JP2003075364A - 欠陥検出装置及び欠陥検出方法 - Google Patents
欠陥検出装置及び欠陥検出方法Info
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- JP2003075364A JP2003075364A JP2001267066A JP2001267066A JP2003075364A JP 2003075364 A JP2003075364 A JP 2003075364A JP 2001267066 A JP2001267066 A JP 2001267066A JP 2001267066 A JP2001267066 A JP 2001267066A JP 2003075364 A JP2003075364 A JP 2003075364A
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、微細なパターンが形成されたフォト
マスクにおいて、光を照射することにより欠陥を検出す
る際に、照射した光が結像レンズなどにより反射される
ことで欠陥の検出精度を低下させることを抑制するため
の欠陥検出装置及び欠陥検出方法を提供することを目的
とする。 【解決手段】本発明は、検査対象物であるフォトマスク
基板とフォトマスク基板を透過した透過光を検出するた
めの光検出器の間に光の反射防止膜を設けることによ
り、反射光などのノイズを除去し、高い精度で欠陥を検
出することが出来る。
マスクにおいて、光を照射することにより欠陥を検出す
る際に、照射した光が結像レンズなどにより反射される
ことで欠陥の検出精度を低下させることを抑制するため
の欠陥検出装置及び欠陥検出方法を提供することを目的
とする。 【解決手段】本発明は、検査対象物であるフォトマスク
基板とフォトマスク基板を透過した透過光を検出するた
めの光検出器の間に光の反射防止膜を設けることによ
り、反射光などのノイズを除去し、高い精度で欠陥を検
出することが出来る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光を照射すること
により欠陥を検出する欠陥検出装置及び欠陥検出方法に
関する。更に詳しくは、半導体製造工程で用いられるフ
ォトマスクの欠陥検出装置及び欠陥検出方法に関する。
により欠陥を検出する欠陥検出装置及び欠陥検出方法に
関する。更に詳しくは、半導体製造工程で用いられるフ
ォトマスクの欠陥検出装置及び欠陥検出方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体回路の微細化に伴い、露光波長の
短波長化によりフォトマスク基板上に許容される欠陥の
サイズは益々小さくなり、欠陥検出が困難となってきて
いる。また、ハーフトーン型位相シフトマスク、レベン
ソン型位相シフトマスクなどの位相シフトマスクを用い
ることにより、露光波長を短波長化することなく半導体
回路の微細化を実現することも可能になってきている。
半導体回路のパターンの微細化に伴い、パターンを転写
するためのフォトマスクのパターンも微細化が進み、フ
ォトマスク上に形成されるパターンに対して相対的に許
容される欠陥サイズが小さくなる。
短波長化によりフォトマスク基板上に許容される欠陥の
サイズは益々小さくなり、欠陥検出が困難となってきて
いる。また、ハーフトーン型位相シフトマスク、レベン
ソン型位相シフトマスクなどの位相シフトマスクを用い
ることにより、露光波長を短波長化することなく半導体
回路の微細化を実現することも可能になってきている。
半導体回路のパターンの微細化に伴い、パターンを転写
するためのフォトマスクのパターンも微細化が進み、フ
ォトマスク上に形成されるパターンに対して相対的に許
容される欠陥サイズが小さくなる。
【０００３】フォトマスク基板上に発生する欠陥とし
て、透明基板上に遮光膜を形成する必要がない領域に遮
光膜の構成材料が付着した欠陥（以後、黒系欠陥）と、
遮光膜の一部が欠損したピンホール欠陥（以後、白系欠
陥）がある。黒系欠陥は、欠陥周辺部が光透過領域とな
り、光が透過し易く、欠陥部のみ透過光が低下すること
になるため、白系欠陥と比較して欠陥の検出を容易に行
うことができる。特に、微小な白系欠陥などを検出する
ために、フォトマスク欠陥検査装置の欠陥検出の高感度
化は、検査波長の短波長化、及び光電変換素子の検出サ
イズの縮小により改善が図られている。
て、透明基板上に遮光膜を形成する必要がない領域に遮
