JPS60180126A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS60180126A JPS60180126A JP3515884A JP3515884A JPS60180126A JP S60180126 A JPS60180126 A JP S60180126A JP 3515884 A JP3515884 A JP 3515884A JP 3515884 A JP3515884 A JP 3515884A JP S60180126 A JPS60180126 A JP S60180126A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead frame
- mold
- semiconductor device
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 68
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 68
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000012778 molding material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 210000003141 lower extremity Anatomy 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に半導体素子
を樹脂封止する際に、リードフレームのリード線とダム
部とで形成される樹脂溜りにできる樹脂バリを、容易に
脱落させることができるような形状に樹脂成形する半導
体装置の製造方法に関する。
を樹脂封止する際に、リードフレームのリード線とダム
部とで形成される樹脂溜りにできる樹脂バリを、容易に
脱落させることができるような形状に樹脂成形する半導
体装置の製造方法に関する。
[発明の技術的背景]
従来から第2図若しくは第4図に示したような下金型を
用いて行なう半導体装置の製造方法は知られている。第
2図に示したようなこの種の下金型lを用いて行なう半
導体装置の製造方法は、上金型(図示せず)と下金型1
とを型締めした合わせ金型内に樹脂封止用成形材料を加
圧注入することにより半導体素子(図示せず)を樹脂封
止させて成形品2(第1図)を形成するものである。こ
の時第1図に示したようなリードフレーム11のリード
線3とダム部7とで形成される樹脂溜り4に樹脂バリ5
ができるので、第5図に示したようにダム切断ポンチ6
でもってダム部7と共に樹脂バリ5を切断するか、若し
くは樹脂バリ5をホーニングして除去することが行なわ
れる。また第4図に示したような突起8を有するこの種
の下金型9を用いて行なう半導体装置の製造方法は、上
金型(図示せず)と下金型9とを型締めした合わせ金型
内に樹脂封止用成形材料を加圧注入することにより半導
体素子(図示せず)を樹脂封止させて成形品2(第3図
)を形成するものである。この場合、第3図に示したよ
うにリードフレーム11のリード線3とダム部7とで形
成される樹脂溜り4に突起8(第4図)を嵌合させ、樹
脂溜り4に樹脂バリができないように半導体素子(図示
せず)を樹脂封止する。
用いて行なう半導体装置の製造方法は知られている。第
2図に示したようなこの種の下金型lを用いて行なう半
導体装置の製造方法は、上金型(図示せず)と下金型1
とを型締めした合わせ金型内に樹脂封止用成形材料を加
圧注入することにより半導体素子(図示せず)を樹脂封
止させて成形品2(第1図)を形成するものである。こ
の時第1図に示したようなリードフレーム11のリード
線3とダム部7とで形成される樹脂溜り4に樹脂バリ5
ができるので、第5図に示したようにダム切断ポンチ6
でもってダム部7と共に樹脂バリ5を切断するか、若し
くは樹脂バリ5をホーニングして除去することが行なわ
れる。また第4図に示したような突起8を有するこの種
の下金型9を用いて行なう半導体装置の製造方法は、上
金型(図示せず)と下金型9とを型締めした合わせ金型
内に樹脂封止用成形材料を加圧注入することにより半導
体素子(図示せず)を樹脂封止させて成形品2(第3図
)を形成するものである。この場合、第3図に示したよ
うにリードフレーム11のリード線3とダム部7とで形
成される樹脂溜り4に突起8(第4図)を嵌合させ、樹
脂溜り4に樹脂バリができないように半導体素子(図示
せず)を樹脂封止する。
[背景技術の問題点]
しかしながら従来から行なわれている半導体装置の製造
方法は、次の様な問題点を有している。
方法は、次の様な問題点を有している。
即ち第2図に示す下金型1を用いて半導体素子を樹脂封
止する場合においては、第1図に示すように成形品2は
、樹脂バリ5を切り落す際にそのショックによるクラッ
クを生じて耐湿性を悪くしたり、第6図、第7図に示す
ように外観の見ばえを悪くしたりする。更に第5図に示
すダム切断ポンチ6の摩耗がはなはだしく、ランニング
コストが高くなったり、樹脂バリ5をホーニングする場
合においてもランニングコストが高くなったりする。
止する場合においては、第1図に示すように成形品2は
、樹脂バリ5を切り落す際にそのショックによるクラッ
クを生じて耐湿性を悪くしたり、第6図、第7図に示す
