JPS60113444A - 多層配線構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、多層配線技術ＶＣ適用して有効な技術に関す
るものであり、特に、半導体集積回路装置の多層配線技
術に適用し、て有効な技術に関するものである。

〔背景技術〕

基板上に導電層と絶縁層とが又互に重り合い複数層をな
す多層配線部材Ｗおいて、第１層目の導を層である下層
配線の有する急峻ブよ段差形状によって、その上部に形
成される絶縁膜上面部に急峻な段差形状が生じる。前記
絶縁膜上面部に、第２層目の導を層である上層配線を形
成するとぎに、配線材料としてアルミニウムを用いると
急峻な段差部におけるその被着性が極めて悪いため、断
線。

エレクトロマイグレーション寿命の劣化等を生じる。こ
のために、多層配線部材における信頼性が低下するとい
う問題点がある。

この問題点を解決するために、％開昭５６−３３８９９
号公報の多層配線部材における層間絶縁膜の平坦化技術
が提案されている。これは、下層配線と上層配線との間
のＰ縁膜が、熱応力による下層配線の体積膨張を緩和す
るための第１の絶縁膜と、下層配線の有する急峻な段差
形状を緩和するための第２の絶縁膜と、下層配線と上層
配線との電気的な分離をするための第３の絶縁膜とによ
って構成され、王として第２の絶縁膜にょっ又平坦化を
促進し、上層配線の被着性を向上するものである。

しかしながら、多層配線構造を備えた半導体集積回路装
置について、かかる技術における実験ならびにその検討
の結果、本発明者は、以下に述べるような新しい事実を
発見した。これは、高集積化を図るべ（、半導体集積回
路装置の製造プロセスにおける最小配線間寸法（最小配
線間スペース）を１．５〔μｍ〕程度にすると、最小配
線間寸法を有する下層配線間上部を交差する上層配線が
その部分において断線、エレクトロマイグレーション寿
命の劣化等を極めて生じゃ丁いという第１の事実と、最
小配線間寸法を有する下層配線間上部を交差１〜、かつ
隣接する上層配線間がその部分において上層配線形成後
の工・Ｉチングのこりによるショート不良を極めて生じ
やすいという第２の事実とである。

本発明者によれば、前記事実は以下に述べる理由によっ
て生じるであろうと考察している。第１の事実は、下層
配線と上層配線との間の第２の絶縁膜ならびに第３のＰ
縁膜上面部が、最小配線間寸法を有する下層配線間部分
において、前記第１の絶縁膜によって急峻な段差形状を
有する小さな溝部を生じ、例えばアルミニウムからなる
上層配線をスパッタ技術で蒸着する場合、前記溝部の開
口部子端においてアルミニウム粒子が積極的に堆積され
、溝内部に堆積しようとするアルミニウム粒子を遮断し
てしまう（ｓｅｌｆ　ｓｈａｄｏｗｉｎｇ）ために生じ
る。第２の事実は、上層配線となる導電膜を全面に形成
すると、前記溝部の上部に形成された導！膜上面部に新
たなる第２の溝部が生じ、該溝部には上層配線をバター
ニングするためのホトレジスト膜が他に比べて厚く形成
されるので、現像してもホトレジスト膜が残存し、その
部分における導電膜を完全に除去しきれｒｅいために生
じる。

従って、本発明者は、かかる技術では多層配線部材の高
集積化および高信頼性を得ることができないであろうと
推測している。

［発明の目的〕 本発明の目的は、高集積化が可能な多層配線技術を提供
することにある。

本発明の他の目的は、高信頼性が可能な多層配線技術を
提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は１本
明細書の記述および添付図面によって、明らかにされる
であろう。