光膜の構成材料が付着した欠陥（以後、黒系欠陥）と、
遮光膜の一部が欠損したピンホール欠陥（以後、白系欠
陥）がある。黒系欠陥は、欠陥周辺部が光透過領域とな
り、光が透過し易く、欠陥部のみ透過光が低下すること
になるため、白系欠陥と比較して欠陥の検出を容易に行
うことができる。特に、微小な白系欠陥などを検出する
ために、フォトマスク欠陥検査装置の欠陥検出の高感度
化は、検査波長の短波長化、及び光電変換素子の検出サ
イズの縮小により改善が図られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ピンホール欠
陥などの白系欠陥は、欠陥のサイズが検査波長以下の場
合、急激に透過光の光量が低下する。よって、白系欠陥
を検出するためには、透過した微小な光を光電変換素子
で捉える技術が重要になる。このとき、微小な白系欠陥
を透過してきた低い光量を光電変換素子により検出する
ことは困難な場合が多い。特に、光電変換素子の光検出
感度を高めた場合、白系欠陥を透過した光以外のノイズ
となる光が光電変換素子に検出され、実質的に白系欠陥
からの透過光のみを検出することが困難になる。
陥などの白系欠陥は、欠陥のサイズが検査波長以下の場
合、急激に透過光の光量が低下する。よって、白系欠陥
を検出するためには、透過した微小な光を光電変換素子
で捉える技術が重要になる。このとき、微小な白系欠陥
を透過してきた低い光量を光電変換素子により検出する
ことは困難な場合が多い。特に、光電変換素子の光検出
感度を高めた場合、白系欠陥を透過した光以外のノイズ
となる光が光電変換素子に検出され、実質的に白系欠陥
からの透過光のみを検出することが困難になる。
【０００５】さらに、白系欠陥を透過した透過光が光電
変換素子に検出される前に結像レンズなどにより反射さ
れ、迷光が発生する場合もある。このとき、白系欠陥の
形状及びサイズを検出するための透過光が検出されたと
きの信号と、迷光を検出したときの信号が光電変換素子
で混在することになる。よって、白系欠陥を検出するた
めの信号と迷光などのノイズによる信号を区別すること
が困難になり、正確に微小な白系欠陥を検出することが
困難になる場合が多い。
変換素子に検出される前に結像レンズなどにより反射さ
れ、迷光が発生する場合もある。このとき、白系欠陥の
形状及びサイズを検出するための透過光が検出されたと
きの信号と、迷光を検出したときの信号が光電変換素子
で混在することになる。よって、白系欠陥を検出するた
めの信号と迷光などのノイズによる信号を区別すること
が困難になり、正確に微小な白系欠陥を検出することが
困難になる場合が多い。
【０００６】また、検査波長の短波長化による欠陥検出
は、検査波長の変更による光源、レンズ、及び光電変換
素子などの光学系の大幅な変更を必要とし、設備費用の
増大を招く。また、光電変換素子の検出サイズの縮小化
は、走査方式による欠陥検出装置において一度に走査可
能な領域である取込面積の縮小化に伴い、フォトマスク
全体を検査するための走査回数が増大することにより欠
陥検査時間が増大する。
は、検査波長の変更による光源、レンズ、及び光電変換
素子などの光学系の大幅な変更を必要とし、設備費用の
増大を招く。また、光電変換素子の検出サイズの縮小化
は、走査方式による欠陥検出装置において一度に走査可
能な領域である取込面積の縮小化に伴い、フォトマスク
全体を検査するための走査回数が増大することにより欠
陥検査時間が増大する。
【０００７】よって、本発明は、光を照射することによ
り欠陥を検出することができる欠陥検出装置及び欠陥検
出方法において、欠陥を透過してきた光を正確に光検出
部で検出し得る欠陥検出装置及び欠陥検出方法を提供す
ることを目的とする。
り欠陥を検出することができる欠陥検出装置及び欠陥検
出方法において、欠陥を透過してきた光を正確に光検出
部で検出し得る欠陥検出装置及び欠陥検出方法を提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の欠陥検出装置
は、検査対象物に光を照射して欠陥を検出する欠陥検出
装置であって、該検査対象物を透過した透過光の反射を
防止する反射防止手段を有することを特徴とする。欠陥
検出装置において、フォトマスクと、該フォトマスクの
欠陥を検出するために設けられた光検出器の間に光の反
射防止膜を設けることにより、黒系欠陥のみならず微小
な白系欠陥を検出することができる。
は、検査対象物に光を照射して欠陥を検出する欠陥検出
