JPS59218937A - パタ−ン検出装置 - Google Patents
パタ−ン検出装置Info
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- JPS59218937A JPS59218937A JP58092304A JP9230483A JPS59218937A JP S59218937 A JPS59218937 A JP S59218937A JP 58092304 A JP58092304 A JP 58092304A JP 9230483 A JP9230483 A JP 9230483A JP S59218937 A JPS59218937 A JP S59218937A
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- light
- filter
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は配線パターンを検出するパターン検出装置に係
り、特にプリント基板の光沢のある半田パターンの配線
パターンの欠陥を検出するための検出部として好適なパ
ターン検出装置に関するものである。
り、特にプリント基板の光沢のある半田パターンの配線
パターンの欠陥を検出するための検出部として好適なパ
ターン検出装置に関するものである。
従来のパターン検出装置は、第３図に示すごとく、光６
１を発する高輝度光源１１と、コンデンサレンズ２１と
、光源からの光６１を、蛍光が発生しやすい波長に限定
するためのフィルタ２２と、ハーフミラ−２５と、配線
面２からの反射光をカットし、基材４から発生する蛍光
のみを透過するフィルタ２４と、該フィルタ２４を透過
した光４２を検出するための検出器１３と、該検出器１
５に配線パターン像を結像するための結像レンズ２５か
ら構成され、プリント基板１の基材４から発生する蛍光
を検出することによって、配線パターンのネガパターン
を検出するものであるが、基材４から発生する蛍光の光
量が非常に小さいため、第１図のＡ−Ａ線上の検出結果
を示す第４図に示すように基材４のレベルを示す電圧篤
と配線パターン３のレベルを示す電圧Ｍとの間に差がな
く、即ちＳハが悪く、両者を区別するためのシュレッシ
ョルドレペルｖＴの設定できる範囲が非常に狭いか、あ
るいは設定できないという問題があった。
１を発する高輝度光源１１と、コンデンサレンズ２１と
、光源からの光６１を、蛍光が発生しやすい波長に限定
するためのフィルタ２２と、ハーフミラ−２５と、配線
面２からの反射光をカットし、基材４から発生する蛍光
のみを透過するフィルタ２４と、該フィルタ２４を透過
した光４２を検出するための検出器１３と、該検出器１
５に配線パターン像を結像するための結像レンズ２５か
ら構成され、プリント基板１の基材４から発生する蛍光
を検出することによって、配線パターンのネガパターン
を検出するものであるが、基材４から発生する蛍光の光
量が非常に小さいため、第１図のＡ−Ａ線上の検出結果
を示す第４図に示すように基材４のレベルを示す電圧篤
と配線パターン３のレベルを示す電圧Ｍとの間に差がな
く、即ちＳハが悪く、両者を区別するためのシュレッシ
ョルドレペルｖＴの設定できる範囲が非常に狭いか、あ
るいは設定できないという問題があった。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点に鑑み、基材か
ら発生する蛍光の光量を増量し、Ｓハの改善された検出
信号を得ると同時に検出器を２台設け、表裏配線面の配
線パターンを一度に検出することによって、パターン検
出に要する時間を大巾に縮減することのできるパターン
検出装置を提供することにある。
ら発生する蛍光の光量を増量し、Ｓハの改善された検出
信号を得ると同時に検出器を２台設け、表裏配線面の配
線パターンを一度に検出することによって、パターン検
出に要する時間を大巾に縮減することのできるパターン
検出装置を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するために、一方の配線面か
ら光を照射するだけでなく裏面に相当する配線面からも
光を照射し、表裏配線面それぞれの側に検出器を設ける
ことによって、表裏配線面の配線パターンを一度に検出
することを特徴とするものである。
