JPH1174440A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number
JPH1174440A
JPH1174440A JP7371198A JP7371198A JPH1174440A JP H1174440 A JPH1174440 A JP H1174440A JP 7371198 A JP7371198 A JP 7371198A JP 7371198 A JP7371198 A JP 7371198A JP H1174440 A JPH1174440 A JP H1174440A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
metal wire
semiconductor device
inner lead
lead frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7371198A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2915892B2 (ja
Inventor
Masanori Nano
匡紀 南尾
Satoshi Konishi
聡 小西
Yoshihiko Morishita
佳彦 森下
Yuichiro Yamada
雄一郎 山田
Fumito Ito
史人 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26414858&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH1174440(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP7371198A priority Critical patent/JP2915892B2/ja
Priority to PCT/JP1998/002544 priority patent/WO1999000826A2/en
Priority to CN2007101286896A priority patent/CN101114629B/zh
Priority to DE69841847T priority patent/DE69841847D1/de
Priority to KR10-1999-7011569A priority patent/KR100397539B1/ko
Priority to US09/380,312 priority patent/US6900524B1/en
Priority to EP98923185A priority patent/EP0996962B1/en
Priority to CNB988085747A priority patent/CN100423253C/zh
Priority to TW87109764A priority patent/TW384534B/zh
Publication of JPH1174440A publication Critical patent/JPH1174440A/ja
Publication of JP2915892B2 publication Critical patent/JP2915892B2/ja
Application granted granted Critical
Priority to US10/747,982 priority patent/US6861735B2/en
Priority to US10/991,864 priority patent/US7538416B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548—Cross section geometry
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 リードフレームと封止樹脂の密着性を保持
し、金属細線とインナーリード部の安定した接続が可能
となり、高信頼性、薄型化を実現する。 【解決手段】 リードフレーム９の支持部１１に搭載さ
れた半導体素子１２と、この半導体素子１２の電極とリ
ードフレーム９のインナーリード部１３とを接続した金
属細線１４と、封止樹脂１５とを備え、支持部１１がイ
ンナーリード部１３より上方に位置するようにリードフ
レーム９をアップセット処理したので、支持部１１の下
方にアップセットの段差分の厚さの封止樹脂１５が存在
し、リードフレーム９と封止樹脂１５との密着性を向上
させることができる。また、インナーリード部１３の表
面に、少なくとも１本の溝部を設けたので、封止樹脂１
５とのアンカー効果および製品リード部に加わるストレ
スや金属細線１４へのストレスを緩和させることがで
き、リード剥がれ、金属細線剥がれを防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、リードフレーム
上に半導体素子を搭載し、その外囲、特に半導体素子上
面側を樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置およびその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、基板実装の高密度化に伴い、基板
実装される半導体製品の小型化・薄型化が要求されてい
る。小型化・薄型化のためには、樹脂テープを用いたＴ
ＡＢ実装技術が開発されているが、リードフレームを用
いた薄型の半導体製品の開発においては、リードフレー
ムに半導体素子を搭載し、その搭載面を封止樹脂で封止
する片面封止タイプの樹脂封止型半導体装置が開発され
ている。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置につい
て説明する。図５は、従来の樹脂封止型半導体装置を示
す断面図である。図５に示す従来の樹脂封止型半導体装
置は、リードフレーム１のダイパッド部２上に半導体素
子３が搭載され、その半導体素子３の電極（図示せず）
とリードフレーム１のインナーリード部４とが金属細線
５により電気的に接続されている。そしてリードフレー
ム１の片面、すなわちリードフレーム１の半導体素子３
が搭載された面の半導体素子３の外囲領域は封止樹脂６
により封止されているものである。
【０００４】図５に示すような構造により、製造された
樹脂封止型半導体装置においては、半導体装置の底面に
外部電極であるアウターリード部７を配列した構造を有
し、リードフレーム１の半導体素子３が搭載された面の
みが封止樹脂６により封止され、リードフレーム１の裏
面側は実質的に封止されていないので、薄型の樹脂封止
型半導体装置が実現するものである。
【０００５】次に図５に示した従来の樹脂封止型半導体
装置の製造方法にあっては、まずリードフレーム１のイ
ンナーリード部４の先端部に機械的または化学的な加工
により、テーパー形状を形成し、そしてリードフレーム
１上に半導体素子３を接合するものである。次いで、半
導体素子３とリードフレーム１のインナーリード部４と
を金属細線５により電気的に接続した後、トランスファ
ーモールドによりリードフレーム１の半導体素子搭載面
を封止樹脂６により封止するものである。最後に外部電
極を形成するために、封止樹脂６から突出したリードフ
レーム１のアウターリード部７を加工して樹脂封止型半
導体装置を完成するものである。
【０００６】なお、従来においては図５に示した構造の
樹脂封止型半導体装置以外に、図６に示すような構造も
ある。図６に示す樹脂封止型半導体装置は、リードフレ
ーム１のインナーリード部４の先端部４ａに対して、半
導体素子３を搭載するための絶縁性の樹脂テープ８を接
合し、ダイパッド部を形成したものである。そしてその
樹脂テープ８上に半導体素子３を搭載後、半導体素子３
の電極とインナーリード部４とを金属細線５により電気
的に接続し、リードフレーム１の半導体素子３搭載面を
封止樹脂６により封止した構造である。この図６に示し
た樹脂封止型半導体装置では、図５に示した樹脂封止型
半導体装置よりも、薄型化が図れるというメリットがあ
る。すなわち、図６に示した樹脂封止型半導体装置で
は、リードフレーム１のインナーリード部４の下面に樹
脂テープ８を接合し、その上面に半導体素子３を搭載し
ているので、インナーリード部４の上面と、半導体素子
３の上面との段差が低くなり、その結果、封止樹脂６の
樹脂厚も薄くなり、樹脂封止型半導体装置としての厚み
が薄型となるものである。図５に示した樹脂封止型半導
体装置では、インナーリード部４と同一面にあるダイパ
ッド部２上に半導体素子３を搭載しているので、図６に