装置であって、該検査対象物を透過した透過光の反射を
防止する反射防止手段を有することを特徴とする。欠陥
検出装置において、フォトマスクと、該フォトマスクの
欠陥を検出するために設けられた光検出器の間に光の反
射防止膜を設けることにより、黒系欠陥のみならず微小
な白系欠陥を検出することができる。
【０００９】また、白系欠陥を透過した透過光を光検出
器に結像させるための結像レンズに光の反射防止膜を形
成することにより、白系欠陥を透過してきた光のみを光
検出器により検出することができ、迷光などによるノイ
ズの発生を抑制することができる。
器に結像させるための結像レンズに光の反射防止膜を形
成することにより、白系欠陥を透過してきた光のみを光
検出器により検出することができ、迷光などによるノイ
ズの発生を抑制することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明を適用した欠陥検出装置及
び欠陥検出方法ついて、図面を参照しながら詳細に説明
する。
び欠陥検出方法ついて、図面を参照しながら詳細に説明
する。
【００１１】図１は、欠陥検出装置の構造例を示す模式
図である。本例の欠陥検出装置は、光源１、集光レンズ
２結像レンズ４光電変換素子５及び反射防止膜６から構
成される。これらの構成要素から成るフォトマスク欠陥
検出装置に検査対象物であるフォトマスク３を搭載し、
フォトマスク３上に形成された欠陥の検出を行う。
図である。本例の欠陥検出装置は、光源１、集光レンズ
２結像レンズ４光電変換素子５及び反射防止膜６から構
成される。これらの構成要素から成るフォトマスク欠陥
検出装置に検査対象物であるフォトマスク３を搭載し、
フォトマスク３上に形成された欠陥の検出を行う。
【００１２】光源１は、微細な欠陥を検出するために紫
外線などの短波長の光を使用することができるが、紫外
線に限定されず、検出する欠陥のサイズに応じて適用な
波長の光を選択することが出来る。また、これらのレー
ザー光を用いても良い。また、ハーフトーン型位相シフ
トマスク、レベンソン型位相シフトマスクのように、微
細な回路パターンを形成するために使用されるフォトマ
スクの欠陥検出には、特に紫外線など短波長の光を使用
することが適用である。
外線などの短波長の光を使用することができるが、紫外
線に限定されず、検出する欠陥のサイズに応じて適用な
波長の光を選択することが出来る。また、これらのレー
ザー光を用いても良い。また、ハーフトーン型位相シフ
トマスク、レベンソン型位相シフトマスクのように、微
細な回路パターンを形成するために使用されるフォトマ
スクの欠陥検出には、特に紫外線など短波長の光を使用
することが適用である。
【００１３】集光レンズ２は、光源１から出射される光
を集光し、フォトマスク３の検査領域に光を照射するた
めに使用される凸レンズである。特に、欠陥検出におけ
る解像度を高めるため開口数の大きいレンズを用いるこ
とにより、欠陥検出の精度を高めることもできる。
を集光し、フォトマスク３の検査領域に光を照射するた
めに使用される凸レンズである。特に、欠陥検出におけ
る解像度を高めるため開口数の大きいレンズを用いるこ
とにより、欠陥検出の精度を高めることもできる。
【００１４】反射防止膜６は、検査対象物でありパター
ンが形成されたフォトマスク基板３を透過してきた透過
光が、結像レンズ４の表面で反射され、その光がフォト
マスク基板３で反射された後に結像レンズ４に再び入射
することを防止するために設けられる。本例の欠陥検出
装置では、結像レンズ４とフォトマスク基板３の間に、
フォトマスク基板３を透過した透過光を殆ど反射しない
材質を用いて板状に成型された反射防止膜６が配設され
る。これに限定されず、光透過性を有する材料を基材と
し、平坦な表面を有する板の表面に反射防止膜を形成す
ることにより反射防止膜とすることもできる。反射防止
膜６を形成する材料は、フォトマスクの防塵フィルムと
して使用されるフッ素ポリマーなどを用いることができ
る。さらに、光源から出射される光の波長領域の光を透
過するガラス基板などに蒸着法により多層膜を形成し、
反射防止膜を構成することもできる。欠陥検出に用いる
光の波長を変えた場合、多層膜の構造を変えた反射防止
膜を用いることにより、欠陥検出に用いることができる
光の波長の選択性も向上する。
ンが形成されたフォトマスク基板３を透過してきた透過
光が、結像レンズ４の表面で反射され、その光がフォト
マスク基板３で反射された後に結像レンズ４に再び入射
