JP3411448B2 - 半導体素子の樹脂封止金型及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体素子の樹脂封止金型及び半導体装置の製造方法Info
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/27—Sprue channels ; Runner channels or runner nozzles
- B29C45/2701—Details not specific to hot or cold runner channels
- B29C45/2708—Gates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
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- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
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- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に用いる半導体素子の樹脂封止金型及び半導体装置の製
造方法に関するものである。
に用いる半導体素子の樹脂封止金型及び半導体装置の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】器機の軽薄短小化に伴って、半導体素子
が樹脂封止されたモールドパッケージの厚さも薄形化が
進んでいる。
が樹脂封止されたモールドパッケージの厚さも薄形化が
進んでいる。
【０００３】従来、この種の熱硬化性樹脂による封止成
形は、金型を用いて行われている。
形は、金型を用いて行われている。
【０００４】その金型は、上型と下型とで構成されてい
るが、上型には、半導体素子を封止しモールドパッケー
ジを形成する上キャビティ、熱硬化樹脂を加熱し可塑化
させるカル部、下型には、そのタブレット樹脂を余熱す
るポット、可塑化された樹脂を移送するランナー、ゲー
ト部、および、下キャビティが設けられている。
るが、上型には、半導体素子を封止しモールドパッケー
ジを形成する上キャビティ、熱硬化樹脂を加熱し可塑化
させるカル部、下型には、そのタブレット樹脂を余熱す
るポット、可塑化された樹脂を移送するランナー、ゲー
ト部、および、下キャビティが設けられている。
【０００５】そして、リードフレームは前工程でアイラ
ンドの上に素子がボンティングされ、ワイヤーで各リー
ド端子と配線されている。
ンドの上に素子がボンティングされ、ワイヤーで各リー
ド端子と配線されている。
【０００６】まず、そのリードフレームが下型にセット
され、上型とで押さえられる。そして、可塑化された樹
脂は、ランナーを通ってゲートから上下キャビティ内へ
注入、充填されると共に、保圧され、樹脂が硬化して封
止成形が完了する。
され、上型とで押さえられる。そして、可塑化された樹
脂は、ランナーを通ってゲートから上下キャビティ内へ
注入、充填されると共に、保圧され、樹脂が硬化して封
止成形が完了する。
【０００７】その後、金型よりリードフレームが取り出
され、固着したランナー、カルの樹脂をゲートから除去
し、図１０に示すような樹脂封止型半導体装置の成形品
を完成させる。図１０（ａ）はその半導体装置の平面
図、図１０（ｂ）はその半導体装置の正面図である。こ
れらの図において、１はリードフレーム、２はモールド
パッケージを示している。
され、固着したランナー、カルの樹脂をゲートから除去
し、図１０に示すような樹脂封止型半導体装置の成形品
を完成させる。図１０（ａ）はその半導体装置の平面
図、図１０（ｂ）はその半導体装置の正面図である。こ
れらの図において、１はリードフレーム、２はモールド
パッケージを示している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の成形金型では、ゲート部の断面が逆台形状で、
その底辺はパーティング面（上キャビティ）に向かって
傾斜をなす構造となっている。
た従来の成形金型では、ゲート部の断面が逆台形状で、
その底辺はパーティング面（上キャビティ）に向かって
傾斜をなす構造となっている。
【０００９】このため、ゲートから注入された樹脂は、
下キャビティより上キャビティが早く流入、充填される
こととなる。よって、その上キャビティに流入した樹脂
圧で素子が沈降され、結果として、モールドパッケージ
裏面にアイランドの底面が露出した成形品となってしま
うという問題点があった。
下キャビティより上キャビティが早く流入、充填される
こととなる。よって、その上キャビティに流入した樹脂
圧で素子が沈降され、結果として、モールドパッケージ
裏面にアイランドの底面が露出した成形品となってしま
うという問題点があった。
【００１０】本発明は、以上述べた問題点を除去するた
めに、半導体素子を樹脂封止する成形金型において、ゲ
ート底辺の傾斜面の頂部中央に溝を設けることにより、
上下のキャビティ内に樹脂を均等に流入、充填すること
ができる半導体素子の樹脂封止金型及び半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。
めに、半導体素子を樹脂封止する成形金型において、ゲ
ート底辺の傾斜面の頂部中央に溝を設けることにより、
上下のキャビティ内に樹脂を均等に流入、充填すること
ができる半導体素子の樹脂封止金型及び半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】〔１〕半導体素子を熱硬
化性樹脂で封止成形する金型において、モールドパッケ
