JPH1154663A - 樹脂封止型半導体装置とそれに用いられる回路部材、および回路部材の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置とそれに用いられる回路部材、および回路部材の製造方法Info
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- JPH1154663A JPH1154663A JP22120897A JP22120897A JPH1154663A JP H1154663 A JPH1154663 A JP H1154663A JP 22120897 A JP22120897 A JP 22120897A JP 22120897 A JP22120897 A JP 22120897A JP H1154663 A JPH1154663 A JP H1154663A
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- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ＴＳＯＰ等の小型パッケージにおけるチップ
の占有率を上げる。 【解決手段】 半導体素子の内部端子部と、外部回路へ
の外部端子部とを一体的に連結するリード部とを略平面
内に複数個、それぞれ互いに独立して配置する回路部を
設け、該回路部の半導体素子の内部端子面および外部端
子面とを、回路部の第１の面側に設け、且つ、内部端子
部、リード部とを薄肉に、外部端子部を厚肉に形成して
おり、半導体素子はその端子部側を、回路部の端子側で
ない面に絶縁層を介して、回路部に搭載され、半導体素
子の端子部と回路部の内部端子部とを、端子面側にてワ
イヤにて接続しており、薄肉にエッチング加工された、
内部端子形成領域が、更にコイニングにより薄く、且つ
平坦状に形成されており、外部端子の一部を外部に露出
させ、樹脂封止している。
の占有率を上げる。 【解決手段】 半導体素子の内部端子部と、外部回路へ
の外部端子部とを一体的に連結するリード部とを略平面
内に複数個、それぞれ互いに独立して配置する回路部を
設け、該回路部の半導体素子の内部端子面および外部端
子面とを、回路部の第１の面側に設け、且つ、内部端子
部、リード部とを薄肉に、外部端子部を厚肉に形成して
おり、半導体素子はその端子部側を、回路部の端子側で
ない面に絶縁層を介して、回路部に搭載され、半導体素
子の端子部と回路部の内部端子部とを、端子面側にてワ
イヤにて接続しており、薄肉にエッチング加工された、
内部端子形成領域が、更にコイニングにより薄く、且つ
平坦状に形成されており、外部端子の一部を外部に露出
させ、樹脂封止している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体素子を搭載
する樹脂封止型の半導体装置（プラスチックパッケー
ジ）に関し、特に、パッケージサイズの小型化に対応
し、その実装性を向上させることができる半導体装置と
その製造方法に関する。
する樹脂封止型の半導体装置（プラスチックパッケー
ジ）に関し、特に、パッケージサイズの小型化に対応
し、その実装性を向上させることができる半導体装置と
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置は、高集積化、小型化
技術の進歩と電子機器の高性能化と軽薄短小化の傾向
（時流）から、ＬＳＩのＡＳＩＣに代表されるように、
ますます高集積化、高機能化になってきている。これに
伴い、リードフレームを用いた封止型の半導体装置にお
いても、その開発のトレンドが、ＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ
Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｊ−Ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）
やＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）のよ
うな表面実装型のパッケージを経て、ＴＳＯＰ（Ｔｈｉ
ｎ Ｓｍａｌｌ ＯｕｔｌｉｎｅＰａｃｋａｇｅ）の開
発による薄型化を主軸としたパッケージの小型化へ、さ
らにはパッケージ内部の３次元化によるチップ収納効率
向上を目的としたＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）
の構造へと進展してきた。しかし、樹脂封止型半導体装
置には、高集積化、高機能化とともに、更に一層の多ピ
ン化、薄型化、小型化が求めらており、上記従来のパッ
ケージにおいてもチップ外周部分のリードの引き回しが
あるため、パッケージの小型化に限界が見えてきた。ま
た、ＴＳＯＰ等の小型パッケージにおいては、リードの
引き回し、ピンピッチから多ピン化に対しても限界が見
えてきた。
技術の進歩と電子機器の高性能化と軽薄短小化の傾向
（時流）から、ＬＳＩのＡＳＩＣに代表されるように、
ますます高集積化、高機能化になってきている。これに
伴い、リードフレームを用いた封止型の半導体装置にお
いても、その開発のトレンドが、ＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ
Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｊ−Ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）
やＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）のよ
うな表面実装型のパッケージを経て、ＴＳＯＰ（Ｔｈｉ
ｎ Ｓｍａｌｌ ＯｕｔｌｉｎｅＰａｃｋａｇｅ）の開
発による薄型化を主軸としたパッケージの小型化へ、さ
らにはパッケージ内部の３次元化によるチップ収納効率
向上を目的としたＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）
の構造へと進展してきた。しかし、樹脂封止型半導体装
置には、高集積化、高機能化とともに、更に一層の多ピ
ン化、薄型化、小型化が求めらており、上記従来のパッ
ケージにおいてもチップ外周部分のリードの引き回しが
あるため、パッケージの小型化に限界が見えてきた。ま
た、ＴＳＯＰ等の小型パッケージにおいては、リードの
引き回し、ピンピッチから多ピン化に対しても限界が見
えてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、更なる
樹脂封止型半導体装置の高集積化、高機能化が求められ
ており、樹脂封止型半導体装置の一層の多ピン化、薄型
化、小型化が求められている。本発明は、このような状
況のもと、半導体装置のパッケージサイズにおけるチッ
プの占有率を上げ、半導体装置の小型化に対応させ、回
路基板への実装面積を低減できる、即ち、回路基板への
実装密度を向上させることができる樹脂封止型半導体装
置を提供しようとするものである。また、同時に従来の
ＴＳＯＰ等の小型パッケージに困難であった更なる多ピ
ン化を実現しようとするものである。
樹脂封止型半導体装置の高集積化、高機能化が求められ
ており、樹脂封止型半導体装置の一層の多ピン化、薄型
化、小型化が求められている。本発明は、このような状
況のもと、半導体装置のパッケージサイズにおけるチッ
プの占有率を上げ、半導体装置の小型化に対応させ、回
路基板への実装面積を低減できる、即ち、回路基板への
実装密度を向上させることができる樹脂封止型半導体装
