い。該被めっき金属イオンは、公知
の金属めっき液で金属供給源として使用されている任意
の物質をソースとすることができ、特に限定されるもの
ではない。例えば、被めっき金属が銅の場合には、銅イ
オンのソースとなる物質としては、例えば、硫酸銅、硝
酸銅、塩化銅、臭化銅、酸化銅、水酸化銅、およびシア
ン化銅が挙げられるがこれらに限定されるものではな
く、好ましくは、硫酸銅、硝酸銅、塩化銅である。金属
イオンのソースとなる化合物は１種類であっても良い
し、２種類以上の化合物を混合したものであっても良
い。In the plating solution of the present invention, the same metal element as the metal element to be plated on the substrate can be added to the plating solution in the form of ions in order to improve the metal deposition in the initial stage of the bath. The metal element to be plated can exist in the plating solution as an ion of any form, may be a single metal ion, or may exist as a complex ion combined with a complexing agent. . The metal ion to be plated can be any source used as a metal supply source in a known metal plating solution, and is not particularly limited. For example, when the metal to be plated is copper, examples of the substance serving as a source of copper ions include copper sulfate, copper nitrate, copper chloride, copper bromide, copper oxide, copper hydroxide, and copper cyanide. Although not limited thereto, copper sulfate, copper nitrate, and copper chloride are preferred. The compound serving as the source of the metal ion may be one kind or a mixture of two or more kinds of compounds.
【００２５】また、本発明のめっき液に含まれる前記被
めっき金属イオンの量は被めっき金属の種類、望まれる
金属被膜の厚さ、めっき金属イオンの種類および濃度、
各種添加剤の濃度、めっき条件等に応じて適宜選択され
るが、一般に、金属元素として０．００００１〜０．１
モル／リットルの範囲で含まれる。好ましくは、０．０
０００８〜０．０１モル／リットル、より好ましくは、
０．０００５〜０．００５モル／リットルである。めっ
き液中の金元素含有量が、０．００００１モル／リット
ル未満である場合には、建浴時の金属の析出が悪く、
０．１モル／リットルより大きい場合には、浴液が不安
定となり分解しやすくなるので好ましくない。The amount of the metal ions to be plated contained in the plating solution of the present invention depends on the type of the metal to be plated, the desired thickness of the metal film, the type and concentration of the plating metal ions,
It is appropriately selected according to the concentration of various additives, plating conditions, and the like.
It is included in the range of mol / liter. Preferably, 0.0
0008-0.01 mol / l, more preferably
0.0005 to 0.005 mol / liter. When the content of the gold element in the plating solution is less than 0.00001 mol / liter, the precipitation of metal during the bathing is poor,
If it is more than 0.1 mol / liter, the bath liquid is not stable because it becomes unstable and decomposes easily.
【００２６】本発明のめっき液のｐＨは、被めっき金
属、めっき金属、望まれる金属被膜の厚さ、金属析出促
進化合物の種類および濃度、その他めっき液に添加され
る化合物の種類および濃度等に応じて適宜調整される。
通常、置換めっきにおいて使用されるめっき液では、め
っき液のｐＨが中性付近よりも高くなると、金属の析出
速度が低下するという問題が生じる。本発明のめっき液
においては、本発明の金属析出促進化合物が金属析出速
度を向上させるため、中性より高いｐＨの範囲において
も、適切に金属を析出させることが可能となる。よっ
て、本発明のめっき液のｐＨは一般にｐＨ１．０〜１
４．０であり、好ましくは、ｐＨ４．０〜１２．０であ
り、より好ましくは、ｐＨ６．０〜１２．０である。前
記めっき液のｐＨの調整には、水溶性酸、水溶性塩基を
はじめとするｐＨ調整剤を使用することができ、ｐＨ調
整剤としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、水酸化アンモニウム、硫酸、亜硫酸、塩酸、リン
酸、スルファミン酸、有機スルホン酸類、ホスホン酸
類、カルボン酸類等が挙げられるがこれらに限定される
ものではない。また、本発明のめっき液には、めっき中
のｐＨの変動を抑制するために、必要に応じて、ｐＨ安
定剤を含有させることが出来る。使用可能なｐＨ安定剤
としては、例えば、リン酸塩、亜リン酸塩、ホウ酸塩、
カルボン酸類の塩等が挙げられるがこれらに限定される
ものではない。本発明のめっき液中に含まれるｐＨ安定
剤の量は、めっき液のｐＨ、めっき液中に含まれる他の
種々の化合物に応じて適宜設定される。The pH of the plating solution of the present invention depends on the metal to be plated, the plating metal, the desired thickness of the metal film, the type and concentration of the metal deposition promoting compound, and the type and concentration of the compound added to the plating solution. It is adjusted as needed.