〔発明の概要〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、半導体集積回路装置の製造プロセスにおける
最小配線間寸法を有する下層配線間部分において、下層
配線と上層配線との間に設けられる絶縁膜の上面部を、
熱応力による下層配線の体積膨張を緩和するための第１
の絶縁膜および下層配線の有する急峻な段差形状を緩和
するための第２の絶縁膜の膜厚を制御することによって
ほぼ平坦化し、上層配線の被着性を向上てることによっ
て、多層配線構造を備えた半導体集積回路装置の信頼性
を向上し、高集積化を可能にすることである。

〔実施例〕

以下、本発明の構成Ｊ／ｒついて、一実施例とともに詳
細に説明する。

本実施例は、２層配線構造を備えた半導体集積回路装置
を用い、その説明をする。

第１図は、本発明の一実施例を説明するための半導体集
積回路装置の要部を示す斜視図である。

なお、全図におい又、同一の機能を有するものは同一符
号を付け、そのくり返しの説明は省略する。

第１図において、１はシリコン単結晶からなる所定導電
型の半導体基板であり、半導体集積回路装置を構成する
だめのものである。図示していないが、半導体基板］に
は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ、バイポーラト
ランジスタ等の半導体素子が設けられている。２は半導
体素子と後述する第１層目の配線との間に設けられた絶
縁膜であり、それらを電気的に分離するためのものであ
る。絶縁膜２はたとえは基板１の熱酸化による厚いＳｉ
Ｏ□膜である。３Ａ、３Ｂ、３０は絶縁膜２上部に設け
られた第１層目の配線であり、王と１゜て、絶縁膜２を
介し前記半導体素子間を電気的に接続するためのもので
ある。この配線３Ａ、３Ｂ。

３０は、例えば、アルミニウムによって構成し、その膜
厚な０．８〜１．０〔μｍ〕、その配線幅寸法を２〜４
〔μｍ〕程度に構成すればよい。第１図に示した配線３
Ａ、３Ｂ間の寸法（距離）は、例えば１．５〔μｍ〕程
度の最小配線間寸法を有し、配線３Ｂ、３０間は、例え
ば５〜９〔μｍ〕程度の最小配線間寸法以上の寸法を有
している。４は配線３Ａ、３Ｂ、３０の有する急峻な段
差形状をほぼ忠実に覆うようにすなわちその膜厚がほぼ
均一化して配線３上部に設けられた第１の絶縁膜であり
。

熱処理工程等の熱応力による配線３Ａ、３Ｂ、３０の体
積膨張を緩和し、また、後述する第２層目の配線の被着
性を向上するだめのものである。この第１の絶縁膜４は
、熱応力による配線３０体積膨張を緩和するために、例
えば強靭なプラズマＣＶＤ（化学的気相析出）技術によ
る窒化シリコン膜を用いればよい。また、プラズマＯＶ
Ｄ技術による酸化シリコン膜を用いてもよい。そして、
その膜厚は、最小配線間寸法を有する配線３Ａ、３Ｂ間
部分において、後述する第２の絶縁膜上面部がほぼ平坦
化されるようにするために最小配線間寸法から決定され
る値例えば０．２０〜０．６５Ｃμｍ〕程度に積極的に
厚く構成する。４Ａは第１の絶縁膜４によって配線３Ａ
、３Ｂ間部分に設けられた溝部である。仮に、絶縁膜４
が薄くて溝部４Ａの幅寸法＜１．に相当）が配線３Ａ、
３Ｂ間の最小配線間寸法に近い幅寸法程度では、その部
分に形成される後述する第２の絶縁膜が第１の絶縁膜４
両側面の近接により互いに干渉しその上面部が平坦化さ
れない。これを防止するために溝部４Ａの寸法は第１の
絶縁膜４膜厚を積極的に厚く形成することにより、０．
２〜１．１〔μｍ〕程度の溝寸法１１にしである。４Ｂ
は第１の絶縁膜４によって配線３Ｂ、３０間に設けられ
た溝部である。この溝部４Ｂは、配線３Ｂ、３０間の最
小配線間寸法程度以上の寸法で形成される溝において、
その部分に形成される後述する第２の絶縁膜が第１の絶
縁膜４両側面の近接により互いに干渉しないように積極
的に幅寸法を広くさせ、４．６Ｃμｍ〕程度以上の溝幅
寸法１２にしである。また、絶縁膜４の厚さは幅寸法１
１により支配的に決定されるので、幅寸法１２を広くす
るように配線３Ｂ、３０が配置される。５は第４の絶縁
膜４上部に設けられた第２の絶縁膜であり、配線３Ａ、
３Ｂ、３０の有する急峻な段差形状を緩和するためのも
のである。