置を提供しようとするものである。また、同時に従来の
ＴＳＯＰ等の小型パッケージに困難であった更なる多ピ
ン化を実現しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、半導体素子の端子と電気的に結線するための
内部端子部と、外部回路への接続のための外部端子部
と、前記内部端子部と外部端子部とを一体的に連結する
リード部とを略平面内に複数個、それぞれ互いに独立し
て配置する回路部を設け、該回路部の内部端子部の端子
面および外部端子の端子面とを、回路部の第１の面側に
設けており、前記回路部は、第１の面側でない第２の面
側を一平面に沿い設け、内部端子部、リード部は、薄肉
に形成され、外部端子部は厚肉に形成され、外部端子部
の端子面は、前記第２の面側でない、内部端子の端子面
ないしリード部の面より突出されており、半導体素子
は、半導体素子の端子部側の面を、回路部の端子側でな
い面に絶縁層を介して接着固定されて、回路部に搭載さ
れ、半導体素子の端子部と回路部の内部端子部の端子面
側とをワイヤにて電気的に接続しており、外部端子の一
部を外部に露出させ、樹脂封止した樹脂封止型半導体装
置、または前記樹脂封止型半導体装置の外部に露出した
外部端子部の面に、回路基板等への実装のための半田か
らなる外部電極を設けた樹脂封止型半導体装置であるこ
とを特徴とするものである。そして、上記において、少
なくとも内部端子部の端子面領域がコイニングにより、
平坦状に形成されているものであることを特徴とするも
のである。そしてまた、上記において、半導体素子の端
子は半導体素子の端子面の一対の辺の中間の中心部線上
にそって配置されており、内部端子部は前記中心線を挾
むように対向し、前記中心線に沿い、それぞれ設けられ
ていることを特徴とするものである。そしてまた、上記
において、樹脂封止領域をほぼ半導体素子の外形寸法に
あわせたことを特徴とするものである。
体装置は、半導体素子の端子と電気的に結線するための
内部端子部と、外部回路への接続のための外部端子部
と、前記内部端子部と外部端子部とを一体的に連結する
リード部とを略平面内に複数個、それぞれ互いに独立し
て配置する回路部を設け、該回路部の内部端子部の端子
面および外部端子の端子面とを、回路部の第１の面側に
設けており、前記回路部は、第１の面側でない第２の面
側を一平面に沿い設け、内部端子部、リード部は、薄肉
に形成され、外部端子部は厚肉に形成され、外部端子部
の端子面は、前記第２の面側でない、内部端子の端子面
ないしリード部の面より突出されており、半導体素子
は、半導体素子の端子部側の面を、回路部の端子側でな
い面に絶縁層を介して接着固定されて、回路部に搭載さ
れ、半導体素子の端子部と回路部の内部端子部の端子面
側とをワイヤにて電気的に接続しており、外部端子の一
部を外部に露出させ、樹脂封止した樹脂封止型半導体装
置、または前記樹脂封止型半導体装置の外部に露出した
外部端子部の面に、回路基板等への実装のための半田か
らなる外部電極を設けた樹脂封止型半導体装置であるこ
とを特徴とするものである。そして、上記において、少
なくとも内部端子部の端子面領域がコイニングにより、
平坦状に形成されているものであることを特徴とするも
のである。そしてまた、上記において、半導体素子の端
子は半導体素子の端子面の一対の辺の中間の中心部線上
にそって配置されており、内部端子部は前記中心線を挾
むように対向し、前記中心線に沿い、それぞれ設けられ
ていることを特徴とするものである。そしてまた、上記
において、樹脂封止領域をほぼ半導体素子の外形寸法に
あわせたことを特徴とするものである。
【０００５】本発明の回路部材は、半導体素子の端子と
電気的に結線するための内部端子部と、外部回路への接
続のための外部端子部と、前記内部端子部と外部端子部
とを一体的に連結するリード部とを有し、これらを略平
面内に複数個、それぞれ互いに独立して配置し、外部端
子部とこれらの外側で、全体を保持する外枠部とを前記
リード部とは異なる接続リードを介して一体連結し、且
つ内部端子部の端子面および外部端子の端子面とを、そ
の第１の面側に設けた樹脂封止型半導体装置用回路部材
であり、回路部材の第２の面側は素材面で一平面に沿
い、内部端子部、リード部および接続リード部は、回路
部材の素材の板厚よりも薄肉に形成され、外部端子部
は、回路部材の素材の板厚に形成されており、外部端子
部の外部回路と接続する側の端子面は、第２の面側でな
いリード部の面や接続リード部の面より突出されている
ことを特徴とするものであり、少なくとも内部端子部の
端子面形成領域にコイニングを施したものであることを
特徴とするものである。そして、ハーフエッチング加工
により、内部端子部とリード部の形成領域、および接続
リード部を回路部材の素材の板厚よりも薄肉に、外部端
子部を回路部材の素材の板厚にして、外形加工したもの
であることを特徴とするものである。
電気的に結線するための内部端子部と、外部回路への接
続のための外部端子部と、前記内部端子部と外部端子部
とを一体的に連結するリード部とを有し、これらを略平
面内に複数個、それぞれ互いに独立して配置し、外部端
子部とこれらの外側で、全体を保持する外枠部とを前記
リード部とは異なる接続リードを介して一体連結し、且
つ内部端子部の端子面および外部端子の端子面とを、そ
の第１の面側に設けた樹脂封止型半導体装置用回路部材
であり、回路部材の第２の面側は素材面で一平面に沿
い、内部端子部、リード部および接続リード部は、回路
部材の素材の板厚よりも薄肉に形成され、外部端子部
は、回路部材の素材の板厚に形成されており、外部端子
部の外部回路と接続する側の端子面は、第２の面側でな
いリード部の面や接続リード部の面より突出されている
ことを特徴とするものであり、少なくとも内部端子部の
端子面形成領域にコイニングを施したものであることを
特徴とするものである。そして、ハーフエッチング加工
により、内部端子部とリード部の形成領域、および接続
リード部を回路部材の素材の板厚よりも薄肉に、外部端
子部を回路部材の素材の板厚にして、外形加工したもの
であることを特徴とするものである。
【０００６】本発明の回路部材の製造方法は、半導体素
子の端子と電気的に結線するための内部端子部と、外部
回路への接続のための外部端子部と、前記内部端子部と
外部端子部とを一体的に連結するリード部とを有し、こ
れらを略一平面内に複数個、それぞれ互いに独立して配
置し、且つ、外部端子部とこれらの外側で、全体を保持
する外枠部とを接続リードを介して一体的に連結した樹
脂封止型半導体装置用回路部材の製造方法であって、ハ
ーフエッチング加工により、一面側を素材面とし、内部
端子部とリード部の形成領域、および接続リード部を回
路部材の素材の板厚よりも薄肉に、外部端子部を回路部
材の素材の板厚にして、外形加工する工程と、内部端子
部形成領域の、素材面側でない、端子面領域を含む領域
を凹まし、凹ました部分の面を平坦状にするコイニング
工程とを有することを特徴とするものである。
子の端子と電気的に結線するための内部端子部と、外部
回路への接続のための外部端子部と、前記内部端子部と
外部端子部とを一体的に連結するリード部とを有し、こ
れらを略一平面内に複数個、それぞれ互いに独立して配
置し、且つ、外部端子部とこれらの外側で、全体を保持
する外枠部とを接続リードを介して一体的に連結した樹
脂封止型半導体装置用回路部材の製造方法であって、ハ
ーフエッチング加工により、一面側を素材面とし、内部
端子部とリード部の形成領域、および接続リード部を回
路部材の素材の板厚よりも薄肉に、外部端子部を回路部
材の素材の板厚にして、外形加工する工程と、内部端子