Usually, in the plating solution used in displacement plating, when the pH of the plating solution is higher than near neutrality, there is a problem that the metal deposition rate is reduced. In the plating solution of the present invention, the metal deposition accelerating compound of the present invention improves the metal deposition rate, so that the metal can be appropriately deposited even in a pH range higher than neutrality. Therefore, the plating solution of the present invention generally has a pH of 1.0 to 1
4.0, preferably pH 4.0 to 12.0, and more preferably pH 6.0 to 12.0. For adjusting the pH of the plating solution, a pH adjusting agent such as a water-soluble acid or a water-soluble base can be used. Examples of the pH adjusting agent include sodium hydroxide, potassium hydroxide, and ammonium hydroxide. , Sulfuric acid, sulfurous acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, sulfamic acid, organic sulfonic acids, phosphonic acids, carboxylic acids, and the like, but are not limited thereto. Further, the plating solution of the present invention may contain a pH stabilizer as necessary in order to suppress a fluctuation in pH during plating. Possible pH stabilizers include, for example, phosphates, phosphites, borates,
Examples include, but are not limited to, salts of carboxylic acids. The amount of the pH stabilizer contained in the plating solution of the present invention is appropriately set according to the pH of the plating solution and various other compounds contained in the plating solution.
【００２７】本発明の金属析出促進化合物は添加剤とし
てめっき液に添加されることができ、該添加剤は、めっ
き液に添加して使用される、水溶性錯化剤、水溶性抑制
剤、ｐＨ調整剤、界面活性剤等からなる群から選択され
る薬剤の１以上をさらに含むことも可能である。The metal deposition accelerating compound of the present invention can be added to a plating solution as an additive. The additive may be a water-soluble complexing agent, a water-soluble inhibitor, It may further include one or more agents selected from the group consisting of pH adjusters, surfactants, and the like.
【００２８】被めっき金属部分を有する基体を、本発明
のめっき液で置換めっき処理することにより、基体上の
被めっき金属の表面にめっき金属被膜が形成されること
となる。本発明のめっき液を用いた置換めっき方法にお
いて使用される基体は、めっき金属より卑な金属である
任意の金属を被めっき部分として有することができる。
該基体上の被めっき金属部分は、基体上に任意の大き
さ、形状、分布状態で存在することができ、基体の一部
分に被めっき金属が存在していても良いし、基体の全面
が被めっき金属であってもよい。また、基体上の被めっ
き部分を構成する金属は、めっき金属よりも卑な金属で
あれば、単一の金属元素からなる金属であっても良い
し、複数の金属元素からなる合金であっても良い。ま
た、１つの基体上に、異なる金属元素からなる複数の被
めっき部分が存在するものであっても良い。被めっき金
属としては、例えば、銀、亜鉛、アルミニウム、アンチ
モン、イリジウム、インジウム、カドミウム、ガリウ
ム、クロム、ゲルマニウム、コバルト、すず、セレン、
タリウム、鉄、テルル、銅、鉛、ニッケル、白金、パラ
ジウム、砒素、ビスマス、マンガン、ロジウムの元素を
含む金属、およびこれらの合金などが挙げられるがこれ
らに限定されるものではない。好ましくは、本発明の基
体上の被めっき金属として使用される金属は銅である。By subjecting a substrate having a portion to be plated to displacement plating with the plating solution of the present invention, a plated metal film is formed on the surface of the metal to be plated on the substrate. The substrate used in the displacement plating method using the plating solution of the present invention can have, as a portion to be plated, any metal that is a metal lower than the plating metal.
The portion of the metal to be plated on the substrate can exist on the substrate in any size, shape, and distribution state, and the metal to be plated can exist on a portion of the substrate, or the entire surface of the substrate can be covered. It may be a plated metal. Further, the metal constituting the portion to be plated on the base may be a metal composed of a single metal element, or an alloy composed of a plurality of metal elements, as long as the metal is lower than the plating metal. Is also good. Further, a plurality of plated portions made of different metal elements may be present on one substrate. Examples of the metal to be plated include silver, zinc, aluminum, antimony, iridium, indium, cadmium, gallium, chromium, germanium, cobalt, tin, selenium,
Examples include, but are not limited to, metals containing the elements thallium, iron, tellurium, copper, lead, nickel, platinum, palladium, arsenic, bismuth, manganese, and rhodium, and alloys thereof. Preferably, the metal used as the metal to be plated on the substrate of the present invention is copper.
