JPS59150459A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS59150459A JPS59150459A JP1909083A JP1909083A JPS59150459A JP S59150459 A JPS59150459 A JP S59150459A JP 1909083 A JP1909083 A JP 1909083A JP 1909083 A JP1909083 A JP 1909083A JP S59150459 A JPS59150459 A JP S59150459A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead frame
- outline
- lead
- projections
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は樹脂モールド(封止)型半導体装置に使用さ
れるリードフレームに関する。
れるリードフレームに関する。
従来より樹脂モールド型のパッケージは多くの半導体装
置に広(使用されている。これらの樹脂モールド型のパ
ッケージの形成過程の概略は次のようなものである。す
なわち、第1図に示すように金属板を打ち抜いて形成さ
れたリードフレーム7.1の素子基台部(ベッド)11
a上lこ図示しない半導体素子を配設した後、第2図の
断面図に示すようにキャビティ(中壁)13を有するモ
ールド金屋の下金型12a上3こ、上記リードフレーム
Lノを載置する。なお、第1図9平面図にはキャビティ
13を破線で示す。
置に広(使用されている。これらの樹脂モールド型のパ
ッケージの形成過程の概略は次のようなものである。す
なわち、第1図に示すように金属板を打ち抜いて形成さ
れたリードフレーム7.1の素子基台部(ベッド)11
a上lこ図示しない半導体素子を配設した後、第2図の
断面図に示すようにキャビティ(中壁)13を有するモ
ールド金屋の下金型12a上3こ、上記リードフレーム
Lノを載置する。なお、第1図9平面図にはキャビティ
13を破線で示す。
そして、この下金型12a上に上金型12bを重ね、内
部のキャビティ13にモールド樹脂14を注入した後、
この樹脂14を硬化させ、第3図に示すように樹脂封止
部15を形成する。
部のキャビティ13にモールド樹脂14を注入した後、
この樹脂14を硬化させ、第3図に示すように樹脂封止
部15を形成する。
ここで、このモールド樹脂をキャビティ13中に注入す
る工程において、上金型さ下金型とでリードフレーム1
1を挾むため、上金型と下金型との嵌合ライン上のリー
ド間に間隙が形成される。そして、複数のアウターリー
ド110(リードのうち樹脂封止部から外部へ露出する
部位)を−足するタイバー11Tで流出が阻止されるま
で上記の間隙よりモールド樹脂が流れ出て、そのまま硬
化し、第3図の16で示すようないわゆる樹脂パリが形
成される。
る工程において、上金型さ下金型とでリードフレーム1
1を挾むため、上金型と下金型との嵌合ライン上のリー
ド間に間隙が形成される。そして、複数のアウターリー
ド110(リードのうち樹脂封止部から外部へ露出する
部位)を−足するタイバー11Tで流出が阻止されるま
で上記の間隙よりモールド樹脂が流れ出て、そのまま硬
化し、第3図の16で示すようないわゆる樹脂パリが形
成される。
続いて、不要なタイバー11Tを切断すると同時に樹脂
バリ16をたたき路とし、第4図に示すような樹脂封止
パッケージの装置を形成する。その後、アウターリード
110奪折り曲げることにより装置が完成する。
バリ16をたたき路とし、第4図に示すような樹脂封止
パッケージの装置を形成する。その後、アウターリード
110奪折り曲げることにより装置が完成する。
上記のタイバー11Tと樹脂パリ16を打ち抜く工程に
おいて、杓ち抜がなけれはならない樹脂バリ16の切断
面積が太きく枝、)脂バリ16を切断しにくいため、樹
脂パリ16を樹脂刺止部16から鋭利に切断することが
できず、また切際1器具のポンチの消耗が激しがった。
おいて、杓ち抜がなけれはならない樹脂バリ16の切断
面積が太きく枝、)脂バリ16を切断しにくいため、樹
脂パリ16を樹脂刺止部16から鋭利に切断することが
できず、また切際1器具のポンチの消耗が激しがった。
し発明の目的〕
この発明は上記のような点に鑑みてなされたもので、柚
脂パリを容易に落とすことのできるリードフレームを提
供し、ポンチの消耗を抑制するとともに樹脂刺止部のパ
リ除去面を改善しようとするものである。
脂パリを容易に落とすことのできるリードフレームを提