部形成領域の、素材面側でない、端子面領域を含む領域
を凹まし、凹ました部分の面を平坦状にするコイニング
工程とを有することを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】本発明の樹脂封止型半導体装置は、上記のよう
な構成にすることにより、半導体装置パッケージサイズ
におけるチップの占有率を上げ、半導体装置の小型化に
対応できるものとしている。即ち、半導体装置の回路基
板への実装面積を低減し、回路基板への実装密度の向上
を可能としている。また、端子部を二次元的に複数行、
複数列設けることにより、従来のＴＳＯＰ等の小型パッ
ケージに困難であった更なる多ピン化の実現を可能とし
ている。外部端子部に一体的に連結した外部電極部を半
田ボールにて形成することにより、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ
Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイプのようにすることもでき
る。具体的には、半導体素子の端子と電気的に結線する
ための内部端子部と、外部回路への接続のための外部端
子部と、前記内部端子部と外部端子部とを一体的に連結
するリード部とを略平面内に複数個、それぞれ互いに独
立して配置する回路部を設け、該回路部の半導体素子と
接続するための内部端子部の端子面および外部回路と接
続するための外部端子の端子面とを、回路部の第１の面
側に設けており、半導体素子は、半導体素子の端子部側
の面を、回路部の端子側でない面に絶縁層を介して接着
固定されて、回路部に搭載され、半導体素子の端子部と
回路部の内部端子部の端子面側とをワイヤにて電気的に
接続しており、前記回路部は、その第２の面側を一平面
に沿い設け、内部端子部、リード部は、薄肉に形成さ
れ、外部端子部は厚肉に形成され、外部端子部の端子面
は、前記一平面側でない、内部端子の端子面ないしリー
ド部の面より突出されており、且つ、少なくとも内部端
子部の端子面領域がコイニングにより、平坦状に形成さ
れているものであり、外部端子の一部を外部に露出さ
せ、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であることによ
り、または前記樹脂封止型半導体装置の、外部に露出し
た外部端子部の面に、回路基板等への実装のための半田
からなる外部電極を設けた樹脂封止型半導体装置である
ことにより、これを達成している。そして、半導体素子
の端子は半導体素子の端子面の一対の辺の中間の中心部
線上にそって配置されており、内部端子部は前記中心線
を挾むように対向し、前記中心線に沿い、それぞれ設け
られていることにより、全体を簡単な構造とし、量産性
に適しものとできる。特に、樹脂封止領域をほぼ半導体
素子の外形寸法にあわせたＣＳＰ（ＣｈｉｐＳｉｚｅ
Ｐａｃｋａｇｅ）とすることにより、半導体装置の小型
化に対応できる。
な構成にすることにより、半導体装置パッケージサイズ
におけるチップの占有率を上げ、半導体装置の小型化に
対応できるものとしている。即ち、半導体装置の回路基
板への実装面積を低減し、回路基板への実装密度の向上
を可能としている。また、端子部を二次元的に複数行、
複数列設けることにより、従来のＴＳＯＰ等の小型パッ
ケージに困難であった更なる多ピン化の実現を可能とし
ている。外部端子部に一体的に連結した外部電極部を半
田ボールにて形成することにより、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ
Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイプのようにすることもでき
る。具体的には、半導体素子の端子と電気的に結線する
ための内部端子部と、外部回路への接続のための外部端
子部と、前記内部端子部と外部端子部とを一体的に連結
するリード部とを略平面内に複数個、それぞれ互いに独
立して配置する回路部を設け、該回路部の半導体素子と
接続するための内部端子部の端子面および外部回路と接
続するための外部端子の端子面とを、回路部の第１の面
側に設けており、半導体素子は、半導体素子の端子部側
の面を、回路部の端子側でない面に絶縁層を介して接着
固定されて、回路部に搭載され、半導体素子の端子部と
回路部の内部端子部の端子面側とをワイヤにて電気的に
接続しており、前記回路部は、その第２の面側を一平面
に沿い設け、内部端子部、リード部は、薄肉に形成さ
れ、外部端子部は厚肉に形成され、外部端子部の端子面
は、前記一平面側でない、内部端子の端子面ないしリー
ド部の面より突出されており、且つ、少なくとも内部端
子部の端子面領域がコイニングにより、平坦状に形成さ
れているものであり、外部端子の一部を外部に露出さ
せ、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であることによ
り、または前記樹脂封止型半導体装置の、外部に露出し
た外部端子部の面に、回路基板等への実装のための半田
からなる外部電極を設けた樹脂封止型半導体装置である
ことにより、これを達成している。そして、半導体素子
の端子は半導体素子の端子面の一対の辺の中間の中心部
線上にそって配置されており、内部端子部は前記中心線
を挾むように対向し、前記中心線に沿い、それぞれ設け
られていることにより、全体を簡単な構造とし、量産性
に適しものとできる。特に、樹脂封止領域をほぼ半導体
素子の外形寸法にあわせたＣＳＰ（ＣｈｉｐＳｉｚｅ
Ｐａｃｋａｇｅ）とすることにより、半導体装置の小型
化に対応できる。
【０００８】本発明の回路部材は、上記のような構成に
することにより、上記本発明の樹脂封止型半導体装置の
製造に用いられるものであるが、ハーフエッチング加工
を併う通常のエッチング工程とコイニング工程を経て作
製することができる。特に、内部端子部の半導体素子と
接続するための端子部は、微細化に伴い、ハーフエッチ
ング加工にては平坦に加工が難しい部分であるが、これ
を、コイニングにより平坦化することにより、半導体装
置作製に際しては、ワイヤボンディング性の良いものと
できる。コイニングにより、内部端子部の厚さをエッチ
ング工程により得られた厚さよりも更に薄くして、必要
な厚さとしており、回路部材のリード部、接続リード部
等のハーフエッチングにて薄肉にされた部分の厚さを、
内部端子部の厚さよりも厚くすることができ、結果、回
路部材全体を比較的強固に保つことが可能となる。
することにより、上記本発明の樹脂封止型半導体装置の
製造に用いられるものであるが、ハーフエッチング加工
を併う通常のエッチング工程とコイニング工程を経て作
製することができる。特に、内部端子部の半導体素子と
接続するための端子部は、微細化に伴い、ハーフエッチ
ング加工にては平坦に加工が難しい部分であるが、これ
を、コイニングにより平坦化することにより、半導体装
置作製に際しては、ワイヤボンディング性の良いものと
できる。コイニングにより、内部端子部の厚さをエッチ
ング工程により得られた厚さよりも更に薄くして、必要
な厚さとしており、回路部材のリード部、接続リード部
等のハーフエッチングにて薄肉にされた部分の厚さを、
内部端子部の厚さよりも厚くすることができ、結果、回
路部材全体を比較的強固に保つことが可能となる。
【０００９】本発明の回路部材製造方法は、上記のよう
な構成にすることにより、ハーフエッチング加工を伴っ
たエッチング工程と、コイニングの組合せにより、比較
的簡単に、本発明の回路部材の製造を可能とし、結果、
本発明の樹脂封止型半導体装置の作製を可能とするもの
である。
な構成にすることにより、ハーフエッチング加工を伴っ