示した樹脂封止型半導体装置ほど封止樹脂６の厚みを薄
くすることはできない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の樹
脂封止型半導体装置では、薄型化を実現するために、実
質的にはリードフレームの半導体素子が搭載された面、
すなわちリードフレームの上面のみを封止樹脂で封止し
た構造である。そのため、インナーリード部にテーパー
形状を形成したとしても、全体的にリードフレームと封
止樹脂との接触面積の低下により、密着性が損なわれ、
製品の信頼性が低下するという課題があった。また、実
質的にリードフレームの片面のみを樹脂封止している構
造であるため、封止樹脂の応力により半導体素子が悪影
響を受けたり、封止樹脂にパッケージクラックが発生す
るという課題もあった。さらにインナーリード部と半導
体素子とを金属細線で接続し、片面封止した際には、片
面封止の構造の応力により、金属細線で接続されたイン
ナーリード部に応力による負荷がかかり、接続部分が破
壊されたりして、接続不良が発生するという課題もあっ
た。
【０００８】したがって、この発明の目的は、前記従来
の課題を解決するものであり、リードフレームと封止樹
脂の密着性を保持し、金属細線とインナーリード部の安
定した接続が可能となり、高信頼性を有し、薄型化を実
現した樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供
することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
にこの発明の請求項１記載の樹脂封止型半導体装置は、
リードフレームの支持部に搭載された半導体素子と、こ
の半導体素子の上面の電極とリードフレームのインナー
リード部とを電気的に接続した金属細線と、半導体素子
の上面の金属細線領域と支持部の下部領域とを含む半導
体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、封止樹脂の底
面領域に配列されたインナリード部に連続して形成され
た外部端子とを備えた樹脂封止型半導体装置であって、
支持部がインナーリード部より上方に位置するようにリ
ードフレームをアップセット処理したことを特徴とす
る。
【００１０】このように、支持部がインナーリード部よ
り上方に位置するようにリードフレームをアップセット
処理したので、支持部の下方にアップセットの段差分の
厚さの封止樹脂が存在し、リードフレームと封止樹脂と
の密着性を向上させることができ、製品の信頼性を保つ
ことができる。また、リードフレームの上面と下面との
両面で樹脂封止しても、下面の樹脂厚はアップセットの
段差分の厚さであるため、薄型化は実現できるものであ
る。
【００１１】請求項２記載の樹脂封止型半導体装置は、
リードフレームの支持部に搭載された半導体素子と、こ
の半導体素子の上面の電極とリードフレームのインナー
リード部とを電気的に接続した金属細線と、半導体素子
の上面の金属細線領域を含む半導体素子の外囲領域を封
止した封止樹脂と、封止樹脂の底面領域に配列されたイ
ンナリード部に連続して形成された外部端子とを備えた
樹脂封止型半導体装置であって、インナーリード部の表
面に、少なくとも１本の溝部が設けられている。
【００１２】このように、インナーリード部の表面に、
少なくとも１本の溝部が設けられているので、封止樹脂
とのアンカー効果および製品リード部に加わるストレス
や金属細線へのストレスを緩和させることができ、リー
ド剥がれ、金属細線剥がれを防止できる。このため、製
品の信頼性を保つことができる。請求項３記載の樹脂封
止型半導体装置は、リードフレームの支持部に搭載され
た半導体素子と、この半導体素子の上面の電極とリード
フレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属
細線と、半導体素子の上面の金属細線領域を含む半導体
素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、封止樹脂の底面
領域に配列されたインナリード部に連続して形成された
外部端子とを備えた樹脂封止型半導体装置であって、イ
ンナーリード部の表面に複数の溝部が設けられ、金属細
線のインナーリード部側の接続部は溝部と溝部との間に
配置されていることを特徴とする。
【００１３】このように、インナーリード部の表面に複
数の溝部が設けられ、金属細線のインナーリード部側の
接続部は溝部と溝部との間に配置されているので、封止
樹脂とのアンカー効果および製品リード部に加わるスト
レスや金属細線へのストレスを緩和させることができ、
リード剥がれ、金属細線剥がれを防止できる。この場
合、封止樹脂でリードフレームの片面を封止した構造に
よる応力は、その溝部で吸収され、溝部と溝部との間の
部分にはかからないため、金属細線の接続部分は破壊す
ることなく、安定した接続ができる。
【００１４】請求項４記載の樹脂封止型半導体装置は、
リードフレームの支持部に搭載された半導体素子と、こ
の半導体素子の上面の電極とリードフレームのインナー
リード部とを電気的に接続した金属細線と、半導体素子
の上面の金属細線領域を含む半導体素子の外囲領域を封
止した封止樹脂と、封止樹脂の底面領域に配列されたイ
ンナリード部に連続して形成された外部端子とを備えた
樹脂封止型半導体装置であって、インナーリード部に幅
広部が設けられていることを特徴とする。
【００１５】このように、インナーリード部に幅広部が
設けられているので、封止樹脂とのアンカー効果および
製品リード部に加わるストレスや金属細線へのストレス
を緩和させることができ、リード剥がれ、金属細線剥が
れを防止できる。このため、製品の信頼性を保つことが
できる。請求項５記載の樹脂封止型半導体装置は、リー
ドフレームの支持部に搭載された半導体素子と、この半
導体素子の上面の電極とリードフレームのインナーリー
ド部とを電気的に接続した金属細線と、半導体素子の上
面の金属細線領域を含む半導体素子の外囲領域を封止し
た封止樹脂と、封止樹脂の底面領域に配列されたインナ
リード部に連続して形成された外部端子とを備えた樹脂
封止型半導体装置であって、インナーリード部に幅広部
が設けられ、表面に少なくとも１本の溝部が設けられて
いることを特徴とする。
【００１６】このように、インナーリード部に幅広部が
設けられ、表面に少なくとも１本の溝部が設けられてい
るので、封止樹脂とのアンカー効果および製品リード部
に加わるストレスや金属細線へのストレスをさらに緩和
させることができ、リード剥がれ、金属細線剥がれを防
止する効果が向上する。請求項６記載の樹脂封止型半導
体装置は、リードフレームの支持部に搭載された半導体
素子と、この半導体素子の上面の電極とリードフレーム
のインナーリード部とを電気的に接続した金属細線と、
半導体素子の上面の金属細線領域を含む半導体素子の外
囲領域を封止した封止樹脂と、封止樹脂の底面領域に配
列されたインナリード部に連続して形成された外部端子
とを備えた樹脂封止型半導体装置であって、インナーリ
ード部に幅広部が設けられ、表面に複数の溝部が設けら
れ、金属細線のインナーリード部側の接続部は溝部と溝
部との間に配置されていることを特徴とする。
【００１７】このように、インナーリード部に幅広部が
設けられ、表面に複数の溝部が設けられ、金属細線のイ
ンナーリード部側の接続部は溝部と溝部との間に配置さ
れているので、封止樹脂とのアンカー効果および製品リ
ード部に加わるストレスや金属細線へのストレスをさら
に緩和させることができ、リード剥がれ、金属細線剥が
れを防止する効果が向上する。この場合、溝部を２本以
上設けて、溝部と溝部との間に金属細線を接続すること
により、ストレスを吸収する効果を向上させることがで
きる。また、封止樹脂でリードフレームの片面を封止し
た構造による応力は、その溝部で吸収され、溝部と溝部
との間の部分にはかからないため、金属細線の接続部分
は破壊することなく、安定した接続ができる。
【００１８】請求項７記載の樹脂封止型半導体装置は、
請求項１，２，３，４，５または６において、外部端子
の露出面は、封止樹脂の外面と同一面上に配列されてい
る。このように、外部端子の露出面を封止樹脂の外面と
同一面上に配列したので、アウターリード部を従来のよ
うに封止樹脂の側面から突出させずに、封止樹脂の底面
部分に埋め込んだ形で配列することができる。このた
め、外部端子としての信頼性を向上することができると
ともに、外部端子が突出していない分だけ、小型の樹脂
封止型半導体装置を提供することができる。
【００１９】請求項８記載の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、インナーリード部よりダイパッド部が上方に