することを防止するために設けられる。本例の欠陥検出
装置では、結像レンズ４とフォトマスク基板３の間に、
フォトマスク基板３を透過した透過光を殆ど反射しない
材質を用いて板状に成型された反射防止膜６が配設され
る。これに限定されず、光透過性を有する材料を基材と
し、平坦な表面を有する板の表面に反射防止膜を形成す
ることにより反射防止膜とすることもできる。反射防止
膜６を形成する材料は、フォトマスクの防塵フィルムと
して使用されるフッ素ポリマーなどを用いることができ
る。さらに、光源から出射される光の波長領域の光を透
過するガラス基板などに蒸着法により多層膜を形成し、
反射防止膜を構成することもできる。欠陥検出に用いる
光の波長を変えた場合、多層膜の構造を変えた反射防止
膜を用いることにより、欠陥検出に用いることができる
光の波長の選択性も向上する。
【００１５】結像レンズ４は、フォトマスク基板３を透
過し、反射防止膜６を透過した透過光を光電変換素子５
に結像させるために用いられる光学レンズである。光電
変換素子５は、結像レンズ４により光電変換素子５に結
像されたときに光電変換素子５に結像される光の強弱を
電流値に変化することによりフォトマスク基板３に形成
されたパターン形状を画像化する素子である。光電変換
素子５は、例えば、光電子増倍管、フォトダイオードな
どを用いることができる。検査対象物であるフォトマス
ク基板３上に形成されたパターンと光電変換素子５で検
出される像を比較することによりフォトマスク基板３上
の欠陥を検出することができる。
過し、反射防止膜６を透過した透過光を光電変換素子５
に結像させるために用いられる光学レンズである。光電
変換素子５は、結像レンズ４により光電変換素子５に結
像されたときに光電変換素子５に結像される光の強弱を
電流値に変化することによりフォトマスク基板３に形成
されたパターン形状を画像化する素子である。光電変換
素子５は、例えば、光電子増倍管、フォトダイオードな
どを用いることができる。検査対象物であるフォトマス
ク基板３上に形成されたパターンと光電変換素子５で検
出される像を比較することによりフォトマスク基板３上
の欠陥を検出することができる。
【００１６】次に、本例の欠陥検出装置を用いた欠陥検
出方法について説明する。先ず、光源１から出射された
光が集光レンズ２により集束されフォトマスク基板３上
の検査領域に照射される。このとき、フォトマスク基板
３表面の一部に光を照射し、順次光の照射領域を移動さ
せていき、これを繰り返すことによりフォトマスク基板
３上の全領域を検査することができる。また、フォトマ
スク基板３を一括露光することにより広範囲の領域を検
査することもできる。
出方法について説明する。先ず、光源１から出射された
光が集光レンズ２により集束されフォトマスク基板３上
の検査領域に照射される。このとき、フォトマスク基板
３表面の一部に光を照射し、順次光の照射領域を移動さ
せていき、これを繰り返すことによりフォトマスク基板
３上の全領域を検査することができる。また、フォトマ
スク基板３を一括露光することにより広範囲の領域を検
査することもできる。
【００１７】次に、フォトマスク基板３を透過した透過
光は反射防止膜６を透過し、結像レンズ４に入射する。
このとき、結像レンズ４の表面で該透過光の一部が反射
される。反射された該透過光の一部は、その大部分が反
射防止膜６により吸収され、再び結像レンズ４に入射す
ることがない。よって、結像レンズ４により反射された
光が再び結像レンズ４に入射し光電変換素子５に到達し
た際に、光電変換素子５に結像されるフォトマスク基板
３上のパターンの像のコントラストを殆ど低下させるこ
とがない。特に、フォトマスク基板３上のパターンの一
部が欠損した白系欠陥のサイズが微小である場合、該白
系欠陥を透過する透過光の光量は僅かな量であり、反射
光などのノイズが存在すると微小な白系欠陥の検出が困
難になることから、反射光を除くことが可能になること
により欠陥の検出精度を高めることができる。
光は反射防止膜６を透過し、結像レンズ４に入射する。
このとき、結像レンズ４の表面で該透過光の一部が反射
される。反射された該透過光の一部は、その大部分が反
射防止膜６により吸収され、再び結像レンズ４に入射す
ることがない。よって、結像レンズ４により反射された
光が再び結像レンズ４に入射し光電変換素子５に到達し
た際に、光電変換素子５に結像されるフォトマスク基板
３上のパターンの像のコントラストを殆ど低下させるこ
