JP3841038B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3841038B2 JP3841038B2 JP2002309330A JP2002309330A JP3841038B2 JP 3841038 B2 JP3841038 B2 JP 3841038B2 JP 2002309330 A JP2002309330 A JP 2002309330A JP 2002309330 A JP2002309330 A JP 2002309330A JP 3841038 B2 JP3841038 B2 JP 3841038B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- resin
- die pad
- semiconductor device
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を搭載したリードフレームタイプの樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関し、特に半導体素子の電極から金属細線により接続されたリード部の封止樹脂との密着性を向上させて、剥がれ等を防ぐことのできる樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に対応するために、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体装置が要望されている。
【0003】
以下、従来のダイパッド部露出型の樹脂封止型半導体装置について説明する。図6は従来の樹脂封止型半導体装置を示す図面であり、図6(a)は平面図、図6(b)は底面図、図6(c)は図6(b)のA−A1箇所の断面図である。
【0004】
図6に示すように、リードフレームのダイパッド部101上に半導体素子102が搭載され、その半導体素子102とインナーリード部103a、103b、103cとが金属細線104により電気的に接続されている。そしてダイパッド部101上の半導体素子102、インナーリード部103a、103b、103cの外囲は封止樹脂105により封止されている。また封止樹脂105の側面とインナーリード部103cの末端部とは同一面に配置されているものであり、ダイパッド部101の底面が封止樹脂105から露出しているダイパッド部露出型の樹脂封止型半導体装置である。またインナーリード部103a、103b、103cの先端部が外部端子106として露出しているものである。
【0005】
次に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。図7はリードフレームを用いた従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程ごとの断面図である。
【0006】
まず図7(a)に示すように、フレーム枠と、そのフレーム枠内に、半導体装置が載置される矩形状のダイパッド部101と、ダイパッド部101を支持する吊りリード部と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の手段により電気的接続するインナーリード部103a、103b、103cとを有し、なおかつダイパッド部101、インナーリード部103a、103b、103cの各底面に密着するように接着力を有する封止シートを貼付したリードフレームを用意する。
【0007】
次に図7(b)に示すように、リードフレームのダイパッド部101上に半導体素子102を銀ペースト等の接着剤により接合する(ダイボンド工程)。
【0008】
次に図7(c)に示すように、ダイパッド部101上に搭載した半導体素子102の表面の電極パッド(図示せず)と、リードフレームのインナーリード部103a、103b、103cとを金属細線104により接続する。なお、インナーリード部103cの端子を構成する部分が半導体素子102の下面に位置する場合、金属細線104は、フレーム枠に接続されたインナーリード部103c上の半導体素子102よりも外側に接続する(ワイヤーボンド工程)。
【0009】
その後、図7(d)に示すように、封止シートをリードフレームに密着させた状態でダイパッド部101、半導体素子102、インナーリード部103a、103b、103cの外囲を封止樹脂105により封止する。この工程ではリードフレームの底面に封止シートを密着させて封止した後に、封止シートを剥がすことにより、ダイパッド部101の底面を除く領域、吊りリード部、半導体素子102、インナーリード部103a、103b、103cの底面を除く領域、および金属細線104の接続領域を封止するものであり、封止樹脂105の底面からダイパッド部101の底面、インナーリード部103a、103b、103cの底面が露出した構成となる(封止〜シート剥がし工程)。
【0010】
【特許文献1】
特開平9−82741号公報(第6頁、第3図)
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法では、基板実装する際の高温環境下で、樹脂封止型半導体装置を構成する各材料の熱膨張により、リードおよび封止樹脂の剥がれ現象が発生してしまうことがある。このような現象は近年、樹脂封止型半導体装置を製造する上で大きな問題となっていた。
【0012】
樹脂封止型半導体装置を基板実装した際、高温環境下でのリード部および封止樹脂界面での剥がれ現象は、半導体素子の電極から電気的に接続している金属細線と、リード部との間で断線などによる樹脂封止型半導体装置の動作不良が懸念され、好ましくない状況となる。
【0013】
本発明は前記した従来の課題を解決するものであり、特に半導体素子の下面に端子を構成する樹脂封止型半導体装置において、リード面および封止樹脂面での剥がれ現象を解決することのできる樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
前記従来の課題を解決するために、本発明の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッド部と、前記ダイパッド部の上面に搭載された半導体素子と、くびれと厚肉部を有し、かつ前記ダイパッド部に対向して配列された複数のリード部と、前記半導体素子の電極と前記リード部とを接続した金属細線と、前記半導体素子、前記金属細線および前記くびれを封止した封止樹脂とを備え、前記ダイパッド部の底面と前記リード部の厚肉部の底面とを露出したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
【0015】
具体的には、前記リード部にくびれを設けていること特徴とするリードフレームを使用して製造する樹脂封止型半導体装置である。
【0016】
また、ダイパッドの上面には半導体素子が搭載された突出部が形成されている樹脂封止型半導体装置である。