ージを形成するための上下キャビティ内へ樹脂を注入す
るゲートは、断面が逆台形でその底辺は上キャビティに
向かって傾斜をなす傾斜底面と、その傾斜底面の頂部中
央に水平底面とテーパ側面とを有する凹形溝を設けた２
段構造を具備し、前記凹形溝により、注入樹脂の注入方
向が変わり、上下キャビティ内へ注入樹脂をバランスよ
く流入、充填するとともに、硬化した樹脂を容易に離型
するようにしたものである。
化性樹脂で封止成形する金型において、モールドパッケ
ージを形成するための上下キャビティ内へ樹脂を注入す
るゲートは、断面が逆台形でその底辺は上キャビティに
向かって傾斜をなす傾斜底面と、その傾斜底面の頂部中
央に水平底面とテーパ側面とを有する凹形溝を設けた２
段構造を具備し、前記凹形溝により、注入樹脂の注入方
向が変わり、上下キャビティ内へ注入樹脂をバランスよ
く流入、充填するとともに、硬化した樹脂を容易に離型
するようにしたものである。
【００１２】〔２〕半導体素子を熱硬化性樹脂で封止成
形する金型において、モールドパッケージを形成するた
めの上下キャビティ内へ樹脂を注入するゲートは、断面
が逆台形でその底辺は上キャビティに向かって傾斜をな
す傾斜底面と、その傾斜底面の頂部中央にＶ字側面が形
成されるＶ字溝を設けた２段構造を具備し、前記凹形溝
により、注入樹脂の注入方向が変わり、上下キャビティ
内へ注入樹脂をバランスよく流入、充填するとともに、
硬化した樹脂を容易に離型するようにしたものである。
形する金型において、モールドパッケージを形成するた
めの上下キャビティ内へ樹脂を注入するゲートは、断面
が逆台形でその底辺は上キャビティに向かって傾斜をな
す傾斜底面と、その傾斜底面の頂部中央にＶ字側面が形
成されるＶ字溝を設けた２段構造を具備し、前記凹形溝
により、注入樹脂の注入方向が変わり、上下キャビティ
内へ注入樹脂をバランスよく流入、充填するとともに、
硬化した樹脂を容易に離型するようにしたものである。
【００１３】〔３〕半導体素子を熱硬化性樹脂で封止成
形する金型において、モールドパッケージを形成するた
めの上下キャビティ内へ樹脂を注入するゲートは、断面
が逆台形でその底辺は上キャビティに向かって傾斜をな
す傾斜底面と、その傾斜底面の頂部中央にキャビティ側
下向きの逆傾斜底面とテーパ側面とを有する逆傾斜凹形
溝を設けた２段構造を具備し、前記逆傾斜凹形溝によ
り、注入樹脂の注入方向が変わり、上下キャビティ内へ
注入樹脂をバランスよく流入、充填するとともに、硬化
した樹脂を容易に離型するようにしたものである。
形する金型において、モールドパッケージを形成するた
めの上下キャビティ内へ樹脂を注入するゲートは、断面
が逆台形でその底辺は上キャビティに向かって傾斜をな
す傾斜底面と、その傾斜底面の頂部中央にキャビティ側
下向きの逆傾斜底面とテーパ側面とを有する逆傾斜凹形
溝を設けた２段構造を具備し、前記逆傾斜凹形溝によ
り、注入樹脂の注入方向が変わり、上下キャビティ内へ
注入樹脂をバランスよく流入、充填するとともに、硬化
した樹脂を容易に離型するようにしたものである。
【００１４】〔４〕半導体素子を熱硬化性樹脂で封止成
形する金型において、モールドパッケージを形成するた
めの上下キャビティ内へ樹脂を注入するゲートは、断面
が逆台形でその底辺は上キャビティに向かって傾斜をな
す傾斜底面と、その傾斜面の頂部中央にキャビティ側下
向きのＶ字傾斜側面を有する逆傾斜Ｖ字溝を設けた２段
構造を具備し、前記逆傾斜Ｖ字溝により、注入樹脂の注
入方向が変わり、上下キャビティ内へ注入樹脂をバラン
スよく流入、充填するとともに、硬化した樹脂を容易に
離型するようにしたものである。
形する金型において、モールドパッケージを形成するた
めの上下キャビティ内へ樹脂を注入するゲートは、断面
が逆台形でその底辺は上キャビティに向かって傾斜をな
す傾斜底面と、その傾斜面の頂部中央にキャビティ側下
向きのＶ字傾斜側面を有する逆傾斜Ｖ字溝を設けた２段
構造を具備し、前記逆傾斜Ｖ字溝により、注入樹脂の注
入方向が変わり、上下キャビティ内へ注入樹脂をバラン
スよく流入、充填するとともに、硬化した樹脂を容易に
離型するようにしたものである。
【００１５】〔５〕半導体装置の製造方法において、モ
ールドパッケージを形成するための上下キャビティ内へ
樹脂を注入するゲートの頂部に、断面が逆台形でその底
辺は上キャビティに向かって傾斜をなす傾斜底面と、そ
の傾斜底面の頂部中央に水平 底面とテーパ側面とを有す
る凹形溝を設けた２段構造を具備し、前記凹形溝によ
り、注入樹脂の注入方向が変わり、上下キャビティ内へ
注入樹脂をバランスよく流入、充填するとともに、硬化
した樹脂を容易に離型する樹脂封止金型を用いて、半導
体素子を樹脂封止するようにしたものである。
ールドパッケージを形成するための上下キャビティ内へ
樹脂を注入するゲートの頂部に、断面が逆台形でその底
辺は上キャビティに向かって傾斜をなす傾斜底面と、そ
の傾斜底面の頂部中央に水平 底面とテーパ側面とを有す
る凹形溝を設けた２段構造を具備し、前記凹形溝によ
り、注入樹脂の注入方向が変わり、上下キャビティ内へ
注入樹脂をバランスよく流入、充填するとともに、硬化
した樹脂を容易に離型する樹脂封止金型を用いて、半導
体素子を樹脂封止するようにしたものである。
【００１６】〔６〕半導体装置の製造方法において、モ
ールドパッケージを形成するための上下キャビティ内へ
樹脂を注入するゲートの頂部に、断面が逆台形でその底
辺は上キャビティに向かって傾斜をなす傾斜底面と、そ
の傾斜底面の頂部中央にＶ字側面が形成されるＶ字溝を
設けた２段構造を具備し、前記凹形溝により、注入樹脂
の注入方向が変わり、上下キャビティ内へ注入樹脂をバ
ランスよく流入、充填するとともに、硬化した樹脂を容
易に離型する樹脂封止金型を用いて、半導体素子を樹脂
封止するようにしたものである。