供し、ポンチの消耗を抑制するとともに樹脂刺止部のパ
リ除去面を改善しようとするものである。
すなわちこの発明に係るリードフレームではアウターリ
ードと樹脂封止部内に収納されるインナーリードとの境
界線上すなわち樹脂封止部の外形輪郭線上のリードフレ
ームに突起を設け、リード間に形成される樹脂パリに上
記輪郭線上lこ沿って切り欠き部が形成されるようにし
、樹脂パリを落としやすくするものである。
ードと樹脂封止部内に収納されるインナーリードとの境
界線上すなわち樹脂封止部の外形輪郭線上のリードフレ
ームに突起を設け、リード間に形成される樹脂パリに上
記輪郭線上lこ沿って切り欠き部が形成されるようにし
、樹脂パリを落としやすくするものである。
以下図面を参照してこの発明の一実施例につき説明する
。第5図はその一例を示す平面図で゛破線Aは樹脂封止
部の外形輪郭線を示し、インナーリードZ1iは一部省
略しである。
。第5図はその一例を示す平面図で゛破線Aは樹脂封止
部の外形輪郭線を示し、インナーリードZ1iは一部省
略しである。
この図においてリードフレーム去」全形成するだめの例
えばプレス加工やエツチング加工時に、上記外形輪郭線
A上のリード部に突起部20を設けた形状に金属板を加
工する。この除に隣接する突起間の最短距離は、隣接す
るアウターリード間110の幅dの%程度が望まE7い
。
えばプレス加工やエツチング加工時に、上記外形輪郭線
A上のリード部に突起部20を設けた形状に金属板を加
工する。この除に隣接する突起間の最短距離は、隣接す
るアウターリード間110の幅dの%程度が望まE7い
。
これはリードフレームリ形成後、リードフレーム51に
外装処理として錫メッキ、半田メッキ、銀メッキ或いは
溶融半田メッキ等を施した場合にメッキの連結によりリ
ード間の電気的リークが発生しないようにするためであ
る。
外装処理として錫メッキ、半田メッキ、銀メッキ或いは
溶融半田メッキ等を施した場合にメッキの連結によりリ
ード間の電気的リークが発生しないようにするためであ
る。
このようなリードフレームLユを止金型および下金型で
挾み金型にモー・ルド樹脂を注入して、樹脂封止部を形
成する。
挾み金型にモー・ルド樹脂を注入して、樹脂封止部を形
成する。
ここで、この場合も、上下の金型の嵌合ラインの間隙よ
りモールド樹脂が流出し、樹脂パリ16が形成される。
りモールド樹脂が流出し、樹脂パリ16が形成される。
しかしながら、この樹脂ノくり16はアウタリード11
0に沿って形成されるため、樹脂封止部の外形輪郭#R
A上では突起$20により両側から切り欠き部が形成さ
れて基部の幅が狭(なり樹脂バIJ Z Gを落きしや
すい形状となる。
0に沿って形成されるため、樹脂封止部の外形輪郭#R
A上では突起$20により両側から切り欠き部が形成さ
れて基部の幅が狭(なり樹脂バIJ Z Gを落きしや
すい形状となる。
以上のようにこの発明によるリードフレームによれば樹
脂パリの除去が従来のものに比較して非富に容易になる
。例えば、従来ではタイツく−および樹脂パリを叩き落
とすポンチが約40万回までしかもたなかったの番こ対
し、第5図で示すような樹脂封止部の外形輪郭線上に突
起部を有するリードから成るリードフレームを用いて樹
脂封止パッケージを製造した場合には約120万回まで
使用できるようになり、切断器具の消耗を大幅に緩和さ
せることができる。加えて、樹脂パリと樹脂封止部♂の
切断、而がより鋭利なものとなる。
脂パリの除去が従来のものに比較して非富に容易になる
。例えば、従来ではタイツく−および樹脂パリを叩き落
とすポンチが約40万回までしかもたなかったの番こ対
し、第5図で示すような樹脂封止部の外形輪郭線上に突
起部を有するリードから成るリードフレームを用いて樹
脂封止パッケージを製造した場合には約120万回まで
使用できるようになり、切断器具の消耗を大幅に緩和さ
せることができる。加えて、樹脂パリと樹脂封止部♂の
切断、而がより鋭利なものとなる。
なお、樹脂パリに切り欠き部を形成するための突起部は
第5図に示すようなものばかりでなく例えば半円状のも
のなど樹脂封止部の外形輪郭線上の樹脂パリの幅が狭く
なるものであれば他の形状でも艮い。また、突起部は必
ずしもアウターリードの全両側面に設ける必要はなく、
例えば、アウターリードの右側あるいは左側のみに設け
るようにしてもよい。
第5図に示すようなものばかりでなく例えば半円状のも
のなど樹脂封止部の外形輪郭線上の樹脂パリの幅が狭く
なるものであれば他の形状でも艮い。また、突起部は必
ずしもアウターリードの全両側面に設ける必要はなく、
例えば、アウターリードの右側あるいは左側のみに設け
るようにしてもよい。
第1図乃至第4図はそれぞれ従来のリードフレームを製
