JP2004319824A - 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体部品の更なる小型化、薄型化を廉価に達成でき、量産性に適した、ＱＦＮパッケージあるいはＳＯＮパッケージ構造の半導体装置と製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂封止型半導体装置で、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている各端子部材１１０を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部１１１の端子面１１２ａが、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部１１２を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、半導体素子１２０の端子面１２０ａの周辺に各端子部材のリード部１１４を搭載した、ＬＯＣ構造、あるいは、半導体素子をその端子面でない裏面の周辺にて各端子部材のリード部に搭載した、ＣＯＬ構造としたもので、各端子部材のハーフエッチング面１１４ａ側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを端子面として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている。
【選択図】 図１
【解決手段】樹脂封止型半導体装置で、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている各端子部材１１０を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部１１１の端子面１１２ａが、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部１１２を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、半導体素子１２０の端子面１２０ａの周辺に各端子部材のリード部１１４を搭載した、ＬＯＣ構造、あるいは、半導体素子をその端子面でない裏面の周辺にて各端子部材のリード部に搭載した、ＣＯＬ構造としたもので、各端子部材のハーフエッチング面１１４ａ側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを端子面として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エッチング形成した端子部材を用いた、小型、薄型の樹脂封止型半導体装置と、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に対応するために、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装することが要求され、それにともなって、半導体部品の小型化、薄型化が進んでおり、更なる薄型化を廉価に達成できるパッケージが求められている。
このような状況のもと、薄型化に対応するものとして、特開平１１−３０７６７５号公報に記載の接続用リードの上面及び下面を露出させた構造の樹脂封止型半導体装置や、特開平１１−２６０９８９号公報に記載の接続用リードの一部を露出して外部端子としている樹脂封止型半導体装置が提案されている。
特開平１１−３０７６７５号や 特開平１１−２６０９８９号公報に記載のものは、ダイパッドを備えた樹脂封止型半導体装置で、特にセンターパッド配列の半導体素子を用いた場合、薄型化は十分なものでない。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−３０７６７５号公報
【特許文献２】
特開平１１−２６０９８９号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、近年、半導体部品の小型化、薄型化が進んでおり、更なる薄型化を廉価に達成できるパッケージが求められており、この対応が求められていた。
本発明はこれらに対応するもので、具体的には、半導体部品の更なる小型化、薄型化を廉価に達成でき、量産性に適した、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎｌｅａｄ）パッケージあるいはＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎｌｅａｄ）パッケージ構造の半導体装置を提供しようとするものである。
同時に、このような樹脂封止型半導体装置の製造方法の提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の樹脂封止型半導体装置は、外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、半導体素子１つとを用い、半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、半導体素子の端子面の周辺に各端子部材のリード部を搭載した、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造、あるいは、半導体素子をその端子面でない裏面の周辺にて各端子部材のリード部に搭載した、ＣＯＬ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｌｅａｄ）構造としたもので、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを端子面として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とするものである。
そして、上記の樹脂封止型半導体装置おいて、半導体素子がセンターパッド配列で、該半導体素子の端子面の周辺に各端子部材のリード部を搭載した、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造としていることを特徴とするものである。
あるいは、本発明の樹脂封止型半導体装置は、外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、半導体素子２つ以上を積層した状態とし、各半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、センターパッド配列の半導体素子の端子面の周辺に各端子部材のリード部を搭載した、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造とし、該センターパッド配列の半導体素子の端子面でない裏面上に、一番上以外をペリフェラルパッド配列の半導体素子として、順次、その裏面側を前記センターパッド配列の半導体素子側に向けて、半導体素子を重ねて搭載したもので、各端子部材は、リード部のハーフエッチング面に対向する側の面にて前記センターパッド配列の半導体素子に搭載し、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを端子面として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とするものである。
そして、上記のいずれかの樹脂封止型半導体装置おいて、樹脂封止されて、全体が板状方形であることを特徴とするものである。
【０００６】
あるいはまた、本発明の樹脂封止型半導体装置は、外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、半導体素子１つとを用い、半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、半導体素子の端子面の周辺に各端子部材のリード部を搭載した、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造、あるいは、半導体素子をその端子面でない裏面の周辺にて各端子部材のリード部に搭載した、ＣＯＬ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｌｅａｄ）構造としたもので、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面を端子面として、また各端子部材の外側側面を含む側面部を端子部として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とするものである。