この第２の絶縁膜５は、例えば、１．０［ｃｐ］程度の
粘度を有し、４．１％］程度の酸化シリコン成分を溶解
した形で含有した溶液を、３０００［ｒｐｍ〕程度の回
転力により任意に引き伸して塗布し、窒素ガス雰囲気中
において８０〜４４０　Ｃ℃Ｉ程度の温度で１〔時間〕
程度ベータ処理し、同様な工程を２回程度施すことによ
って、形成てればよい。

その膜厚は、例えは平坦部において１ｓｏＯ［Ａ］程度
に構成すればよい。第２の絶縁膜５は、急峻な段差部で
かつその寸法が小さいほど、その膜厚が厚く形成される
。つまり、最小配線間寸法を有する配線３Ａ、３Ｂ間部
分において、第１の絶縁膜４両側面の近接により第２の
絶縁膜５は互いに干渉し、溝部４八部分には厚く形成さ
れ、溝部４Ａ内部を埋めその上面部はほぼ平坦化される
ようになっている。また、第２の絶縁膜５は、最小配線
間寸法以上の寸法を有する溝部４Ｂおよび配線３Ａ、３
Ｂ、３０上面の平坦部においては、はぼ同等の膜厚でそ
の上面部は平坦化されている。

第２の絶縁膜５は塗布法によって形成される膜なので、
溝部４Ａの開口部上端で干渉しても溝内部を埋めること
に何ら支障はない。６は第２の絶縁膜５上部に設けられ
た第３の絶縁膜であり、王として配線３Ａ、３Ｂ、３０
と後述する第２層目の配線とを電気的に分離するための
ものである。この第３の絶縁膜６は、例えばＯＶＤ技術
によるフォスフオシリケードガラス（ＰＳＧ）膜を用い
、その膜厚を２０００［ＩＡ］程度に構成すればよい。

ＰＳＧ膜は、グラスフローな旋すとその下地が有する急
峻な段差形状を緩和することができる。

７Ａ、７Ｂは第３の絶縁膜６十部に設けられた第２層目
の配線であり、図示されてないが、主として第１層目の
配線間を電気的に接続するためのものである。この配置
７Ａ、７Ｂは、例えばアルミニウム膜によって構成し、
その膜厚を０．８〜１．０〔μｍ〕程度にすればよい。

また、配線７Ａ、７Ｂは、スパッタ蒸着技術によって蒸
着し、ホトレジスト膜等のマスクを用いて選択的にバタ
ーニングすることによって、構成てればよい。配線７Ａ
。

７Ｂは、最小配線間寸法を有する配線３Ａ、３Ｂ間部分
において、第２の絶縁膜５上面部がほぼ平坦化されるよ
うに、積極的に第１の絶縁膜４の膜厚を厚く形成し、溝
部４Ａの溝幅寸法１１を積極的に小さくしたことによっ
て、第３の絶縁膜６上面部がほぼ平坦化され、その被着
性は極めて良好になる。さらに、最小配線間寸法を有す
る配線３Ａ、３Ｂ間部分において、第３の絶縁膜６上面
部がほぼ平坦化されているために、アルミニウム膜をバ
ターニングして配線７Ａ、７Ｂを構成するためのホトレ
ジスト膜が必要以上に厚く塗布されることがなくなる。

