JPS5911647A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5911647A JPS5911647A JP12090382A JP12090382A JPS5911647A JP S5911647 A JPS5911647 A JP S5911647A JP 12090382 A JP12090382 A JP 12090382A JP 12090382 A JP12090382 A JP 12090382A JP S5911647 A JPS5911647 A JP S5911647A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- wiring
- photo resist
- steep
- metal wiring
- Prior art date
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置及び製造方法に係り、特に多層配線
構造を有する半導体装置の層間連絡孔及びその製造方法
に関するものである。
構造を有する半導体装置の層間連絡孔及びその製造方法
に関するものである。
半導体装置の集積度を高める為には多層配線を行なう８
璧があり、また小型で急峻な層間連絡孔が用いられてｂ
る。
璧があり、また小型で急峻な層間連絡孔が用いられてｂ
る。
また、第１図の如〈従来回避されていた第一の眉間連絡
孔直上に第２の層間連絡孔を形成すること鬼用いられて
いる。
孔直上に第２の層間連絡孔を形成すること鬼用いられて
いる。
第１図は半導体基板上に第１の金属配線形成後、第１の
Ｃ縁ｗ′ｆｔ成長し急峻な第１の層間連絡孔を形成し、
該第１の層間連絡孔を被覆するよう第２の金属配線を形
成し、第２の絶縁膜成長後、第１の層間連絡孔上に第２
の層間連絡孔を形成した所である。
Ｃ縁ｗ′ｆｔ成長し急峻な第１の層間連絡孔を形成し、
該第１の層間連絡孔を被覆するよう第２の金属配線を形
成し、第２の絶縁膜成長後、第１の層間連絡孔上に第２
の層間連絡孔を形成した所である。
該方法は第１の層間連絡孔及び第２の金属配線により非
常に急峻な段ができてしまう。次に第３の配線形成の為
金属蒸着物例えばアルミニウム（／ｙｌ）を蒸着すると
第２図の如く該段部でのステップカバレッジが悪くなり
配線寿命等の信頼性上の大きな問題となる。
常に急峻な段ができてしまう。次に第３の配線形成の為
金属蒸着物例えばアルミニウム（／ｙｌ）を蒸着すると
第２図の如く該段部でのステップカバレッジが悪くなり
配線寿命等の信頼性上の大きな問題となる。
又、第３の配線をメッキ等で行なう場合にはメ、キ用の
電極を形成する訳だが第２図の如く第２配線の保護膜と
してチタン＜Ｔｉ ＞等の薄い膜を蒸着するが該方法で
も段部でのステップカバレッジが悪く完全な保抑膜には
ならない。該保護膜上に八ｌを蒸着しフォトリゾグラフ
ィ技術及び金属腐食技術を用いて電極を形成する訳だが
、Ｔｉのステ、プカバレッジが悪い為第３図の如く第２
の金属配線も腐食され、第２の金属配線の断線あるいは
配線寿命等の問題がある。
電極を形成する訳だが第２図の如く第２配線の保護膜と
してチタン＜Ｔｉ ＞等の薄い膜を蒸着するが該方法で
も段部でのステップカバレッジが悪く完全な保抑膜には
ならない。該保護膜上に八ｌを蒸着しフォトリゾグラフ
ィ技術及び金属腐食技術を用いて電極を形成する訳だが
、Ｔｉのステ、プカバレッジが悪い為第３図の如く第２
の金属配線も腐食され、第２の金属配線の断線あるいは
配線寿命等の問題がある。
本発明は第２の金属配線の断線あるいは配線寿命等の信
頼性上の問題をなくした半導体装置及びその製造方法を
提供するものである。
頼性上の問題をなくした半導体装置及びその製造方法を
提供するものである。
本発明の％徴は第１の絶縁膜の第１の層間連絡孔及び第
２の金属配線形成後に生じた急峻な段を第２の絶縁膜を
用いて埋めつくした半導体装置の構造にある。さらに本
発明の他の特徴は、半導体製造工程に於いて第１の絶縁
膜に第１の層間連絡孔を形成し、該第１の層間連絡孔を
被覆するよう第２の金属配線を形成して、第２の絶縁膜
を成長する工程と、該第２の絶縁膜上に７オトレジスト
を塗布し、選択露光により第１の層間連絡孔直上に、該
第１の層間連絡孔と同等以上の開口部を形成し、急峻な
段部にのみフォトレジストが残るよう露光してパターン
を形成する工程と、該フォトレジストパターン全マスク
に第２の絶縁膜をエッチアウトし急峻な段部が第２の絶
縁膜により埋めつくされることを特徴とする半導体装置