位置するようにリードフレームをアップセット処理する
工程と、リードフレームのダイパッド部に対して半導体
素子を接合する工程と、半導体素子の電極とリードフレ
ームのインナーリード部とを金属細線により電気的に接
続する工程と、半導体素子の上面の金属細線で電気的に
接続した領域とダイパッド部の下部領域とを含む半導体
素子の外囲領域を封止して封止樹脂を形成する工程と、
リードフレームのアウターリード部を封止樹脂の外面と
同一面となるように成形する工程とを含む。
【００２０】このように、インナーリード部よりダイパ
ッド部が上方に位置するようにリードフレームをアップ
セット処理し、半導体素子の上面の金属細線で電気的に
接続した領域とダイパッド部の下部領域とを含む半導体
素子の外囲領域を封止して封止樹脂を形成するので、ダ
イパッド部の下方にアップセットの段差分の厚さの封止
樹脂が存在し、リードフレームと封止樹脂との密着性を
向上させることができ、製品の信頼性を保つことができ
る。また、リードフレームの上面と下面との両面で樹脂
封止しても、下面の樹脂厚はアップセットの段差分の厚
さであるため、薄型化は実現できる。
【００２１】請求項９記載の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、幅広部と表面に少なくとも１本の溝部が設け
られているインナーリード部を有したリードフレームに
対して半導体素子を接合する工程と、半導体素子の電極
とリードフレームのインナーリード部とを金属細線によ
り電気的に接続する工程と、半導体素子の上面の金属細
線で電気的に接続した領域と半導体素子の下部領域とを
含む半導体素子の外囲領域を封止して封止樹脂を形成す
る工程と、リードフレームのアウターリード部を封止樹
脂の外面と同一面となるように成形する工程とを含み、
半導体素子の電極とインナーリード部とを金属細線によ
り電気的に接続する際、金属細線のインナーリード部側
の接続部を溝部の付近に配置して接続することを特徴と
する。
【００２２】このように、半導体素子の電極とインナー
リード部とを金属細線により電気的に接続する際、金属
細線のインナーリード部側の接続部を溝部の付近に配置
して接続するので、封止樹脂でリードフレームの片面を
封止した構造による応力は、その溝部で吸収され、金属
細線の接続部分は破壊することなく、安定した接続がで
きる。また、溝部により封止樹脂とのアンカー効果およ
び製品リード部に加わるストレスを緩和させることがで
き、リード剥がれ、金属細線剥がれを防止できる。
【００２３】請求項１０記載の樹脂封止型半導体装置の
製造方法は、幅広部と表面に複数の溝部が設けられてい
るインナーリード部を有したリードフレームに対して半
導体素子を接合する工程と、半導体素子の電極とリード
フレームのインナーリード部とを金属細線により電気的
に接続する工程と、半導体素子の上面の金属細線で電気
的に接続した領域と半導体素子の下部領域とを含む半導
体素子の外囲領域を封止して封止樹脂を形成する工程
と、リードフレームのアウターリード部を封止樹脂の外
面と同一面となるように成形する工程とを含み、半導体
素子の電極とインナーリード部とを金属細線により電気
的に接続する際、金属細線のインナーリード部側の接続
部を溝部と溝部との間に配置して接続すること特徴とす
る。
【００２４】このように、半導体素子の電極とインナー
リード部とを金属細線により電気的に接続する際、金属
細線のインナーリード部側の接続部を溝部と溝部との間
に配置して接続するので、封止樹脂でリードフレームの
片面を封止した構造による応力は、その溝部で吸収さ
れ、溝部と溝部との間の部分にはかからないため、金属
細線の接続部分は破壊することなく、安定した接続がで
きる。この場合、溝部を２本以上設けて、溝部と溝部と
の間に金属細線を接続することにより、ストレスを吸収
する効果を向上させることができる。また、複数の溝部
により封止樹脂とのアンカー効果および製品リード部に
加わるストレスをさらに緩和させることができ、リード
剥がれ、金属細線剥がれを防止する効果が向上する。
【００２５】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態の樹脂封止
型半導体装置を図１〜図４に基づいて説明する。図１は
この発明の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の断面
図、図２はその平面図、図３はそのインナーリード部を
示す拡大断面図、図４（ａ）はそのインナーリード部先
端を示す拡大平面図、（ｂ）は左側面図、（ｃ）は正面
図である。なお、図２においては、内部構造を示すため
に、便宜上、平面図では一部封止樹脂を透視した図とし
ている。図中、破線は、ダイパッド部と吊りリードの一
部を示している。
【００２６】図１および図２に示すように、この樹脂封
止型半導体装置は、リードフレーム９の吊りリード１０
で支持されたダイパッド部１１に搭載された半導体素子
１２と、この半導体素子１２の上面の電極とリードフレ
ーム９のインナーリード部１３とを電気的に接続した金
属細線１４と、半導体素子１２の上面の金属細線１４領
域とダイパッド部１１の下部領域とを含む半導体素子１
２の外囲領域を封止した封止樹脂１５と、封止樹脂１５
の底面領域に配列されたインナリード部１３に連続して
形成された外部端子であるアウターリード部１６とを備
えている。リードフレーム９は、ダイパッド部１１がイ
ンナーリード部１３より上方に位置するようにアップセ
ット処理してある。ここでは、ダイパッド部１１は搭載
しようとする半導体素子１２よりも面積的に小さい構成
としている。上記のように、この樹脂封止型半導体装置
は、吊りリード１０がアップセット処理され、段差部１
７を有しているので、ダイパッド部１１の下方にも封止
樹脂１５ａを存在させることができ、薄型ではあるが実
質的にリードフレーム９に対して両面封止型の半導体装
置である。
【００２７】また、図３および図４に示すように、イン
ナーリード部１３はその先端部に幅広部１８を有してお
り、さらに表面に複数の溝部１９が形成されている。そ
してインナーリード部の先端部の端面は厚み方向に逆テ
ーパが形成されている。また、アウターリード部１６
は、その露出面が封止樹脂１５の側面部と実質的に同一
面上に配列され、従来のように封止樹脂１５よりも突出
しているものではないため、アウターリード部１６の変
形等を防止でき、面実装タイプの半導体装置である。ま
た、金属細線１４のインナーリード部１３側の接続部は
溝部１９と溝部１９との間に配置されている。
【００２８】なお、ここで実施形態の樹脂封止型半導体
装置は、全体厚が０．７［ｍｍ］という非常に薄型の樹
脂封止型半導体装置であり、半導体素子厚プラス１［ｍ
ｍ］以下という厚みを目標にしたものである。そして吊
りリード１０のアップセット処理の段差は、０．１［ｍ
ｍ］であり、ダイパッド部１１の下方の封止樹脂１５ａ
の厚さは０．１［ｍｍ］である。また半導体素子１２の
厚さは０．２［ｍｍ］であり、半導体素子１２の上方の
封止樹脂１５ｂの厚さは、０．１５［ｍｍ］である。
【００２９】次に図１〜図４に示した実施形態の樹脂封
止型半導体装置の製造方法について説明する。まずリー
ドフレーム９のダイパッド部１１を支持している吊りリ
ード１０に対して、加圧してアップセット処理し、段差
部１７を形成する。そしてそのリードフレーム９のダイ
パッド部１１に対して半導体素子１２を導電性接着剤に
より底面側を接合する。
【００３０】次にダイパッド部１１上の半導体素子１２
の電極とリードフレーム９のインナーリード部１３とを
金属細線１４により電気的に接続する。この時、インナ
ーリード部１３側に接続する金属細線１４は、インナー
リード部１３の表面に設けられた２本の溝部１９と溝部
１９との間に存在するように接続する。次にトランスフ
ァーモールドにより、半導体素子１２の外囲領域を封止
樹脂１５により封止する。この場合、半導体素子１２の
上面、すなわち金属細線１４で電気的に接続した領域
と、ダイパッド部１１の下部領域とを封止し、封止樹脂
１５ａ、封止樹脂１５ｂを形成する。また封止樹脂１５
による封止厚は、ダイパッド部１１の下部の封止樹脂１
５ａでは、インナーリード部１３の底面と同一面になる
ような厚さであり、半導体素子１２の上面の封止樹脂１
５ｂでは、金属細線１４のループ高さ以上の厚さになる
ように封止する。なお、樹脂封止工程では、インナーリ
ード部１３の底面領域に封止樹脂１５が回り込まないよ
うに気密性よく封止する必要がある。
【００３１】そしてリードフレーム９のアウターリード
部１６を封止樹脂１５の外面と同一面となるように成形