従って、アルミニウム膜をバターニングする不要なマス
クはなくなり、その部分における配線７Ａ、７Ｂ以外の
不要なアルミニウム膜が完全に除去されるので、第２層
目の隣接する配線７Ａ、７Ｂ間のショート不良を防止す
ることができる。

次に、最小配線間寸法を有する配線３Ａ、３Ｂ間に第１
の絶縁膜４を形成したときに構成される溝部４への溝幅
寸法島　と、その上部を交差する配線７Ａ、７Ｂの信頼
性との関係について説明する。

表１は、前記関係を説明するためのものであり、最小配
線間寸法を１．５〔μｍ〕、配線３Ａ、３Ｂの膜厚を１
．０〔μｍ〕とした場合において、配線３Ａ。

３Ｂの上部に構成した第１の絶縁膜４の膜厚ｄと、それ
ばよって構成される溝部４Ａの溝幅寸法ｌ。

と、その上部に第２の絶縁膜（平坦部において１５００
［Ａｌ程度）５および第３の絶縁膜（２０００［Ａｌ程
度）６を介して構成された配線７Ａ、７Ｂの信頼性とを
データとして示したものである。

表１において、第１の絶縁膜４膜厚ｄが０．１５〔μｍ
〕程度以下、丁なわち、溝幅寸法１１が１．２〔μｍ〕
程度以上になると、その部分において第２の絶縁膜５は
互いに不要な干渉をしその上面部は配線７Ａ、７Ｂの信
頼性を得るような平坦化はなされない。ところが、第１
の絶縁膜４膜厚ｄが０．３０［μｍ］程度以上、すなわ
ち、溝幅寸法ｌ、が０．９〔μｍ〕程度以下になると、
第２の絶縁膜５は互いに良好な干渉をしその上面部は配
線７の信頼性を得るような平坦化がなされる。本発明者
によれば、溝幅寸法ｌ、が、１．１〔μｍ〕程度であれ
ば、配線７Ａ、７Ｂの被着性の低下、ショート不良を防
止し、信頼性を得ることができる。

また、第１の絶縁膜４膜厚ｄが０．６５［、μｍ］程度
以上、すなわち、溝幅寸法ｌＩが０．２〔μｍ〕程度以
下になると、１．５〔μｍ〕程度の最小配線間寸法を有
する配線３Ａ、３Ｂ間部分において、第１の絶縁膜４に
よる溝部４への両側面部が互いに接触。

あるいは接合し、半導体集積回路装置の電気的。

機械的性能上好ましくない果（ピンホール）等を生じや
すい。

従って、前述したように、本実施例は、最小配線間寸法
を有する配線３間部分において、第１の？縁膜４膜厚を
積極的に厚く、具体的には、第１の絶縁膜４によって構
成でれる溝部４Ａの溝幅寸法１１を０．２〜１．１Ｃμ
ｍ］程度にｆることによって、第２の絶縁膜５上面部が
ほぼ平坦化され、結果的に、配線７Ａ、７Ｂの信頼性を
向上することができる。

また、最小配線間寸法以上の配線３Ｂ、３０間部分にお
い壬、溝部４Ｂは、第２の絶縁膜５が不要な干渉を生じ
配線７Ａ、７Ｂの信頼性を低下させないように積極的に
離隔させ、その溝幅寸法ｌ。

を４．６しμｍ〕以上にてれはよい。

すなわち、第１層目の配線による急峻な段差形状を緩オ
ロするための第２の絶縁膜５が不要な干渉を生じないよ
うに、その部分を避け、第１層目の配線に、第２の絶縁
膜５の良好な干渉を生じるように積極的に配線間を近接
する設計ルールと、第２の絶縁膜５の干渉を生じないよ
うに積極的に配線間を離隔させる設計ルールとを採用す
ることによって、配線７Ａ、７Ｂの被着性の低下、ショ
ート不良を防止することができる。

次に、本実施例の具体的な製造方法について、その説明
をする。

第２図〜第６図は、本発明の一実施例の製造方法を説明
するための′？！ｒｍ造工程における半導体集積回路装
置の要部断面図である。なお、第２図〜第６図は、第１
図のＴ−Ｔ切断面における断面図である。

まず、シリコン単結晶からなる所定導電型の半導体基板
１を用意する。この半導体基板１に半導体素子（図示し
ていない）を形成し、該半導体素子と後の工程によって
形成される第１層目の配線との電気的な分離をするため
に、半導体基板】全面に絶、縁膜２を形成する。この後
に、所定の半導体素子上部の絶縁膜２を選択的に除去し
、接続孔（図示していない）を形成する。そして、第２
図に示すように、所定の前記接続孔を介して半導体素子
と電気的に接続し、かつ、絶縁膜２上部に延在する第１
層目の配線３Ａ、３Ｂ、３０を形成する。図示しである
配線３Ａ、３Ｂ間は、例えば、１．５〔μｍ〕程度の半
導体集積回路装置の製造プロセスにおける最小配線間寸
法を有し、配線３Ｂ。

３０間は、例えば５〔μｍ〕程度の最小配線間寸法以上
の寸法を有している。また、配線３Ａ、３Ｂ。

３０は、例えばアルミニウム膜を用い、その膜厚を０．
８〜１．０〔μｍ〕程度に形成すればよい。

第２図に示す工程の後に、熱応力による配線３の体積膨
張を緩和するために、および、最小配線間寸法を有する
配線３Ａ、３Ｂ間部分において、後σ）工程によって形
成される第２の絶縁膜上面部がほぼ平坦化されるように
、第３図に示すように、第１の絶縁膜４を全面に形成す
る。この第１０絶縁膜４は、例えばプラズマＯＶＤ技術
による窒化シリコン膜を用い、その膜厚を０．２０〜０
．６５〔μｍ〕程度に構成すればよい。これによって、
最小配線間寸法を有する配線３Ａ、３Ｂ間部分において
、第１の絶縁膜４による溝部４Ａが形成され、最小配線
間寸法以上の寸法を有する配線３Ｂ、３０部分において
、溝部４Ｂが形成される。この溝部４Ａは、半導体集積
回路装置における最小の溝幅寸法１．となり、その寸法
は０．２〜１．１〔μｍ〕程度になり、溝部４Ｂは、４
．６〔μｍ〕程度以上になる。

第３図に示す工程の後に、配線３Ａ、３Ｂ、３０の有す
る急峻な段差形状を緩和するために、第４図に示すよう
に、第２の絶縁膜５を第１の絶縁膜４上部全面に形成す
る。この第２の絶縁膜５は、例えば前述した塗布型の酸
化シリコン膜を用い、その膜厚が平坦部において１５０
０［Ａ］程度になるように形成すればよい。この第２の
絶縁膜５によって、前記溝部４Ａがほぼ完全に埋込まれ
、その上面部がほぼ平坦化される。

第４図に示す工程の後に、王として、配線３Ａ。

３Ｂ、３０と後の工程によって形成される第２Ｎ目の配
線とを電気的に分離するために、また、第２のＰ縁膜５
が第２Ｎ目の配線の電気的特性を劣化させないために、
第５図に示すように、第３のＰ縁膜６を第２の絶縁膜５
−ヒ部全面に形成する。

この第３のＰ１縁膜６は、例えばＯｖＤ技術によるＰＳ
Ｇ膜を用い、第１層目の配線と第２層目の配線との充分
な電気的な分離し、それらを電気的に接続する接続孔を
容易に形成する等のために、その膜厚を２０００ＬＡ］
程度に形成すればよい。また、第３の絶縁膜６は、酸化
シリコン膜でもよい。