【００２９】本発明の基体は、被めっき金属を有してい
る限りは、任意の形状であることができ、例えば、平板
状、曲板状のような板状物、棒状物、球状物が挙げられ
るがこれらに限定されるものではない。また、基体は
溝、穴等の微細な加工が施されたものであっても良く、
好ましくは、プリント回路ボード、ＩＣカード用の基
体、ＩＴＯ基板、ＩＣパッケージ用の基体などの電子部
品であり、より好ましくは、基体はプリント回路ボード
である。The substrate of the present invention can have any shape as long as it has a metal to be plated. For example, a plate-like object such as a flat plate or a curved plate, a rod-like object, or a spherical object can be used. Examples include, but are not limited to: Further, the base body may be one subjected to fine processing such as a groove and a hole,
Preferably, it is an electronic component such as a printed circuit board, a base for an IC card, an ITO substrate, a base for an IC package, and more preferably, the base is a printed circuit board.
【００３０】本発明のめっき液による置換めっき処理
は、基体上の被めっき金属を前記めっき液と接触させる
ことにより行われる。基体上の被めっき金属と前記めっ
き液が接触するのであれば、任意の方法で処理すること
ができ、好ましくは、基体をめっき液中に浸漬させるこ
とにより処理される。本発明のめっき液による置換めっ
き処理は、めっき温度（めっき液の液温）２５〜６０
℃、好ましくは３５〜５０℃で行われる。めっき温度が
２５℃以下であると、めっき被膜の析出速度が遅いため
生産性が悪くなり不経済であり、６０℃を越えるとめっ
き液中の成分が分解する恐れがある。また、本発明にお
けるめっき処理時間は、望まれる金皮膜の厚さ、使用さ
れる金属基体等により適宜設定されることとなるが、一
般に３０秒から１０分であり、好ましくは１〜５分であ
る。The displacement plating with the plating solution of the present invention is performed by bringing the metal to be plated on the substrate into contact with the plating solution. As long as the metal to be plated on the substrate comes into contact with the plating solution, the treatment can be carried out by any method, preferably by immersing the substrate in the plating solution. The displacement plating treatment using the plating solution of the present invention is performed at a plating temperature (solution temperature of the plating solution) of 25 to 60.
C., preferably at 35-50.degree. If the plating temperature is 25 ° C. or lower, the deposition rate of the plating film is low, and the productivity is deteriorated, which is uneconomical. If it exceeds 60 ° C., the components in the plating solution may be decomposed. The plating time in the present invention is appropriately set depending on the desired thickness of the gold film, the metal substrate to be used, and the like, but is generally 30 seconds to 10 minutes, preferably 1 to 5 minutes. is there.
【００３１】本発明の置換めっき処理を行なう場合、め
っき液の撹拌を行なうことは差し支えなく、あけ替え濾
過、循環濾過を行なうこともでき、特に濾過器でめっき
液を循環濾過することが好ましく、これによりめっき液
の温度を均一化し、且つめっき液中のゴミ、沈澱物等を
除去することができる。In carrying out the displacement plating treatment of the present invention, stirring of the plating solution may be carried out, and replacement filtration and circulation filtration may be performed. In particular, it is preferable to carry out circulation filtration of the plating solution with a filter. As a result, the temperature of the plating solution can be made uniform, and dust and precipitates in the plating solution can be removed.
【００３２】本発明のめっき液で基体を置換めっき処理
する前の工程に、めっき液中の構成成分の希釈防止、お
よび前処理工程からのコンタミ防止を目的として、めっ
き液中の金属イオン等の特定の成分を除いた液にプレデ
ィップする、プレディップ工程を導入してもよい。ま
た、めっき処理により析出した金属の表面を光沢感のあ
るものにするために、置換めっき処理の前に、基体上の
被めっき金属に光沢を付与するエッチング処理を行うこ
ともできる。In the step before subjecting the substrate to the displacement plating treatment with the plating solution of the present invention, for the purpose of preventing dilution of the components in the plating solution and preventing contamination from the pretreatment step, metal ions and the like in the plating solution are removed. A pre-dip step of pre-dip into a liquid from which specific components have been removed may be introduced. Further, in order to make the surface of the metal deposited by the plating process glossy, an etching process for imparting gloss to the metal to be plated on the substrate can be performed before the displacement plating process.
【００３３】本発明のめっき液を用いた置換めっき処理
によって、基体上の被めっき金属部分が、めっき金属被
膜で覆われた複合材料が形成されることとなる。該複合
材料における、金属被膜が析出し難い部分の膜厚は０．
０１μｍ以上、好ましくは、０．０２μｍ以上、より好
ましくは、０．０３μｍ以上である。本発明のめっき液
を用いて置換めっき処理を行うと、めっき金属の析出速
度が向上される。このため、基体上の場所によっては、
めっき金属の析出速度が遅い部分のある、プリント回路
ボードのような基体をめっき処理する場合でも、従来の
めっき液で生じるような、めっき金属の析出のむら、不
完全を生じることなく、基体上の被めっき金属の全面に
めっき金属を析出させることが可能となる。特に、本発
明は、めっき金属が銀である、本発明のめっき液を用い
て、被めっき金属として銅を有するプリント回路ボード
を置換めっきする場合に、ボード上の銅を容易に完全に
被覆できるという利点を有している。さらに、該めっき
処理により形成された、基体上の銅が銀で被覆された複
合材料は、その後にリフロー処理された場合において
も、銀被膜の変色がほとんど生じないという利点を有し
ている。以下、本発明をさらに詳細に説明するものとし
て実施例を記載するが、該実施例は本発明の範囲を限定
するものではない。By the displacement plating treatment using the plating solution of the present invention, a composite material is formed in which the metal portion to be plated on the substrate is covered with the plating metal film. In the composite material, the thickness of the portion where the metal coating is unlikely to be deposited is 0.1 mm.