ールドパッケージを形成するための上下キャビティ内へ
樹脂を注入するゲートの頂部に、断面が逆台形でその底
辺は上キャビティに向かって傾斜をなす傾斜底面と、そ
の傾斜底面の頂部中央にＶ字側面が形成されるＶ字溝を
設けた２段構造を具備し、前記凹形溝により、注入樹脂
の注入方向が変わり、上下キャビティ内へ注入樹脂をバ
ランスよく流入、充填するとともに、硬化した樹脂を容
易に離型する樹脂封止金型を用いて、半導体素子を樹脂
封止するようにしたものである。
【００１７】〔７〕半導体装置の製造方法において、モ
ールドパッケージを形成するための上下キャビティ内へ
樹脂を注入するゲートの頂部に、断面が逆台形でその底
辺は上キャビティに向かって傾斜をなす傾斜底面と、そ
の傾斜底面の頂部中央にキャビティ側下向きの逆傾斜底
面とテーパ側面とを有する逆傾斜凹形溝を設けた２段構
造を具備し、前記逆傾斜凹形溝により、注入樹脂の注入
方向が変わり、上下キャビティ内へ注入樹脂をバランス
よく流入、充填するとともに、硬化した樹脂を容易に離
型する樹脂封止金型を用いて、半導体素子を樹脂封止す
るようにしたものである。
ールドパッケージを形成するための上下キャビティ内へ
樹脂を注入するゲートの頂部に、断面が逆台形でその底
辺は上キャビティに向かって傾斜をなす傾斜底面と、そ
の傾斜底面の頂部中央にキャビティ側下向きの逆傾斜底
面とテーパ側面とを有する逆傾斜凹形溝を設けた２段構
造を具備し、前記逆傾斜凹形溝により、注入樹脂の注入
方向が変わり、上下キャビティ内へ注入樹脂をバランス
よく流入、充填するとともに、硬化した樹脂を容易に離
型する樹脂封止金型を用いて、半導体素子を樹脂封止す
るようにしたものである。
【００１８】〔８〕半導体装置の製造方法において、モ
ールドパッケージを形成するための上下キャビティ内へ
樹脂を注入するゲートの頂部に、断面が逆台形でその底
辺は上キャビティに向かって傾斜をなす傾斜底面と、そ
の傾斜面の頂部中央にキャビティ側下向きのＶ字傾斜側
面を有する逆傾斜Ｖ字溝を設けた２段構造を具備し、前
記逆傾斜Ｖ字溝により、注入樹脂の注入方向が変わり、
上下キャビティ内へ注入樹脂をバランスよく流入、充填
するとともに、硬化した樹脂を容易に離型する樹脂封止
金型を用いて、半導体素子を樹脂封止するようにしたも
のである。
ールドパッケージを形成するための上下キャビティ内へ
樹脂を注入するゲートの頂部に、断面が逆台形でその底
辺は上キャビティに向かって傾斜をなす傾斜底面と、そ
の傾斜面の頂部中央にキャビティ側下向きのＶ字傾斜側
面を有する逆傾斜Ｖ字溝を設けた２段構造を具備し、前
記逆傾斜Ｖ字溝により、注入樹脂の注入方向が変わり、
上下キャビティ内へ注入樹脂をバランスよく流入、充填
するとともに、硬化した樹脂を容易に離型する樹脂封止
金型を用いて、半導体素子を樹脂封止するようにしたも
のである。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。
て図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２０】図１は本発明の第１実施例を示す樹脂封止
金型のゲート部の斜視図、図２はその樹脂封止金型のゲ
ート部をキャビテイ側より見た図、図３はその金型によ
る樹脂封止型半導体装置の成形工程を示す図である。
金型のゲート部の斜視図、図２はその樹脂封止金型のゲ
ート部をキャビテイ側より見た図、図３はその金型によ
る樹脂封止型半導体装置の成形工程を示す図である。
【００２１】図３において、１１は半導体素子を封止し
モールドパッケージを形成する上キャビティ、１２は熱
硬化性樹脂タブレット１８を加熱し可塑化させるカル部
であり、その上キャビティ１１とカル部１２は上型に設
けられている。また、１３はタブレット１８を加熱する
ポット、１４はランナー、１５はゲート、１６は下キャ
ビティであり、上記ポット１３、ランナー１４、ゲート
１５、下キャビティ１６は下型に設けられている。ま
た、１７はプランジャーであり、成形装置に具備されて
いる。
モールドパッケージを形成する上キャビティ、１２は熱
硬化性樹脂タブレット１８を加熱し可塑化させるカル部
であり、その上キャビティ１１とカル部１２は上型に設
けられている。また、１３はタブレット１８を加熱する
ポット、１４はランナー、１５はゲート、１６は下キャ
ビティであり、上記ポット１３、ランナー１４、ゲート
１５、下キャビティ１６は下型に設けられている。ま
た、１７はプランジャーであり、成形装置に具備されて
いる。
【００２２】ここで、図１に示すように、ゲート１５
は、断面が逆台形でその底辺はパーティング面（上キャ
ビティ）に向かって傾斜をなす傾斜底面３１、その傾斜
面の頂部中央に水平底面３２、硬化した樹脂を容易に離
型するためテーパ側面３３を備え、凹形溝３４を設けた
２段構造になっている。
は、断面が逆台形でその底辺はパーティング面（上キャ
ビティ）に向かって傾斜をなす傾斜底面３１、その傾斜
面の頂部中央に水平底面３２、硬化した樹脂を容易に離
型するためテーパ側面３３を備え、凹形溝３４を設けた
２段構造になっている。
【００２３】また、図３において、１８は熱硬化性樹脂
タブレット、１９はリードフレーム、２０はモールドパ
ッケージの薄形対応にダウンセットされたアイランド、
２１はそのアイランドの上面にボンディングされた半導
体素子、２２は半導体素子２１とリード端子との配線ワ
イヤーである。
タブレット、１９はリードフレーム、２０はモールドパ
ッケージの薄形対応にダウンセットされたアイランド、
２１はそのアイランドの上面にボンディングされた半導
体素子、２２は半導体素子２１とリード端子との配線ワ
イヤーである。
【００２４】以下、本発明の金型を用いた樹脂封止型半
導体装置の成形工程について図３を参照しながら説明す
る。