ように外観の見ばえを悪くしたりする。更に第5図に示
すダム切断ポンチ6の摩耗がはなはだしく、ランニング
コストが高くなったり、樹脂バリ5をホーニングする場
合においてもランニングコストが高くなったりする。
次に第4図に示す下金型9を用いて半導体素子を樹脂封
止する場合においては、第8図、第9図に示すようにリ
ードフレーム11のリード線3と突起8(第4図)との
隙間に樹脂が流れて樹脂バリ10が生し、メッキ等の後
処理に悪影響を及ぼす。
止する場合においては、第8図、第9図に示すようにリ
ードフレーム11のリード線3と突起8(第4図)との
隙間に樹脂が流れて樹脂バリ10が生し、メッキ等の後
処理に悪影響を及ぼす。
[発明の目的]
本発明は叙上の問題点に鑑みなされたもので、半導体素
子を樹脂封止した成形品にできる樹脂バリを、容易に脱
落させうる形状に成形させる半導体装置の製造方法髪提
供することを目的とする。
子を樹脂封止した成形品にできる樹脂バリを、容易に脱
落させうる形状に成形させる半導体装置の製造方法髪提
供することを目的とする。
[発明の概要]
この目的を達成するために本発明の半導体装置の製造方
法によれば、半導体素子をリードフレームに固定させ、
該リードフレームのリード線と樹脂封止用成形材料の流
出をせき止める該リードフレームのダム部とで樹脂溜り
が形成されるように、樹脂封止川下金型を該リードフレ
ームに載置させ、該樹脂溜りを遊嵌する所定形状の突起
が設けられ3− た樹脂封止用下金型に前記リードフレームと該上金型と
を重ね合せ、その重ね合わされて形成された金型内に前
記成形材料を加圧注入することにより前記半導体素子を
樹脂封止させ、その後肢金型で成形された成形品を加熱
硬化させることにより。
法によれば、半導体素子をリードフレームに固定させ、
該リードフレームのリード線と樹脂封止用成形材料の流
出をせき止める該リードフレームのダム部とで樹脂溜り
が形成されるように、樹脂封止川下金型を該リードフレ
ームに載置させ、該樹脂溜りを遊嵌する所定形状の突起
が設けられ3− た樹脂封止用下金型に前記リードフレームと該上金型と
を重ね合せ、その重ね合わされて形成された金型内に前
記成形材料を加圧注入することにより前記半導体素子を
樹脂封止させ、その後肢金型で成形された成形品を加熱
硬化させることにより。
前記樹脂溜りに溜った前記成形材料が成形されてできた
樹脂バリを該成形品から脱落させるものである。
樹脂バリを該成形品から脱落させるものである。
[発明の実施例]
以下本発明を図面に基づき実施例につき詳述する。本発
明の半導体装置の製造方法は次の通りである。まず第1
O図に示したように樹脂封止される半導体素子(図示せ
ず)がリードフレーム11にダイボンディングおよびワ
イヤーボンディングされて固定される。次にリードフレ
ーム11のリード線3と樹脂封止用成形材料の流出をせ
き止めるリードフレーム11のダム部7とで樹脂溜り4
が形成されるよかに、樹脂封止川下金型(図示せず)が
リードフレーム11に載置される。そして樹脂溜り4を
遊嵌する第11図に示す所定形状の4− 突起としての角錐台形の突起12が設けられた樹脂封止
川下金型13にリードフレーム11 (第10図)と上
金型(図示せず)とが重ね合わされる。
明の半導体装置の製造方法は次の通りである。まず第1
O図に示したように樹脂封止される半導体素子(図示せ
ず)がリードフレーム11にダイボンディングおよびワ
イヤーボンディングされて固定される。次にリードフレ
ーム11のリード線3と樹脂封止用成形材料の流出をせ
き止めるリードフレーム11のダム部7とで樹脂溜り4
が形成されるよかに、樹脂封止川下金型(図示せず)が
リードフレーム11に載置される。そして樹脂溜り4を
遊嵌する第11図に示す所定形状の4− 突起としての角錐台形の突起12が設けられた樹脂封止
川下金型13にリードフレーム11 (第10図)と上
金型(図示せず)とが重ね合わされる。
また重ね合わされて形成された金型(図示せず)内にエ
ポキシ、シリコン等の樹脂封止用成形材料がプランジャ
ー(図示せず)で加圧注入されると、半導体素子が樹脂
封止される。その金型で成形された成形品2(第10図
)が加熱硬化される。更に第12図、第13図、第14
図で示されるように樹脂溜り4に溜った成形材料が成形
されてできた樹脂バリ14が、成形品2から脱落させら
れる。
ポキシ、シリコン等の樹脂封止用成形材料がプランジャ
ー(図示せず)で加圧注入されると、半導体素子が樹脂
封止される。その金型で成形された成形品2(第10図
)が加熱硬化される。更に第12図、第13図、第14
図で示されるように樹脂溜り4に溜った成形材料が成形
されてできた樹脂バリ14が、成形品2から脱落させら
れる。
その結果外観の見ばえのよい半導体装置が製造される。
[発明の効果]
以上の実施例からも明らかなように本発明の半導体装置
の製造方法によれば、半導体素子をリードフレームに固
定させ、樹脂溜りが形成されるように樹脂封止用上金型
をリードフレームに載置させ、樹脂溜りを遊嵌する所定
形状の突起が設けられた樹脂封止用下金型にリードフレ
ームと上金型とを重ね合わせ、その重ね合わされて形成
された金型内に半導体素子を樹脂封止させ、成形された
成形品を加熱硬化させるので、半導体素子を樹脂封止し
た成形品にできる樹脂パリを容易に脱落させうる形状に
成形させることができる。
の製造方法によれば、半導体素子をリードフレームに固