ら光を照射するだけでなく裏面に相当する配線面からも
光を照射し、表裏配線面それぞれの側に検出器を設ける
ことによって、表裏配線面の配線パターンを一度に検出
することを特徴とするものである。
また本発明は上記照明法として配線パターンの影の影響
をなくすために斜め方向から光を照射することにある。
をなくすために斜め方向から光を照射することにある。
以下、本発明の一実施例を第５図を用いて詳細に説明す
る。
る。
第５図において、プリント基板１．高輝度光源１１．コ
ンデンサレンズ２１．フィルタ２２．ハーフミラ−２６
，フィルタ２４．結像レンズ２５．検出器１６の構成は
第６図に示した従来のパターン検出装置と同じであるが
、新たに第２の高輝度光ｉ１１’、コンデンサレンズ２
１′、フィルタ２２′、ミラー２６が設けである。第５
図において、高輝度光源１１から発した光３１はコンデ
ンサレンズ２１ヲ通り、フィルタ２２へ入り、一方第２
の高輝度光源１１′から発した光６１′はコンデンサレ
ンズ２１′を通り、フィルタ２２′へ入る。フィルタ２
２ 、２２’はプリント基板１の基材から蛍光が発生し
やすいように高輝度光＃、１１から発した光３１０波長
を限定するためのフィルタで、例えば波長３００ｎｍが
ら４６０ｎｍまでの波長のみを透過させる一般にブルー
フィルタと呼称されているものである。フィルタ２２を
通過した光３２はノ・−フミラー２６で光路を９０度変
更されてプリント基板１の配線面２を照射し、またフィ
ルタ２２′を通過した光３２′はミラー２６で光路を９
０度変更されてプリント基板１の配線面２の裏面に相当
する配線面２′を照射し、両者とも基材４から蛍光を発
生させるための励起光として働らく。基材４から発生し
た蛍光と、配線面２で反射した反射光と、基材４を透過
した透過光と、スルーホール８を通過した通過光の合わ
さった光４６は再びハーフミラ−２３を通ってフィルタ
２４へ入る。フィルタ２４はプリント基板１０基材４か
ら発生した蛍光と、その他の反射光、透過光９通過光と
を分離するだめのもので、前記励起光３２の限定された
波長域以外の光を透過させるもので例えば波長５００ｎ
ｍ以下の光を反射し、波長５００ｎｍ以上の光を透過さ
せる、一般にイエローフィルタと呼称され、ているもの
である。フィルタ２４で配線面２からの反射光、配線面
２′に照射した元３２′が基材４を透過した透過光。
ンデンサレンズ２１．フィルタ２２．ハーフミラ−２６
，フィルタ２４．結像レンズ２５．検出器１６の構成は
第６図に示した従来のパターン検出装置と同じであるが
、新たに第２の高輝度光ｉ１１’、コンデンサレンズ２
１′、フィルタ２２′、ミラー２６が設けである。第５
図において、高輝度光源１１から発した光３１はコンデ
ンサレンズ２１ヲ通り、フィルタ２２へ入り、一方第２
の高輝度光源１１′から発した光６１′はコンデンサレ
ンズ２１′を通り、フィルタ２２′へ入る。フィルタ２
２ 、２２’はプリント基板１の基材から蛍光が発生し
やすいように高輝度光＃、１１から発した光３１０波長
を限定するためのフィルタで、例えば波長３００ｎｍが
ら４６０ｎｍまでの波長のみを透過させる一般にブルー
フィルタと呼称されているものである。フィルタ２２を
通過した光３２はノ・−フミラー２６で光路を９０度変
更されてプリント基板１の配線面２を照射し、またフィ
ルタ２２′を通過した光３２′はミラー２６で光路を９
０度変更されてプリント基板１の配線面２の裏面に相当
する配線面２′を照射し、両者とも基材４から蛍光を発
生させるための励起光として働らく。基材４から発生し
た蛍光と、配線面２で反射した反射光と、基材４を透過
した透過光と、スルーホール８を通過した通過光の合わ
さった光４６は再びハーフミラ−２３を通ってフィルタ
２４へ入る。フィルタ２４はプリント基板１０基材４か
ら発生した蛍光と、その他の反射光、透過光９通過光と
を分離するだめのもので、前記励起光３２の限定された
波長域以外の光を透過させるもので例えば波長５００ｎ
ｍ以下の光を反射し、波長５００ｎｍ以上の光を透過さ
せる、一般にイエローフィルタと呼称され、ているもの
である。フィルタ２４で配線面２からの反射光、配線面
２′に照射した元３２′が基材４を透過した透過光。
スルーホール８を通過した通過光と分離された蛍光４４
は、結像レンズ２５で検出器１６の光電変換面に結像さ
れるためプリント基板１の配線パターンのネガパターン
が得られる。従がって、第５図における本発明の一実施
例ではプリント基板やセラミック基板の基材４が、配線
面２を照射する光３２と配線面２の裏面に相当する配線
面２′を照射する光３２′の両方の光で励起されるため
、発生する蛍光が増量し、検出器１３で検出される検出
信号のＳ／Ｎが改善される。従来のパターン検出装置の
検出結果を示す第４図と比較して、本発明の一実施例で
あるパターン検出装置の検出結果を示す第６図を用いて
詳細に説明する。
は、結像レンズ２５で検出器１６の光電変換面に結像さ
れるためプリント基板１の配線パターンのネガパターン
が得られる。従がって、第５図における本発明の一実施
例ではプリント基板やセラミック基板の基材４が、配線
面２を照射する光３２と配線面２の裏面に相当する配線
面２′を照射する光３２′の両方の光で励起されるため
、発生する蛍光が増量し、検出器１３で検出される検出
信号のＳ／Ｎが改善される。従来のパターン検出装置の
検出結果を示す第４図と比較して、本発明の一実施例で
あるパターン検出装置の検出結果を示す第６図を用いて
詳細に説明する。
第６図は第４図と同様、横軸は位置を示し、・縦軸は検
出器１３で光電変換された電圧を示す。配線パターン３
のレベルを示す電圧■は第６図。
出器１３で光電変換された電圧を示す。配線パターン３
のレベルを示す電圧■は第６図。
第４図とも同じであるが、基材４のレベルを示す第６図
における電圧−は第４図における電圧ηに比べかなシ高
い電圧レベルを示し、シュレッショルドレベルを示す電
圧ＶＴの設定可能範囲は第６図の方が第４図よりも広く
、即ちＳハが改善される。
における電圧−は第４図における電圧ηに比べかなシ高
い電圧レベルを示し、シュレッショルドレベルを示す電
圧ＶＴの設定可能範囲は第６図の方が第４図よりも広く
、即ちＳハが改善される。
第７図は本発明の他の実施例を示す図で、プリント基板
１．高輝度光源１１ 、１１’ 、コンデンサレンズ２
１ 、２１’ 、フィルタ２２ 、２２’ 、ハーフミ
ラ−２３、フィルタ２４．結像レンズ２５．検出器１３
の構成は第５図に示した実施例と同じであるが、配線面
２′に対して斜め方向から光３２′を照射するため、第
５図におけるミラー２６に代わりミラー２６′と凹爾鏡
あるいは平面鏡２７′が新しく設けである点が異なシ、
その動作は第６図と同じであるため省略する。光３２′
を配線面２′に対して斜め方向から照射する理由は、配
線面２′の配線バ°ターンの影の影響を受けないように
配慮したことによる。
１．高輝度光源１１ 、１１’ 、コンデンサレンズ２
１ 、２１’ 、フィルタ２２ 、２２’ 、ハーフミ
ラ−２３、フィルタ２４．結像レンズ２５．検出器１３
の構成は第５図に示した実施例と同じであるが、配線面
２′に対して斜め方向から光３２′を照射するため、第
５図におけるミラー２６に代わりミラー２６′と凹爾鏡
あるいは平面鏡２７′が新しく設けである点が異なシ、
その動作は第６図と同じであるため省略する。光３２′
を配線面２′に対して斜め方向から照射する理由は、配
線面２′の配線バ°ターンの影の影響を受けないように
配慮したことによる。
次に第８図において本発明の他の実施例を示す。第８図
において、プリント基板１．高輝度光源１１．１１’、
コンデンサレンズ２１ 、２１’ 、 フィルタ２２
、２２’ 、ミラー２６′、凹面鏡あるいは平面鏡２／
。
において、プリント基板１．高輝度光源１１．１１’、
コンデンサレンズ２１ 、２１’ 、 フィルタ２２
、２２’ 、ミラー２６′、凹面鏡あるいは平面鏡２／
。
フィルタ２４．結像レンズ２５．検出器１３の構成は第
７図に示した実施例と同じであるが、第７図におけるハ
ーフミラ−２３の代わシにミラー２６゜凹面鏡あるいは
平面鏡２７を新しく設け、更に配線面２′の配線パター
ンを検出するためフィルタ２４′、結像レンズ２５′、
検出器１３′が追加された構成となっている。第８図に
おいて、検出器１３の光電変換面にプリント基板１の配
線面２の配線パターンのネガパターンが、結像されるま
での動作は第５図と同じであるため説明は省略する。ま
た検出器１３′の光電変換面にプリント基板１の配線面
２の裏面に相当する配−面２′の配線パターンのネガパ
ターンが結像されるまでの動作は、検出器１６の光電変
換面にプリント基板１の配線面２の配線パターンのネガ
ノミターンが結像され−るまでの動作説明において、ダ
ッシュを付した構成は、ダッシュを付さない構成に、ダ
ッシュを付さない構成は、ダッシュを付した構成に代わ
るのみで、類似しているため説明は省略する。
７図に示した実施例と同じであるが、第７図におけるハ
ーフミラ−２３の代わシにミラー２６゜凹面鏡あるいは
平面鏡２７を新しく設け、更に配線面２′の配線パター
ンを検出するためフィルタ２４′、結像レンズ２５′、
検出器１３′が追加された構成となっている。第８図に
おいて、検出器１３の光電変換面にプリント基板１の配
線面２の配線パターンのネガパターンが、結像されるま
での動作は第５図と同じであるため説明は省略する。ま
た検出器１３′の光電変換面にプリント基板１の配線面
２の裏面に相当する配−面２′の配線パターンのネガパ
ターンが結像されるまでの動作は、検出器１６の光電変
換面にプリント基板１の配線面２の配線パターンのネガ
ノミターンが結像され−るまでの動作説明において、ダ
ッシュを付した構成は、ダッシュを付さない構成に、ダ
ッシュを付さない構成は、ダッシュを付した構成に代わ
るのみで、類似しているため説明は省略する。
本発明の実施例によれば、配線面２の配線パターンのネ
ガパターンを検出器１３で、かつ、配線面２′の配線パ
ターンのネガパターンを検出器１６′で一度に検出する
ことができるため、配線パターンの検出に要する時間を
大巾に短縮することができる。更にプリント基板１０基
材４は、配線面２を照射する光３２と、配線面２の裏面
に相当する配線面２′を照射する光６２′の両方の光で
励起されるため、発生する蛍光の光量は第５図と同様増
量し、検出器１３および１３′で検出される検出信号の
Ｓハは改善されたものであることはもち論である。第９
図は第８図に示した本発明の実施例であるパターン検出
装置で検出した第１図のＡ−Ａ線上の検出結果を示すも
ので、（ａ）は配線面２における検出結果を示し、（ｂ
）は配線面２の裏面に相当する配線面２′の検出結果を
示す。
ガパターンを検出器１３で、かつ、配線面２′の配線パ
ターンのネガパターンを検出器１６′で一度に検出する
ことができるため、配線パターンの検出に要する時間を
大巾に短縮することができる。更にプリント基板１０基
材４は、配線面２を照射する光３２と、配線面２の裏面
に相当する配線面２′を照射する光６２′の両方の光で
励起されるため、発生する蛍光の光量は第５図と同様増
量し、検出器１３および１３′で検出される検出信号の
Ｓハは改善されたものであることはもち論である。第９
図は第８図に示した本発明の実施例であるパターン検出
装置で検出した第１図のＡ−Ａ線上の検出結果を示すも
ので、（ａ）は配線面２における検出結果を示し、（ｂ
）は配線面２の裏面に相当する配線面２′の検出結果を
示す。
第９図（ａ）は当然のことながら第６図と同じ結果を示
す。
す。
以上の説明はもっばら配線基板の基材から発する蛍光を
検出する場合を例示したが、本発明は、例えば蛍光を発
しない基材のうえに蛍光を発する材料で描いた回路パタ
ーンの例えば、エツチング用レジストパターンに対して
も有効であることは言うまでもない。具体的例としては
印刷回路板用レジストパターン、半導体回路用レジスト
パターンの検査に適用できる。
検出する場合を例示したが、本発明は、例えば蛍光を発
しない基材のうえに蛍光を発する材料で描いた回路パタ
ーンの例えば、エツチング用レジストパターンに対して
も有効であることは言うまでもない。具体的例としては
印刷回路板用レジストパターン、半導体回路用レジスト
パターンの検査に適用できる。
以上説明したように本発明によれば、以下に述べるごと
き効果を得ることができる０１、 プリント基板の表裏
配線面を同時に照射するようにしたため、基材から発生
する蛍光の光量が増量できるので、検出信号の８／Ｎを
改善できる効果がある。
き効果を得ることができる０１、 プリント基板の表裏
配線面を同時に照射するようにしたため、基材から発生
する蛍光の光量が増量できるので、検出信号の８／Ｎを
改善できる効果がある。
２ プリント基板の表裏配線面の配線ノくターンを別々
に設けた検出器で検出するようにしたため表裏配線面の
配線パターンを一度に検出することができるので、配線
パターンの検出に要する時間を大ｒｊコに短縮すること
のできるノくターン検出装置を得ることのできる効果が
ある。
に設けた検出器で検出するようにしたため表裏配線面の
配線パターンを一度に検出することができるので、配線