導体装置の成形工程について図３を参照しながら説明す
る。
【００２５】まず、図３（ａ）に示すように、リードフ
レーム１９が下型にセットされると共に、ポット１３内
に、熱硬化性樹脂タブレット１８が投入される。そし
て、金型上下が閉じられる。
レーム１９が下型にセットされると共に、ポット１３内
に、熱硬化性樹脂タブレット１８が投入される。そし
て、金型上下が閉じられる。
【００２６】この状態で、図３（ｂ）に示すように、加
熱された熱硬化性樹脂タブレット１８は、プランジャー
１７により加圧される。カル部１２で加熱、可塑化され
た樹脂１８´は、ランナー１４を通って、ゲート１５か
ら、上下キャビティ１１，１６内へ注入される。
熱された熱硬化性樹脂タブレット１８は、プランジャー
１７により加圧される。カル部１２で加熱、可塑化され
た樹脂１８´は、ランナー１４を通って、ゲート１５か
ら、上下キャビティ１１，１６内へ注入される。
【００２７】ここで、可塑化された樹脂１８´は、図１
に示すように、ゲート１５において、傾斜底面３１、水
平底面３２、テーパ側面３３からなる凹形溝３４によ
り、注入方向が変わり、上下キャビティ１１，１６内へ
バランスよく流入、充填される。
に示すように、ゲート１５において、傾斜底面３１、水
平底面３２、テーパ側面３３からなる凹形溝３４によ
り、注入方向が変わり、上下キャビティ１１，１６内へ
バランスよく流入、充填される。
【００２８】更に、可塑化された樹脂１８´が流入し、
図３（ｃ）に示すように、上下キャビティ１１，１６内
の全てに充填されると保圧される。
図３（ｃ）に示すように、上下キャビティ１１，１６内
の全てに充填されると保圧される。
【００２９】そして、可塑化された樹脂１８´は硬化
し、半導体素子の封止成形が完了する。
し、半導体素子の封止成形が完了する。
【００３０】以上のように、第１実施例によれば、成形
金型のゲート１５底辺の傾斜面の頂部中央に水平底面３
２とテーパ側面３３を有する凹形溝３４を形成するよう
にしたので、樹脂の注入方向をバランスさせることがで
き、従来の問題点で示したように、モールドパッケージ
の裏面にアイランドの底面が露出するということはなく
なり、良好な樹脂封止型半導体装置を形成することがで
き、信頼性の確保を図ることができる。
金型のゲート１５底辺の傾斜面の頂部中央に水平底面３
２とテーパ側面３３を有する凹形溝３４を形成するよう
にしたので、樹脂の注入方向をバランスさせることがで
き、従来の問題点で示したように、モールドパッケージ
の裏面にアイランドの底面が露出するということはなく
なり、良好な樹脂封止型半導体装置を形成することがで
き、信頼性の確保を図ることができる。
【００３１】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。
る。
【００３２】図４は本発明の第２実施例を示す樹脂封止
金型のゲート部の斜視図、図５はその樹脂封止金型のゲ
ート部をキャビテイ側より見た図である。
金型のゲート部の斜視図、図５はその樹脂封止金型のゲ
ート部をキャビテイ側より見た図である。
【００３３】この実施例では、図４に示すように、ゲー
ト１５は、断面が略逆台形状で、その底辺はパーティン
グ面（上キャビティ）に向かって傾斜をなす傾斜底面４
１、その傾斜面の頂部中央にＶ字側面４２が形成される
Ｖ字溝４３を設けた２段構造になっている。
ト１５は、断面が略逆台形状で、その底辺はパーティン
グ面（上キャビティ）に向かって傾斜をなす傾斜底面４
１、その傾斜面の頂部中央にＶ字側面４２が形成される
Ｖ字溝４３を設けた２段構造になっている。
【００３４】そこで、ゲート１５において、可塑化され
た樹脂１８´は、傾斜底面４１とＶ字側面４２が形成さ
れるＶ字溝４３により注入方向が変わり、上下キャビテ
ィ１１、１６内へバランスよく流入、充填される。
た樹脂１８´は、傾斜底面４１とＶ字側面４２が形成さ
れるＶ字溝４３により注入方向が変わり、上下キャビテ
ィ１１、１６内へバランスよく流入、充填される。
【００３５】このように、第２実施例によれば、成形金
型のゲート１５底辺の傾斜面の頂部中央にＶ字溝４３を
形成することにより、ゲートの傾斜底面４１の幅が狭い
ものにも適用でき、第１実施例と同様の効果が期待でき
る。
型のゲート１５底辺の傾斜面の頂部中央にＶ字溝４３を
形成することにより、ゲートの傾斜底面４１の幅が狭い
ものにも適用でき、第１実施例と同様の効果が期待でき
る。
【００３６】次に、本発明の第３実施例について説明す
る。
る。
【００３７】図６は本発明の第３実施例を示す樹脂封止
金型のゲート部の斜視図、図７はその樹脂封止金型のゲ
ート部をキャビテイ側より見た図である。
金型のゲート部の斜視図、図７はその樹脂封止金型のゲ
ート部をキャビテイ側より見た図である。
【００３８】この実施例では、図６に示すように、ゲー
ト１５は、断面が略逆台形状でその底辺はパーティング
面（上キャビティ）に向かって傾斜をなす傾斜底面５
１、その傾斜面の頂部中央にキャビティ側下向きの逆傾
斜底面５２、硬化した樹脂を容易に離型するためテーパ
側面５３を有する逆傾斜凹形溝５４を設けた２段構造に
なっている。
ト１５は、断面が略逆台形状でその底辺はパーティング
面（上キャビティ）に向かって傾斜をなす傾斜底面５
１、その傾斜面の頂部中央にキャビティ側下向きの逆傾
斜底面５２、硬化した樹脂を容易に離型するためテーパ
側面５３を有する逆傾斜凹形溝５４を設けた２段構造に
なっている。
【００３９】ここで、ゲート１５において、可塑化され
た樹脂１８´は、傾斜底面５１とキャビティ側下向きの
逆傾斜底面５２とテーパ側面５３を有する逆傾斜凹形溝
５４により注入方向が変わり、上下キャビティ１１，１
６内へバランスよく流入、充填される。
た樹脂１８´は、傾斜底面５１とキャビティ側下向きの