定させ、樹脂溜りが形成されるように樹脂封止用上金型
をリードフレームに載置させ、樹脂溜りを遊嵌する所定
形状の突起が設けられた樹脂封止用下金型にリードフレ
ームと上金型とを重ね合わせ、その重ね合わされて形成
された金型内に半導体素子を樹脂封止させ、成形された
成形品を加熱硬化させるので、半導体素子を樹脂封止し
た成形品にできる樹脂パリを容易に脱落させうる形状に
成形させることができる。
第1図、第3図は従来における半導体装置の斜視図、第
2図、第4図は従来における樹脂封止用下金型の斜視図
、第5図は従来における樹脂パリ切断前の半導体装置の
正面断面図、第6図は従来における樹脂パリ切断後の半
導体装置の正面断面図、第7図は従来における樹脂パリ
切断後の半導体装置の斜視図、第8図は従来における樹
脂パリ切断前の半導体装置の側面図、第9図は従来にお
ける樹脂パリ切断前の半導体装置の斜視図、第10図は
本発明による樹脂パリ切断前の半導体装置の斜視図、第
11図は本発明による樹脂封止川下金型の斜視図、第1
2図は本発明による半導体装置の樹脂溜りの平面図、第
13図は第12図に示す樹脂溜りをAA面で切断した場
合の断面図、第14図は第12図に示す樹脂溜りをBB
面で切断した場合の断面図である。 2・・・・・・・・成形品(半導体装置)3 ・・・・
・・・・ リード線 4 ・・・・・・・・樹脂溜り 7・・・・・・・・ダム部 11 ・・・・・・・・ リードフレーム12・・・・
・・・・角錐台形の突起(所定形状の突起)13・・・
・・・・・下金型(樹脂封止川下金型)14 ・・・・
・・・・樹脂パリ (7317)代理人 弁理士 則 近 憲 佑(ほか1
名)7− 47 図 藝 2 図 8− 秦 3 図 石4 図 第5 図 蛋6 図 蒸 9 図 第 10 図
2図、第4図は従来における樹脂封止用下金型の斜視図
、第5図は従来における樹脂パリ切断前の半導体装置の
正面断面図、第6図は従来における樹脂パリ切断後の半
導体装置の正面断面図、第7図は従来における樹脂パリ
切断後の半導体装置の斜視図、第8図は従来における樹
脂パリ切断前の半導体装置の側面図、第9図は従来にお
ける樹脂パリ切断前の半導体装置の斜視図、第10図は
本発明による樹脂パリ切断前の半導体装置の斜視図、第
11図は本発明による樹脂封止川下金型の斜視図、第1
2図は本発明による半導体装置の樹脂溜りの平面図、第
13図は第12図に示す樹脂溜りをAA面で切断した場
合の断面図、第14図は第12図に示す樹脂溜りをBB
面で切断した場合の断面図である。 2・・・・・・・・成形品(半導体装置)3 ・・・・
・・・・ リード線 4 ・・・・・・・・樹脂溜り 7・・・・・・・・ダム部 11 ・・・・・・・・ リードフレーム12・・・・
・・・・角錐台形の突起(所定形状の突起)13・・・
・・・・・下金型(樹脂封止川下金型)14 ・・・・
・・・・樹脂パリ (7317)代理人 弁理士 則 近 憲 佑(ほか1
名)7− 47 図 藝 2 図 8− 秦 3 図 石4 図 第5 図 蛋6 図 蒸 9 図 第 10 図
Claims (1)
- 半導体素子をリードフレームに固定させ、該リードフレ
ームのリード線と樹脂封止用成形材料の流出をせき止め
る該リードフレームのダム部とで樹脂溜りが形成される
ように、樹脂封止用上金型を該リードフレームに載置さ
せ、該樹脂溜りを遊嵌する所定形状の突起が設けられた
樹脂封止用下金型に前記リードフレームと該上金型とを
重ね合わせ、その重ね合わされて形成された金型内に前
記成形材料を加圧注入することにより前記半導体素子を
樹脂封止させ、その後該金型で成形された成形品を加熱
硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3515884A JPS60180126A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3515884A JPS60180126A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60180126A true JPS60180126A (ja) | 1985-09-13 |
Family
ID=12434071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3515884A Pending JPS60180126A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60180126A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6454750A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Fujitsu Miyagi Electron Kk | Manufacture of resin-sealed semiconductor device |
JPH01268036A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-25 | Matsushita Electron Corp | モールド金型 |
JPH02165644A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の樹脂モールド方法 |