する。以上のような工程により、リードフレーム９に対
して両面封止型の樹脂封止型半導体装置を実現すること
ができる。そして両面封止構造であるため、封止樹脂１
５とリードフレーム９との密着性を確保し、パッケージ
クラック等の発生を抑制して信頼性を保つことができる
ものである。
【００３２】また、インナーリード部１３表面に設けら
れた幅広部１８、溝部１９により、封止樹脂１５との密
着性の向上、インナーリード部１３に加わる片面封止構
造によるストレスを緩和できるとともに、封止樹脂１５
との密着性（アンカー効果）も向上させることできる。
すなわち、封止樹脂１５からインナーリード部１３の抜
けを防止できる。
【００３３】また、インナーリード部１３に対しては、
封止樹脂１５は片面封止構造となっているので、その構
造によりインナーリード部１３には封止樹脂１５による
応力が印加されることになるが、インナーリード部１３
には溝部１９が形成してあり、その溝部１９によってイ
ンナーリード部１３に加わる応力を吸収し、緩和するこ
とができる。そして接続部分を溝部１９と溝部１９との
間に配置しているので、接続部分が応力によりダメージ
を受け、破壊するようなこともなくなる。
【００３４】以上のようにこの実施の形態によれば、リ
ードフレーム９の吊りリード部１０に対してアップセッ
ト加工し、ダイパッド部１１をインナーリード部１３よ
りも上方に上げているので、ダイパッド部１１の下方に
アップセットの段差分の厚さの封止樹脂１５が存在し、
リードフレーム９と封止樹脂１５との密着性を向上させ
ることができ、製品の信頼性を保つことができる。さら
にアウターリード部１６を従来のように封止樹脂１５の
側面から突出させずに、封止樹脂１５の底面部分に埋め
込んだ形で配列しているので、外部端子としての信頼性
を向上することができるとともに、外部端子が突出して
いない分だけ、小型の半導体装置を実現することができ
る。またリードフレーム９の上面と下面との両面で樹脂
封止しても、下面の樹脂厚はアップセットの段差分の厚
さであるため、薄型化は実現できるものである。
【００３５】さらにダイパッド部１１を小面積化した
り、開口部を設けたりすることで、封止樹脂１５と半導
体素子１２裏面との密着性を向上させることができ、信
頼性を確保することができる。また、インナーリード部
１３表面に設けられた幅広部１８、溝部１９により、封
止樹脂との密着性向上、インナーリード部１３に加わる
片面封止構造によるストレスを緩和できる。特に金属細
線１４のインナーリード部１３側の接続部へのストレス
を溝部１９が吸収するので、金属細線１４の接続部分は
ストレスの影響を受けず、接続部分の破壊を防止して、
安定した接続が可能となり、製品の信頼性を向上させる
ことができる。それにより樹脂封止型半導体装置の信頼
性を向上させることができる。
【００３６】なお、インナーリード部１３の溝部１９の
数については、実施の形態では２本であるが、単一の溝
部を設けて、その溝部の付近に金属細線を接続すること
により、インナーリード部に加わるストレスや金属細線
へのストレスを緩和させることができる。また、溝部を
２本以上設けて、溝部と溝部との間に金属細線を接続す
ることにより、ストレスを吸収する効果を向上させるこ
とができる。また、溝部の溝方向は半導体装置の側面に
沿った方向に設けたが、側面に交差する方向等、どの方
向に設けてもよく、また縦横に交差する網目状にしても
よい。また、溝部と幅広部の両方設けたが、一方だけ設
ける構成にしてもよい。
【００３７】
【発明の効果】この発明の請求項１記載の半導体装置に
よれば、支持部がインナーリード部より上方に位置する
ようにリードフレームをアップセット処理したので、支
持部の下方にアップセットの段差分の厚さの封止樹脂が
存在し、リードフレームと封止樹脂との密着性を向上さ
せることができ、製品の信頼性を保つことができる。ま
た、リードフレームの上面と下面との両面で樹脂封止し
ても、下面の樹脂厚はアップセットの段差分の厚さであ
るため、薄型化は実現できるものである。
【００３８】この発明の請求項２記載の樹脂封止型半導
体装置によれば、インナーリード部の表面に、少なくと
も１本の溝部が設けられているので、封止樹脂とのアン
カー効果および製品リード部に加わるストレスや金属細
線へのストレスを緩和させることができ、リード剥が
れ、金属細線剥がれを防止できる。このため、製品の信
頼性を保つことができる。
【００３９】この発明の請求項３記載の樹脂封止型半導
体装置によれば、インナーリード部の表面に複数の溝部
が設けられ、金属細線のインナーリード部側の接続部は
溝部と溝部との間に配置されているので、封止樹脂との
アンカー効果および製品リード部に加わるストレスや金
属細線へのストレスを緩和させることができ、リード剥
がれ、金属細線剥がれを防止できる。この場合、封止樹
脂でリードフレームの片面を封止した構造による応力
は、その溝部で吸収され、溝部と溝部との間の部分には
かからないため、金属細線の接続部分は破壊することな
く、安定した接続ができる。
【００４０】この発明の請求項４記載の樹脂封止型半導
体装置によれば、インナーリード部に幅広部が設けられ
ているので、封止樹脂とのアンカー効果および製品リー
ド部に加わるストレスや金属細線へのストレスを緩和さ
せることができ、リード剥がれ、金属細線剥がれを防止
できる。このため、製品の信頼性を保つことができる。
【００４１】この発明の請求項５記載の樹脂封止型半導
体装置によれば、インナーリード部に幅広部が設けら
れ、表面に少なくとも１本の溝部が設けられているの
で、封止樹脂とのアンカー効果および製品リード部に加
わるストレスや金属細線へのストレスをさらに緩和させ
ることができ、リード剥がれ、金属細線剥がれを防止す
る効果が向上する。
【００４２】この発明の請求項６記載の樹脂封止型半導
体装置によれば、インナーリード部に幅広部が設けら
れ、表面に複数の溝部が設けられ、金属細線のインナー
リード部側の接続部は溝部と溝部との間に配置されてい
るので、封止樹脂とのアンカー効果および製品リード部
に加わるストレスや金属細線へのストレスをさらに緩和
させることができ、リード剥がれ、金属細線剥がれを防
止する効果が向上する。この場合、溝部を２本以上設け
て、溝部と溝部との間に金属細線を接続することによ
り、ストレスを吸収する効果を向上させることができ
る。また、封止樹脂でリードフレームの片面を封止した
構造による応力は、その溝部で吸収され、溝部と溝部と
の間の部分にはかからないため、金属細線の接続部分は
破壊することなく、安定した接続ができる。
【００４３】請求項７では、外部端子の露出面を封止樹
脂の外面と同一面上に配列したので、アウターリード部
を従来のように封止樹脂の側面から突出させずに、封止
樹脂の底面部分に埋め込んだ形で配列することができ
る。このため、外部端子としての信頼性を向上すること
ができるとともに、外部端子が突出していない分だけ、
小型の樹脂封止型半導体装置を提供することができる。
【００４４】この発明の請求項８記載の樹脂封止型半導
体装置の製造方法によれば、インナーリード部よりダイ
パッド部が上方に位置するようにリードフレームをアッ
プセット処理し、半導体素子の上面の金属細線で電気的
に接続した領域とダイパッド部の下部領域とを含む半導
体素子の外囲領域を封止して封止樹脂を形成するので、
ダイパッド部の下方にアップセットの段差分の厚さの封
止樹脂が存在し、リードフレームと封止樹脂との密着性
を向上させることができ、製品の信頼性を保つことがで
きる。また、リードフレームの上面と下面との両面で樹
脂封止しても、下面の樹脂厚はアップセットの段差分の
厚さであるため、薄型化は実現できる。
【００４５】この発明の請求項９記載の樹脂封止型半導
体装置の製造方法によれば、半導体素子の電極とインナ
ーリード部とを金属細線により電気的に接続する際、金
属細線のインナーリード部側の接続部を溝部の付近に配
置して接続するので、封止樹脂でリードフレームの片面
を封止した構造による応力は、その溝部で吸収され、金
属細線の接続部分は破壊することなく、安定した接続が
できる。また、溝部により封止樹脂とのアンカー効果お
よび製品リード部に加わるストレスを緩和させることが
でき、リード剥がれ、金属細線剥がれを防止できる。
【００４６】この発明の請求項１０記載の樹脂封止型半
導体装置の製造方法によれば、半導体素子の電極とイン
ナーリード部とを金属細線により電気的に接続する際、
金属細線のインナーリード部側の接続部を溝部と溝部と
の間に配置して接続するので、封止樹脂でリードフレー
ムの片面を封止した構造による応力は、その溝部で吸収
され、溝部と溝部との間の部分にはかからないため、金
属細線の接続部分は破壊することなく、安定した接続が
できる。この場合、溝部を２本以上設けて、溝部と溝部
との間に金属細線を接続することにより、ストレスを吸
収する効果を向上させることができる。また、複数の溝
部により封止樹脂とのアンカー効果および製品リード部
に加わるストレスをさらに緩和させることができ、リー
ド剥がれ、金属細線剥がれを防止する効果が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図である。
【図２】この発明の実施の形態の樹脂封止型半導体装置
を示す平面図である。
【図３】この発明の実施の形態の樹脂封止型半導体装置
の要部拡大断面図である。
【図４】（ａ）はこの発明の実施の形態の樹脂封止型半
導体装置のインナーリード部の平面図、（ｂ）は左側面
図、（ｃ）は正面図である。
【図５】従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図６】従来の樹脂封止型半導体装置の別の例を示す断
面図である。
【符号の説明】
１ リードフレーム ２ ダイパッド部 ３ 半導体素子 ４ インナーリード部 ４ａ 先端部 ５ 金属細線 ６ 封止樹脂 ７ アウターリード部 ８ 樹脂テープ ９ リードフレーム １０ 吊りリード １１ ダイパッド部 １２ 半導体素子 １３ インナーリード部 １４ 金属細線 １５ 封止樹脂 １６ アウターリード部 １７ 段差部 １８ 幅広部 １９ 溝部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 雄一郎 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 伊藤 史人 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リードフレームの支持部に搭載された半
    導体素子と、この半導体素子の上面の電極と前記リード
    フレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属
    細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域と前記支
    持部の下部領域とを含む半導体素子の外囲領域を封止し
    た封止樹脂と、前記封止樹脂の底面領域に配列された前
    記インナリード部に連続して形成された外部端子とを備
    えた樹脂封止型半導体装置であって、前記支持部が前記
    インナーリード部より上方に位置するように前記リード
    フレームをアップセット処理したことを特徴とする樹脂
    封止型半導体装置。
  2. 【請求項２】 リードフレームの支持部に搭載された半
    導体素子と、この半導体素子の上面の電極と前記リード
    フレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属
    細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半
    導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、前記封止樹
    脂の底面領域に配列された前記インナリード部に連続し
    て形成された外部端子とを備えた樹脂封止型半導体装置
    であって、前記インナーリード部の表面に、少なくとも
    １本の溝部が設けられていることを特徴とする樹脂封止
    型半導体装置。
  3. 【請求項３】 リードフレームの支持部に搭載された半
    導体素子と、この半導体素子の上面の電極と前記リード
    フレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属
    細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半
    導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、前記封止樹
    脂の底面領域に配列された前記インナリード部に連続し
    て形成された外部端子とを備えた樹脂封止型半導体装置
    であって、前記インナーリード部の表面に複数の溝部が
    設けられ、前記金属細線のインナーリード部側の接続部
    は前記溝部と溝部との間に配置されていることを特徴と
    する樹脂封止型半導体装置。
  4. 【請求項４】 リードフレームの支持部に搭載された半
    導体素子と、この半導体素子の上面の電極と前記リード
    フレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属
    細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半
    導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、前記封止樹
    脂の底面領域に配列された前記インナリード部に連続し
    て形成された外部端子とを備えた樹脂封止型半導体装置
    であって、前記インナーリード部に幅広部が設けられて
    いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  5. 【請求項５】 リードフレームの支持部に搭載された半
    導体素子と、この半導体素子の上面の電極と前記リード
    フレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属
    細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半
    導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、前記封止樹
    脂の底面領域に配列された前記インナリード部に連続し
    て形成された外部端子とを備えた樹脂封止型半導体装置
    であって、前記インナーリード部に幅広部が設けられ、
    表面に少なくとも１本の溝部が設けられていることを特
    徴とする樹脂封止型半導体装置。
  6. 【請求項６】 リードフレームの支持部に搭載された半
    導体素子と、この半導体素子の上面の電極と前記リード
    フレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属
    細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半
    導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、前記封止樹
    脂の底面領域に配列された前記インナリード部に連続し
    て形成された外部端子とを備えた樹脂封止型半導体装置
    であって、前記インナーリード部に幅広部が設けられ、
    表面に複数の溝部が設けられ、前記金属細線のインナー
    リード部側の接続部は前記溝部と溝部との間に配置され
    ていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  7. 【請求項７】 外部端子の露出面は、封止樹脂の外面と
    同一面上に配列されている請求項１，２，３，４，５ま
    たは６記載の樹脂封止型半導体装置。
  8. 【請求項８】 インナーリード部よりダイパッド部が上
    方に位置するようにリードフレームをアップセット処理
    する工程と、前記リードフレームのダイパッド部に対し
    て半導体素子を接合する工程と、前記半導体素子の電極
    と前記リードフレームのインナーリード部とを金属細線
    により電気的に接続する工程と、前記半導体素子の上面
    の前記金属細線で電気的に接続した領域と前記ダイパッ
    ド部の下部領域と含む前記半導体素子の外囲領域を封止
    して封止樹脂を形成する工程と、前記リードフレームの
    アウターリード部を前記封止樹脂の外面と同一面となる
    ように成形する工程とを含む樹脂封止型半導体装置の製
    造方法。
  9. 【請求項９】 幅広部と表面に少なくとも１本の溝部が
    設けられているインナーリード部を有したリードフレー
    ムに対して半導体素子を接合する工程と、前記半導体素
    子の電極と前記リードフレームのインナーリード部とを
    金属細線により電気的に接続する工程と、前記半導体素
    子の上面の前記金属細線で電気的に接続した領域と前記
    半導体素子の下部領域とを含む前記半導体素子の外囲領
    域を封止して封止樹脂を形成する工程と、前記リードフ
    レームのアウターリード部を前記封止樹脂の外面と同一
    面となるように成形する工程とを含み、半導体素子の電
    極とインナーリード部とを金属細線により電気的に接続
    する際、前記金属細線のインナーリード部側の接続部を
    前記溝部の付近に配置して接続することを特徴とする樹
    脂封止型半導体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 幅広部と表面に複数の溝部が設けられ
    ているインナーリード部を有したリードフレームに対し
    て半導体素子を接合する工程と、前記半導体素子の電極
    と前記リードフレームのインナーリード部とを金属細線
    により電気的に接続する工程と、前記半導体素子の上面
    の前記金属細線で電気的に接続した領域と前記半導体素
    子の下部領域とを含む前記半導体素子の外囲領域を封止
    して封止樹脂を形成する工程と、前記リードフレームの
    アウターリード部を前記封止樹脂の外面と同一面となる
    ように成形する工程とを含み、半導体素子の電極とイン
    ナーリード部とを金属細線により電気的に接続する際、
    前記金属細線のインナーリード部側の接続部を前記溝部
    と溝部との間に配置して接続すること特徴とする樹脂封
    止型半導体装置の製造方法。
JP7371198A 1997-06-27 1998-03-23 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 Expired - Lifetime JP2915892B2 (ja)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7371198A JP2915892B2 (ja) 1997-06-27 1998-03-23 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
EP98923185A EP0996962B1 (en) 1997-06-27 1998-06-08 Resin molded type semiconductor device
CN2007101286896A CN101114629B (zh) 1997-06-27 1998-06-08 树脂密封型半导体装置及其制造方法
DE69841847T DE69841847D1 (de) 1997-06-27 1998-06-08 In harz gegossene halbleiteranordnung
KR10-1999-7011569A KR100397539B1 (ko) 1997-06-27 1998-06-08 수지밀봉형 반도체 장치 및 그 제조방법
US09/380,312 US6900524B1 (en) 1997-06-27 1998-06-08 Resin molded semiconductor device on a lead frame and method of manufacturing the same
PCT/JP1998/002544 WO1999000826A2 (en) 1997-06-27 1998-06-08 Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same
CNB988085747A CN100423253C (zh) 1997-06-27 1998-06-08 树脂密封型半导体装置及其制造方法
TW87109764A TW384534B (en) 1997-06-27 1998-06-18 Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same
US10/747,982 US6861735B2 (en) 1997-06-27 2003-12-31 Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same
US10/991,864 US7538416B2 (en) 1997-06-27 2004-11-19 Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9-171395 1997-06-27
JP17139597 1997-06-27
JP7371198A JP2915892B2 (ja) 1997-06-27 1998-03-23 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1174440A true JPH1174440A (ja) 1999-03-16
JP2915892B2 JP2915892B2 (ja) 1999-07-05

Family

ID=26414858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7371198A Expired - Lifetime JP2915892B2 (ja) 1997-06-27 1998-03-23 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6900524B1 (ja)
EP (1) EP0996962B1 (ja)
JP (1) JP2915892B2 (ja)
KR (1) KR100397539B1 (ja)
CN (2) CN100423253C (ja)
DE (1) DE69841847D1 (ja)
TW (1) TW384534B (ja)
WO (1) WO1999000826A2 (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001217371A (ja) * 2000-02-03 2001-08-10 Rohm Co Ltd 樹脂パッケージ型半導体装置
US6700193B2 (en) 2000-12-25 2004-03-02 Renesas Technology Corporation Semiconductor package with elevated tub
US6841854B2 (en) 2002-04-01 2005-01-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device
JP2006032989A (ja) * 2005-10-07 2006-02-02 Yamaha Corp 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
US7247931B2 (en) * 2004-02-13 2007-07-24 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Semiconductor package and leadframe therefor having angled corners
JP2007243220A (ja) * 2007-05-14 2007-09-20 Renesas Technology Corp 樹脂封止型半導体パッケージ
JP2009032906A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Seiko Instruments Inc 半導体装置パッケージ
JP2009152620A (ja) * 1999-06-30 2009-07-09 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP2010118712A (ja) * 2010-03-04 2010-05-27 Renesas Technology Corp Ｑｆｎパッケージの製造方法
JP2013016819A (ja) * 2004-12-16 2013-01-24 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd パッケージングされた電子デバイス及びその製作方法
JP2015153987A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 株式会社デンソー モールドパッケージ
JP2016012673A (ja) * 2014-06-30 2016-01-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001320007A (ja) * 2000-05-09 2001-11-16 Dainippon Printing Co Ltd 樹脂封止型半導体装置用フレーム
US6483178B1 (en) * 2000-07-14 2002-11-19 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Semiconductor device package structure
JP3895570B2 (ja) 2000-12-28 2007-03-22 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
US6882048B2 (en) * 2001-03-30 2005-04-19 Dainippon Printing Co., Ltd. Lead frame and semiconductor package having a groove formed in the respective terminals for limiting a plating area
JP2003204027A (ja) * 2002-01-09 2003-07-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd リードフレーム及びその製造方法、樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP2003224239A (ja) * 2002-01-29 2003-08-08 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP4149439B2 (ja) * 2002-07-01 2008-09-10 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP2004335710A (ja) * 2003-05-07 2004-11-25 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2005159103A (ja) 2003-11-27 2005-06-16 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
US20050167796A1 (en) * 2004-01-29 2005-08-04 Tay Kheng C. Miniaturised surface mount optoelectronic component
JP2006108306A (ja) * 2004-10-04 2006-04-20 Yamaha Corp リードフレームおよびそれを用いた半導体パッケージ
US8138586B2 (en) * 2005-05-06 2012-03-20 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with multi-planar paddle
JP5097639B2 (ja) 2008-08-01 2012-12-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 リードフレーム及び半導体装置
US8072770B2 (en) * 2008-10-14 2011-12-06 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package with a mold material encapsulating a chip and a portion of a lead frame
CN101859827A (zh) * 2009-04-07 2010-10-13 裕星企业有限公司 发光二极管
JP2015177080A (ja) * 2014-03-15 2015-10-05 新日本無線株式会社 リード内蔵型回路パッケージ及びその製造方法
CN104505379A (zh) * 2014-12-19 2015-04-08 日月光封装测试(上海)有限公司 导线框架条及使用该导线框架条的半导体封装体
WO2016203787A1 (ja) * 2015-06-18 2016-12-22 シャープ株式会社 送風装置
CN107924884B (zh) * 2016-03-30 2022-02-18 松下知识产权经营株式会社 半导体装置

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL159818B (nl) * 1972-04-06 1979-03-15 Philips Nv Halfgeleiderinrichting, bevattende een flexibele isolerende folie, die aan een zijde is voorzien van metalen geleider- sporen.
JPS6049089B2 (ja) 1977-03-02 1985-10-31 日本電気株式会社 Ｆｒｐアンテナレフレクタ−の製造方法
JPS6086851A (ja) * 1983-10-19 1985-05-16 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH0612796B2 (ja) * 1984-06-04 1994-02-16 株式会社日立製作所 半導体装置
JPS611042A (ja) 1984-06-13 1986-01-07 Toshiba Corp 半導体装置
FR2568411B1 (fr) 1984-07-30 1989-12-01 Accumulateurs Fixes Procede pour ameliorer la resistance electrique d'une jonction non soudee dans un accumulateur electrique, ou une batterie d'accumulateurs electriques et jonction obtenue par ce procede.
JPS6364351A (ja) * 1986-09-04 1988-03-22 Toshiba Corp リ−ドフレ−ム
JPS63258050A (ja) 1987-04-15 1988-10-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH01106456A (ja) * 1987-10-19 1989-04-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路装置
JPH01106455A (ja) * 1987-10-19 1989-04-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路装置
US4994895A (en) * 1988-07-11 1991-02-19 Fujitsu Limited Hybrid integrated circuit package structure
JPH02201946A (ja) * 1989-01-30 1990-08-10 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体装置
JPH0485952A (ja) * 1990-07-27 1992-03-18 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH04123550A (ja) 1990-09-14 1992-04-23 Yaesu Musen Co Ltd データ信号のアナログ／デジタル変換方式
JPH04155854A (ja) * 1990-10-19 1992-05-28 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびそれに用いるリードフレーム
JP2917575B2 (ja) * 1991-05-23 1999-07-12 株式会社日立製作所 樹脂封止型半導体装置
JPH05129473A (ja) * 1991-11-06 1993-05-25 Sony Corp 樹脂封止表面実装型半導体装置
TW332348B (en) * 1992-06-23 1998-05-21 Sony Co Ltd Manufacturing method for solid state motion picture device provides a highly accurate and low cost solid state motion picture device by use of empty package made of resin.
JPH0621315A (ja) 1992-07-02 1994-01-28 Seiko Epson Corp 半導体装置用リードフレーム及び、それを用いた半導体装置
JPH0621304A (ja) 1992-07-06 1994-01-28 Seiko Epson Corp リードフレーム及び半導体装置の製造方法
JPH0685132A (ja) 1992-09-07 1994-03-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH06104364A (ja) 1992-09-22 1994-04-15 Sony Corp リードフレーム、これを用いた半導体チップのモールド方法及びモールド用金型
US5389739A (en) * 1992-12-15 1995-02-14 Hewlett-Packard Company Electronic device packaging assembly
JP3281994B2 (ja) * 1993-06-10 2002-05-13 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 樹脂封止型半導体装置
JP3136029B2 (ja) 1993-08-09 2001-02-19 株式会社日立製作所 半導体装置
JP3233507B2 (ja) * 1993-08-13 2001-11-26 株式会社東芝 半導体装置
DE69530037T2 (de) * 1994-09-22 2003-10-16 Nec Electronics Corp Automatische Bandmontage für Halbleiteranordnung
JP3309686B2 (ja) * 1995-03-17 2002-07-29 セイコーエプソン株式会社 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
US6072239A (en) * 1995-11-08 2000-06-06 Fujitsu Limited Device having resin package with projections
US5872395A (en) * 1996-09-16 1999-02-16 International Packaging And Assembly Corporation Bent tip method for preventing vertical motion of heat spreaders during injection molding of IC packages
US5859387A (en) * 1996-11-29 1999-01-12 Allegro Microsystems, Inc. Semiconductor device leadframe die attach pad having a raised bond pad
US5869889A (en) * 1997-04-21 1999-02-09 Lsi Logic Corporation Thin power tape ball grid array package

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8637965B2 (en) 1999-06-30 2014-01-28 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device
JP2009152620A (ja) * 1999-06-30 2009-07-09 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP2013141009A (ja) * 1999-06-30 2013-07-18 Renesas Electronics Corp 半導体装置
US8115298B2 (en) 1999-06-30 2012-02-14 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
JP2016105503A (ja) * 1999-06-30 2016-06-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2011029664A (ja) * 1999-06-30 2011-02-10 Renesas Electronics Corp 半導体装置
US7804159B2 (en) 1999-06-30 2010-09-28 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device
US7777312B2 (en) 1999-06-30 2010-08-17 Renesas Technology Corp. Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device
US7821119B2 (en) 1999-06-30 2010-10-26 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
JP2014143434A (ja) * 1999-06-30 2014-08-07 Renesas Electronics Corp 半導体装置
JP2016001763A (ja) * 1999-06-30 2016-01-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US9484288B2 (en) 1999-06-30 2016-11-01 Renesas Technology Corporation Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device
US8969138B2 (en) 1999-06-30 2015-03-03 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device
JP2001217371A (ja) * 2000-02-03 2001-08-10 Rohm Co Ltd 樹脂パッケージ型半導体装置
KR100804341B1 (ko) * 2000-12-25 2008-02-15 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체장치 및 그 제조방법
US6943064B2 (en) 2000-12-25 2005-09-13 Renesas Technology Corp. Method of manufacturing a semiconductor package with elevated tub
US6700193B2 (en) 2000-12-25 2004-03-02 Renesas Technology Corporation Semiconductor package with elevated tub
US7589404B2 (en) 2002-04-01 2009-09-15 Panasonic Corporation Semiconductor device
US7397113B2 (en) 2002-04-01 2008-07-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device
US7132733B2 (en) 2002-04-01 2006-11-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device
US7939933B2 (en) 2002-04-01 2011-05-10 Panasonic Corporation Semiconductor device
US8178955B2 (en) 2002-04-01 2012-05-15 Panasonic Corporation Semiconductor device
US6841854B2 (en) 2002-04-01 2005-01-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device
US7247931B2 (en) * 2004-02-13 2007-07-24 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Semiconductor package and leadframe therefor having angled corners
JP2013016819A (ja) * 2004-12-16 2013-01-24 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd パッケージングされた電子デバイス及びその製作方法
JP2006032989A (ja) * 2005-10-07 2006-02-02 Yamaha Corp 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
JP2007243220A (ja) * 2007-05-14 2007-09-20 Renesas Technology Corp 樹脂封止型半導体パッケージ
JP4489791B2 (ja) * 2007-05-14 2010-06-23 株式会社ルネサステクノロジ Ｑｆｎパッケージ
JP2009032906A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Seiko Instruments Inc 半導体装置パッケージ
JP2010118712A (ja) * 2010-03-04 2010-05-27 Renesas Technology Corp Ｑｆｎパッケージの製造方法
JP2015153987A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 株式会社デンソー モールドパッケージ
JP2016012673A (ja) * 2014-06-30 2016-01-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101114629A (zh) 2008-01-30
DE69841847D1 (de) 2010-09-30
WO1999000826A2 (en) 1999-01-07
EP0996962B1 (en) 2010-08-18
US6900524B1 (en) 2005-05-31
WO1999000826A3 (en) 1999-05-27
KR100397539B1 (ko) 2003-09-13
KR20010013562A (ko) 2001-02-26
JP2915892B2 (ja) 1999-07-05
CN101114629B (zh) 2011-05-11
EP0996962A2 (en) 2000-05-03
CN100423253C (zh) 2008-10-01
TW384534B (en) 2000-03-11
CN1268246A (zh) 2000-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2915892B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3012816B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP4195804B2 (ja) デュアルダイパッケージ
JPH06105721B2 (ja) 半導体装置
JPH08321521A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
US6861735B2 (en) Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same
US5883424A (en) Lead frame for hollow plastic package
US6211563B1 (en) Semiconductor package with an improved leadframe
JP2000124235A (ja) 樹脂封止半導体装置
JPS61287254A (ja) 半導体装置
JPH0864748A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2007287809A (ja) 積層型半導体装置及び積層型半導体装置の製造方法
JP3013810B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3841038B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS61241954A (ja) 半導体装置
JPH0437050A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP4212607B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
KR19980034119A (ko) 반도체 칩 적층형 패키지
JP2000021920A (ja) 半導体装置
KR100345163B1 (ko) 볼 그리드 어레이 패키지
JP2563507Y2 (ja) 半導体装置
JPH03169057A (ja) 半導体装置
JPH04278548A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH01187959A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH02185060A (ja) 半導体装置用リードフレーム

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080416

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100416

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110416

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120416

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120416

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140416

Year of fee payment: 15

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term