逆傾斜底面５２とテーパ側面５３を有する逆傾斜凹形溝
５４により注入方向が変わり、上下キャビティ１１，１
６内へバランスよく流入、充填される。
【００４０】このように、第３実施例によれば、成形金
型のゲート１５底辺の傾斜面の頂部中央に逆傾斜凹形溝
５４を形成することにより、ゲート底辺の傾斜面の頂部
より反キャビティ側となることから、成形後のカル、ラ
ンナー、ゲート部の樹脂を除去する際、モールドパッケ
ージのコーナーを折損することが無くなると共に、第１
実施例と同様の効果が期待できる。
型のゲート１５底辺の傾斜面の頂部中央に逆傾斜凹形溝
５４を形成することにより、ゲート底辺の傾斜面の頂部
より反キャビティ側となることから、成形後のカル、ラ
ンナー、ゲート部の樹脂を除去する際、モールドパッケ
ージのコーナーを折損することが無くなると共に、第１
実施例と同様の効果が期待できる。
【００４１】図８は本発明の第４実施例を示す樹脂封止
金型のゲート部の斜視図、図９はその樹脂封止金型のゲ
ート部をキャビテイ側より見た図である。
金型のゲート部の斜視図、図９はその樹脂封止金型のゲ
ート部をキャビテイ側より見た図である。
【００４２】この実施例は、図８に示すように、ゲート
１５は、断面が逆台形状でその底辺はパーティング面
（上キャビティ）に向かって傾斜をなす傾斜底面６１、
その傾斜面の頂部中央にキャビティ側下向きのＶ字傾斜
側面６２を有する逆傾斜Ｖ字溝６３を設けた２段構造に
なっている。
１５は、断面が逆台形状でその底辺はパーティング面
（上キャビティ）に向かって傾斜をなす傾斜底面６１、
その傾斜面の頂部中央にキャビティ側下向きのＶ字傾斜
側面６２を有する逆傾斜Ｖ字溝６３を設けた２段構造に
なっている。
【００４３】そこで、ゲート１５において、可塑化され
た樹脂１８´は、傾斜底面６１とキャビティ側下向きの
Ｖ字傾斜側面６２を有する逆傾斜Ｖ字溝６３により注入
方向が変わり、上下キャビティ１１，１６内へバランス
よく流入、充填される。
た樹脂１８´は、傾斜底面６１とキャビティ側下向きの
Ｖ字傾斜側面６２を有する逆傾斜Ｖ字溝６３により注入
方向が変わり、上下キャビティ１１，１６内へバランス
よく流入、充填される。
【００４４】このように、第４実施例によれば、成形金
型のゲート底辺の傾斜面の頂部中央に逆傾斜Ｖ字溝６３
を形成することにより、ゲート底辺の傾斜面の幅が狭い
ものにも適用でき、また、逆傾斜Ｖ字溝の頂部は、ゲー
ト底辺の傾斜面の頂辺より反キャビティ側となることか
ら、成形後のカル、ランナー、ゲート部の樹脂を除去す
る際、モールドパッケージのコーナーを折損することが
無くなると共に、第１実施例と同様の効果が期待でき
る。
型のゲート底辺の傾斜面の頂部中央に逆傾斜Ｖ字溝６３
を形成することにより、ゲート底辺の傾斜面の幅が狭い
ものにも適用でき、また、逆傾斜Ｖ字溝の頂部は、ゲー
ト底辺の傾斜面の頂辺より反キャビティ側となることか
ら、成形後のカル、ランナー、ゲート部の樹脂を除去す
る際、モールドパッケージのコーナーを折損することが
無くなると共に、第１実施例と同様の効果が期待でき
る。
【００４５】更に、本発明は、次のような利用形態を有
する。
する。
【００４６】上記した実施例では、ゲートの形状は、凹
形溝、Ｖ字溝、逆傾斜凹形溝又は逆傾斜Ｖ字溝が形成さ
れた場合について説明したが、上下キャビティ内への樹
脂の注入バランス及び成形後下キャビティの樹脂流入口
から、カル、ランナー、ゲート部の硬化した樹脂を除去
する際に、パッケージコーナー部の折損が生じないよう
考慮し、ゲート底辺の傾斜面に沿って、または、その傾
斜面頂部近傍から種々の形状の溝を設けることができ
る、例えば、それぞれの溝の低部を円弧状にするなど変
形例も可能である。
形溝、Ｖ字溝、逆傾斜凹形溝又は逆傾斜Ｖ字溝が形成さ
れた場合について説明したが、上下キャビティ内への樹
脂の注入バランス及び成形後下キャビティの樹脂流入口
から、カル、ランナー、ゲート部の硬化した樹脂を除去
する際に、パッケージコーナー部の折損が生じないよう
考慮し、ゲート底辺の傾斜面に沿って、または、その傾
斜面頂部近傍から種々の形状の溝を設けることができ
る、例えば、それぞれの溝の低部を円弧状にするなど変
形例も可能である。
【００４７】また、半導体装置の樹脂成形に適用した
が、他の電子部品の成形金型にも適用できる。
が、他の電子部品の成形金型にも適用できる。
【００４８】更に、上記実施例においては、ゲートの傾
斜面の頂部には１個の溝を形成するようにしたが、複数
の溝を形成するようにしてもよい。
斜面の頂部には１個の溝を形成するようにしたが、複数
の溝を形成するようにしてもよい。
【００４９】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００５０】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。
【００５１】〔１〕請求項１記載の発明によれば、モー
ルドパッケージを形成するための上下キャビティ内へ樹
脂を注入するゲートの底辺の傾斜面の頂部に設けられ
る、キャビティ内に樹脂を均等に流入、充填するための
水平底面を有する溝を形成するようにしたので、上下の
キャビティ内を樹脂を均等に流入、充填することがで
き、良好な樹脂封止型半導体装置を形成することがで
き、信頼性の確保を図ることができる。
ルドパッケージを形成するための上下キャビティ内へ樹
脂を注入するゲートの底辺の傾斜面の頂部に設けられ
る、キャビティ内に樹脂を均等に流入、充填するための
水平底面を有する溝を形成するようにしたので、上下の
キャビティ内を樹脂を均等に流入、充填することがで
き、良好な樹脂封止型半導体装置を形成することがで
き、信頼性の確保を図ることができる。
【００５２】〔２〕請求項２記載の発明によれば、モー
ルドパッケージを形成するための上下キャビティ内へ樹
