JPS6128810A - マスク・パタ−ン観測方式 - Google Patents
マスク・パタ−ン観測方式Info
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- JPS6128810A JPS6128810A JP14941884A JP14941884A JPS6128810A JP S6128810 A JPS6128810 A JP S6128810A JP 14941884 A JP14941884 A JP 14941884A JP 14941884 A JP14941884 A JP 14941884A JP S6128810 A JPS6128810 A JP S6128810A
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- mask
- fluorescence
- light
- excitation light
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
-
- G—PHYSICS
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- G01N21/645—Specially adapted constructive features of fluorimeters
- G01N21/6456—Spatial resolved fluorescence measurements; Imaging
- G01N2021/646—Detecting fluorescent inhomogeneities at a position, e.g. for detecting defects
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N2021/95676—Masks, reticles, shadow masks
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、プリント基板や半導体集積回路の製造に用い
るフォトマスクなどのマスクに形成されたパターンを観
測するためのマスク・パターン観測方法に関する。
るフォトマスクなどのマスクに形成されたパターンを観
測するためのマスク・パターン観測方法に関する。
従来、マスクのパターン検査を行う場合等には。
特開昭５５−７２８０４号公報に示されるように、マス
クを光源により照明し、マスクからの反射光またはマス
クの透過光を検出器で検出することによってマスク・パ
ターンをｌｌ！測している。
クを光源により照明し、マスクからの反射光またはマス
クの透過光を検出器で検出することによってマスク・パ
ターンをｌｌ！測している。
第５図はそのような従来方式によりマスク・パターン観
測を行うマスク検査装置を示している。
測を行うマスク検査装置を示している。
この図において、１は検査対象のマスクであり、その下
側からコンデンサレンズ３および反射鏡４を介して光源
２により照明される。マスク１を透過した光２７は、結
像レンズ５によって検出器６の撮像面に結像され、電気
信号に変換される。
側からコンデンサレンズ３および反射鏡４を介して光源
２により照明される。マスク１を透過した光２７は、結
像レンズ５によって検出器６の撮像面に結像され、電気
信号に変換される。
このような装置で、たとえば第６図（ａ）に示すマスク
１のパターンを１図のＡ−Ａ ’線に沿って観測した場
合、検出器６から得られる検出信号波形は第６図（ｂ）
に示すようになる。ここで問題となるのは、マスク１の
透明部分に存在する不透明な微小点Ｘに対する信号レベ
ルＶｘが、不透明部分（第６図（ａ）の斜線部分）に相
当する信号レベルまで−、゛／Ｉらず、逆に不透明部分
の微小な透明点ｙに対応する検出信号レベルｖｙが透明
部分に対応するレベルまで上がらず、その結果、微小点
Ｘ。
１のパターンを１図のＡ−Ａ ’線に沿って観測した場
合、検出器６から得られる検出信号波形は第６図（ｂ）
に示すようになる。ここで問題となるのは、マスク１の
透明部分に存在する不透明な微小点Ｘに対する信号レベ
ルＶｘが、不透明部分（第６図（ａ）の斜線部分）に相
当する信号レベルまで−、゛／Ｉらず、逆に不透明部分
の微小な透明点ｙに対応する検出信号レベルｖｙが透明
部分に対応するレベルまで上がらず、その結果、微小点
Ｘ。
ｙを検出できないということである。すなわち従来方式
は、微小パターンに対するＳ／Ｎが悪いという問題があ
る。
は、微小パターンに対するＳ／Ｎが悪いという問題があ
る。