It is at least 01 μm, preferably at least 0.02 μm, more preferably at least 0.03 μm. When the displacement plating treatment is performed using the plating solution of the present invention, the deposition rate of the plating metal is improved. For this reason, depending on the location on the substrate,
Even when plating a substrate such as a printed circuit board with a portion where the deposition rate of the plating metal is slow, unevenness of plating metal deposition, such as occurs with a conventional plating solution, does not occur, and the plating The plating metal can be deposited on the entire surface of the metal to be plated. In particular, the present invention can easily and completely cover the copper on the board when using a plating solution of the present invention, in which the plating metal is silver, to replace-plate a printed circuit board having copper as the metal to be plated. It has the advantage that. Furthermore, the composite material formed by the plating process, in which the copper on the substrate is coated with silver, has the advantage that the silver coating hardly discolors even when it is subsequently reflowed. Hereinafter, examples will be described to explain the present invention in more detail, but the examples do not limit the scope of the present invention.
【００３４】[0034]
【実施例】実施例１ カチオン形成性基を有するオリゴ糖を含むめっき液 純水に、以下の薬物を示された濃度、ｐＨとなるように
溶解させめっき液を作成した：硝酸銀１ｇ／リットル、
ジエチレントリアミンペンタ酢酸９０ｇ／リットル、式
（ＩＩ）Example 1 Plating Solution Containing Oligosaccharide Having Cation-Forming Group The following drugs were dissolved in pure water to the indicated concentration and pH to prepare a plating solution: silver nitrate 1 g / liter,
Diethylenetriaminepentaacetic acid 90 g / liter, formula (II)
【００３５】[0035]
【化１】 Embedded image
【００３６】〔式中、ｎは、糖質の１０重量％以下がｎ
＝１であり、５０〜６６重量％がｎ＝２であり、１５〜
２５重量％がｎ＝３であり、２０〜２５重量％がｎ＝４
〜１５の整数である〕の構造を有する金属析出促進化合
物およびカチオン形成性基を有しない糖質を含む糖質混
合物（該混合物中の窒素含有量０．１重量％）１．２ｇ
／リットル、ｐＨ＝７．３。なお、ｐＨの調整は水酸化
ナトリウム溶液または硝酸を使用することにより行っ
た。また、実施例１〜３のめっき液を使用する場合は、
あらかじめダミーの基板の処理を行い、該めっき液中に
銅イオンを溶解させた。Wherein n is less than 10% by weight of the saccharide
= 1, 50-66% by weight n = 2,
25% by weight is n = 3 and 20 to 25% by weight is n = 4.
A carbohydrate mixture containing a metal precipitation accelerating compound having a structure of the following formula and a carbohydrate having no cation-forming group (nitrogen content in the mixture is 0.1% by weight): 1.2 g
/ Liter, pH = 7.3. The pH was adjusted by using a sodium hydroxide solution or nitric acid. When using the plating solutions of Examples 1 to 3,
A dummy substrate was previously treated to dissolve copper ions in the plating solution.
【００３７】実施例２および３ カチオン形成性基を有するオリゴ糖を含むめっき液 実施例２においては、式（ＩＩ）を有する金属析出促進
化合物およびカチオン形成性基を有しない糖質を含む糖
質混合物中の窒素含有量が１．０重量％であり、糖質混
合物濃度が０．１２ｇ／リットルであることを除き、実
施例１と同じ組成およびｐＨのめっき液を作成した。実
施例３においては、式（ＩＩ）を有する金属析出促進化
合物およびカチオン形成性基を有しない糖質を含む糖質
混合物中の窒素含有量が４．０重量％であり、糖質混合
物濃度が０．１２ｇ／リットルであることを除き、実施
例１と同じ組成およびｐＨのめっき液を作成した。Examples 2 and 3 A plating solution containing an oligosaccharide having a cation-forming group. In Example 2, a metal precipitation promoting compound having the formula (II) and a saccharide containing a saccharide having no cation-forming group were used. A plating solution having the same composition and pH as in Example 1 was prepared except that the nitrogen content in the mixture was 1.0% by weight and the concentration of the saccharide mixture was 0.12 g / liter. In Example 3, the nitrogen content in the carbohydrate mixture containing the metal precipitation promoting compound having the formula (II) and the carbohydrate having no cation-forming group was 4.0% by weight, and the carbohydrate mixture concentration was A plating solution having the same composition and pH as in Example 1 was prepared except that the plating solution was 0.12 g / liter.