の製造方法にある。
２の金属配線形成後に生じた急峻な段を第２の絶縁膜を
用いて埋めつくした半導体装置の構造にある。さらに本
発明の他の特徴は、半導体製造工程に於いて第１の絶縁
膜に第１の層間連絡孔を形成し、該第１の層間連絡孔を
被覆するよう第２の金属配線を形成して、第２の絶縁膜
を成長する工程と、該第２の絶縁膜上に７オトレジスト
を塗布し、選択露光により第１の層間連絡孔直上に、該
第１の層間連絡孔と同等以上の開口部を形成し、急峻な
段部にのみフォトレジストが残るよう露光してパターン
を形成する工程と、該フォトレジストパターン全マスク
に第２の絶縁膜をエッチアウトし急峻な段部が第２の絶
縁膜により埋めつくされることを特徴とする半導体装置
の製造方法にある。
該方法によれば、第１の層間連絡孔及び第２の金属配線
による急峻な段を完全に埋めつくされ、第３の配線のス
テ、プカバレッジの問題は解決する。又、メッキ配線を
行なう場合でも保護膜は完全に第２の金属配線を被覆で
き電極形成の際の金属腐食の際でも第２の金属配線を腐
食することはない、。
による急峻な段を完全に埋めつくされ、第３の配線のス
テ、プカバレッジの問題は解決する。又、メッキ配線を
行なう場合でも保護膜は完全に第２の金属配線を被覆で
き電極形成の際の金属腐食の際でも第２の金属配線を腐
食することはない、。
次に本発明の実施例？順を追って説明する。
第４図は半導体基板１上に第１の配線３を形成し、その
後、第一の絶縁膜４を成長し、第１の層間連絡孔を形成
し、第２の金属配線５を形成した構造を示す。次に全面
に層間絶縁膜６を全面に成長後フォトレジスト９を塗布
した所全第５図に示す。該状態に於いては、第１の層間
連絡孔、第２金属配線及び第２の層間絶縁膜により形成
される急峻な段部には厚くポジフォトレジストが塗布さ
れる。次に第１の層間連絡孔直上に第１の層間連絡孔と
同等以上の開孔部を該フォトレジストに選択露光して開
孔部全形成する。この露光条件を適度に設定すれば急峻
な段部にはフォトレジストが残っている。該状態を第６
図に示す。次に該フオトレジス）ｋマスクに第２の絶縁
膜をエツチングし、フォトレジスト層を除去した図を第
７図に示す。第８図に第２の金属配線保護膜（Ｔｔ）７
゜電第１５用σ）Δｌ、８を蒸着後フォトレジスト１０
でノくターン形成した構造を示す。
後、第一の絶縁膜４を成長し、第１の層間連絡孔を形成
し、第２の金属配線５を形成した構造を示す。次に全面
に層間絶縁膜６を全面に成長後フォトレジスト９を塗布
した所全第５図に示す。該状態に於いては、第１の層間
連絡孔、第２金属配線及び第２の層間絶縁膜により形成
される急峻な段部には厚くポジフォトレジストが塗布さ
れる。次に第１の層間連絡孔直上に第１の層間連絡孔と
同等以上の開孔部を該フォトレジストに選択露光して開
孔部全形成する。この露光条件を適度に設定すれば急峻
な段部にはフォトレジストが残っている。該状態を第６
図に示す。次に該フオトレジス）ｋマスクに第２の絶縁
膜をエツチングし、フォトレジスト層を除去した図を第
７図に示す。第８図に第２の金属配線保護膜（Ｔｔ）７
゜電第１５用σ）Δｌ、８を蒸着後フォトレジスト１０
でノくターン形成した構造を示す。
次に該フォトレジスト層をマスクにＡｌを金属腐食技術
を用いて電極形成後金メッキ等で第３の配線を形成した
構造を９図に示す。次にフォトレジスト、Ａｌ、Ｔｉを
除去し、第３の配線を形成した構造を１０図に示す。
を用いて電極形成後金メッキ等で第３の配線を形成した
構造を９図に示す。次にフォトレジスト、Ａｌ、Ｔｉを
除去し、第３の配線を形成した構造を１０図に示す。
該方法により第２の金属配線も腐食されず、又第３の配
線もステップカバレッジ等の問題なく、信頼性の高い多
層配線が形成できる。
線もステップカバレッジ等の問題なく、信頼性の高い多
層配線が形成できる。
第１図乃至第３図は従来の半導体装置の断面図、第４図
乃至第１０向は本発明の製造方法の一実施例を工程順に
説明する為の断面図である。 尚、図に於いて、 １・・・・・シリコン基板、２・・・・・・酸化膜、３
・・・第１の配線、４ ・・・第１の絶縁膜、５・・
・第２の金属配線、６・・・・・第２の絶縁膜、７・・
・・保梅膜（チタン）、８・・・・・・電極用アルミニ
ウム、９・ ・フォトレジスト、１０・・・・・フォ）
・レジスト、１１・・第３のメッキ配線、である。 椿１図 惨４ 図 第５ 図 篠乙図 第７図 委δ 図 湘ｅ召５９−１１６４７（４） １／
乃至第１０向は本発明の製造方法の一実施例を工程順に
