JPS5890750A - リ−ドフレ−ムの製法 - Google Patents
リ−ドフレ−ムの製法Info
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- JPS5890750A JPS5890750A JP19895982A JP19895982A JPS5890750A JP S5890750 A JPS5890750 A JP S5890750A JP 19895982 A JP19895982 A JP 19895982A JP 19895982 A JP19895982 A JP 19895982A JP S5890750 A JPS5890750 A JP S5890750A
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 9
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 abstract description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レノンモールド型′半導体装置に用いられる
リードフレームの製法に関するものである。
リードフレームの製法に関するものである。
一般に半導体集積回路装置用リードフレームとして、半
導体素子を取り付けるタブリードを有するリードフレー
ムが広く用いられている。この種のリードフレームを用
いてレジンモールド型半導体装置を製造する場合、素子
をタブリードに取り付け、これをモールドしたあと、第
１図に示すように外観形状をよくするためタブリード１
をモールド部２から突出させないようにしてリード７し
一ム外枠から切り離す、いわゆるピンチオフと称する工
程が行なわれている。この場合先端を鋭利にした三角形
断面の一対の三角刃３をタブリードにくいこませてタブ
リードをリードフレームから切断分離している。
導体素子を取り付けるタブリードを有するリードフレー
ムが広く用いられている。この種のリードフレームを用
いてレジンモールド型半導体装置を製造する場合、素子
をタブリードに取り付け、これをモールドしたあと、第
１図に示すように外観形状をよくするためタブリード１
をモールド部２から突出させないようにしてリード７し
一ム外枠から切り離す、いわゆるピンチオフと称する工
程が行なわれている。この場合先端を鋭利にした三角形
断面の一対の三角刃３をタブリードにくいこませてタブ
リードをリードフレームから切断分離している。
しかし、このようにして切断する場合、前記三角力の先
端は鋭利なため、すぐ摩耗してしまい、長時間の使用に
耐えられないものである。
端は鋭利なため、すぐ摩耗してしまい、長時間の使用に
耐えられないものである。
また、三角刃に位置ずれを生じると、モールド部に刃力
弓１つ掛かり、モールド部を破損させ耐湿性を低下させ
ることもある。
弓１つ掛かり、モールド部を破損させ耐湿性を低下させ
ることもある。
さらに、モールド外縁から離れた位置で切り込みを入れ
るとタブリードの切れ残二〇が生じ外観が損われる。こ
のようにビンチオ７エ程は多くの問題を有する作業であ
った。
るとタブリードの切れ残二〇が生じ外観が損われる。こ
のようにビンチオ７エ程は多くの問題を有する作業であ
った。
したがって、本発明は上記の問題を解決するためになさ
れたもので、その目的はビンチオ７エ程を廃止するため
のリードフレームの製法を提供することにある。
れたもので、その目的はビンチオ７エ程を廃止するため
のリードフレームの製法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は半導体装置の外観不良を防止
するためのリードフレームの製法を提供することにある
。
するためのリードフレームの製法を提供することにある
。
さらにまた、本発明の他の目的は、モールドレノンのピ
ンチオフ作業による破損を防止するためのリードフレー
ムの製法を提供することにある。
ンチオフ作業による破損を防止するためのリードフレー
ムの製法を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、薄い平担な
金属板を用意し、その金属板のタブリードとなるべき一
部分にプレスにより溝を形成し、しかる後その金属板の
半導体素子を取り付けるタブ部を含むタブリード、グム
リード、連繋部ならびに池のリード部をプレスにより形
成することを特徴とするものである。以下図面により本
発明の詳細な説明する。
金属板を用意し、その金属板のタブリードとなるべき一
部分にプレスにより溝を形成し、しかる後その金属板の
半導体素子を取り付けるタブ部を含むタブリード、グム
リード、連繋部ならびに池のリード部をプレスにより形
成することを特徴とするものである。以下図面により本
発明の詳細な説明する。