このような問題は、マスクの反射光を検出する場合も同
様である。
様である。
本発明の目的は、従来よりもＳ／Ｎの良いマスク・パタ
ーン像を観測することができるマスク・パターン観測方
式を提供することにある。
ーン像を観測することができるマスク・パターン観測方
式を提供することにある。
本発明は、励起光を照射すると蛍光を発生する蛍光体を
マスクの一方の側に配置し、蛍光体に励起光を照射し蛍
光体から蛍光を発生させ、その蛍光をマスクを介して検
出器で検出することにより、マスク・パターンを従来よ
りも良好なＳ／Ｎにて観測し、より高精度なマスク・パ
ターンの検査等を可能とするものである。
マスクの一方の側に配置し、蛍光体に励起光を照射し蛍
光体から蛍光を発生させ、その蛍光をマスクを介して検
出器で検出することにより、マスク・パターンを従来よ
りも良好なＳ／Ｎにて観測し、より高精度なマスク・パ
ターンの検査等を可能とするものである。
以下、本発明の実施例について図面を参照し説明する。
第１図は本発明の一実施例によるマスク検査装置の概略
側面図である。この図において、１０１は検査対象のマ
スクであり、その下側に接近させて蛍光体１０７が設け
られている。１０２は光源であり、この光源から発生し
コンデンサレンズ１０３を通過した光１２１は、第１の
フィルタ１０８を通過し・て蛍光体１０７に蛍光を発生
させやすい波長の励起光１２２となる。この励起光１２
２は半透鏡１０９によって方向が変えられ、マスク１０
１の透明部を通過して蛍光体１０７を照射し。
側面図である。この図において、１０１は検査対象のマ
スクであり、その下側に接近させて蛍光体１０７が設け
られている。１０２は光源であり、この光源から発生し
コンデンサレンズ１０３を通過した光１２１は、第１の
フィルタ１０８を通過し・て蛍光体１０７に蛍光を発生
させやすい波長の励起光１２２となる。この励起光１２
２は半透鏡１０９によって方向が変えられ、マスク１０
１の透明部を通過して蛍光体１０７を照射し。
蛍光１２３を発生させる。励起光１２２のマスク１０１
表面からの反射光と、マスク１０１の透明部を透過した
励起光１２３との合成光１２４は、半透鏡１０９、結像
レンズ１０５および第２のフィルタ１１０を通過し、そ
の蛍光成分１２５のみが検出器１０６の撮像面に結像さ
れ、光電変換される。
表面からの反射光と、マスク１０１の透明部を透過した
励起光１２３との合成光１２４は、半透鏡１０９、結像
レンズ１０５および第２のフィルタ１１０を通過し、そ
の蛍光成分１２５のみが検出器１０６の撮像面に結像さ
れ、光電変換される。
蛍光体１０７の材質は種々可能であるが、たとえばプリ
ント基板の基材として用いられているガラスポリイミド
板やガラスエポキシ板を用いることができる。ガラスポ
リイミド板を蛍光体１０７として用いる場合、波長５０
０ｎｍの励起光に対して蛍光発生量がピークとなり、蛍
光の波長は６００ｎｍを中心に３００〜８００ｎｍの範
囲である。したがって、第１のフィルタ１０８として、
透過率が３７０〜３９０ｎｍでピークとなり、５００ｒ
ｖの波長まで透過させるブルーフィルタを用いることが
できる。また第２のフィルタ１１０としては、約５００
ｎｍ以上の波長の光を透過させ、５２０〜５４０ｎｍの
波長で透過率が５０％となるイエローフィルタを用いる
ことができる。尚この場合、光源１０２として波長が５
１４または４８８ｎｍのアルゴンレーザを用いれば、第
１のフィルタ１０８を省くことができる。
ント基板の基材として用いられているガラスポリイミド
板やガラスエポキシ板を用いることができる。ガラスポ
リイミド板を蛍光体１０７として用いる場合、波長５０
０ｎｍの励起光に対して蛍光発生量がピークとなり、蛍
光の波長は６００ｎｍを中心に３００〜８００ｎｍの範
囲である。したがって、第１のフィルタ１０８として、
透過率が３７０〜３９０ｎｍでピークとなり、５００ｒ
ｖの波長まで透過させるブルーフィルタを用いることが
できる。また第２のフィルタ１１０としては、約５００
ｎｍ以上の波長の光を透過させ、５２０〜５４０ｎｍの
波長で透過率が５０％となるイエローフィルタを用いる
ことができる。尚この場合、光源１０２として波長が５
１４または４８８ｎｍのアルゴンレーザを用いれば、第
１のフィルタ１０８を省くことができる。
さて、当該装置において、第２図（ａ）に示すマスク１
０１について、Ａ−Ａ ’線上のパターン観測を行った
場合、第２図（ｂ）に示すような検出信号が検出器１０
６から出力される。図から分がるように、マスク１０１
の透明部に存在する不透明な微小点Ｘに対する検出信号
レベルＶｘは不透明部分（斜線部）に対応する信号レベ
ルまで下がり。
０１について、Ａ−Ａ ’線上のパターン観測を行った