たエッチング工程と、コイニングの組合せにより、比較
的簡単に、本発明の回路部材の製造を可能とし、結果、
本発明の樹脂封止型半導体装置の作製を可能とするもの
である。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の樹脂封止型半導体装置を
図に基づいて説明する。図１は本発明の樹脂封止型半導
体装置の実施の形態の１例を示したもので、図１（ａ）
はその概略断面図であり、図１（ｂ）は外部電極側（図
１（ａ）のＡ０側）からみた図であり、図２は図１に示
す半導体装置の外部電極側および側面部を分かり易く示
した斜視図である。図３は図１に示す半導体装置の変形
例の断面図であり、図４（ａ）は本発明の回路部材の概
略平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）中点線で囲ま
れたＢ０部の拡大斜視図である。図１、図２、図３、図
４中、１００、１０１は樹脂封止型半導体装置、１１０
は半導体素子、１１１は端子（パッド）、１２０は絶縁
層、１２３は絶縁性フィルム、１２５は接着剤層、１３
０は回路部材、１３０Ａは回路部、１３０Ｓは素材面、
１３１は内部端子部、１３１Ｓは端子面、１３２は外部
端子部、１３２Ｓは端子面、１３３はリード、１３３Ｓ
はリード面、１３４は接続リード、１３４Ｓは接続リー
ド面、１３５は枠部、１４０はワイヤ、１５０は封止用
樹脂、１６０は銀めっき、１７０は半田からなる外部電
極である。図１に示す樹脂封止型半導体装置１００は、
図４に示す回路部材１３０の点線内領域部Ｂ１のみを樹
脂封止し、且つそれ以外の部分を分離して使用している
もので、半導体素子１１０を、端子（パッド）１１１側
の面側にて、回路部１３０の素材面１３０Ｓに、絶縁層
１２０を介して搭載し、半導体素子１１０の端子（パッ
ド）１１１と内部端子部１３１の端子面１３１Ｓとをワ
イヤ１４０にて電気的に接続し、且つ、外部端子１３２
の一部を外部に露出させ、全体を封止用樹脂１５０で樹
脂封止している。図１（ａ）に示すように、半導体素子
１１０の端子１１１と電気的に結線するための内部端子
部１３１と、外部回路への接続のための外部端子部１３
２と、内部端子部１３１と外部端子部１３２とを一体的
に連結するリード部１３３とを略一平面内に複数個、そ
れぞれ互いに独立して配置する回路部１３０Ａを設けて
いる。そして、回路部１３０Ａの、半導体素子１１０と
接続するための内部端子部１３１の端子面１３１Ｓおよ
び外部回路と接続するための外部端子部１３２の端子面
１３２Ｓを、回路部１３０Ａの素材面１３０Ｓ側（第２
の面側）とは反対の面側（第１の面側）に設けている。
尚、図１に示す例は、図４に示す回路部材１３０を用い
ているため、接続リード１３４をその内部に残す。
図に基づいて説明する。図１は本発明の樹脂封止型半導
体装置の実施の形態の１例を示したもので、図１（ａ）
はその概略断面図であり、図１（ｂ）は外部電極側（図
１（ａ）のＡ０側）からみた図であり、図２は図１に示
す半導体装置の外部電極側および側面部を分かり易く示
した斜視図である。図３は図１に示す半導体装置の変形
例の断面図であり、図４（ａ）は本発明の回路部材の概
略平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）中点線で囲ま
れたＢ０部の拡大斜視図である。図１、図２、図３、図
４中、１００、１０１は樹脂封止型半導体装置、１１０
は半導体素子、１１１は端子（パッド）、１２０は絶縁
層、１２３は絶縁性フィルム、１２５は接着剤層、１３
０は回路部材、１３０Ａは回路部、１３０Ｓは素材面、
１３１は内部端子部、１３１Ｓは端子面、１３２は外部
端子部、１３２Ｓは端子面、１３３はリード、１３３Ｓ
はリード面、１３４は接続リード、１３４Ｓは接続リー
ド面、１３５は枠部、１４０はワイヤ、１５０は封止用
樹脂、１６０は銀めっき、１７０は半田からなる外部電
極である。図１に示す樹脂封止型半導体装置１００は、
図４に示す回路部材１３０の点線内領域部Ｂ１のみを樹
脂封止し、且つそれ以外の部分を分離して使用している
もので、半導体素子１１０を、端子（パッド）１１１側
の面側にて、回路部１３０の素材面１３０Ｓに、絶縁層
１２０を介して搭載し、半導体素子１１０の端子（パッ
ド）１１１と内部端子部１３１の端子面１３１Ｓとをワ
イヤ１４０にて電気的に接続し、且つ、外部端子１３２
の一部を外部に露出させ、全体を封止用樹脂１５０で樹
脂封止している。図１（ａ）に示すように、半導体素子
１１０の端子１１１と電気的に結線するための内部端子
部１３１と、外部回路への接続のための外部端子部１３
２と、内部端子部１３１と外部端子部１３２とを一体的
に連結するリード部１３３とを略一平面内に複数個、そ
れぞれ互いに独立して配置する回路部１３０Ａを設けて
いる。そして、回路部１３０Ａの、半導体素子１１０と
接続するための内部端子部１３１の端子面１３１Ｓおよ
び外部回路と接続するための外部端子部１３２の端子面
１３２Ｓを、回路部１３０Ａの素材面１３０Ｓ側（第２
の面側）とは反対の面側（第１の面側）に設けている。
尚、図１に示す例は、図４に示す回路部材１３０を用い
ているため、接続リード１３４をその内部に残す。
【００１１】ここで用いられる図４（ａ）に示す回路部
材１３０の一点鎖線内領域Ｂ１内部である、半導体装置
１００に用いられる回路部１３０Ａは、その一方の面側
（第２の面側）を、全て素材面１３０Ｓとして、略同一
平面上に形成されており、この素材面１３０Ｓと、半導
体素子１１０の端子部１１１側の面とが絶縁層１２０を
介して接着固定される。そして、内部端子部１３１、リ
ード部１３３、接続リード部１３４は、薄肉（即ち、回
路部材１３０Ａの素材の厚さより薄肉）に形成され、外
部端子部１３２は厚肉（即ち、回路部材１３０Ａの素材
の厚さと同じ厚さ）に形成され、外部端子部１３２の外
部回路と接続する側の端子面１３２Ｓは、回路部１３０
Ａの素材面１３０Ｓでない、内部端子部１３１の端子面
１３１Ｓないしリード部１３３の面１３３Ｓより突出さ
れている。そしてまた、少なくとも内部端子部１３１の
半導体素子１１０と接続する側と反対側の端子面１３１
Ｓ領域がコイニングにより、平坦状に形成されている。
更に、外部端子部１３２の一部を外部に露出させ、樹脂
封止し、外部に露出した外部端子部の面に、回路基板等
への実装のための半田からなる外部電極１７０を設けて
いる。
材１３０の一点鎖線内領域Ｂ１内部である、半導体装置
１００に用いられる回路部１３０Ａは、その一方の面側
（第２の面側）を、全て素材面１３０Ｓとして、略同一
平面上に形成されており、この素材面１３０Ｓと、半導
体素子１１０の端子部１１１側の面とが絶縁層１２０を
介して接着固定される。そして、内部端子部１３１、リ
ード部１３３、接続リード部１３４は、薄肉（即ち、回
路部材１３０Ａの素材の厚さより薄肉）に形成され、外
部端子部１３２は厚肉（即ち、回路部材１３０Ａの素材
の厚さと同じ厚さ）に形成され、外部端子部１３２の外
部回路と接続する側の端子面１３２Ｓは、回路部１３０
Ａの素材面１３０Ｓでない、内部端子部１３１の端子面
１３１Ｓないしリード部１３３の面１３３Ｓより突出さ
れている。そしてまた、少なくとも内部端子部１３１の
半導体素子１１０と接続する側と反対側の端子面１３１
Ｓ領域がコイニングにより、平坦状に形成されている。
更に、外部端子部１３２の一部を外部に露出させ、樹脂
封止し、外部に露出した外部端子部の面に、回路基板等
への実装のための半田からなる外部電極１７０を設けて
いる。
【００１２】図１に示す樹脂封止型半導体装置１００に
おいては、半導体素子１１０の端子部１１１は半導体素