パターンの検出に要する時間を大ｒｊコに短縮すること
のできるノくターン検出装置を得ることのできる効果が
ある。
第１図はプリント基板の平面図、第２図は第１図のＡ−
Ａ線断面図、第６図は従来のノくターン検出装置を示す
側面図、第４図は従来のノくターン検出装置による第１
図のＡ−Ａ線上の検出結果を示す図、第５図は本発明の
一実施例のパターン検出装置を示す側面図、第６図は本
発明の一実施例のパターン検出装置による第１図のＡ−
Ａ線上の検出結果を示す図、第７図は本発明の他の一実
施例のパターン検出装置を示す側面図、第８図は本発明
の他の一実施例のパターン検出装置を示す側面図、第９
図は本発明の他の一実施例のパターン検出装置による第
１図Ａ−Ａ線上の検出結果を示す図で（ａ）は配線面２
における検・出結果を示す図で（ｂ）は配線面２の裏面
である配線面２′における検出結果を示す図。 １・・・プリント基板、 ２，２′・・配線面、６．
６′・・・配線パターン、４・・基材、１１．１１’・
・・高輝度光源、１３．１３’・・・検出器、 ２１
、２１’・ コンデンサレンズ、−。 ２２ 、２２’・・フィルタ、 ２３ ハーフミ
ラ−１２４、２４’・・フィルタ、 ２５ 、２５
’ 結像レンズ、２６ 、２６’ ・ミラー、 ２
７ 、２７’ 凹面鏡あるいは平面鏡、３１．３１’
・・・光源の光、３２ 、５２’ 励起光、４２ 、
４４ 、４６ 、４６’・・蛍光。 窮１図 ２／ 第２図 第３図 第４図 １５図 第６図 第 ７図 第 ３図 、３′ノ
Ａ線断面図、第６図は従来のノくターン検出装置を示す
側面図、第４図は従来のノくターン検出装置による第１
図のＡ−Ａ線上の検出結果を示す図、第５図は本発明の
一実施例のパターン検出装置を示す側面図、第６図は本
発明の一実施例のパターン検出装置による第１図のＡ−
Ａ線上の検出結果を示す図、第７図は本発明の他の一実
施例のパターン検出装置を示す側面図、第８図は本発明
の他の一実施例のパターン検出装置を示す側面図、第９
図は本発明の他の一実施例のパターン検出装置による第
１図Ａ−Ａ線上の検出結果を示す図で（ａ）は配線面２
における検・出結果を示す図で（ｂ）は配線面２の裏面
である配線面２′における検出結果を示す図。 １・・・プリント基板、 ２，２′・・配線面、６．
６′・・・配線パターン、４・・基材、１１．１１’・
・・高輝度光源、１３．１３’・・・検出器、 ２１
、２１’・ コンデンサレンズ、−。 ２２ 、２２’・・フィルタ、 ２３ ハーフミ
ラ−１２４、２４’・・フィルタ、 ２５ 、２５
’ 結像レンズ、２６ 、２６’ ・ミラー、 ２
７ 、２７’ 凹面鏡あるいは平面鏡、３１．３１’
・・・光源の光、３２ 、５２’ 励起光、４２ 、
４４ 、４６ 、４６’・・蛍光。 窮１図 ２／ 第２図 第３図 第４図 １５図 第６図 第 ７図 第 ３図 、３′ノ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 基板の配線面、及び該配線の裏面に相当する配線
面に光を照射する照射手段と、該照射手段の光を蛍光が
発生しやすい波長に限定するだめの第１のフィルタと、
前記基板の配線面からの反射光およびスルホールからの
通過光をカットして基材から発生する蛍光のみを透過す
る第２のフィルタと、該第２のフィルタを透過した蛍光
を検出するための検出器と、該検出器に配線パターン像
を結像するための結像レンズとを備え付けたことを特徴
とするパターン検出装置。 ２、 上記照射手段は、配線面の裏面に相当する配線面
に斜め方向から照射することを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のパターン検出装置。 ６、上記照射手段は、基板の配線面に照射する第１の照
射手段と、上記配線面の裏面に相当する配線面に光を照
射する第２の照射手段とによって構成したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のパターン検査装置。 ４゜ 上記第１のフィルタは、第１の照射手段と第２の
照射手段とに対応させて複数のフィルタによって構成し
たことを特徴とする特許請求の範囲第６項記載のパター
ン検出装置。 ５、基板の配線面、及び該配線面の裏面に相当する配線
面に光を斜め方向から照射する照射手段と、該照射手段
の光を蛍光が発生しやすい波長に限定する第１のフィル