【００３８】実施例４ カチオン形成性基を有する糖アルコールを含むめっき液 純水に、以下の薬物を示された濃度、ｐＨとなるように
溶解させめっき液を作成した：硝酸銀１ｇ／リットル、
ジエチレントリアミンペンタ酢酸７０ｇ／リットル、Ｄ
Ｌ−メチオニン１ｇ／リットル、硝酸銅３水和物０．０
５７ｇ／リットル、エリスリトールと金属析出促進化合
物であるエリスリトールの水酸基の何れかが（３−トリ
メチルアンモニオ−２−ヒドロキシ）プロピル基で置換
された糖質である、Ｘ−（３−トリメチルアンモニオ−
２−ヒドロキシ）プロピルエーテルエリスリトール〔Ｘ
は１〜４の何れか〕との混合物（該混合物中の窒素含有
量３重量％）０．０９ｇ／リットル、ｐＨ＝７．２５。
なお、ｐＨの調整は水酸化ナトリウム溶液または硝酸を
使用することにより行った。Example 4 Plating Solution Containing a Sugar Alcohol Having a Cation-Forming Group The following drugs were dissolved in pure water to the indicated concentration and pH to prepare a plating solution: silver nitrate 1 g / liter,
Diethylenetriaminepentaacetic acid 70 g / l, D
L-methionine 1 g / liter, copper nitrate trihydrate 0.0
X- (3-trimethylammonio-), a saccharide in which any one of the hydroxyl groups of erythritol and erythritol, which is a metal deposition promoting compound, is substituted with (3-trimethylammonio-2-hydroxy) propyl group, at 57 g / liter.
2-hydroxy) propyl ether erythritol [X
Is 0.09 g / l, and the pH is 7.25.
The pH was adjusted by using a sodium hydroxide solution or nitric acid.
【００３９】実施例５および６ カチオン形成性基を有する糖アルコールを含むめっき液 実施例５においては、金属析出促進化合物を含む混合物
として、キシリトールとＸ−（３−トリメチルアンモニ
オ−２−ヒドロキシ）プロピルエーテルキシリトール
〔Ｘは１〜５の何れか〕との混合物（該混合物中の窒素
含有量３重量％）を使用したことを除き、実施例４と同
じ組成およびｐＨのめっき液を作成した。実施例６にお
いては、金属析出促進化合物を含む混合物として、ソル
ビトールとＸ−（３−トリメチルアンモニオ−２−ヒド
ロキシ）プロピルエーテルソルビトール〔Ｘは１〜６の
何れか〕との混合物（該混合物中の窒素含有量３重量
％）を使用したことを除き、実施例４と同じ組成および
ｐＨのめっき液を作成した。Examples 5 and 6 Plating solution containing sugar alcohol having a cation-forming group In Example 5, xylitol and X- (3-trimethylammonio-2-hydroxy) were used as a mixture containing a metal deposition promoting compound. A plating solution having the same composition and pH as in Example 4 was prepared, except that a mixture with propyl ether xylitol (X is any one of 1 to 5) (nitrogen content in the mixture was 3% by weight). In Example 6, a mixture containing sorbitol and X- (3-trimethylammonio-2-hydroxy) propyl ether sorbitol [X is any one of 1 to 6] (in the mixture, Was used, except that a nitrogen content of 3% by weight was used.
【００４０】比較例１ 本発明の金属析出促進化合物を含まないめっき液 純水に、以下の薬物を示された濃度、ｐＨとなるように
溶解させめっき液を作成した：硝酸銀１ｇ／リットル、
ジエチレントリアミンペンタ酢酸７０ｇ／リットル、ｐ
Ｈ＝７．２５。なお、ｐＨの調整は水酸化ナトリウム溶
液または硝酸を使用することにより行った。Comparative Example 1 A plating solution containing no metal deposition promoting compound of the present invention was prepared by dissolving the following drugs in pure water so as to have the indicated concentration and pH: silver nitrate 1 g / liter,
Diethylenetriaminepentaacetic acid 70 g / liter, p
H = 7.25. The pH was adjusted by using a sodium hydroxide solution or nitric acid.