とがない。特に、フォトマスク基板３上のパターンの一
部が欠損した白系欠陥のサイズが微小である場合、該白
系欠陥を透過する透過光の光量は僅かな量であり、反射
光などのノイズが存在すると微小な白系欠陥の検出が困
難になることから、反射光を除くことが可能になること
により欠陥の検出精度を高めることができる。
【００１８】光電変換素子５に結像された光の明暗は、
電流値に変換され、フォトマスク基板３上に形成されて
いるパターンの画像として認識される。この画像と、無
欠陥のパターンの画像とを比較することにより欠陥の検
出が行われる。
電流値に変換され、フォトマスク基板３上に形成されて
いるパターンの画像として認識される。この画像と、無
欠陥のパターンの画像とを比較することにより欠陥の検
出が行われる。
【００１９】特に、ハーフトーン型位相シフトマスクや
レベンソン型位相シフトマスクのように微細なパターン
が形成されたフォトマスクを検査する場合には、光電変
換素子５で検出される光の明暗のパターンをコントラス
ト良く検出することが重要である。よって、フォトマス
ク基板３の検査の際に生じる反射光などのノイズを低減
することにより、フォトマスク基板上に形成されたパタ
ーン形状の像を明瞭に検出することができ、微細な欠陥
についてもその検出精度を高めることが可能になる。
レベンソン型位相シフトマスクのように微細なパターン
が形成されたフォトマスクを検査する場合には、光電変
換素子５で検出される光の明暗のパターンをコントラス
ト良く検出することが重要である。よって、フォトマス
ク基板３の検査の際に生じる反射光などのノイズを低減
することにより、フォトマスク基板上に形成されたパタ
ーン形状の像を明瞭に検出することができ、微細な欠陥
についてもその検出精度を高めることが可能になる。
【００２０】図２は、欠陥検出装置の他の構造例を示す
模式図であり、光源１１、集光レンズ１２、光電変換素
子１５及び反射防止膜１６が形成された結像レンズ１４
から構成される。これらの構成要素から成るフォトマス
ク欠陥検出装置に検査対象物であるフォトマスク１３を
配置し、フォトマスク１３上に形成された欠陥の検出を
行う。
模式図であり、光源１１、集光レンズ１２、光電変換素
子１５及び反射防止膜１６が形成された結像レンズ１４
から構成される。これらの構成要素から成るフォトマス
ク欠陥検出装置に検査対象物であるフォトマスク１３を
配置し、フォトマスク１３上に形成された欠陥の検出を
行う。
【００２１】光源１１は、微細な欠陥を検出するために
紫外線などの短波長の光を使用することができるが、紫
外線に限定されず、検出する欠陥のサイズに応じて適用
な波長の光を選択することが出来る。また、これらのレ
ーザー光を用いても良い。また、ハーフトーン型位相シ
フトマスク、レベンソン型位相シフトマスクのように、
微細な回路パターンを形成するために使用されるフォト
マスクの欠陥検出には、特に紫外線など短波長の光を使
用することが適用である。
紫外線などの短波長の光を使用することができるが、紫
外線に限定されず、検出する欠陥のサイズに応じて適用
な波長の光を選択することが出来る。また、これらのレ
ーザー光を用いても良い。また、ハーフトーン型位相シ
フトマスク、レベンソン型位相シフトマスクのように、
微細な回路パターンを形成するために使用されるフォト
マスクの欠陥検出には、特に紫外線など短波長の光を使
用することが適用である。
【００２２】集光レンズ１２は、光源１から出射される
光を集光し、フォトマスク３の検査領域に光を照射する
ためにしようされる凸レンズである。特に、欠陥検出に
おける解像度を高めるため開口数の大きいレンズを用い
ることにより、欠陥検出の精度を高めることもできる。
光を集光し、フォトマスク３の検査領域に光を照射する
ためにしようされる凸レンズである。特に、欠陥検出に
おける解像度を高めるため開口数の大きいレンズを用い
ることにより、欠陥検出の精度を高めることもできる。
【００２３】結像レンズ１４は、フォトマスク基板３を
透過し、反射防止膜６を透過した透過光を光電変換素子
５に結像させるために用いられる光学レンズである。結
像レンズ１４のフォトマスク１３側の表面には、反射防
止膜１６が形成されている。反射防止膜１６は、光を殆
ど反射しない材質をフォトマスク１３の表面にコーティ
ングして形成され、例えば、フッ素ポリマーなどにより
形成することができる。さらに、光源から出射される光
の波長領域の光を透過するガラス基板などに蒸着法によ