脂を注入するゲートの底辺の傾斜面の頂部に設けられ
る、キャビティ内に樹脂を均等に流入、充填するための
水平Ｖ字溝を形成するようにしたので、ゲート底辺の傾
斜面の幅が狭いものにも適用できるとともに、上記
〔１〕と同等の作用効果を奏することができる。
ルドパッケージを形成するための上下キャビティ内へ樹
脂を注入するゲートの底辺の傾斜面の頂部に設けられ
る、キャビティ内に樹脂を均等に流入、充填するための
水平Ｖ字溝を形成するようにしたので、ゲート底辺の傾
斜面の幅が狭いものにも適用できるとともに、上記
〔１〕と同等の作用効果を奏することができる。
【００５３】〔３〕請求項３記載の発明によれば、モー
ルドパッケージを形成するための上下キャビティ内へ樹
脂を注入するゲートの底辺の傾斜面の頂部に設けられ
る、キャビティ内に樹脂を均等に流入、充填するための
前記ゲートの底辺の傾斜とは逆の傾斜を有する底面を有
する溝を形成するようにしたので、ゲート底辺の傾斜面
の頂部より反キャビティ側となることから、成形後のカ
ル、ランナー、ゲート部の樹脂を除去する際、モールド
パッケージのコーナーを折損することが無くなるととも
に、上記〔１〕と同様の作用効果を奏することができ
る。
ルドパッケージを形成するための上下キャビティ内へ樹
脂を注入するゲートの底辺の傾斜面の頂部に設けられ
る、キャビティ内に樹脂を均等に流入、充填するための
前記ゲートの底辺の傾斜とは逆の傾斜を有する底面を有
する溝を形成するようにしたので、ゲート底辺の傾斜面
の頂部より反キャビティ側となることから、成形後のカ
ル、ランナー、ゲート部の樹脂を除去する際、モールド
パッケージのコーナーを折損することが無くなるととも
に、上記〔１〕と同様の作用効果を奏することができ
る。
【００５４】〔４〕請求項４記載の発明によれば、モー
ルドパッケージを形成するための上下キャビティ内へ樹
脂を注入するゲートの底辺の傾斜面の頂部に設けられ
る、キャビティ内に樹脂を均等に流入、充填するための
前記ゲートの底辺の傾斜とは逆の傾斜を有するＶ字溝を
形成するようにしたので、ゲート底辺の傾斜面の幅が狭
いものにも適用でき、また、逆傾斜Ｖ字溝の頂部は、ゲ
ート底辺の傾斜面の頂部より反キャビティ側となること
から、成形後のカル、ランナー、ゲート部の樹脂を除去
する際、モールドパッケージのコーナーを折損すること
が無くなるとともに、上記〔１〕と同様の作用効果を奏
することができる。
ルドパッケージを形成するための上下キャビティ内へ樹
脂を注入するゲートの底辺の傾斜面の頂部に設けられ
る、キャビティ内に樹脂を均等に流入、充填するための
前記ゲートの底辺の傾斜とは逆の傾斜を有するＶ字溝を
形成するようにしたので、ゲート底辺の傾斜面の幅が狭
いものにも適用でき、また、逆傾斜Ｖ字溝の頂部は、ゲ
ート底辺の傾斜面の頂部より反キャビティ側となること
から、成形後のカル、ランナー、ゲート部の樹脂を除去
する際、モールドパッケージのコーナーを折損すること
が無くなるとともに、上記〔１〕と同様の作用効果を奏
することができる。
【００５５】〔５〕請求項５乃至８記載の発明によれ
ば、モールドパッケージを形成するための上下キャビテ
ィ内へ樹脂を注入するゲートの底辺の傾斜面の頂部に設
けられる、キャビティ内に樹脂を均等に流入、充填する
ための溝を形成した樹脂封止金型を用いて、半導体素子
を樹脂封止することにより、上下のキャビティ内を樹脂
を均等に流入、充填することができ、良好な半導体装置
を形成することができる。
ば、モールドパッケージを形成するための上下キャビテ
ィ内へ樹脂を注入するゲートの底辺の傾斜面の頂部に設
けられる、キャビティ内に樹脂を均等に流入、充填する
ための溝を形成した樹脂封止金型を用いて、半導体素子
を樹脂封止することにより、上下のキャビティ内を樹脂
を均等に流入、充填することができ、良好な半導体装置
を形成することができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す樹脂封止金型のゲー
ト部の斜視図である。
ト部の斜視図である。
【図２】本発明の第１実施例を示す樹脂封止金型のゲー
ト部をキャビテイ側より見た図である。
ト部をキャビテイ側より見た図である。
【図３】本発明の第１実施例を示す樹脂封止金型による
樹脂封止型半導体装置の成形工程を示す図である。
樹脂封止型半導体装置の成形工程を示す図である。
【図４】本発明の第２実施例を示す樹脂封止金型のゲー
ト部の斜視図である。
ト部の斜視図である。
【図５】本発明の第２実施例を示す樹脂封止金型のゲー
ト部をキャビテイ側より見た図である。
ト部をキャビテイ側より見た図である。
【図６】本発明の第３実施例を示す樹脂封止金型のゲー
ト部の斜視図である。
ト部の斜視図である。
【図７】本発明の第３実施例を示す樹脂封止金型のゲー
ト部をキャビテイ側より見た図である。
ト部をキャビテイ側より見た図である。
【図８】本発明の第４実施例を示す樹脂封止金型のゲー
ト部の斜視図である。
ト部の斜視図である。
【図９】本発明の第４実施例を示す樹脂封止金型のゲー
ト部をキャビテイ側より見た図である。
ト部をキャビテイ側より見た図である。
【図１０】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図であ
る。
る。
１１ 上キャビティ
１２ カル部
１３ ポット
１４ ランナー
１５ ゲート
１６ 下キャビティ
１７ プランジャー
１８ 熱硬化性樹脂タブレット
１８´ 可塑化された樹脂
１９ リードフレーム
２０ アイランド
２１ 半導体素子
２２ 配線ワイヤー
３１，４１，５１，６１ 傾斜底面
３２ 水平底面
３３，５３ テーパ側面
３４ 凹形溝
４２ Ｖ字側面
４３ Ｖ字溝
５２ 逆傾斜底面
５４ 逆傾斜凹形溝
６２ Ｖ字傾斜側面
６３ 逆傾斜Ｖ字溝