【００４１】置換めっき処理 通常の電気製品に使用される程度にパターン付けされた
銅回路を表面上に有する、プリント回路ボード（銅張り
積層板ＦＲ−４、日立化成社製、縦１０ｃｍ×横５．５
ｃｍ）を基体として使用した。該基体上の銅回路部分か
ら５ヶ所を選び、それぞれ測定点１〜５とした。上記実
施例１〜６または比較例１のめっき液を用いて、該基体
に置換銀めっきを以下のプロセスを用いて行った。以下
のプロセスの各処理は、めっき処理において通常使用さ
れる薬液を用いて行われた。Displacement plating treatment A printed circuit board (copper clad laminate FR-4, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., 10 cm long × 5 cm wide) having on its surface a copper circuit patterned to such an extent as to be used for ordinary electric appliances. .5
cm) was used as the substrate. Five points were selected from the copper circuit portion on the substrate, and measurement points 1 to 5 were respectively obtained. Using the plating solutions of Examples 1 to 6 or Comparative Example 1, displacement silver plating was performed on the substrate by the following process. Each process of the following processes was performed using the chemical solution usually used in the plating process.
【００４２】置換銀めっきプロセスSubstitution silver plating process
【表１】 [Table 1]
【００４３】めっき処理終了後、各測定点において析出
した銀被膜の厚さを、蛍光Ｘ線膜厚計を使用して測定
し、さらに、ボード全体における銀被膜の形成状態を目
視で観察した。めっき処理により得られた銀被覆複合材
料は図１に示される温度プロファイルでリフロー処理さ
れ、リフロー処理後の銀被膜の変色を目視観察した。こ
れらの結果を表２に示す。表２における目視観察での
「良好」とは、ボード上の銅の全体が銀被膜に覆われ、
被めっき金属である銅の色が目視により観察されなかっ
たことをいい、「不良」とは、部分的に被めっき金属で
ある銅色が観察されたことをいう。After completion of the plating treatment, the thickness of the silver film deposited at each measurement point was measured using a fluorescent X-ray film thickness meter, and the formation state of the silver film on the entire board was visually observed. The silver-coated composite material obtained by the plating treatment was subjected to a reflow treatment according to the temperature profile shown in FIG. 1, and the silver coating after the reflow treatment was visually observed for discoloration. Table 2 shows the results. "Good" by visual observation in Table 2 means that the entire copper on the board was covered with the silver coating,
It means that the color of the copper to be plated was not visually observed, and "bad" means that the copper color of the metal to be plated was partially observed.
【００４４】[0044]
【表２】 [Table 2]
【００４５】本発明のめっき液である実施例１〜６のめ
っき液を用いた場合には、各測定点において銀被膜が形
成されており、また、ボード全体を目視観察した場合
に、ボード上の全ての銅部分に銀被膜の形成が認められ
た。本発明の金属析出促進化合物を含まない比較例１の
めっき液においては銀被膜が形成されていない部分が存
在し、これは目視によっても明らかであった。よって、
本発明の金属析出促進化合物は、めっきにおいて金属の
析出を向上させることが明らかとなった。また、置換め
っきにおいて本発明のめっき液を使用することにより、
プリント回路ボードの被めっき部分の全体をむらなくめ
っきすることが可能となった。さらに、本発明のめっき
液を用いて形成された銀被膜は、リフロー処理によって
も変色することはなかった。しかし、本発明の金属析出
促進化合物を含まない比較例１のめっき液を用いて形成
された銀被膜は、リフロー処理によって変色した。よっ
て、本発明の金属析出促進化合物をめっき液に添加する
ことにより、形成された金属被膜の加熱による酸化、変
性を防止できることが明らかとなった。When the plating solutions of Examples 1 to 6, which are the plating solutions of the present invention, were used, a silver film was formed at each measurement point, and when the entire board was visually observed, The formation of a silver film was observed on all the copper portions of. In the plating solution of Comparative Example 1 which did not contain the metal deposition promoting compound of the present invention, there was a portion where no silver coating was formed, which was also evident visually. Therefore,
It has been clarified that the metal deposition promoting compound of the present invention improves the deposition of metal in plating. Further, by using the plating solution of the present invention in displacement plating,
It has become possible to evenly plate the entire portion of the printed circuit board to be plated. Further, the silver coating formed using the plating solution of the present invention did not change its color even by the reflow treatment. However, the silver coating formed using the plating solution of Comparative Example 1 containing no metal deposition promoting compound of the present invention was discolored by the reflow treatment. Therefore, it has been clarified that by adding the metal deposition accelerating compound of the present invention to the plating solution, oxidation and denaturation of the formed metal film by heating can be prevented.