最小配線間寸法を有する配線３Ａ、３Ｂ間部において、
第２の絶縁膜５上面部が平坦化されるために、第３のＰ
縁膜６上面部が平坦化される。

第５図に示す工程の後に、配線３Ａ、３Ｂ、３０の所定
上部の第１の絶縁膜４．第２の絶縁膜５および第３の絶
縁膜６を選択的に除去し、所定の第１層目の配線間を電
気的に接続するための接続孔（図示し、ていない）を形
成する。この後に、第６図に示すように、前記接続孔を
介Ｉ−で所定の第１層目の配線と電気的に接続するよう
に、第３の絶縁膜６上部に第２層目の配線７Ａ、７Ｂを
形成する。最小配線間寸法を有する配線３Ａ、３Ｂ間部
分において、配線７Ａ、７Ｂは、その下地となる第３の
絶縁膜６上面部がほぼ平坦化されているので、その被着
性は良好である。また、その部分において生じるであろ
う隣接する配線７Ａ、７Ｂ間の不要なショート不良を防
止できる。

これら一連の製造工程によって、本実施例の半導体集積
回路装置は完成する。なお、この後に、保護膜等の処理
をしてもよい。

〔効　果〕

（１）、基板上に形成された第１層目の配線間において
、第１層目の配線形状にほぼ忠実に被着する第１の絶縁
膜を設け、該第１の結縁膜々厚すなわち第１の絶縁膜に
よって形成される溝の溝幅寸法を制御することによって
、急峻な段差形状を緩和するための第２の絶縁膜上面部
がほぼ平坦化されるので、さらにその上部に形成される
第２層目の配線の被着性を向上することができる。

（２）、基板上に形成された第１Ｊｉ目の配線間におい
て、前述のように、第２の絶縁膜上面部ならびにその上
部に形成される第３の絶縁膜上面部がほぼ平坦化される
ことによって、第２層目の配線を形成するだめのホトレ
ジスト膜が必要以上に厚く塗布されることがな（なるの
で、第２層目の配線以外の不要な導電性材料は第３の絶
縁膜上部から除去され、隣接する第２層目の配線間のシ
ョート不良を防止することができる。

（３）、前記（１）および（２）によって、第２膚目の
配線の被着性を向上し、かつ、隣接する第２層目の配線
間のショート不良を防止することができるので、多層配
線部材の信頼性を向上することができる。

（４）、基板上に形成された最小配線間寸法を有する配
線間と、最小配線間寸法以上の寸法を有する配線間とを
具備する第１膚目の配線において、第１層目の配線形状
にほぼ忠実に被着する第１の絶縁膜を設け、その上部に
第１層目の配線による急峻な段差形状を緩和するための
第２の絶縁膜を設げ。

該第２の絶縁膜が不要な干渉を生じない程度に、前記最
小配線間寸法を有する配線間に形成された第１の絶縁膜
による溝部の溝幅寸法と、前記最小配線間寸法以上の寸
法を有する配線間に形成された第１の絶縁膜による溝部
の溝幅寸法とを、あるいは、それらの配線間隔を制御す
ることによって、最小配線間寸法およびそれ以上の寸法
を有する配線間部分の第２の絶縁膜上面部が平坦化され
るので、前記（１）および（２）に前述したように第２
の絶縁膜上面部に形成される第２層目の配線の被着性。

第２層目の配線間のショート不良を防止することができ
る。

（５）、前記（３）および（４）ニよって、信頼性を向
上することができるので、多層配線部材の集積度を同士
することができる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施例にもとづ
き具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。例えば前記実施例は
、２層配線構造な備えた半導体集積回路装置に適用した
場合について説明したが、３層配線構造もしくはそれ以
上の多層配線構造を備えた半導体集積回路装置に適用し
てもよい。

〔利用分野〕

以上の説明では、王とじ℃本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野である半導体集積回路装
置の多層配線技術に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものでなく、例えば配線基板における
多層配線技術に適用できる。