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｂ２９Ｌ 31:34
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/56
B29C 45/02
B29C 45/14
B29C 45/26
B29K 101:10
B29L 31:34
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体素子を熱硬化性樹脂で封止成形す
る金型において、 モールドパッケージを形成するための上下キャビティ内
へ樹脂を注入するゲートは、断面が逆台形でその底辺は
上キャビティに向かって傾斜をなす傾斜底面と、その傾
斜底面の頂部中央に水平底面とテーパ側面とを有する凹
形溝を設けた２段構造を具備し、前記凹形溝により、注
入樹脂の注入方向が変わり、上下キャビティ内へ注入樹
脂をバランスよく流入、充填するとともに、硬化した樹
脂を容易に離型することを特徴とする半導体素子の樹脂
封止金型。 - 【請求項２】 半導体素子を熱硬化性樹脂で封止成形す
る金型において、 モールドパッケージを形成するための上下キャビティ内
へ樹脂を注入するゲートは、断面が逆台形でその底辺は
上キャビティに向かって傾斜をなす傾斜底面と、その傾
斜底面の頂部中央にＶ字側面が形成されるＶ字溝を設け
た２段構造を具備し、前記凹形溝により、注入樹脂の注
入方向が変わり、上下キャビティ内へ注入樹脂をバラン
スよく流入、充填するとともに、硬化した樹脂を容易に
離型することを特徴とする半導体素子の樹脂封止金型。 - 【請求項３】 半導体素子を熱硬化性樹脂で封止成形す
る金型において、 モールドパッケージを形成するための上下キャビティ内
へ樹脂を注入するゲートは、断面が逆台形でその底辺は
上キャビティに向かって傾斜をなす傾斜底面と、その傾
斜底面の頂部中央にキャビティ側下向きの逆傾斜底面と
テーパ側面とを有する逆傾斜凹形溝を設けた２段構造を
具備し、前記逆傾斜凹形溝により、注入樹脂の注入方向
が変わり、上下キャビティ内へ注入樹脂をバランスよく
流入、充填するとともに、硬化した樹脂を容易に離型す
ることを特徴とする半導体素子の樹脂封止金型。 - 【請求項４】 半導体素子を熱硬化性樹脂で封止成形す
る金型において、 モールドパッケージを形成するための上下キャビティ内
へ樹脂を注入するゲートは、断面が逆台形でその底辺は
上キャビティに向かって傾斜をなす傾斜底面と、その傾
斜面の頂部中央にキャビティ側下向きのＶ字傾斜側面を
有する逆傾斜Ｖ 字溝を設けた２段構造を具備し、前記逆
傾斜Ｖ字溝により、注入樹脂の注入方向が変わり、上下
キャビティ内へ注入樹脂をバランスよく流入、充填する
とともに、硬化した樹脂を容易に離型することを特徴と
する半導体素子の樹脂封止金型。 - 【請求項５】モールドパッケージを形成するための上下
キャビティ内へ樹脂を注入するゲートの頂部に、断面が
逆台形でその底辺は上キャビティに向かって傾斜をなす
傾斜底面と、その傾斜底面の頂部中央に水平底面とテー
パ側面とを有する凹形溝を設けた２段構造を具備し、前
記凹形溝により、注入樹脂の注入方向が変わり、上下キ
ャビティ内へ注入樹脂をバランスよく流入、充填すると
ともに、硬化した樹脂を容易に離型する樹脂封止金型を
用いて、半導体素子を樹脂封止することを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項６】モールドパッケージを形成するための上下
キャビティ内へ樹脂を注入するゲートの頂部に、断面が
逆台形でその底辺は上キャビティに向かって傾斜をなす
傾斜底面と、その傾斜底面の頂部中央にＶ字側面が形成
されるＶ字溝を設けた２段構造を具備し、前記凹形溝に
より、注入樹脂の注入方向が変わり、上下キャビティ内
へ注入樹脂をバランスよく流入、充填するとともに、硬
化した樹脂を容易に離型する樹脂封止金型を用いて、半
導体素子を樹脂封止することを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項７】モールドパッケージを形成するための上下
キャビティ内へ樹脂を注入するゲートの頂部に、断面が
逆台形でその底辺は上キャビティに向かって傾斜をなす
傾斜底面と、その傾斜底面の頂部中央にキャビティ側下
向きの逆傾斜底面とテーパ側面とを有する逆傾斜凹形溝
を設けた２段構造を具備し、前記逆傾斜凹形溝により、
注入樹脂の注入方向が変わり、上下キャビティ内へ注入
樹脂をバランスよく流入、充填するとともに、硬化した
樹脂を容易に離型する樹脂封止金型を用いて、半導体素
子を樹脂封止することを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項８】モールドパッケージを形成するための上下
キャビティ内へ樹脂を注入するゲートの頂部に、断面が
逆台形でその底辺は上キャビティに向かって傾斜をなす
傾斜底面と、その傾斜面の頂部中央にキャビティ側下向
きのＶ字傾斜側面を有する逆傾斜Ｖ字溝を設けた２段構
造を具備し、前記逆傾斜Ｖ字溝により、注入樹脂の注入
方向が変わり、上下キャビティ内へ注入樹脂をバランス
よく流入、充填するとともに、硬化した樹脂を容易に離
型する樹脂封止金型を用いて、半導体素子を樹脂封止す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17315696A JP3411448B2 (ja) | 1996-07-03 | 1996-07-03 | 半導体素子の樹脂封止金型及び半導体装置の製造方法 |