【００４６】[0046]
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の金属析
出促進化合物はめっき液に添加されることにより、従来
のめっき処理において問題であった、金属析出速度の遅
さに起因する、不十分なめっき金属の析出という問題点
を改善し、また、本発明の金属析出促進化合物を含むめ
っき液を用いためっき処理により形成された金属被膜
は、従来のめっき液を用いた場合に比べ、その後の加熱
によっても変性、酸化し難いという有利な効果を可能に
した。また、本発明の金属析出促進化合物を使用するこ
とにより、従来では、金属析出速度が小さく被膜形成が
不十分になりがちであった、ｐＨが中性以上の条件下で
も、実用に耐える金属被膜の形成を可能にした。As described above, when the metal deposition accelerating compound of the present invention is added to a plating solution, the metal deposition accelerating compound, which is a problem in the conventional plating treatment, is caused by the slow metal deposition rate. Improving the problem of sufficient plating metal deposition, the metal film formed by plating using a plating solution containing a metal deposition promoting compound of the present invention, compared with the case of using a conventional plating solution, An advantageous effect of being less likely to be denatured and oxidized even by subsequent heating is enabled. In addition, by using the metal deposition accelerating compound of the present invention, conventionally, the metal deposition rate tends to be small and the film formation tends to be insufficient. Was formed.
【図１】 図１は本発明により製造された複合材料のリ
フロー条件を示すグラフである。FIG. 1 is a graph showing reflow conditions of a composite material manufactured according to the present invention.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596156668 455 Ｆｏｒｅｓｔ Ｓｔｒｅｅｔ，Ｍａ ｒｌｂｏｒｏｕｇｈ，ＭＡ 01752 Ｕ. Ｓ．Ａ Ｆターム(参考） 4K022 AA42 BA01 BA02 BA03 BA06 BA07 BA08 BA09 BA10 BA11 BA14 BA17 BA18 BA21 BA25 BA28 DA03 DB01 DB21 DB26 DB28 DB29 5E343 AA02 AA11 BB16 BB24 BB25 BB71 CC78 DD33 GG06 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (71) Applicant 596156668 455 Forest Street, Marlborough, MA 01752 U.S.A. A F term (reference) 4K022 AA42 BA01 BA02 BA03 BA06 BA07 BA08 BA09 BA10 BA11 BA14 BA17 BA18 BA21 BA25 BA28 DA03 DB01 DB21 DB26 DB28 DB29 5E343 AA02 AA11 BB16 BB24 BB25 BB71 CC78 DD33 GG06
Claims (23)
である、めっき液における金属析出促進化合物。1. A metal deposition promoting compound in a plating solution, which is a water-soluble saccharide having at least one nitrogen atom.
形成している請求項１記載の、めっき液における金属析
出促進化合物。2. The compound according to claim 1, wherein at least one of the nitrogen atoms forms a cation-forming group.
性の糖質である、めっき液における金属析出促進化合
物。3. A compound for promoting metal deposition in a plating solution, which is a water-soluble saccharide having at least one cation-forming group.
ース、トレオース、アラビノース、リキソース、リボー
ス、キシロース、アロース、アルトロース、ガラクトー
ス、グルコース、グロース、イドース、マンノース、タ
ロース、リブロース、キシルロース、セドヘプツロー
ス、フルクトース、プシコース、ソルボース、タガトー
ス、グリセロール、エリスリトール、キシリトール、リ
ビトール、アラビトール、ガラクチトール、ソルビトー
ル、イジトール、マンニトールおよびこれらの誘導体か
らなる群から選択される単糖；並びに前記単糖の縮合体
である多糖および該多糖の誘導体からなる群から選択さ
れる、請求項１〜３の何れか１項記載の金属析出促進化
合物。4. The carbohydrate is glyceraldehyde, erythrose, threose, arabinose, lyxose, ribose, xylose, allose, altrose, galactose, glucose, growth, idose, mannose, talose, ribulose, xylulose, sedoheptulose, fructose, A monosaccharide selected from the group consisting of psicose, sorbose, tagatose, glycerol, erythritol, xylitol, ribitol, arabitol, galactitol, sorbitol, iditol, mannitol and derivatives thereof; and a polysaccharide which is a condensate of the monosaccharide and The metal deposition promoting compound according to any one of claims 1 to 3, which is selected from the group consisting of polysaccharide derivatives.
基である、請求項４記載の金属析出促進化合物。5. The compound according to claim 4, wherein the cation-forming group is a quaternary ammonium group.
出促進化合物を含む金属析出促進剤。6. A metal deposition accelerator comprising the metal deposition accelerating compound according to claim 1.
剤、界面活性剤からなる群から選択される薬剤の１以上
をさらに含む、請求項６記載の金属析出促進剤。7. The metal deposition accelerator according to claim 6, further comprising one or more agents selected from the group consisting of a water-soluble complexing agent, a water-soluble inhibitor, a pH adjuster, and a surfactant.
出促進化合物および金属イオンを含むめっき液。8. A plating solution comprising the metal deposition promoting compound according to claim 1 and a metal ion.