タと、前記配線面からの反射光およびスルホールからの
通過光をカットし、基材から発生する蛍光のみを透過す
る第２のフィルタと、該第２のフィルタを透過した蛍光
を検出するだめの第１の検出器と、該第１の検出器に配
線ノくターンの像を結像するだめの第１の結像レンズと
、更に上記配線面の裏面に相当する配線面からの反射光
およびスルホールからの通過光をカットし、基材あるい
は配線材料から発生する蛍光のみを透過する第３のフィ
ルタと、該第３のフィルタを通過した蛍光を検出するた
めの第２の検出器と、該第２の検出器に配線パターンの
像を結像させるための第２の結像レンズとを備えたこと
を特徴とするパターン検出装置。 ６、上記照射手段は、基板の配線面に照射する第１の照
射手段と、上記配線面の裏面に相当する配線面に光を照
射する第２の照射手段とによって構成したことを特徴と
する特許請求の範囲第５項記載のパターン検査装置。 Ｚ 上記第１のフィルタは、第１の照射手段と第２の照
射手段とに対応させて複数のフィルタによって構成した
ことを特徴とする特許請求の範囲第６項記載のパターン
検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58092304A JPS59218937A (ja) | 1983-05-27 | 1983-05-27 | パタ−ン検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58092304A JPS59218937A (ja) | 1983-05-27 | 1983-05-27 | パタ−ン検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59218937A true JPS59218937A (ja) | 1984-12-10 |
| JPH0436335B2 JPH0436335B2 (ja) | 1992-06-15 |
Family
ID=14050667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58092304A Granted JPS59218937A (ja) | 1983-05-27 | 1983-05-27 | パタ−ン検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59218937A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61278737A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-09 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 螢光性基板上の薄膜中の欠陥検出方法 |
| KR100880858B1 (ko) | 2007-08-09 | 2009-01-30 | 한기수 | 피씨비 양면 동시 노광기 광원 구조 |
-
1983
- 1983-05-27 JP JP58092304A patent/JPS59218937A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61278737A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-09 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 螢光性基板上の薄膜中の欠陥検出方法 |
| EP0204071A2 (en) * | 1985-06-03 | 1986-12-10 | International Business Machines Corporation | Defect detection in films on ceramic substrates |
| KR100880858B1 (ko) | 2007-08-09 | 2009-01-30 | 한기수 | 피씨비 양면 동시 노광기 광원 구조 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0436335B2 (ja) | 1992-06-15 |
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