第２図は、本発明を実施して得られたリードフレームの
ユニットの一実施例を示す。同図において、リードフレ
ーム４は帯状の薄い（例えば厚さ０．２５ ＋ａｍ）平
担なリン青銅板をプレスにより所望の形状に形成したも
ので枠状となっている。そして、この枠の中央には横方
向に伸びる細いタブリード、１か形成され、このタブリ
ード］の中央部には半導体素子５を取り付ける矩形のタ
ブ部６が形成されている。また、前記タブリード１に平
行に細長のダムリード７が形成され、タブリード１およ
びダムリード７の両端はそれぞれ縦枠８に一体的に連繋
されている。さらに、これらダムリード７と上枠９ある
いは下枠１０との間に亘って外部リード１１がほぼ等間
隔に７本設けられている。
ユニットの一実施例を示す。同図において、リードフレ
ーム４は帯状の薄い（例えば厚さ０．２５ ＋ａｍ）平
担なリン青銅板をプレスにより所望の形状に形成したも
ので枠状となっている。そして、この枠の中央には横方
向に伸びる細いタブリード、１か形成され、このタブリ
ード］の中央部には半導体素子５を取り付ける矩形のタ
ブ部６が形成されている。また、前記タブリード１に平
行に細長のダムリード７が形成され、タブリード１およ
びダムリード７の両端はそれぞれ縦枠８に一体的に連繋
されている。さらに、これらダムリード７と上枠９ある
いは下枠１０との間に亘って外部リード１１がほぼ等間
隔に７本設けられている。
一方、前記外部リード１１が一体的に連繋されているダ
ムリード７から前記タブ部６に向かってほぼ放射状に伸
びるようにそれぞれ内部リード１２が形成される。また
、これら内部リード１２の各先端部は他の内部リード１
２あるいはタブリード１およびタブ部４とは接しないよ
うに形成されている。
ムリード７から前記タブ部６に向かってほぼ放射状に伸
びるようにそれぞれ内部リード１２が形成される。また
、これら内部リード１２の各先端部は他の内部リード１
２あるいはタブリード１およびタブ部４とは接しないよ
うに形成されている。
さらに、前記タブリード１の両端部における一表面には
縦枠８に平行に溝１３が第２図で示すように形成されて
いる。前記溝１３をプレスにより形成する場合、最初に
この溝をプレスにより形成し、そのあと連続的にプレス
して、所望形状のタブリード、グムリード、外部リード
、内部リード等を形成するようにする。これは溝を形成
するときに生しる歪を少なくし、タブリードの変形を小
さくするためである。このようにして形成する溝部の深
さはリードフレームの板厚の半分程度に形成することか
望ましい。
縦枠８に平行に溝１３が第２図で示すように形成されて
いる。前記溝１３をプレスにより形成する場合、最初に
この溝をプレスにより形成し、そのあと連続的にプレス
して、所望形状のタブリード、グムリード、外部リード
、内部リード等を形成するようにする。これは溝を形成
するときに生しる歪を少なくし、タブリードの変形を小
さくするためである。このようにして形成する溝部の深
さはリードフレームの板厚の半分程度に形成することか
望ましい。
このようにして形成されたリードフレームのタブ部６に
半導体素子を金−シリコン共晶等の接着技術によって取
り付け、半導体素子の電極と内部リード１２とをワイヤ
ボンディング技術により金またはアルミニウム等の金属
細線で接続する。
半導体素子を金−シリコン共晶等の接着技術によって取
り付け、半導体素子の電極と内部リード１２とをワイヤ
ボンディング技術により金またはアルミニウム等の金属
細線で接続する。
次に、このようにリードフレームに組立てられた半導体
素子を保護するために、第２図および第３図の鎖線で示
すように、前記溝の部分までレジンでモールドする。す
なわち、タブリード１については前記溝１３にモールド
レジン部２の外縁が沿うようにモールドする。
素子を保護するために、第２図および第３図の鎖線で示
すように、前記溝の部分までレジンでモールドする。す
なわち、タブリード１については前記溝１３にモールド
レジン部２の外縁が沿うようにモールドする。
次に、モールドされたリードフレームから半導体装置を
完成品としてとり出すために、タブ１７−ド１を前記溝
の部分で縦枠８からせん断すると同時に、ダムリード７
の不要部を切断する。この作業は第４図に示すような上
型１４と下型１５とからなる一対の切断型を使用してお
こなうことができる。下型１３には半導体装置のモール
ドレジン部２を収容するような四部が形成されている。
完成品としてとり出すために、タブ１７−ド１を前記溝
の部分で縦枠８からせん断すると同時に、ダムリード７
の不要部を切断する。この作業は第４図に示すような上
型１４と下型１５とからなる一対の切断型を使用してお
こなうことができる。下型１３には半導体装置のモール
ドレジン部２を収容するような四部が形成されている。
この凹部にモールドレジン部２が入るように、かつ上枠
９および下枠１０を、スプリング１６を介して下型に支