造過程とともに示す図、第5図はこの発明の一実施例に
係るリードフレーム全示す平面図である。 11・・・リードフレーム、110・・・アウターリー
ド、IIT・・・タイバー、16・・・樹脂パリ、20
・・・突起部、A・・・樹脂封止部の外形輪郭線。 出頭人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第2図 3 2a 第3図 114図 11゜ 5I
造過程とともに示す図、第5図はこの発明の一実施例に
係るリードフレーム全示す平面図である。 11・・・リードフレーム、110・・・アウターリー
ド、IIT・・・タイバー、16・・・樹脂パリ、20
・・・突起部、A・・・樹脂封止部の外形輪郭線。 出頭人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第2図 3 2a 第3図 114図 11゜ 5I
Claims (1)
- 樹脂封止型半導体装置の樹脂刺止部内に収納されるべき
インナーリード部と上記樹脂的止部の外側に露出するア
ウターリード部とから成るリードフレームにおいて、上
記インナーリード部とアウターリード部との境界線上に
樹脂パリに切り欠き部を形成するための突起部が設けら
れていることを特徴きするリードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1909083A JPS59150459A (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1909083A JPS59150459A (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59150459A true JPS59150459A (ja) | 1984-08-28 |
Family
ID=11989755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1909083A Pending JPS59150459A (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59150459A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4862586A (en) * | 1985-02-28 | 1989-09-05 | Michio Osada | Lead frame for enclosing semiconductor chips with resin |
US5271148A (en) * | 1988-11-17 | 1993-12-21 | National Semiconductor Corporation | Method of producing a leadframe |
EP0747942A3 (en) * | 1995-05-02 | 1998-07-29 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to integrated circuits |
-
1983
- 1983-02-08 JP JP1909083A patent/JPS59150459A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4862586A (en) * | 1985-02-28 | 1989-09-05 | Michio Osada | Lead frame for enclosing semiconductor chips with resin |
US5271148A (en) * | 1988-11-17 | 1993-12-21 | National Semiconductor Corporation | Method of producing a leadframe |
EP0747942A3 (en) * | 1995-05-02 | 1998-07-29 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to integrated circuits |
US5891377A (en) * | 1995-05-02 | 1999-04-06 | Texas Instruments Incorporated | Dambarless leadframe for molded component encapsulation |
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