子１１０の端子面の一対の辺の中間の中心線上にそって
配置されており、内部端子部１３１は前記中心線を挾む
ように対向し、前記中心部線に沿い、それぞれ設けられ
ている。そして、半導体素子１１０の端子部側の面に絶
縁層１２０を介して回路部１３０Ａの内部端子部１３１
とそれに連結したリード部１３３とが載った構造で、Ｌ
ＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）と言われる。また、
図１に示す樹脂封止型半導体装置１００においては、樹
脂封止領域を、半導体素子のサイズにほぼあわせた構造
で、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）と
言われるものである。
おいては、半導体素子１１０の端子部１１１は半導体素
子１１０の端子面の一対の辺の中間の中心線上にそって
配置されており、内部端子部１３１は前記中心線を挾む
ように対向し、前記中心部線に沿い、それぞれ設けられ
ている。そして、半導体素子１１０の端子部側の面に絶
縁層１２０を介して回路部１３０Ａの内部端子部１３１
とそれに連結したリード部１３３とが載った構造で、Ｌ
ＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）と言われる。また、
図１に示す樹脂封止型半導体装置１００においては、樹
脂封止領域を、半導体素子のサイズにほぼあわせた構造
で、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）と
言われるものである。
【００１３】尚、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施
の形態としては、上記図１に示す、ＬＯＣタイプ、ＣＳ
Ｐタイプに特に限定されることはない。また、図３に示
すように、図１に示す半導体装置において半田からなる
外部電極を設けない形態のままのものを、変形例の半導
体装置１０１として挙げておく。図３に示す変形例の半
導体装置１０１の外部に露出した外部端子部の面１３２
Ｓに半田からなる外部電極１７０を設けたものである。
の形態としては、上記図１に示す、ＬＯＣタイプ、ＣＳ
Ｐタイプに特に限定されることはない。また、図３に示
すように、図１に示す半導体装置において半田からなる
外部電極を設けない形態のままのものを、変形例の半導
体装置１０１として挙げておく。図３に示す変形例の半
導体装置１０１の外部に露出した外部端子部の面１３２
Ｓに半田からなる外部電極１７０を設けたものである。
【００１４】回路部１３０Ａの材質としては４２合金
（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）、銅合金等が用いられ、絶縁
層１２０としては、図１に示すように絶縁性フィルム１
２３の両側に接着剤層１２５を設けたものや、市販のダ
イアタッチ剤が用いられる。
（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）、銅合金等が用いられ、絶縁
層１２０としては、図１に示すように絶縁性フィルム１
２３の両側に接着剤層１２５を設けたものや、市販のダ
イアタッチ剤が用いられる。
【００１５】次に、本発明の回路部材を図に基づいて説
明する。図４は本発明の回路部材の１例を示したもの
で、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）の
Ｂ０部を拡大して示した拡大斜視図である。尚、図４中
の一点鎖線領域Ｂ１は、回路部材の半導体装置作製の際
に、樹脂封止して用いられる領域で、点線外側の領域は
最終的には分離除去される。本発明の回路部材は、本発
明の半導体装置の作製に用いられるものであり、図４
（ａ）に示すように、半導体素子の端子と電気的に結線
するための内部端子部１３１と、外部回路への接続のた
めの外部端子部１３２と、内部端子部１３１と外部端子
部１３２とを一体的に連結するリード部１３３とを有
し、これらを略平面内に複数個、それぞれ互いに独立し
て配置し、且つ、前記リード部１３３とは異なる接続リ
ード１３４と外部端子部１３２とを一体的に連結し、こ
れらの外側で、全体を保持する外枠部１３５と接続され
ている。そして、図４（ｂ）は内部端子部１３１の端子
面１３１Ｓおよび外部端子部１３２の端子面１３２Ｓと
を、その第１の面側に設けた樹脂封止型半導体装置用回
路部材であり、回路部材の第２の面側は素材面１３０Ｓ
で一平面に沿い、内部端子部１３１、リード部１３３お
よび接続リード部１３４は、回路部材の素材の板厚より
も薄肉に形成され、外部端子部１３２は、回路部材の素
材の板厚に形成されており、外部端子部１３２の外部回
路と接続する側の端子面１３２Ｓは、素材面側でないリ
ード部の面１３３Ｓや接続リード部の面１３４Ｓより突
出されているもので、少なくとも内部端子部１３１の端
子面領域１３１Ｓがコイニングにより、平坦状に形成さ
れている。回路部材１３０の材質としては４２合金（Ｎ
ｉ４２％のＦｅ合金）、銅合金等が用いられ、通常のリ
ードフレームと同様、エッチングにより外形加工でき
る。
明する。図４は本発明の回路部材の１例を示したもの
で、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）の
Ｂ０部を拡大して示した拡大斜視図である。尚、図４中
の一点鎖線領域Ｂ１は、回路部材の半導体装置作製の際
に、樹脂封止して用いられる領域で、点線外側の領域は
最終的には分離除去される。本発明の回路部材は、本発
明の半導体装置の作製に用いられるものであり、図４
（ａ）に示すように、半導体素子の端子と電気的に結線
するための内部端子部１３１と、外部回路への接続のた
めの外部端子部１３２と、内部端子部１３１と外部端子
部１３２とを一体的に連結するリード部１３３とを有
し、これらを略平面内に複数個、それぞれ互いに独立し
て配置し、且つ、前記リード部１３３とは異なる接続リ
ード１３４と外部端子部１３２とを一体的に連結し、こ
れらの外側で、全体を保持する外枠部１３５と接続され
ている。そして、図４（ｂ）は内部端子部１３１の端子
面１３１Ｓおよび外部端子部１３２の端子面１３２Ｓと
を、その第１の面側に設けた樹脂封止型半導体装置用回
路部材であり、回路部材の第２の面側は素材面１３０Ｓ
で一平面に沿い、内部端子部１３１、リード部１３３お
よび接続リード部１３４は、回路部材の素材の板厚より
も薄肉に形成され、外部端子部１３２は、回路部材の素
材の板厚に形成されており、外部端子部１３２の外部回
路と接続する側の端子面１３２Ｓは、素材面側でないリ
ード部の面１３３Ｓや接続リード部の面１３４Ｓより突
出されているもので、少なくとも内部端子部１３１の端
子面領域１３１Ｓがコイニングにより、平坦状に形成さ
れている。回路部材１３０の材質としては４２合金（Ｎ
ｉ４２％のＦｅ合金）、銅合金等が用いられ、通常のリ
ードフレームと同様、エッチングにより外形加工でき
る。
【００１６】次いで、図４に示す回路部材１３０の製造
方法の１例を図５に基づいて説明する。尚、図５は、説
明を分かり易くするため、図４（ａ）に示す一点鎖線Ｂ
３−Ｂ４における断面のみを示している。先ず、４２合
金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等からなる、回路部材の素
材である厚さ０．２ｍｍ程度の板材５１０を準備し、板
材５１０の両面を脱脂等を行い良く洗浄処理した（図５
（ａ））後、板材５１０の両面に感光性のレジスト５２
０を塗布し、乾燥する。（図５（ｂ）） 次いで、板材５１０の両面から所定のパターン版を用い