アンチモン、イリジウム、インジウム、カドミウム、ガ
リウム、金、クロム、ゲルマニウム、コバルト、すず、
セレン、タリウム、鉄、テルル、銅、鉛、ニッケル、白
金、パラジウム、砒素、ビスマス、マンガン、およびロ
ジウムからなる群から選択される１以上の元素のイオン
である請求項８記載のめっき液。9. The method according to claim 9, wherein the metal ions are silver, zinc, aluminum,
Antimony, iridium, indium, cadmium, gallium, gold, chromium, germanium, cobalt, tin,
The plating solution according to claim 8, wherein the plating solution is an ion of one or more elements selected from the group consisting of selenium, thallium, iron, tellurium, copper, lead, nickel, platinum, palladium, arsenic, bismuth, manganese, and rhodium.
記載のめっき液。10. The method according to claim 9, wherein the metal ions are silver ions.
The plating solution described.
とのモル比が１：１０００〜１０：１となるように存在
する請求項８〜１０の何れか１項記載のめっき液。11. The plating solution according to claim 8, wherein the molar ratio of the cation-forming group of the saccharide to the metal ion is 1: 1000 to 10: 1.
何れか１項記載のめっき液。12. The plating solution according to claim 8, further comprising a complexing agent.
酸、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、ジヒドロキシエチ
ルグリシン、ニトリロトリ酢酸、ヒドロキシエチルエチ
レンジアミントリ酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢
酸、トリエチレンテトラアミンヘキサ酢酸、ジカルボキ
シメチルグルタミン酸、１，３−プロパンジアミンテト
ラ酢酸、１，３−ジアミノ−２−ヒドロキシプロパンテ
トラ酢酸、アミノトリ（メチレンフォスフォン酸）、エ
チレンジアミンテトラ（メチレンスルフォン酸）、ヘキ
サメチレンジアミンテトラ（メチレンスルフォン酸）、
ジエチレントリアミンペンタ（メチレンフォスフォン
酸）、ニトリロトリス（メチレンフォスフォン酸）、お
よびこれらの塩、並びにこれらの混合物からなる群から
選択される請求項１２記載のめっき液。13. The complexing agent is ethylenediaminetetraacetic acid, hydroxyethyliminodiacetic acid, dihydroxyethylglycine, nitrilotriacetic acid, hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, triethylenetetraaminehexaacetic acid, dicarboxymethylglutamic acid, , 3-propanediaminetetraacetic acid, 1,3-diamino-2-hydroxypropanetetraacetic acid, aminotri (methylenephosphonic acid), ethylenediaminetetra (methylenesulfonic acid), hexamethylenediaminetetra (methylenesulfonic acid),
13. The plating solution according to claim 12, wherein the plating solution is selected from the group consisting of diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid), nitrilotris (methylenephosphonic acid), salts thereof, and mixtures thereof.
何れか１項記載のめっき液。14. The plating solution according to claim 8, further comprising an inhibitor.
しないアミノ酸、水溶性ベンゾトリアゾール誘導体、複
素五員環物質、複素六員環物質、２，２'−ビピリジ
ン、ベンゾチアゾリルチオ酢酸、シアン化ナトリウムお
よびチオシアン酸ナトリウムからなる群から選択される
化合物の１以上である請求項１４記載のめっき液。15. The inhibitor, wherein the inhibitor is an amino acid having no quaternary ammonium group, a water-soluble benzotriazole derivative, a five-membered heterocyclic compound, a six-membered heterocyclic compound, 2,2′-bipyridine, benzothiazolylthioacetic acid, The plating solution according to claim 14, which is one or more compounds selected from the group consisting of sodium cyanide and sodium thiocyanate.
項８〜１５の何れか１項記載のめっき液。16. The plating solution according to claim 8, further comprising a metal ion to be plated.
換めっき液。17. The replacement plating solution according to claim 8, wherein
基体上の被めっき金属を置換めっきする方法。18. Using the plating solution according to claim 17,
A method of displacement plating a metal to be plated on a substrate.
載の置換めっき方法。19. The displacement plating method according to claim 18, wherein the metal to be plated is copper.
は１９に記載の置換めっき方法。20. The displacement plating method according to claim 18, wherein the base is an electronic component.
方法により得られる複合材料。21. A composite material obtained by the method according to any one of claims 18 to 20.
項記載の化合物を添加し、置換めっきにおける金属の析
出速度を促進させる方法。22. The plating solution according to claim 1, wherein
A method of adding the compound described in the above item to promote the rate of metal deposition in displacement plating.
とのモル比が、１：１０００〜１０：１となるように添
加される請求項２２記載の方法。23. The method according to claim 22, wherein the saccharide-forming group and the metal ion are added in a molar ratio of 1: 1000 to 10: 1.
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