り多層膜を形成し、反射防止膜を構成することもでき
る。欠陥検出に用いる光の波長を変えた場合、多層膜の
構造を変えた反射防止膜を用いることにより、欠陥検出
に用いることができる光の波長の選択性も向上する。
透過し、反射防止膜６を透過した透過光を光電変換素子
５に結像させるために用いられる光学レンズである。結
像レンズ１４のフォトマスク１３側の表面には、反射防
止膜１６が形成されている。反射防止膜１６は、光を殆
ど反射しない材質をフォトマスク１３の表面にコーティ
ングして形成され、例えば、フッ素ポリマーなどにより
形成することができる。さらに、光源から出射される光
の波長領域の光を透過するガラス基板などに蒸着法によ
り多層膜を形成し、反射防止膜を構成することもでき
る。欠陥検出に用いる光の波長を変えた場合、多層膜の
構造を変えた反射防止膜を用いることにより、欠陥検出
に用いることができる光の波長の選択性も向上する。
【００２４】光電変換素子１５は、結像レンズ１４によ
り光電変換素子１５に透過光が結像されたときに光電変
換素子５に結像される光の強弱を電流値に変化すること
によりフォトマスク基板１３に形成されたパターン形状
を画像化する素子である。光電変換素子１５は、例え
ば、光電子増倍管、フォトダイオードなどを用いること
ができる。検査対象物であるフォトマスク基板１３上に
形成されたパターンと光電変換素子１５で検出される像
を比較することによりフォトマスク基板１３上の欠陥を
検出することができる。
り光電変換素子１５に透過光が結像されたときに光電変
換素子５に結像される光の強弱を電流値に変化すること
によりフォトマスク基板１３に形成されたパターン形状
を画像化する素子である。光電変換素子１５は、例え
ば、光電子増倍管、フォトダイオードなどを用いること
ができる。検査対象物であるフォトマスク基板１３上に
形成されたパターンと光電変換素子１５で検出される像
を比較することによりフォトマスク基板１３上の欠陥を
検出することができる。
【００２５】
【発明の効果】光を照射して欠陥を検出する欠陥検出装
置において、光検出器である光電変換素子に入射するノ
イズを低減することにより精度良く欠陥を検出すること
ができる。特に、フォトマスクのように微細なパターン
の中に形成された微小な白系欠陥を検出する際に、光源
から光検出器である光電変換素子までの光路で発生する
反射光を反射防止膜で防止することにより、短波長の光
源を用いることなく、白系欠陥を透過する透過光の低い
光量を高い精度で欠陥を検出することができる。
置において、光検出器である光電変換素子に入射するノ
イズを低減することにより精度良く欠陥を検出すること
ができる。特に、フォトマスクのように微細なパターン
の中に形成された微小な白系欠陥を検出する際に、光源
から光検出器である光電変換素子までの光路で発生する
反射光を反射防止膜で防止することにより、短波長の光
源を用いることなく、白系欠陥を透過する透過光の低い
光量を高い精度で欠陥を検出することができる。
【００２６】さらに、欠陥検出装置に反射防止膜を設け
ることにより欠陥検出装置を簡単な構成とすることがで
き、欠陥検出装置に多大なコストをかけることなく、高
い精度で微小な白系欠陥を検出することが可能になる。
ることにより欠陥検出装置を簡単な構成とすることがで
き、欠陥検出装置に多大なコストをかけることなく、高
い精度で微小な白系欠陥を検出することが可能になる。
【図１】本発明の欠陥検出装置の構造の一例を示した模
式図である。
式図である。
【図２】本発明の欠陥検出装置の構造の他の例を示した
模式図である。
模式図である。
１、１１ 光源
２、１２ 集光レンズ
３、１３ フォトマスク基板
４、１４ 結像レンズ
５、１５ 光電変換素子
６、１６ 反射防止膜
Claims (12)
- 【請求項１】検査対象物に光を照射して欠陥を検出する
欠陥検出装置であって、該検査対象物を透過した透過光
の反射を防止する反射防止手段を有することを特徴とす
る欠陥検出装置。 - 【請求項２】前記検査対象物はフォトマスクであること
を特徴とする請求項１記載の欠陥検出装置。 - 【請求項３】前記透過光は光検出器により検出されるこ
とを特徴とする請求項１記載の欠陥検出装置。 - 【請求項４】前記光検出器は光電変換素子であることを
特徴とする請求項３記載の欠陥検出装置。 - 【請求項５】前記検査対象物を透過した透過光を前記光
検出器に結像するための結像手段を有することを特徴と
