JPS5846461U - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPS5846461U
JPS5846461U JP14330881U JP14330881U JPS5846461U JP S5846461 U JPS5846461 U JP S5846461U JP 14330881 U JP14330881 U JP 14330881U JP 14330881 U JP14330881 U JP 14330881U JP S5846461 U JPS5846461 U JP S5846461U
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JP
Japan
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region
conductivity type
shield electrode
integrated circuit
epitaxial layer
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Application number
JP14330881U
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JPH0129795Y2 (ja
Inventor
田中　忠彦
勉 野崎
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三洋電機株式会社
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Publication date
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Priority to JP14330881U priority Critical patent/JPS5846461U/ja
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  • Bipolar Transistors (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来例を説明する断面図、第２図は従来例を改
良した構造を説明する断面図、第３図は本考案を説明す
る断面図、第４図は耐圧特性図である。 主な図番の説明、１は半導体基板、２はエピタキシャル
層、８はコレクタコンタクト領域、１０゜１１はベース
電極およびエミッタ電極、１２は第１シールド電極、１
４は第２シールド電極である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板と該基板上に設けられコレクタ領
    域となる逆導電型のエピタキシャル層と該エピタキシャ
    ル層を島領域に分離する一導電型の分離領域と該島領域
    底面に設けられた逆導電型の埋め込み層と前記島領域表
    面に形成された一導電型のベース領域と該ベース領域表
    面に形成され／こ逆導電型のエミッタ領域と前記島領域
    表面から前記埋め込み層に達する逆導電型のコレクタコ
    ンタクト領域とを具備する半導体集積回路に於いて、前
    記エピタキシャル層表面を被覆する第１の絶縁膜上に前
    記コレクタコンタクト領域にオーミック接触し且つ前記
    エピタキシャル層上に延在された第１シールド電極を設
    け、該第１シールド電極を被覆する第２の絶縁膜上の前
    記第１のシールド電極上に第２シールド電極を設け、該
    第２シールド電極を被覆する第３の絶縁膜の前記第２シ
    ールド電極上番前記ベース領域およびエミッタ領域にオ
    ーミック接触するベース電極およびエミッタ電極を延在
    させることを特徴とする半導体集積回路装置。
JP14330881U 1981-09-25 1981-09-25 半導体集積回路装置 Granted JPS5846461U (ja)

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JPS5846461U true JPS5846461U (ja) 1983-03-29
JPH0129795Y2 JPH0129795Y2 (ja) 1989-09-11

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4985984A (ja) * 1972-12-20 1974-08-17
JPS49132979A (ja) * 1973-04-25 1974-12-20
JPS5591864A (en) * 1978-12-28 1980-07-11 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4985984A (ja) * 1972-12-20 1974-08-17
JPS49132979A (ja) * 1973-04-25 1974-12-20
JPS5591864A (en) * 1978-12-28 1980-07-11 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device

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JPH0129795Y2 (ja) 1989-09-11

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