てレジストの所定の部分のみに露光を行った後、現像処
理し、レジストパターン５２１、５２２を形成する。
（図５（ｃ）） 内部端子部、リード部、接続リード部の形成領域におい
ては、板材の一面側にレジストが覆われていない。尚、
レジストとてしは、特に限定はされないが、重クロム酸
カリウムを感光材としたガゼイン系のレジストや、東京
応化株式会社製のネガ型液状レジスト（ＰＭＥＲレジス
ト）等が使用できる。次いで、レジストパターンを耐腐
蝕性膜として、板材５１０の両面から腐蝕液にてエッチ
ングを行う。内部端子部、リード部、接続リード部の形
成領域においては、板材の一面側のレジストが覆われて
いない為、片側からのみエッチングが進行する。（これ
を、ここではハーフエッチングと言っている。） 板材５１０の表裏のエッチング量を加減することによ
り、薄肉部５３０の厚さを調整することができる。エッ
チングは、通常、腐蝕液として塩化第二鉄水溶液を用
い、板材の両面からスプレイエッチングにて行う。エッ
チングにより、途中図５（ｄ）のようになり、更にエッ
チングが進行して、内部端子部１３１間が分離された状
態で、一面を板材５１０の素材面５１０Ｓとした状態
で、内部端子部１３１、リード部１３３、接続リード部
１３４を板材５１０の素材の厚さより薄肉に、且つ外部
端子部１３２、外枠部１３４を板材５１０の素材の厚さ
と同じ厚さに形成される。（図５（ｅ）） 次いで、レジストを剥離してた（図５（ｆ））後、内部
端子部の端子面形成側１３１Ａをコイニングして平坦状
に形成し（図５（ｇ））、図４に示す回路部材１３０が
得られる。尚、生産性の面から、エッチング加工、コイ
ニング加工する際、複数個面付けした状態で上記の工程
を行う。
方法の１例を図５に基づいて説明する。尚、図５は、説
明を分かり易くするため、図４（ａ）に示す一点鎖線Ｂ
３−Ｂ４における断面のみを示している。先ず、４２合
金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等からなる、回路部材の素
材である厚さ０．２ｍｍ程度の板材５１０を準備し、板
材５１０の両面を脱脂等を行い良く洗浄処理した（図５
（ａ））後、板材５１０の両面に感光性のレジスト５２
０を塗布し、乾燥する。（図５（ｂ）） 次いで、板材５１０の両面から所定のパターン版を用い
てレジストの所定の部分のみに露光を行った後、現像処
理し、レジストパターン５２１、５２２を形成する。
（図５（ｃ）） 内部端子部、リード部、接続リード部の形成領域におい
ては、板材の一面側にレジストが覆われていない。尚、
レジストとてしは、特に限定はされないが、重クロム酸
カリウムを感光材としたガゼイン系のレジストや、東京
応化株式会社製のネガ型液状レジスト（ＰＭＥＲレジス
ト）等が使用できる。次いで、レジストパターンを耐腐
蝕性膜として、板材５１０の両面から腐蝕液にてエッチ
ングを行う。内部端子部、リード部、接続リード部の形
成領域においては、板材の一面側のレジストが覆われて
いない為、片側からのみエッチングが進行する。（これ
を、ここではハーフエッチングと言っている。） 板材５１０の表裏のエッチング量を加減することによ
り、薄肉部５３０の厚さを調整することができる。エッ
チングは、通常、腐蝕液として塩化第二鉄水溶液を用
い、板材の両面からスプレイエッチングにて行う。エッ
チングにより、途中図５（ｄ）のようになり、更にエッ
チングが進行して、内部端子部１３１間が分離された状
態で、一面を板材５１０の素材面５１０Ｓとした状態
で、内部端子部１３１、リード部１３３、接続リード部
１３４を板材５１０の素材の厚さより薄肉に、且つ外部
端子部１３２、外枠部１３４を板材５１０の素材の厚さ
と同じ厚さに形成される。（図５（ｅ）） 次いで、レジストを剥離してた（図５（ｆ））後、内部
端子部の端子面形成側１３１Ａをコイニングして平坦状
に形成し（図５（ｇ））、図４に示す回路部材１３０が
得られる。尚、生産性の面から、エッチング加工、コイ
ニング加工する際、複数個面付けした状態で上記の工程
を行う。
【００１７】次に、図１に示す半導体装置１００の製造
方法を、図６に基づいて簡単に説明する。先ず、図５の
ようにして外形加工して作製された、図４に示す回路部
材１３０を用意する。（６（ａ）） 次いで、洗浄処理等を施した後、内部端子部１３１の端
子面１３１Ｓ側に銀めっき処理を行い、銀めっき部１６
０を設ける。（図６（ｂ）） 尚、銀めっきに代え、金めっきやパラジウムめっきでも
良い。次いで、半導体素子１１０の端子面１１１と回路
部材１３０の素材面を絶縁層１２０を介して接着固定
（搭載）する。絶縁層１２０は、図１（ａ）に示すよう
に絶縁性フィルム１２３の両面に接着材層１２５をもう
けた構造のもの等が挙げられるが、これに代え、市販の
ダイアタッチ剤を用いても良い。そして、半導体素子１
１０の端子１１１と、内部端子１３１の端子面１３１Ｓ
（銀めっき部１６０）とをワイヤ１４０にて電気的に接
続する。（図６（ｄ））この後、外部端子部１３２の一
部を外部に露出させ、全体を封止用樹脂１５０で樹脂封
止する。（図６（ｅ）） 更に、露出した外部端子部１３２の端子面１３２Ｓに、
半田めっき等の表面処理剤を施した後、半田ボールから
なる外部電極１７０を形成する。（図６（ｆ）） 次いで、回路部材１３０の各接続リード１３４をプレス
により切断し、外枠部１３５を除去する。（図６
（ｇ）） 尚、半田ボールからなる外部電極１７０の作製は、スク
リーン印刷による半田ペースト塗布や、リフロー等で
も、回路基板と半導体装置との接続に必要な量の半田が
得られば良い。
方法を、図６に基づいて簡単に説明する。先ず、図５の
ようにして外形加工して作製された、図４に示す回路部
材１３０を用意する。（６（ａ）） 次いで、洗浄処理等を施した後、内部端子部１３１の端
子面１３１Ｓ側に銀めっき処理を行い、銀めっき部１６
０を設ける。（図６（ｂ）） 尚、銀めっきに代え、金めっきやパラジウムめっきでも
良い。次いで、半導体素子１１０の端子面１１１と回路
部材１３０の素材面を絶縁層１２０を介して接着固定
（搭載）する。絶縁層１２０は、図１（ａ）に示すよう
に絶縁性フィルム１２３の両面に接着材層１２５をもう
けた構造のもの等が挙げられるが、これに代え、市販の
ダイアタッチ剤を用いても良い。そして、半導体素子１
１０の端子１１１と、内部端子１３１の端子面１３１Ｓ
（銀めっき部１６０）とをワイヤ１４０にて電気的に接
続する。（図６（ｄ））この後、外部端子部１３２の一
部を外部に露出させ、全体を封止用樹脂１５０で樹脂封
止する。（図６（ｅ）） 更に、露出した外部端子部１３２の端子面１３２Ｓに、
半田めっき等の表面処理剤を施した後、半田ボールから
なる外部電極１７０を形成する。（図６（ｆ）） 次いで、回路部材１３０の各接続リード１３４をプレス
により切断し、外枠部１３５を除去する。（図６
（ｇ）） 尚、半田ボールからなる外部電極１７０の作製は、スク
リーン印刷による半田ペースト塗布や、リフロー等で
も、回路基板と半導体装置との接続に必要な量の半田が
得られば良い。
【００１８】
【実施例】更に、本発明の回路部材の実施例を挙げて、
図４に基づいて説明する。４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ
合金）からなり、外部端子部の厚さ０．２ｍｍ、内部端
子部の厚さを０．０５ｍｍとする、図４に示す回路部材
１３０を、図５に示す加工方法にて作製して得た後、図
６に示す半導体装置の作製方法により、図１に示す半導
体装置を作製したが、品質的には特に問題はなかった。
図４に基づいて説明する。４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ
合金）からなり、外部端子部の厚さ０．２ｍｍ、内部端
子部の厚さを０．０５ｍｍとする、図４に示す回路部材
１３０を、図５に示す加工方法にて作製して得た後、図
６に示す半導体装置の作製方法により、図１に示す半導
体装置を作製したが、品質的には特に問題はなかった。
【００１９】
【発明の効果】本発明は、上記のように、更なる樹脂封
止型半導体装置の高集積化、高機能化が求められる状況
のもと、半導体装置のパッケージサイズにおけるチップ
の占有率を上げ、半導体装置の小型化に対応させ、回路
基板への実装面積を低減できる、即ち、回路基板への実
装密度を向上させることができる導体装置の提供を可能
としたものである。また、本発明は、同時に従来のＴＳ
ＯＰ等の小型パッケージに困難であった更なる多ピン化
を実現した樹脂封止型半導体装置の提供を可能としたも
のである。
止型半導体装置の高集積化、高機能化が求められる状況
のもと、半導体装置のパッケージサイズにおけるチップ
の占有率を上げ、半導体装置の小型化に対応させ、回路
基板への実装面積を低減できる、即ち、回路基板への実
装密度を向上させることができる導体装置の提供を可能
としたものである。また、本発明は、同時に従来のＴＳ
ＯＰ等の小型パッケージに困難であった更なる多ピン化
を実現した樹脂封止型半導体装置の提供を可能としたも
のである。
【図１】本発明の樹脂封止型半導体装置の１例を示した
図
図
【図２】本発明の樹脂封止型半導体装置の１例の斜視図
【図３】本発明の樹脂封止型半導体装置の１例の変形例
の断面図
の断面図
【図４】本発明の回路部材を示した図
【図５】本発明の回路部材の製造工程図
【図６】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造工程図
１００、１０１ 樹脂封止型半導体装置 １１０ 半導体素子 １１１ 端子（パッド） １２０ 絶縁層（絶縁性フィル
ム） １３０ 回路部材 １３０Ａ 回路部 １３０Ｓ 素材面 １３１ 内部端子部 １３１Ｓ 端子面 １３２ 外部端子部 １３２Ｓ 端子面 １３３ リード １３３Ｓ リード面 １３４ 接続リード １３４Ｓ 接続リード面 １３５ 枠部 １４０ ワイヤ １５０ 封止用樹脂 １６０ 銀めっき １７０ 半田からなる外部電極 ５１０ 板材 ５１０Ｓ 板材の）素材面 ５２０ レジスト ５２１、５２２ レジストパターン ５３０ 薄肉部
ム） １３０ 回路部材 １３０Ａ 回路部 １３０Ｓ 素材面 １３１ 内部端子部 １３１Ｓ 端子面 １３２ 外部端子部 １３２Ｓ 端子面 １３３ リード １３３Ｓ リード面 １３４ 接続リード １３４Ｓ 接続リード面 １３５ 枠部 １４０ ワイヤ １５０ 封止用樹脂 １６０ 銀めっき １７０ 半田からなる外部電極 ５１０ 板材 ５１０Ｓ 板材の）素材面 ５２０ レジスト ５２１、５２２ レジストパターン ５３０ 薄肉部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 八木 裕 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体素子の端子と電気的に結線するた
めの内部端子部と、外部回路への接続のための外部端子
部と、前記内部端子部と外部端子部とを一体的に連結す
るリード部とを略平面内に複数個、それぞれ互いに独立
して配置する回路部を設け、該回路部の内部端子部の端
子面および外部端子の端子面とを、回路部の第１の面側
に設けており、前記回路部は、第１の面側でない第２の
面側を一平面に沿い設け、内部端子部、リード部は、薄
肉に形成され、外部端子部は厚肉に形成され、外部端子
部の端子面は、前記第２の面側でない、内部端子の端子
面ないしリード部の面より突出されており、半導体素子
は、半導体素子の端子部側の面を、回路部の端子側でな
い面に絶縁層を介して接着固定されて、回路部に搭載さ
れ、半導体素子の端子部と回路部の内部端子部の端子面
側とをワイヤにて電気的に接続しており、外部端子の一
部を外部に露出させ、樹脂封止した樹脂封止型半導体装
置、または前記樹脂封止型半導体装置の外部に露出した
外部端子部の面に、回路基板等への実装のための半田か
らなる外部電極を設けた樹脂封止型半導体装置であるこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１において、少なくとも内部端子
部の端子面領域がコイニングにより、平坦状に形成され
ているものであることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項３】 請求項１ないし２において、半導体素子
の端子は半導体素子の端子面の一対の辺の中間の中心部
線上にそって配置されており、回路部材の内部端子部は
前記中心線を挾むように対向し、前記中心部線に沿い、
それぞれ設けられていることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。 - 【請求項４】 請求項１ないし３において、樹脂封止領
域をほぼ半導体素子の外形寸法にあわせたことを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項５】 半導体素子の端子と電気的に結線するた
めの内部端子部と、外部回路への接続のための外部端子
部と、前記内部端子部と外部端子部とを一体的に連結す
るリード部とを有し、これらを略平面内に複数個、それ
ぞれ互いに独立して配置し、外部端子部とこれらの外側
で、全体を保持する外枠部とを前記リード部とは異なる
接続リードを介して一体連結し、且つ内部端子部の端子
面および外部端子の端子面とを、その第１の面側に設け
た樹脂封止型半導体装置用回路部材であり、回路部材の
第２の面側は素材面で一平面に沿い、内部端子部、リー
ド部および接続リード部は、回路部材の素材の板厚より
も薄肉に形成され、外部端子部は、回路部材の素材の板
厚に形成されており、外部端子部の外部回路と接続する
側の端子面は、第２の面側でないリード部の面や接続リ
ード部の面より突出されていることを特徴とする回路部
材。 - 【請求項６】 少なくとも内部端子部の端子面形成領域
にコイニングを施したものであることを特徴とする請求
項５記載の回路部材。 - 【請求項７】 ハーフエッチング加工により、内部端子
部とリード部の形成領域、および接続リード部を回路部
材の素材の板厚よりも薄肉に、外部端子部を回路部材の
素材の板厚にして、外形加工したものであることを特徴
とする請求項５ないし６記載の回路部材。 - 【請求項８】 半導体素子の端子と電気的に結線するた
めの内部端子部と、外部回路への接続のための外部端子
部と、前記内部端子部と外部端子部とを一体的に連結す
るリード部とを有し、これらを略一平面内に複数個、そ
れぞれ互いに独立して配置し、且つ、外部端子部とこれ
らの外側で、全体を保持する外枠部とを接続リードを介
して一体的に連結した樹脂封止型半導体装置用回路部材
の製造方法であって、ハーフエッチング加工により、一
面側を素材面とし、内部端子部とリード部の形成領域、
および接続リード部を回路部材の素材の板厚よりも薄肉
に、外部端子部を回路部材の素材の板厚にして、外形加
工する工程と、内部端子部形成領域の、素材面側でな
い、端子面領域を含む領域を凹まし、凹ました部分の面
を平坦状にするコイニング工程とを有することを特徴と
する回路部材の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22120897A JPH1154663A (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | 樹脂封止型半導体装置とそれに用いられる回路部材、および回路部材の製造方法 |
