JPS60137451U - 半導体抵抗装置 - Google Patents
半導体抵抗装置Info
- Publication number
- JPS60137451U JPS60137451U JP2543384U JP2543384U JPS60137451U JP S60137451 U JPS60137451 U JP S60137451U JP 2543384 U JP2543384 U JP 2543384U JP 2543384 U JP2543384 U JP 2543384U JP S60137451 U JPS60137451 U JP S60137451U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- resistance device
- resistance
- semiconductor
- semiconductor resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は本考案の一実施例を示す断面図、第2図は従来
装置を示す断面図である。 1.21・・・半導体基板、2.22・・・エピタキシ
ャル層、3,23・・・分離領域、4,24・・・島領
域、6,26・・・拡散領域、7. 8. 27・・・
抵抗領域、9. 10. 28.29・・・電極、11
・・・接続電極。
装置を示す断面図である。 1.21・・・半導体基板、2.22・・・エピタキシ
ャル層、3,23・・・分離領域、4,24・・・島領
域、6,26・・・拡散領域、7. 8. 27・・・
抵抗領域、9. 10. 28.29・・・電極、11
・・・接続電極。
Claims (2)
- (1)P型の半導体基板上にN型のエピタキシャル層を
設け、このエピタキシャル層を分離領域にて分離して形
成した島領域内に、P型の拡散領域を形成し、この拡散
領域内に2個のN型の抵抗領域を形成し、且つこの抵抗
領域間を接続電極で直列に接続すると共に、前記接続電
極を前記拡散領域に接触せしめたことを特徴とする半導
体抵抗装置。 - (2)2個の抵抗領域を同一抵抗値に形成したことを特
徴とする実用新案登録請求の範囲第1項に記載の半導体
抵抗装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2543384U JPS60137451U (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 半導体抵抗装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2543384U JPS60137451U (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 半導体抵抗装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60137451U true JPS60137451U (ja) | 1985-09-11 |
Family
ID=30520495
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2543384U Pending JPS60137451U (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 半導体抵抗装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60137451U (ja) |
-
1984
- 1984-02-23 JP JP2543384U patent/JPS60137451U/ja active Pending
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