【0020】
前記構成の通り、本発明の樹脂封止型半導体装置は、リード面および封止樹脂面での密着性を向上させ、基板実装する際の高温環境下にさらされた後においても、半導体素子の電極とリードとの接続を阻害することの無い、樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
【0022】
図1は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図1(a)は平面図、図1(b)は底面図、図1(c)は図1(b)のB−B1箇所の断面図である。
【0023】
図1に示すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子搭載用の突出部1aを有したダイパッド部1と、そのダイパッド部1の支持部1a上に搭載された半導体素子2と、フレーム枠から接続されたリードであって先端部がダイパッド部1に対向して配列され、その底面が最外周端子を形成する複数のリード部3aと、独立したリードで底面が2列目の端子を形成する複数のリード部3bと、フレーム枠から接続されたリードであって先端部の底面が最内周端子を形成する複数のリード部3cと、半導体素子2の電極と第1、第2、第3のリード部3a、3b、3cとを接続した金属細線4と、ダイパッド部1の底面を除く領域、半導体素子2、第1、第2、第3のリード部3a、3b、3cの底面を除く領域、および金属細線4の接続領域を封止した封止樹脂5とよりなり、第1、第3の各リード部3a、3cの末端部は封止樹脂5の側面と同一面に配列された樹脂封止型半導体装置であって、最内周端子を形成するリード部3cは、端子が半導体素子2の下面に位置する場合に金属細線4を、そのリード部に容易に接続できるように設けられているフレーム枠から接続されたリード上に剥離止め部7が設けられているリードフレームを使用する樹脂封止型半導体装置である。
【0024】
そして図1(b)に示すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、第1のリード部3aの底面、第2のリード部3bの底面、第3のリード部3cの底面は、ランド電極を構成し、封止樹脂5の下面領域において平面配列で少なくとも2列を構成しているランドグリッドアレイ型の樹脂封止型半導体装置である。
【0025】
次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置におけるリードフレームの形態について説明する。
【0026】
図2は、リードフレームの形態を示す図であり、図2(a)は平面図、図2(b)は図(a)のC−C1箇所の断面図である。
【0027】
図2(a)、(b)に示すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置で採用しているリードフレームには、フレーム枠に接続された最内周端子を形成するリード部3cのリード上に剥離止め部7を設置している。樹脂封止型半導体装置が基板実装される際の高温環境下において発生しやすいリード部3cの先端部からのリード面と封止樹脂面の剥がれ現象を、剥離止め部7により進行を防ぐことができ、半導体素子の電極から最内周端子までを接続している金属細線とリード部3cとの接続部にまで剥離を進行させず、安定した半導体装置の動作を実現することができるものである。
【0028】
図3には、図2で説明したリード上に設置した剥離止め部の形態を示す図であり、図3(a)、(b)は平面図と断面図である。また、図3(c)、(d)、または図3(e)、(f)は、リード上に設置する剥離止め部の別の形態を示す平面図と断面図である。
【0029】
まず図3(a)、(b)に示すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置で採用しているリード部は、フレーム枠に接続された最内周端子を形成するリード部のリード上にプレス加工やエッチング加工によるリード幅の20〜90%の直径である貫通穴または溝による剥離止め部を設置している。この貫通穴または溝は、加工制約上でリード幅の20%以上確保し、なおかつ後工程での安定性向上の為90%以内としておくことが好ましい。この剥離止めの効果により、樹脂封止の際に貫通穴または溝の内部へ封止樹脂が食い込むことにより、リード面および封止樹脂面での密着性を向上させるものである。
【0030】
また、図3(c)、(d)に示すように、リード上に設置する剥離止め部として、貫通穴や溝に代えて、プレス加工やエッチング加工による波状のくびれを設けてもよい。さらには、図3(e)、(f)に示すように、リード部の形状を先端部から一旦ダイパッド側に引き回し、カーブを描きながらフレーム枠に接続されるリード部を設置する方法もある。これらのリード形状においても同様にリード面および封止樹脂面での密着性を向上させることができる。
【0031】
以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置では、リード部に剥離止め部を有し、その効果によりリード面および封止樹脂面での密着性を向上させ、樹脂封止型半導体装置が基板実装される際の高温環境下において発生しやすいリード面と封止樹脂面の剥がれ現象を防ぐことができ、安定した半導体装置の動作を実現することができるものである。
【0032】
次に本実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。
【0033】
図4、図5は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法における主要な工程を示す断面図である。
【0034】
まず、図4(a)に示すように、金属板よりなるフレーム枠内に設けられた半導体素子搭載用のダイパッド部1と、フレーム枠から接続されたリードであって先端部がダイパッド部1に対向して配列され、その底面が最外周端子を形成する複数のリード部3aと、独立したリードで底面が2列目の端子を形成する複数のリード部3bと、フレーム枠から接続されたリードであって先端部の底面が最内周端子を形成する複数のリード部3cとよりなるリードフレームであって、最内周端子を形成するリード部3cのリード上には剥離止め7が設けられており、ダイパッド部1、インナーリード部3a、3b、3cの各底面に密着するように接着力を有する封止シート8を貼付したリードフレームを用意する。
【0035】
次に図4(b)に示すように、用意したリードフレームのダイパッド部1の突出部1a上に半導体素子2をその主面を上にして接着搭載する(ダイボンド工程)。
【0036】
次に図4(c)に示すように、ダイパッド部1上に搭載した半導体素子2の電極と、リードフレームの第1、第2、第3のリード部とを金属細線4により接続する(ワイヤーボンド工程)。
【0037】