持された平担な金属板１７に密着させるようにしてモー
ルドの終了したリードフレームを下型にのせる。このよ
うにして前記リードフレームを下型にのせたあと、上型
を下降させる。上枠７および下枠８は下型の前記金属板
１７と上型にスプリングを介して支持されている押え板
１８とによりクランプされ、さらに上型を下降させると
、ダムリード７の不要部が上型と下型とに設けられた一
対の切断刃１９により切断されると同時に、タブリード
１は上型に設けられた切断刃２０により溝部１８のとこ
ろで加圧されるために、核部において縦枠８からせん断
分離される。
９および下枠１０を、スプリング１６を介して下型に支
持された平担な金属板１７に密着させるようにしてモー
ルドの終了したリードフレームを下型にのせる。このよ
うにして前記リードフレームを下型にのせたあと、上型
を下降させる。上枠７および下枠８は下型の前記金属板
１７と上型にスプリングを介して支持されている押え板
１８とによりクランプされ、さらに上型を下降させると
、ダムリード７の不要部が上型と下型とに設けられた一
対の切断刃１９により切断されると同時に、タブリード
１は上型に設けられた切断刃２０により溝部１８のとこ
ろで加圧されるために、核部において縦枠８からせん断
分離される。
以上のように本発明によれば、従来のように先端の鋭利
な三角力を使用したピンチオフによる切断をなくするこ
とができるので、三角力の摩耗による作業能率の低下を
防ぐことがで外、特に大量に切断処理するさいに作業能
率が著しく改善されるという効果が得られる。また、タ
ブリードは、予めモールドレジン部外縁に沿うように形
成した溝部のところでせん断されることになるので、モ
ールドレジン部に切断万力９１つ掛が９、モールドレノ
ン部を破損させ耐湿性を低下させることも防止できるの
で、完成品歩留が着しく向上する。また、タフリードの
切れ残りもなくなり、外観が損われるということもなく
なる。
な三角力を使用したピンチオフによる切断をなくするこ
とができるので、三角力の摩耗による作業能率の低下を
防ぐことがで外、特に大量に切断処理するさいに作業能
率が著しく改善されるという効果が得られる。また、タ
ブリードは、予めモールドレジン部外縁に沿うように形
成した溝部のところでせん断されることになるので、モ
ールドレジン部に切断万力９１つ掛が９、モールドレノ
ン部を破損させ耐湿性を低下させることも防止できるの
で、完成品歩留が着しく向上する。また、タフリードの
切れ残りもなくなり、外観が損われるということもなく
なる。
なお、ダムリードの不要部が切断され、タブリードが縦
枠６からせん断された時点では、半導体装置は上枠およ
び下枠で支持されているので、次に別の切断成形型を使
用して上梓および下枠を切断すると同時に外部リード１
１を所定部分より折曲げて、完成された半導体装置とし
てとり出すことができる。
枠６からせん断された時点では、半導体装置は上枠およ
び下枠で支持されているので、次に別の切断成形型を使
用して上梓および下枠を切断すると同時に外部リード１
１を所定部分より折曲げて、完成された半導体装置とし
てとり出すことができる。
第１図は従来のタブリードの切断を示す断面図。
第２図は本発明によるリードフレームの一実施例を示す
平面図、第３図は第２図Ａ−Ａ’線に沿う断面を示す断
面図、第４図は本発明によるタブリードのせん断および
ダムリードの不要部切断の一実施例を示す断面図である
。 １−一一一タブリード、２−−−−モールドレジン部。 ３−一一一三角刃、４−−−−リードフレーム、５−−
−一半導体素子、６−−−−タブ部、７−−−−ダムリ
ード、８−−一一縦枠、９−−−−上枠、１０−−−一
下枠、１１−−−−外部リード、１２−−−一内部す−
ド、１３−−−−溝。 １４−−−一切断型（上型）、１５−−−一切断型（下
型）ｆ１６−−−−スプリング、１７−−−−金属板、
１８−−−−押え板、１９−−−一切断刀、２０−−−
−切断刀。 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 ／ ／１ ／Ｚ
平面図、第３図は第２図Ａ−Ａ’線に沿う断面を示す断
面図、第４図は本発明によるタブリードのせん断および
ダムリードの不要部切断の一実施例を示す断面図である
。 １−一一一タブリード、２−−−−モールドレジン部。 ３−一一一三角刃、４−−−−リードフレーム、５−−
−一半導体素子、６−−−−タブ部、７−−−−ダムリ
ード、８−−一一縦枠、９−−−−上枠、１０−−−一
下枠、１１−−−−外部リード、１２−−−一内部す−
ド、１３−−−−溝。 １４−−−一切断型（上型）、１５−−−一切断型（下
型）ｆ１６−−−−スプリング、１７−−−−金属板、
１８−−−−押え板、１９−−−一切断刀、２０−−−
−切断刀。 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 ／ ／１ ／Ｚ