JPH03198352A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-08-29 | Yamada Seisakusho:Kk | リードフレームのモールド・フォーミング方法及びモールド・フォーミング装置 |
JPH0444144U (ja) * | 1990-08-21 | 1992-04-15 | ||
JP2007311673A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体パッケージの製造方法 |
JP2020126902A (ja) * | 2019-02-01 | 2020-08-20 | 第一精工株式会社 | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
-
1984
- 1984-02-28 JP JP3515884A patent/JPS60180126A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6454750A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Fujitsu Miyagi Electron Kk | Manufacture of resin-sealed semiconductor device |
JPH01268036A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-25 | Matsushita Electron Corp | モールド金型 |
JPH02165644A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の樹脂モールド方法 |
JPH03198352A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-08-29 | Yamada Seisakusho:Kk | リードフレームのモールド・フォーミング方法及びモールド・フォーミング装置 |
JPH0444144U (ja) * | 1990-08-21 | 1992-04-15 | ||
JP2007311673A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体パッケージの製造方法 |
JP2020126902A (ja) * | 2019-02-01 | 2020-08-20 | 第一精工株式会社 | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5254501A (en) | Same-side gated process for encapsulating semiconductor devices | |
JPS60180126A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3411448B2 (ja) | 半導体素子の樹脂封止金型及び半導体装置の製造方法 | |
JPH10270606A (ja) | パッケージ型半導体装置の構造 | |
JPS6232622A (ja) | 半導体装置用樹脂封止金型 | |
JP2838948B2 (ja) | リードフレーム | |
JPH09129661A (ja) | 成形装置および成形方法 | |
JPH01187842A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100230520B1 (ko) | 반도체 소자 패키지 베이스의 제조방법 | |
JP2925375B2 (ja) | 電子部品におけるモールド部の成形方法 | |
JP2997182B2 (ja) | 面実装用樹脂封止半導体装置 | |
JP2522304B2 (ja) | 半導体素子収納パッケ−ジの製造方法 | |
KR100186330B1 (ko) | 컬럼형 패키지의 제조방법 | |
JP2955954B2 (ja) | 樹脂封止型電子部品の製造方法 | |
JPH01184192A (ja) | Icカード用モジュールの製造方法 | |
JPH04354344A (ja) | フィルムテープ | |
JPS6217383B2 (ja) | ||
JP3575592B2 (ja) | リードフレーム組立体の樹脂モールド用成形型及び樹脂モールド成形法 | |
JP2003203935A (ja) | 半導体装置の封止方法およびそれに用いる封止装置 | |
KR100201393B1 (ko) | 컬럼형 패키지의 제조방법 | |
JPH03157943A (ja) | 樹脂封止型半導体集積回路の製造方法 | |
JPH029156A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS63293022A (ja) | モ−ルド方法およびその方法に用いるモ−ルド型 | |
JPS61215028A (ja) | モ−ルド金型およびそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JPH0298165A (ja) | 電子部品用リードフレーム及びこれを用いた電子部品の製造方法 |