そして図4(d)に示すように、リードフレームの下面にあって、少なくとも第1、第2、第3のリード部、ダイパッド部1の底面に封止シート8を密着させ、リードフレームの上面側を封止樹脂5により樹脂封止し、ダイパッド部1の底面を除く領域、半導体素子2、第1、第2、第3のリード部の底面を除く領域、および金属細線4の接続領域を封止する(封止工程)。
【0038】
そして図5に、樹脂封止の工程の後、封止シートを剥がし、第1、第3のリード部3a、3cの末端部分を切断し、各リード部の各末端部を封止樹脂5の側面と同一面に配置することにより、前述の図1で示した構造と同様な樹脂封止型半導体装置を得るものである。図5に示した樹脂封止型半導体装置は、基板実装する際の高温環境下において、リード面と封止樹脂5の界面において発生しやすい剥がれ現象の進行を防ぐことができ、半導体素子2の電極から最内周端子までを接続している金属細線4とリード部3cとの接続部にまで剥離を進行させず、安定した半導体装置の動作を実現することができるものである。
【0039】
以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法では、リードフレームのフレーム枠に接続したインナーリード上に剥離止めを有し、基板実装の際の高温環境下において、インナーリード面と封止樹脂の界面において発生しやすい剥がれ現象の進行を防ぐことができ、金属細線とリード部の接続性を確実にすることができ、安定した半導体装置の動作を実現できる。
【0040】
なお、本実施形態ではリード部が3列を構成した片面封止タイプの樹脂封止型半導体装置を例に説明したが、2列タイプ、4列以上の多列タイプであっても、樹脂封止型半導体装置の製造方法には広く適用できるものである。
【0041】
【発明の効果】
以上、本発明の樹脂封止型半導体装置は、リードフレームタイプの樹脂封止型半導体装置において、半導体素子の電極から金属細線で接続しているリード面と、封止樹脂の界面での剥がれ現象を防止できるものである。
【0042】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、基板実装する際の高温環境下でリードおよび封止樹脂界面との密着性を向上させ、高い信頼性を得ることができるものであり、ランドグリッドアレイ型の片面封止タイプや、QFPに代表される両面封止タイプなどのリードフレームを使った樹脂封止型半導体装置の製造方法に広く適用できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図2】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置のリードフレームを示す図
【図3】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の剥離止め部を示す図
【図4】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図5】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図6】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図7】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【符号の説明】
1 ダイパッド部
1a 突出部
2 半導体素子
3a 第1のリード部
3b 第2のリード部
3c 第3のリード部
4 金属細線
5 封止樹脂
6 外部端子
7 剥離止め部
8 封止シート
101 ダイパッド部
102 半導体素子
103a 第1のリード部
103b 第2のリード部
103c 第3のリード部
104 金属細線
105 封止樹脂
106 外部端子
Claims (8)
- ダイパッド部と、
前記ダイパッド部の上面に搭載された半導体素子と、
くびれと厚肉部を有し、かつ前記ダイパッド部に対向して配列された複数のリード部と、
前記半導体素子の電極と前記リード部とを接続した金属細線と、
前記半導体素子、前記金属細線および前記くびれを封止した封止樹脂とを備え、
前記ダイパッド部の底面と前記リード部の厚肉部の底面とが露出したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - リード部のダイパッド部側の反対側の一端面が、封止樹脂から露出していることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置。
- リード部のダイパッド部側の反対側の一端面と封止樹脂面とが同一面に配置されていることを特徴とする請求項2に記載の樹脂封止型半導体装置。
- くびれは波状であることを特徴とする請求項3に記載の樹脂封止型半導体装置。
- ダイパッド部の上面には半導体素子が搭載された突出部が形成されていることを特徴とする請求項4に記載の樹脂封止型半導体装置。
- 半導体素子の底面とリード部との間に隙間が形成されていることを特徴とする請求項5に記載の樹脂封止型半導体装置。
- ダイパッド部と、
前記ダイパッド部の上面に搭載された半導体素子と、
厚肉部を有し、前記ダイパッド部に対向して配列された複数のリード部と、
前記半導体素子の電極と前記リード部とを接続した金属細線と、
前記半導体素子と前記金属細線を封止した封止樹脂とを備え、
前記リード部は、前記ダイパッド部側の一端である先端部と、反対側の末端部と、前記先端部および前記末端部とを接続する中間部とを有し、前記中間部は前記先端部よりも前記ダイパッド部側にまで延在し、前記ダイパッド部の底面と前記リード部の厚肉部の底面とが露出したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - ダイパッド部と、
前記ダイパッド部の上面に搭載された半導体素子と、
厚肉部を有し、前記ダイパッド部に対向して配列された複数のリード部と、
前記半導体素子の電極と前記リード部とを接続した金属細線と、
前記半導体素子と前記金属細線を封止した封止樹脂とを備え、
前記リード部は、前記ダイパッド部側の一端である先端部と、反対側の末端部とを有し、前記先端部からダイパッド部側に引き回されて前記末端部に接続され、前記ダイパッド部の底面と前記リード部の厚肉部の底面とが露出したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002309330A JP3841038B2 (ja) | 2002-10-24 | 2002-10-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002309330A JP3841038B2 (ja) | 2002-10-24 | 2002-10-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006117602A Division JP4332538B2 (ja) | 2006-04-21 | 2006-04-21 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004146562A JP2004146562A (ja) | 2004-05-20 |
