JPS582003Y2

JPS582003Y2 - 厚膜バリスタ装置

Info

Publication number: JPS582003Y2
Application number: JP1978077482U
Authority: JP
Inventors: 大小田
Original assignee: 松下電器産業株式会社
Priority date: 1978-06-06
Filing date: 1978-06-06
Publication date: 1983-01-13
Also published as: JPS54178059U

Description

【考案の詳細な説明】本考案は、厚膜バリスタにおいて、抵抗器膜を並設する
ことによって特異な電圧電流特性を得、バリスタ単体で
は得られながった機能を発揮させる厚膜バリスタ装置に
関する。

厚膜バリスタの電圧電流特性は、第１図の■のようであ
って、その特性を利用して、回路の電圧安定、パルス抑
制、サージ吸収等の目的で一般に実用化されつつある。

また一般的には、その非直線指数が大きい程、優れたバ
リスタとされている。

しがし、各種分野に適用する中で、比較的低い電圧が印
加されている時は固定抵抗器として動作し、ある程度電
力消費する方が、バリスタの総合的性能面で有利な場合
がある。

また、サージ吸収後の残留波形を制御することができる
。

このような機能は比較的低い電圧領域では固定抵抗器と
して動作し、高圧印加時にバリスタとして動作するよう
な、第１図の実線のような電圧電流特性を有するときに
得られる。

しかし、このような電圧電流特性を示す厚膜バリスタを
単体で製作することは困難とされている。

本考案は、第１図において示すように、抵抗器の特性Ｒ
とバリスタの特性■を合成した実線のような電圧電流特
性を示す厚膜バリスタ装置を得る手段を開示するもので
ある。

以下本考案を実施例に基づいて説明する。

厚膜バリスタＶと厚膜抵抗器Ｒを等価的に第２図に示す
ように並設し合成特性を得るもので、それぞれの性能設
定（抵抗値設定）は、ある印加電圧領域以下では厚膜抵
抗器の抵抗値が低く、高い電圧領域では厚膜バリスタの
動抵抗が低くなるように設定するものである。

第３図は、サンドイッチ型の厚膜バリスタの断面図を示
すもので、図において、１は耐熱性絶縁基板、２はその
基板１上の下部電極、３，４はその下部電極２上に形成
されたバリスタ膜と抵抗器膜、５はその膜３と４を覆う
ように設けられた上部電極であり、その上部電極５は下
部電極２と短絡しないように抵抗器膜４上でその一部が
カットされている。

すなわち単一の耐熱性絶縁基板１上に単一の下部電極２
を印刷、焼付けし、その上にバリスタペースト３および
抵抗ペースト４をそれぞれ印刷して焼付ける。

形成されたバリスタ膜３および抵抗器膜４の上をさらに
、下部電極２と接触しないように一定の距離を保って、
上部電極５を印刷し焼付けて覆う。

必要ある場合は、ソルダレジストや絶縁樹脂等で被覆す
る。

このようにして得られた装置の電流パスは、絶縁基板１
に対して垂直である。

次に第４図は、プレーナ型の厚膜バリスタの例を示すも
ので、図において、１は耐熱性絶縁基板、６．７はその
基板１上に相隔てて設けられた二電極、８，９はその二
電極６，７間にまたがって並設されたバリスタ膜と抵抗
器膜である。

すなわち耐熱性絶縁基板１上に電極６，７を所定の間隔
をおいて印刷し、焼付ける。

そして電極６，７間にまたがってバリスタペースト８お
よび抵抗ペースト９をそれぞれ印刷して焼付ける。

必要ある場合はソルダレジストや絶縁樹脂等で被覆する
。

このようにして得られた装置の電流パスは、絶縁基板１
に対して水平である。

前記二つの方式に加え、厚膜バリスタをサンドイッチ型
に形威し、厚膜抵抗器をプレーナ型に形成しても、また
その逆の構成でも本考案の特性を得ることができる。

前者の例を第５図に示す。

図において、１は耐熱性絶縁基板、１０は基板１上に設
けられた下部電極、１１はその電極１０上に設けられた
バリスタ膜、１２はそのバリスタ膜１１上に設けられた
上部電極であり、その一端は基板１上に延長されている
。

１３はその延長された上部電極１２と下部電極１０との
間にまたがって設けられた抵抗器膜である。

もちろんこの実施例においても両電極１０と１２は短絡
しないように工夫されている。

このようにして得られた装置は、適用に際して例えば低
電圧域では固定抵抗器の特性でエネルギー消費をし、異
常高電圧の際にはバリスタの特性で十分に低いレベルに
高電圧を抑制し得る有用な機能を有するものである。

また、本考案による電圧電流特性を有する装置は、異常
高電圧を抑制した後の残留電圧波形の、特に時間幅を短
かくすることが可能であって、機械ガバナ式マイクロモ
ータのガバナ接点保護用装置として理想のものといえる
。

そして、本考案の厚膜バリスタ装置は単一絶縁基板上に
厚膜バリスタと厚膜抵抗器とを並設していることにより
、バリスタおよび抵抗器はその自己発熱による影響を互
いに受けることが少なく、熱による特性劣化を阻止する
上で有効な構成となっているものである。

また、絶縁基板上に厚膜バリスタと厚膜抵抗器を同様の
工法で同時に形成することができ、工数が大幅に低減さ
れて作業性が良好となる利点を有するものである。

以上のように本考案による厚膜バリスタ装置は、固定抵
抗器と電圧依存性抵抗器の複合性能を有し、特異な特性
が得られて、厚膜バリスタの適用分野を拡大するもので
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は厚膜バリスタと厚膜抵抗器の合成電圧電流特性
図、第２図は厚膜バリスタと厚膜抵抗器の並列回路図、
第３図は本考案による厚膜バリスタ装置の一実施例の断
面図、第４図ａ、ｌ）は第２の実施例の平面図とそのＡ
−Ａ’線断面図、第５図ａ、ｌ）は第３の実施例の平面
図とそのＢ−Ｂ’線断面図である。１・・・・・・単一絶縁基板、２・・・・・・下部電極
、３，８．１１・・・・・・バリスタ膜、４，９．１３
・・・・・・抵抗器膜、５・・・・・・上部電極、６．
７・・・・・・電極、１０・・・・・・下部電極、１２
・・・・・・上部電極。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

（１）単一絶縁基板上に厚膜バリスタと厚膜抵抗器とを
並設し、一体化したことを特徴とする厚膜バリスタ装置
。
（２）単一絶縁基板上の単一下部電極上にバリスタ膜お
よび抵抗器膜を形成し、前記バリスタ膜および抵抗器膜
の双方を覆うように上部電極を設けた実用新案登録請求
の範囲第（１）項に記載の厚膜バリスタ装置。
（３）単一絶縁基板上に相隔てて設けた二電極間にまた
がってバリスタ膜と抵抗器膜とを並設した実用新案登録
請求の範囲第（１）項に記載の厚膜バリスタ装置。
（４）単一絶縁基板上の単一下部電極上にバリスタ膜を
形威し、そのバリスタ膜を覆うように上部電極を設け、
その上部電極を前記単一絶縁基板上に延長し、その延長
された上部電極と前記下部電極間にまたがって抵抗器膜
を設けた実用新案登録請求の範囲第（１）項に記載の厚
膜バリスタ装置。