する請求項３記載の欠陥検出装置。 - 【請求項６】前記結像手段は光学レンズであることを特
徴とする請求項５記載の欠陥検出装置。 - 【請求項７】前記反射防止手段は、前記検査対象物と前
記光検出器の間に設けられることを特徴とする請求項３
記載の欠陥検出装置。 - 【請求項８】前記反射防止手段は前記結像手段に設けら
れることを特徴とする請求項５記載の欠陥検出装置。 - 【請求項９】前記反射防止手段は反射防止膜であること
を特徴とする請求項１記載の欠陥検出装置。 - 【請求項１０】前記反射防止膜はフッ素ポリマー膜であ
ることを特徴とする請求項９記載の欠陥検出装置。 - 【請求項１１】検査対象物に光を照射し、該検査対象物
を透過した透過光を検出して欠陥を検出する欠陥検出方
法において、前記透過光の反射を防止することを特徴と
する欠陥検出方法。 - 【請求項１２】前記検査対象物と、前記透過光を検出す
る光検出器の間で前記透過光の反射を防止することを特
徴とする請求項１１記載の欠陥検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001267066A JP2003075364A (ja) | 2001-09-04 | 2001-09-04 | 欠陥検出装置及び欠陥検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001267066A JP2003075364A (ja) | 2001-09-04 | 2001-09-04 | 欠陥検出装置及び欠陥検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003075364A true JP2003075364A (ja) | 2003-03-12 |
Family
ID=19093253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001267066A Pending JP2003075364A (ja) | 2001-09-04 | 2001-09-04 | 欠陥検出装置及び欠陥検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003075364A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006208281A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Toppan Printing Co Ltd | 周期性パターンムラ検査装置および周期性パターン撮像方法 |
| JP2007003376A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Toppan Printing Co Ltd | 周期性パターンムラ検査装置および周期性パターン撮像方法 |
| CN105785604A (zh) * | 2014-12-24 | 2016-07-20 | 台湾动力检测科技股份有限公司 | 显示设备的光学层件的缺陷检测方法 |
-
2001
- 2001-09-04 JP JP2001267066A patent/JP2003075364A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006208281A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Toppan Printing Co Ltd | 周期性パターンムラ検査装置および周期性パターン撮像方法 |
| JP4609089B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2011-01-12 | 凸版印刷株式会社 | 周期性パターンムラ検査装置および周期性パターン撮像方法 |
| JP2007003376A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Toppan Printing Co Ltd | 周期性パターンムラ検査装置および周期性パターン撮像方法 |
| CN105785604A (zh) * | 2014-12-24 | 2016-07-20 | 台湾动力检测科技股份有限公司 | 显示设备的光学层件的缺陷检测方法 |
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