JPH03157943A - 樹脂封止型半導体集積回路の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体集積回路の製造方法Info
- Publication number
- JPH03157943A JPH03157943A JP29807689A JP29807689A JPH03157943A JP H03157943 A JPH03157943 A JP H03157943A JP 29807689 A JP29807689 A JP 29807689A JP 29807689 A JP29807689 A JP 29807689A JP H03157943 A JPH03157943 A JP H03157943A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- plate
- lead frame
- integrated circuit
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 38
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 38
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 10
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 abstract description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体集積回路の製造方法に関し、
特に樹脂封止方法に関する。
特に樹脂封止方法に関する。
従来の樹脂封止型半導体集積回路の製造工程における樹
脂封止方法について第3図を用いて説明する。
脂封止方法について第3図を用いて説明する。
第3図(a>は、金型の型締前の状態を示す断面図であ
る。
る。
下金型1のポット部7に樹脂3を投入、その後半導体素
子4を固着したリードフレーム5を下金型1上に載置す
る。
子4を固着したリードフレーム5を下金型1上に載置す
る。
次に第3図(b)に示すように上金型2でリードフレー
ム5をはさみ、金型の型締を行ない、プランジャ]0を
加圧しキャビティー9内に樹脂3を充填し、樹脂封止を
完了させる。樹脂封止完了時には、リードフレーム5と
金型のゲート部8における樹脂3は密着した状態にある
。
ム5をはさみ、金型の型締を行ない、プランジャ]0を
加圧しキャビティー9内に樹脂3を充填し、樹脂封止を
完了させる。樹脂封止完了時には、リードフレーム5と
金型のゲート部8における樹脂3は密着した状態にある
。
しかしながら、上述した従来の樹脂封止型半導体集積回
路の製造方法は以下の様な欠点を有する。
路の製造方法は以下の様な欠点を有する。
近年多品種にわたるパッケージの実装方法の多様化、半
導体素子の高集積化及び大型化に伴い、樹脂サイドでス
トレス緩和の為の低応力化、密着性向−Fによる耐湿性
改善等の対応を余儀なくされている。しかし、このよう
な樹脂サイドの対応の為、従来のゲート部の樹脂の除去
方法では、リードフレームとゲート部の樹脂の分離が困
難となり、ゲート部の樹脂残りが発生するという欠点が
ある。
導体素子の高集積化及び大型化に伴い、樹脂サイドでス
トレス緩和の為の低応力化、密着性向−Fによる耐湿性
改善等の対応を余儀なくされている。しかし、このよう
な樹脂サイドの対応の為、従来のゲート部の樹脂の除去
方法では、リードフレームとゲート部の樹脂の分離が困
難となり、ゲート部の樹脂残りが発生するという欠点が
ある。
本発明の樹脂封止型半導体集積回路の製造方法は、下金
型及び上金型の間に半導体素子が固着されたリードフレ
ームをはさみトランスファーモールド法により樹脂封止
する樹脂封止型半導体集積回路の製造方法において、前
記下金型のゲート部に板を載置しこの板の上にリードフ
レームを載置するものである。
型及び上金型の間に半導体素子が固着されたリードフレ
ームをはさみトランスファーモールド法により樹脂封止
する樹脂封止型半導体集積回路の製造方法において、前
記下金型のゲート部に板を載置しこの板の上にリードフ
レームを載置するものである。
次に、本発明について図面を用いて説明する。
第1図(a)、(b)は本発明の第1の実施例を説明す
るための断面図である。
るための断面図である。
まず第1図(a)に示すように、下金型1のポット部7
に樹脂3を投入し、次に板6を下金型1に載置し、最後
に半導体素子4が固着されたリードフレーム5を板6の
上に接触載置せしめる。板6としては樹脂3とはがれや
すいものであればよく、ステンレス板やニッケル合金板
等を用いることができる。
に樹脂3を投入し、次に板6を下金型1に載置し、最後
に半導体素子4が固着されたリードフレーム5を板6の
上に接触載置せしめる。板6としては樹脂3とはがれや
すいものであればよく、ステンレス板やニッケル合金板
等を用いることができる。
次に第1図(b)に示ずように、樹脂3をキャビティー
9に充填し、樹脂封止を完了させる。
9に充填し、樹脂封止を完了させる。
このように第1の実施例によれば、樹脂封止完了後、リ
ードフレーム5とゲート部8の樹脂3の密着部分は、リ
ードフレーム5に接触している板6により減少する。従
ってリードフレーム5とゲート部の樹脂の分離は容易と
なり、リードフレーム5に発生する樹脂残りは極めて少
いものとなる。
ードフレーム5とゲート部8の樹脂3の密着部分は、リ
ードフレーム5に接触している板6により減少する。従
ってリードフレーム5とゲート部の樹脂の分離は容易と
なり、リードフレーム5に発生する樹脂残りは極めて少
いものとなる。
第2図は、本発明の第2の実施例を説明するための断面
図であり、金型の型締前の状態を示している。
図であり、金型の型締前の状態を示している。
この第2の実施例では第1の実施例と異なり、板6Aの
樹脂投入部にあたる部分に穴を設けである。従って板6
Aとリードフレーム5を下金型1に載置した後に樹脂3
を投入できるため、樹脂の硬化を遅らせ、よりスムーズ
に樹脂3をキャビティ9に導入できるという利点がある
。
樹脂投入部にあたる部分に穴を設けである。従って板6
Aとリードフレーム5を下金型1に載置した後に樹脂3
を投入できるため、樹脂の硬化を遅らせ、よりスムーズ
に樹脂3をキャビティ9に導入できるという利点がある
。
以上説明したように本発明は、リードフレームとゲート
部の樹脂とが接触する部分に板を重ね合わせて樹脂封止
を行う事により、リードフレームとゲート部の樹脂との
密着部分を減少させることができるため、ゲート部樹脂
の除去での樹脂残りを防止できるという効果が有る。
部の樹脂とが接触する部分に板を重ね合わせて樹脂封止
を行う事により、リードフレームとゲート部の樹脂との
密着部分を減少させることができるため、ゲート部樹脂
の除去での樹脂残りを防止できるという効果が有る。
第1図及び第2図は、本発明の第1及び第2の実施例を
