JPS60151154U - トランジスタ - Google Patents
トランジスタInfo
- Publication number
- JPS60151154U JPS60151154U JP3835784U JP3835784U JPS60151154U JP S60151154 U JPS60151154 U JP S60151154U JP 3835784 U JP3835784 U JP 3835784U JP 3835784 U JP3835784 U JP 3835784U JP S60151154 U JPS60151154 U JP S60151154U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- conductivity type
- electrode
- base
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は従来のトランジスタを説明するための断面図、
第2図および第3図は本考案によるトランジスタの一実
施例を示すもので、第2図は上面図、第3図は第2図の
■−■線断面曲である。第4図は本考案によるトランジ
スタと従来のトラン ′ジスタのIc hFp特性図
である。 2.22・・・エピタキシ、ヤル層、4.24・・・半
導体領域(コレクタ領域)、6,26・・・ベース領域
、7,27・・・エミッタ領域、8,28−・・コレク
タコンタクト領域、9.29・・・保護膜、31・・・
絶縁層、10.30・・・コレクタ電極、11,33・
・・ベース’t[極、12.32・・・エミッタ電極。 第4図 ゝ°[ ・[
第2図および第3図は本考案によるトランジスタの一実
施例を示すもので、第2図は上面図、第3図は第2図の
■−■線断面曲である。第4図は本考案によるトランジ
スタと従来のトラン ′ジスタのIc hFp特性図
である。 2.22・・・エピタキシ、ヤル層、4.24・・・半
導体領域(コレクタ領域)、6,26・・・ベース領域
、7,27・・・エミッタ領域、8,28−・・コレク
タコンタクト領域、9.29・・・保護膜、31・・・
絶縁層、10.30・・・コレクタ電極、11,33・
・・ベース’t[極、12.32・・・エミッタ電極。 第4図 ゝ°[ ・[
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板と、この基板上に生成された逆導
電型のエピタキシャル層と、このエピタキシャル層を分
離領域で島状に分離して形成され且つコレクタ領域とな
る半導体領域と、この半導体領域の表層部に形成された
一導電型のベース領域と、このベース領域の表層部に形
成された逆導電型のエミッタ領域と、前記半導体領域表
面を被覆する保護膜とを具備するトランジスタにおいて
、前記半導体領域の表層部に、前記ベース領域を取り囲
む逆導電型のコンタクト領域を形成し、このコンタクト
領域の全周に互って電極コンタクトしたコンタクタ電極
を前記保護膜上に配設し、且つ、このコレクタ電極を被
覆する絶縁層を保護膜上に設けると共に、前記エミッタ
領域およびベース領域に夫々電極コンタクトしたエミッ
タ電極およびベース電極を前記絶縁層上に延在せしめた
ことを特徴とするトランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3835784U JPS60151154U (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3835784U JPS60151154U (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | トランジスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60151154U true JPS60151154U (ja) | 1985-10-07 |
Family
ID=30545288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3835784U Pending JPS60151154U (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60151154U (ja) |
-
1984
- 1984-03-16 JP JP3835784U patent/JPS60151154U/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS60151154U (ja) | トランジスタ | |
JPS60153550U (ja) | ラテラル型トランジスタ | |
JPS60153549U (ja) | 半導体装置 | |
JPS60151152U (ja) | ラテラル型トランジスタ | |
JPS60151153U (ja) | ラテラル型トランジスタ | |
JPS60166155U (ja) | 接合型コンデンサ | |
JPS60153548U (ja) | ラテラル型トランジスタ | |
JPS60125748U (ja) | ラテラル型トランジスタ | |
JPS60149150U (ja) | 半導体装置 | |
JPS60160558U (ja) | 基板型トランジスタ | |
JPS6071153U (ja) | 半導体装置 | |
JPS60137451U (ja) | 半導体抵抗装置 | |
JPS60166160U (ja) | トランジスタ | |
JPS58124953U (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPS62118459U (ja) | ||
JPS60125747U (ja) | コンデンサ | |
JPS5860951U (ja) | 半導体装置 | |
JPS58116259U (ja) | 半導体レ−ザ | |
JPS6138956U (ja) | サイリスタ | |
JPS5846461U (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH02102727U (ja) | ||
JPH0298632U (ja) | ||
JPS5981047U (ja) | 半導体素子 | |
JPS58114054U (ja) | 光半導体装置 | |
JPS6115760U (ja) | 半導体集積回路装置 |