場合、第２図（ｂ）に示すような検出信号が検出器１０
６から出力される。図から分がるように、マスク１０１
の透明部に存在する不透明な微小点Ｘに対する検出信号
レベルＶｘは不透明部分（斜線部）に対応する信号レベ
ルまで下がり。
逆に不透明部中の透明な微小点ｙに対する検出信号レベ
ルｖｙは透明部に対応する検出信号レベルまで上昇する
。従って、検出信号レベルから、微小点Ｘｌ’３／の存
在を確実に検出することができ、従来よりも正確なマス
ク・パターンの観測、検査が可能となる。
ルｖｙは透明部に対応する検出信号レベルまで上昇する
。従って、検出信号レベルから、微小点Ｘｌ’３／の存
在を確実に検出することができ、従来よりも正確なマス
ク・パターンの観測、検査が可能となる。
第３図、に本発明の他の実施例によるマスク検査装置を
示し、説明する。本実施例においては、蛍光体１０７の
裏面に励起光を照射するように光源１０２、コンデンサ
レンズ１０３、第１のフィルタ１０８、および反射鏡１
０４が配置されている。
示し、説明する。本実施例においては、蛍光体１０７の
裏面に励起光を照射するように光源１０２、コンデンサ
レンズ１０３、第１のフィルタ１０８、および反射鏡１
０４が配置されている。
また、第１図の第２のフィルタ１１０に相当するフィル
タは省かれている。蛍光体１０７から発生される蛍光１
２３のマスク１０１の透明部を透過した分と、蛍光体１
０７およびマスク１０１の透明部を透過した励起光１２
２との合成光１２６は、結像レンズ１０５により検出器
１０６の撮像面に結像され、光電変換される。
タは省かれている。蛍光体１０７から発生される蛍光１
２３のマスク１０１の透明部を透過した分と、蛍光体１
０７およびマスク１０１の透明部を透過した励起光１２
２との合成光１２６は、結像レンズ１０５により検出器
１０６の撮像面に結像され、光電変換される。
本実施例の場合、蛍光と励起光の合成光１２６によって
マスクパターンを検出することになるので、上記実施例
に比へ検出信号レベルを大きくすることができ、Ｓ／Ｎ
を一層改善できる。
マスクパターンを検出することになるので、上記実施例
に比へ検出信号レベルを大きくすることができ、Ｓ／Ｎ
を一層改善できる。
本発明の別の実施例によるマスク検査装置を第４図に示
す。この実施例においては、マスク１０１の上側に蛍光
体１２３が配置され、励起光１２２はマスク１０１の透
明部を介して蛍光体１２３に照射される。マスク１０１
の透明部を通過した蛍光１２３とマスク１０１で反射さ
れた励起光１２２との合成光１２４は、反射鏡１０４に
より方向を変えられ、結像レンズ１０５およびフィルタ
１１０を介し、蛍光１２５として検出器１０６の結像面
に結像される。
す。この実施例においては、マスク１０１の上側に蛍光
体１２３が配置され、励起光１２２はマスク１０１の透
明部を介して蛍光体１２３に照射される。マスク１０１
の透明部を通過した蛍光１２３とマスク１０１で反射さ
れた励起光１２２との合成光１２４は、反射鏡１０４に
より方向を変えられ、結像レンズ１０５およびフィルタ
１１０を介し、蛍光１２５として検出器１０６の結像面
に結像される。
ここで、励起光１２２はマスク１０１に対して斜め方向
から照射されるため、その正反射光成分は反射鏡】０４
側へは入射せず、乱反射光成分だけが反射鏡１０／ｌ側
へ入射する。そして、マスク１０１の表面は平滑である
ため、乱反射光成分はほとんど無視できるものである。
から照射されるため、その正反射光成分は反射鏡】０４
側へは入射せず、乱反射光成分だけが反射鏡１０／ｌ側
へ入射する。そして、マスク１０１の表面は平滑である
ため、乱反射光成分はほとんど無視できるものである。
従って、反射鏡１０４に入射する合成光１２４は、はと
んどマスク１０１の透明部を透過した蛍光１２３と見な
すことかできる。故に、前記各実施例と同様にＳ／Ｎの
良いマスク・パターン観測が可能である。
んどマスク１０１の透明部を透過した蛍光１２３と見な
すことかできる。故に、前記各実施例と同様にＳ／Ｎの
良いマスク・パターン観測が可能である。
また本実施例においては、マスク１０１の上側に蛍光体
１２３が配置されるため、マスク１０１への塵芥の落下
付着を避けることができる。
１２３が配置されるため、マスク１０１への塵芥の落下
付着を避けることができる。
本発明は以上説明したごとくであるから、従来検出が困
難であったマスク上の微小な不透明点または透明点も確
実に検出することができ、より高精度のマスク・パター
ンの観測、検査が可能となる。
難であったマスク上の微小な不透明点または透明点も確
実に検出することができ、より高精度のマスク・パター