説明するための金型の断面図、第3図は従来技術を説明
するための金型の断面図である。 1・・・下金型、2・・・上金型、3・・・樹脂、4・
・・半導体素子、5・・・リードフレーム、6・・・板
、7・・・ポット部、8・・・ゲート部、9・・・キャ
ビティー、10・・・プランジャ。
説明するための金型の断面図、第3図は従来技術を説明
するための金型の断面図である。 1・・・下金型、2・・・上金型、3・・・樹脂、4・
・・半導体素子、5・・・リードフレーム、6・・・板
、7・・・ポット部、8・・・ゲート部、9・・・キャ
ビティー、10・・・プランジャ。
Claims (1)
- 下金型及び上金型の間に半導体素子が固着されたリー
ドフレームをはさみトランスファーモールド法により樹
脂封止する樹脂封止型半導体集積回路の製造方法におい
て、前記下金型のゲート部に板を載置しこの板の上にリ
ードフレームを載置することを特徴とする樹脂封止型半
導体集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29807689A JPH03157943A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | 樹脂封止型半導体集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29807689A JPH03157943A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | 樹脂封止型半導体集積回路の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03157943A true JPH03157943A (ja) | 1991-07-05 |
Family
ID=17854840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29807689A Pending JPH03157943A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | 樹脂封止型半導体集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03157943A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6162484A (en) * | 1990-07-23 | 2000-12-19 | T. W. Burleson & Son | Method for the production of a reduced calorie honey composition |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01138724A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置のモールド方法および装置 |
-
1989
- 1989-11-15 JP JP29807689A patent/JPH03157943A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01138724A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置のモールド方法および装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6162484A (en) * | 1990-07-23 | 2000-12-19 | T. W. Burleson & Son | Method for the production of a reduced calorie honey composition |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5139969A (en) | Method of making resin molded semiconductor device | |
EP1315605B1 (en) | Mold and method for encapsulating an electronic device | |
JP3194917B2 (ja) | 樹脂封止方法 | |
JPH0590319A (ja) | 半導体デバイスを封止する方法および装置 | |
JPH04102338A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
JP3456983B2 (ja) | リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JP3129660B2 (ja) | Sonパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置 | |
JP3139981B2 (ja) | チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置 | |
JPH03157943A (ja) | 樹脂封止型半導体集積回路の製造方法 | |
JP3246037B2 (ja) | 半導体チップのトランスファーモールド用金型 | |
JPH10270606A (ja) | パッケージ型半導体装置の構造 | |
JP3317346B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JPS60257528A (ja) | 半導体封止用金型 | |
JP2730873B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US6355499B1 (en) | Method of making ball grid array package | |
JPH05218508A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
JP2616685B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JPS60111432A (ja) | 半導体装置用樹脂封止金型 | |
JP2003203935A (ja) | 半導体装置の封止方法およびそれに用いる封止装置 | |
JPH02265721A (ja) | 半導体装置用封入金型 | |
JP3499269B2 (ja) | カバーフレームと樹脂封止方法 | |
JPH05326587A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法及びその装置 | |
JPH10209330A (ja) | Bga型中空半導体パッケージ | |
JPH0546270Y2 (ja) | ||
TW587002B (en) | Mold |