表１

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例を説明するための半導体集
積回路装置の要部を示す斜視図、第２図〜第６図は、本
発明の一実施例の製造方法を説明するための各製造工程
における半導体集積回路装置の要部断面図である。 図中、１・・・半導体基板、２・・・絶縁膜、３Ａ。 ３Ｂ、３０・・・（第１層目の）配線、４・・・第１の
絶縁膜、４Ａ、４Ｂ・・・溝部、５・・・第２の絶縁膜
、６・・・第３の絶縁膜、７Ａ、７Ｂ・・・（第２Ｎｉ
目の）配線である。 第　２　図 ／ 第　３　図 第　４　図 第　５　図 ／ 第　６　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に導電層と絶縁層とが交互に重り合い複数層
   をなす多層配線構造において、所定の第１導電層とその
   上層である第２導電層との間に設けられた絶縁層が、少
   なくとも、第１導電層の配線の形状にほぼ忠実に被着す
   る第１の絶縁膜と、その上部に形成する前記配線による
   急峻な段差形状を緩和する第２の絶縁膜とによって構成
   され、かつ、第１導電層の配線間部分に形成される前記
   第１の絶縁膜の側面間が互に近接して溝を構成してなる
   ことを特徴とする多層配線構造。 ２、前記溝の幅寸法が０．２マイクロメートル程度以上
   １．１マイクロメートル程度以下であることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の多層配線構造。 ３、前記第１の絶縁膜は、プラズマＯＶＤ技術による窒
   化シリコン膜、または、酸化シリコン膜によらて構成し
   、前記第２の絶縁膜は、塗布型の酸化シリコン膜によっ
   て構成されてなることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の多層配線構造。 ４、前記第１の絶縁膜の膜厚が、その上の第２の絶縁膜
   の膜厚よりも厚く形成し℃なることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の多層配線構造。 ５、前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成し、その
   膜厚は前記第１の絶縁膜より薄くしたことを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の多層配線構造。 ６、基板上に導電層と絶縁層とが交互に重り合い複数層
   をなす多層配線構造において、所定の互いに近接する第
   １導電層と、その表面に形成され第１導電層の形状にほ
   ぼ忠実に被着された第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜の
   上層に形成され前記互いに近接する第４導電膚間の溝に
   起因して生ずる前記第１の絶縁膜の溝部における段差形
   状を緩和する第２の絶縁膜と、前記溝に交差し、かつ、
   互いに近接する複数の第２導電層とを具備し、前記第１
   の絶縁膜の膜厚は、前記溝部において前記第２の絶縁膜
   がほぼ平坦化され、かつ、前記第２導電層が前記溝部に
   おいて断線せず、また、前記互いに近接する第２導電層
   間が前記溝部においてショートしない程度に前記互いに
   近接する第１の絶縁膜の両側面間が互いに近接するよう
   に厚（形成してなることを特徴とする多層配線構造。 ７、′基板上に導電層と絶縁層とか父互に重り合い複数
   層をなす多層配線部材において、互いに最小配線間寸法
   で近接する導電層と、最小配線間寸法以上の間隔をもっ
   て形成される導電層とを有する第１導を層と、その表面
   に形成され第１導電層の形状にほぼ忠実に被着された第
   ］の？縁膜と、その上層に形成され互いに最小配線間寸
   法で近接する第１導電層間の溝に起因［７て生じる第１
   の絶縁膜の溝部における段差形状を緩和するとともに、
   前記最小配線寸法以上の間隔をもって形成される第１導
   Ｘ層間においては核部における厚さが前記導電層上にお
   ける厚さとほぼ等しくなる程度に形成された第２の絶縁
   膜と、前記溝に交差し、かつ、互いに近接する複数の第
   ２導電層とを具備してなることを特徴とする多層配線構
   造。