Claims (1)
- 薄い平担な金属板を用意し、その金属板のタブリードと
なるべき一部分にプレスにより溝を形成し、しかる後そ
の金属板の半導体素子を取り付けるタブ部を含むタブリ
ード、ダムリード、連繋部ならびに池のリード部をプレ
スにより形成することを特徴とする。リードフレームの
製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19895982A JPS5890750A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | リ−ドフレ−ムの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19895982A JPS5890750A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | リ−ドフレ−ムの製法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5858775A Division JPS51134569A (en) | 1975-05-19 | 1975-05-19 | Semiconductor unit manufacturing process, lead frame used in the semi- conductor and its manufacturing process |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5890750A true JPS5890750A (ja) | 1983-05-30 |
Family
ID=16399777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19895982A Pending JPS5890750A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | リ−ドフレ−ムの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5890750A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1017215C2 (nl) * | 2001-01-29 | 2002-07-30 | Fico Bv | Werkwijze en inrichting voor het uit een drager verwijderen van een draagdeel. |
| WO2002061822A1 (en) | 2001-01-29 | 2002-08-08 | Fico B.V. | Method and apparatus for removing a carrier part from a carrier, and a product removed from a carrier |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5037362A (ja) * | 1973-08-06 | 1975-04-08 |
-
1982
- 1982-11-15 JP JP19895982A patent/JPS5890750A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5037362A (ja) * | 1973-08-06 | 1975-04-08 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1017215C2 (nl) * | 2001-01-29 | 2002-07-30 | Fico Bv | Werkwijze en inrichting voor het uit een drager verwijderen van een draagdeel. |
| WO2002061822A1 (en) | 2001-01-29 | 2002-08-08 | Fico B.V. | Method and apparatus for removing a carrier part from a carrier, and a product removed from a carrier |
| US7162906B2 (en) | 2001-01-29 | 2007-01-16 | Fico B.V. | Method and apparatus for removing a carrier part from a carrier |
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