| KR1019980029271A KR100300666B1 (ko) | 1997-08-04 | 1998-07-21 | 수지밀봉형반도체장치와거기에사용되는회로부재및회로부재의제조방법 |
| US09/123,558 US6359221B1 (en) | 1997-08-04 | 1998-07-29 | Resin sealed semiconductor device, circuit member for use therein |
| US09/804,149 US6465734B2 (en) | 1997-08-04 | 2001-03-13 | Resin sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing circuit member |
| US09/987,855 US6658734B2 (en) | 1997-08-04 | 2001-11-16 | Method of manufacturing a circuit member for a resin-sealed semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22120897A JPH1154663A (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | 樹脂封止型半導体装置とそれに用いられる回路部材、および回路部材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154663A true JPH1154663A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16763165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22120897A Pending JPH1154663A (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | 樹脂封止型半導体装置とそれに用いられる回路部材、および回路部材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1154663A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001069678A1 (fr) | 2000-03-13 | 2001-09-20 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Dispositif semi-conducteur sous enveloppe de resine, element de circuit destine a ce dispositif et procede de fabrication de cet element de circuit |
| JP2004319824A (ja) * | 2003-04-17 | 2004-11-11 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
| JP2010004080A (ja) * | 2009-10-05 | 2010-01-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| JP2013065879A (ja) * | 2012-11-26 | 2013-04-11 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置用フレーム |
| CN104685615A (zh) * | 2014-03-27 | 2015-06-03 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件的制造方法及半导体器件 |
| JP2020537341A (ja) * | 2017-10-05 | 2020-12-17 | 日本テキサス・インスツルメンツ合同会社 | 半導体デバイスにおけるプレモールドリードフレーム |
-
1997
- 1997-08-04 JP JP22120897A patent/JPH1154663A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2001069678A1 (fr) | 2000-03-13 | 2001-09-20 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Dispositif semi-conducteur sous enveloppe de resine, element de circuit destine a ce dispositif et procede de fabrication de cet element de circuit |
| EP1189279A1 (en) * | 2000-03-13 | 2002-03-20 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Resin-sealed semiconductor device, circuit member used for the device, and method of manufacturing the circuit member |
| EP1189279A4 (en) * | 2000-03-13 | 2006-04-12 | Dainippon Printing Co Ltd | SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR DEVICE WITH RESIN ENVELOPE, CIRCUIT MEMBER FOR THIS DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE CIRCUIT MEMBER |
| US7307347B2 (en) | 2000-03-13 | 2007-12-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Resin-encapsulated package, lead member for the same and method of fabricating the lead member |
| KR100811338B1 (ko) * | 2000-03-13 | 2008-03-07 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 수지밀봉형 반도체장치, 이 장치에 이용되는 회로부재 및회로부재의 제조방법 |
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| CN104685615A (zh) * | 2014-03-27 | 2015-06-03 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件的制造方法及半导体器件 |
| JP2020537341A (ja) * | 2017-10-05 | 2020-12-17 | 日本テキサス・インスツルメンツ合同会社 | 半導体デバイスにおけるプレモールドリードフレーム |
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