JP3841038B2 true JP3841038B2 (ja) | 2006-11-01 |
Family
ID=32455184
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002309330A Expired - Fee Related JP3841038B2 (ja) | 2002-10-24 | 2002-10-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3841038B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009076658A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2002
- 2002-10-24 JP JP2002309330A patent/JP3841038B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004146562A (ja) | 2004-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3062192B1 (ja) | リ―ドフレ―ムとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
KR100564006B1 (ko) | 터미널 랜드 프레임 및 그 제조방법과 수지봉입형 반도체장치 및 그 제조방법 | |
JP3879452B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
KR100397539B1 (ko) | 수지밀봉형 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
JP2002076228A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP3046024B1 (ja) | リ―ドフレ―ムおよびそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JPH09129811A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH11214606A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びリードフレーム | |
JP3430976B2 (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
JP3841038B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP3915337B2 (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JP4332538B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP2002246529A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
JP3843654B2 (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JP3959898B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JP2001077266A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JP3707639B2 (ja) | エリアアレイパッケージ型半導体装置の構造 | |
JP2715974B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH1116959A (ja) | 半導体装置 | |
JP2001077275A (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JP3649064B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3915338B2 (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JP3093789U (ja) | 超薄型半導体素子のパッケージ構造 | |
JP2001077271A (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JP4045718B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041224 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050707 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051206 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060411 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060510 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060718 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060731 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090818 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100818 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110818 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110818 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120818 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130818 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |