JPS60125749U - 半導体スイツチング素子 - Google Patents

半導体スイツチング素子

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Publication number
JPS60125749U
JPS60125749U JP1340484U JP1340484U JPS60125749U JP S60125749 U JPS60125749 U JP S60125749U JP 1340484 U JP1340484 U JP 1340484U JP 1340484 U JP1340484 U JP 1340484U JP S60125749 U JPS60125749 U JP S60125749U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
conductivity type
semiconductor switching
switching device
epitaxial layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP1340484U
Other languages
English (en)
Inventor
哲郎 浅野
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はＰ　ＮＰＮ構造の半導体スイッチング素子゛　
　−の等価回路図、第２図は従来の半導体集積回路に組
み込まれた半導体スイッチング素子の断面図、第３図は
本考案の半導体スイッチング素子を説明する断面図であ
る。 ゛　主な図番の説明、１１は半導体基板、１２はエピタ
キシャル層、１４は島領域、１５は第１領域、１６は第
２領域、１７は第３領域である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板と該基板上に設けた逆導電軸のエ
    ピタキシャル層と一導電型の分離領域により前記エピタ
    キシャル層を電気的に分離して形成した島領域とを具備
    し、該島領域に一導電型の第１領域および該第１領域に
    二重拡散された逆導電型゛の第２領域を設は且つ前記第
    １領域に隣接して一導電型の第３領域を設け、前記第２
    領域と第３領域間にＰＮＰＮ構造を形成して成る半導体
    スイ゛ツチング素子。
JP1340484U 1984-02-01 1984-02-01 半導体スイツチング素子 Pending JPS60125749U (ja)

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JP1340484U JPS60125749U (ja) 1984-02-01 1984-02-01 半導体スイツチング素子

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JP1340484U JPS60125749U (ja) 1984-02-01 1984-02-01 半導体スイツチング素子

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Publication Number Publication Date
JPS60125749U true JPS60125749U (ja) 1985-08-24

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JP1340484U Pending JPS60125749U (ja) 1984-02-01 1984-02-01 半導体スイツチング素子

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