ンの観測、検査が可能となる。
第１図は本発明の一実施例によるマスク検査装置を示す
概略側面図、第２図（ａ）はマスクの一例を示す平面図
、第２図（ｂ）は上記マスク検査装置において得られる
第２図（ａ）のＡ−Ａ′線に対応するパターン検出信号
の波形図、第３図は本発明の他０実施例１°するｖ、ｘ
ｙ検査装置の概略側面図・ ｉ第４図は本
発明の別の実施例によるマスク検査装置の概略側面図、
第５図は従来方式によるマスク検査装置を示す概略側面
図、第６ ｍ （ａ ）はマスクの一例を示す平面図、
第６図（ｂ）は上記従来装置において第６図（ｂ）のＡ
−Ａ′線に対して得られるパターン検出信号の波形図で
ある。 １０１・・・マスク、 １０２・・・光源、１０３・
・・コンデンサレンズ、 １０４・・・反射鏡。 １０５・・・結像レンズ、 １０６・・・検出器。 １０７・・蛍光体、 １０８，１１０・・・フィルタ
。 １０９・・・半透鏡、 ］２２・・・励起光。 １２３・・・蛍光。 第１図 第２図 体 、ｌｘ 第３図 ｚ１ 第 ４ 図 第 ５ 図 第６図 イｉ Ｉ Ｘ
概略側面図、第２図（ａ）はマスクの一例を示す平面図
、第２図（ｂ）は上記マスク検査装置において得られる
第２図（ａ）のＡ−Ａ′線に対応するパターン検出信号
の波形図、第３図は本発明の他０実施例１°するｖ、ｘ
ｙ検査装置の概略側面図・ ｉ第４図は本
発明の別の実施例によるマスク検査装置の概略側面図、
第５図は従来方式によるマスク検査装置を示す概略側面
図、第６ ｍ （ａ ）はマスクの一例を示す平面図、
第６図（ｂ）は上記従来装置において第６図（ｂ）のＡ
−Ａ′線に対して得られるパターン検出信号の波形図で
ある。 １０１・・・マスク、 １０２・・・光源、１０３・
・・コンデンサレンズ、 １０４・・・反射鏡。 １０５・・・結像レンズ、 １０６・・・検出器。 １０７・・蛍光体、 １０８，１１０・・・フィルタ
。 １０９・・・半透鏡、 ］２２・・・励起光。 １２３・・・蛍光。 第１図 第２図 体 、ｌｘ 第３図 ｚ１ 第 ４ 図 第 ５ 図 第６図 イｉ Ｉ Ｘ
Claims (1)
- （１）励起光を照射されると蛍光を発生する蛍光体をマ
スクの一方の側に配置し、該蛍光体に励起光を照射し、
該蛍光体から発する蛍光を該マスクを介して検出器で検
出することにより、該マスクのパターンを観測すること
を特徴とするマスク・パターン観測方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14941884A JPS6128810A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | マスク・パタ−ン観測方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14941884A JPS6128810A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | マスク・パタ−ン観測方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6128810A true JPS6128810A (ja) | 1986-02-08 |
Family
ID=15474676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14941884A Pending JPS6128810A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | マスク・パタ−ン観測方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6128810A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018036235A (ja) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法および基板処理方法 |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP14941884A patent/JPS6128810A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018036235A (ja) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法および基板処理方法 |
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