説明する為の断面図である。 尚、図に於いて、 １・・・・・シリコン基板、２・・・・・・酸化膜、３
・・・第１の配線、４ ・・・第１の絶縁膜、５・・
・第２の金属配線、６・・・・・第２の絶縁膜、７・・
・・保梅膜（チタン）、８・・・・・・電極用アルミニ
ウム、９・ ・フォトレジスト、１０・・・・・フォ）
・レジスト、１１・・第３のメッキ配線、である。 椿１図 惨４ 図 第５ 図 篠乙図 第７図 委δ 図 湘ｅ召５９−１１６４７（４） １／
Claims (2)
- （１）半導体装置に於いて、第１の絶縁膜の第１の層間
連絡孔及び該第１の層間連絡孔を被覆するよう第２の金
属配線形成後に生じた第１の層間連絡孔上の急峻な段を
第２の絶縁膜で埋めつくしたことを特徴とする半導体装
置。 - （２）半導体装置の製造工程に於いて、第１の層間連絡
孔全形成し該第１の層間連絡孔を被覆して第２の金属配
線を形成し第２の絶縁膜を成長する工程と、該第２の絶
縁膜上にフォトレジストを塗布し選択露光により該第１
の層間連絡孔直上に第１の層間連絡孔と同等以上の開孔
部を形成し、かつ急峻な段部にのみフォトレジストヲ残
すよう露光してパターンニングする工程と、該フォトレ
ジストパターン全マスクに第２の絶縁膜を工、チアウド
し前記急峻な段部を前記第２の絶縁膜により埋めつくす
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12090382A JPS5911647A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12090382A JPS5911647A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5911647A true JPS5911647A (ja) | 1984-01-21 |
| JPS6362104B2 JPS6362104B2 (ja) | 1988-12-01 |
Family
ID=14797844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12090382A Granted JPS5911647A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911647A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62146224A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-30 | Kobe Steel Ltd | 強度のばらつきの少ない高靭性高張力高炭素鋼線材の製造方法 |
| JPH03116852A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Nec Corp | 半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57100748A (en) * | 1980-12-15 | 1982-06-23 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1982
- 1982-07-12 JP JP12090382A patent/JPS5911647A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57100748A (en) * | 1980-12-15 | 1982-06-23 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62146224A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-30 | Kobe Steel Ltd | 強度のばらつきの少ない高靭性高張力高炭素鋼線材の製造方法 |
| JPS6345448B2 (ja) * | 1985-12-20 | 1988-09-09 | Kobe Steel Ltd | |
| JPH03116852A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Nec Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6362104B2 (ja) | 1988-12-01 |
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