| US08/798,153 US5723156A (en) | 1996-07-03 | 1997-02-10 | Mold for molding a semiconductor package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17315696A JP3411448B2 (ja) | 1996-07-03 | 1996-07-03 | 半導体素子の樹脂封止金型及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022309A JPH1022309A (ja) | 1998-01-23 |
| JP3411448B2 true JP3411448B2 (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=15955147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17315696A Expired - Lifetime JP3411448B2 (ja) | 1996-07-03 | 1996-07-03 | 半導体素子の樹脂封止金型及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5723156A (ja) |
| JP (1) | JP3411448B2 (ja) |
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| JP3447982B2 (ja) | 1999-06-16 | 2003-09-16 | 株式会社アルテクス | 超音波振動接合装置 |
| JP3552613B2 (ja) * | 1999-10-28 | 2004-08-11 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | モールド装置及びモールディング方法 |
| US6576496B1 (en) | 2000-08-21 | 2003-06-10 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for encapsulating a multi-chip substrate array |
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| US7169345B2 (en) * | 2003-08-27 | 2007-01-30 | Texas Instruments Incorporated | Method for integrated circuit packaging |
| JP4486461B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2010-06-23 | 富士通株式会社 | 携帯型電子装置 |
| JP4899739B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2012-03-21 | 株式会社ブリヂストン | 発泡形成型及びシート用パッドの製造方法 |
| JP5211131B2 (ja) * | 2010-10-07 | 2013-06-12 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | バックライト装置及び液晶表示装置 |
| JP5885559B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2016-03-15 | 本田技研工業株式会社 | 射出成形装置 |
| US10020211B2 (en) * | 2014-06-12 | 2018-07-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer-level molding chase design |
| JP6379879B2 (ja) * | 2014-09-02 | 2018-08-29 | 株式会社デンソー | 樹脂成形品の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6029227B2 (ja) * | 1977-08-22 | 1985-07-09 | 株式会社日立製作所 | リ−ドフレ−ム |
| JPH04147814A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-05-21 | Daiichi Seiko Kk | 樹脂封入成形用金型 |
| TW199235B (en) * | 1991-05-27 | 1993-02-01 | Hitachi Seisakusyo Kk | Method to enclose semiconductor devices in resin and semiconductor apparatuses |
| US5275546A (en) * | 1991-12-30 | 1994-01-04 | Fierkens Richard H J | Plastic encapsulation apparatus for an integrated circuit lead frame and method therefor |
-
1996
- 1996-07-03 JP JP17315696A patent/JP3411448B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-02-10 US US08/798,153 patent/US5723156A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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