そして、上記の樹脂封止型半導体装置おいて、半導体素子がセンターパッド配列で、該半導体素子の端子面の周辺に各端子部材のリード部を搭載した、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造としていることを特徴とするものである。
更にまた、本発明の樹脂封止型半導体装置は、外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、半導体素子２つ以上を積層した状態とし、各半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、センターパッド配列の半導体素子の端子面の周辺に各端子部材のリード部を搭載した、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造とし、該センターパッド配列の半導体素子の端子面でない裏面上に、一番上以外をペリフェラルパッド配列の半導体素子として、順次、その裏面側を前記センターパッド配列の半導体素子側に向けて、半導体素子を重ねて搭載したもので、各端子部材は、内部端子部のハーフエッチング面に対向する側の面にて前記センターパッド配列の半導体素子に搭載し、該センターパッド配列の半導体素子の端子面でない裏面上に、ペリフェラルパッド配列の半導体素子を互いに裏面を合せるようにして重ねて搭載したもので、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面を端子面として、また各端子部材の外側側面を含む側面部を端子部として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とするものである。
【０００７】
また、上記のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置において、外部端子部の外側側面部に切り欠け部を設けていることを特徴とするものである。
また、上記のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置おいて、端子部材は、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなることを特徴とするものである。
また、上記のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置において、内部端子部の端子面および外部端子部の表裏の端子面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層を、接続用のめっき層として設けていることを特徴とするものである。
【０００８】
第１の本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項１ないし４のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（ａ）１つの樹脂封止型半導体装置の各端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、端子部材の外部端子部側を支持部で連結した状態で、面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（ｂ）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（ｃ）加工シートを固定した状態で、面付け分だけ、半導体素子を所定の位置に位置決めして、各端子部材のリード部上に搭載する半導体素子搭載工程と、（ｄ）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（ｅ）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側を覆うように平面状に、モールド用のテープを貼る、平面状に貼る、テープ貼り工程と、（ｆ）モールド用のテープ側は、テープに添わせ、反対側はキャビティを設けるように、表裏をモールド固定用の平板にて囲み、加工シート全体について、一括してモールドを行う、一括モールド工程と、（ｇ）表裏のモールド固定用の平板、テープを除去し、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とするものである。
【０００９】
第２の本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項５ないし７のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（ａ１）１つの樹脂封止型半導体装置の各端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、端子部材の外部端子部側を支持部で連結した状態で、面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（ｂ１）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（ｃ１）加工シートを固定した状態で、面付け分だけ、半導体素子を所定の位置に位置決めして、各端子部材のリード部上に搭載する半導体素子搭載工程と、（ｄ１）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（ｅ１）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側を覆うように平面状に、モールド用のテープを貼る、平面状に貼る、テープ貼り工程と、（ｆ１）モールド用のテープ側は、テープに添わせ、モールド固定用の平板にて固定し、反対側には、所定の面付け数をまかなう所定の型を設け、前記モールド固定用の平板と前記型間を樹脂で埋めるモールドを行う、モールド工程と、（ｇ１）モールド固定用の平板、テープを除去し、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】
本発明の樹脂封止型半導体装置は、このような構成にすることにより、半導体部品の更なる小型化、薄型化を廉価に達成でき、量産性に適したＱＦＮパッケージあるいはＳＯＮパッケージ構造の半導体装置の提供を可能にしている。
即ち、ハーフエッチング法にて作製され、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材と、半導体素子とを用い、具体的には、端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、半導体素子の端子面の周辺に端子部材の各端子部材のリード部を搭載した、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造、あるいは、半導体素子をその端子面でない裏面の周辺にて各端子部材のリード部に搭載した、ＣＯＬ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｌｅａｄ）構造としたもので、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを端子面として露出させ、あるいは、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面を端子面として、また各端子部材の外側側面を含む側面部を端子部として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることにより、これを達成している。
また、ワイヤボンディング接続をとっていることにより、接続作業性を良いものとし、且つ、接続信頼性を良いものとしている。
また、後述する、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、面付け状態で作製でき、量産性の良い構造といえる。
特に、樹脂封止されて、全体が板状方形で、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを端子面として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている場合には、樹脂封止工程（モールド工程）において、特別な型を設ける必要はなく、一括モールドが簡単に行え、量産性、設備の面からも好ましい構造と言える。
また、特に、ＬＯＣ構造で、半導体素子をセンターパッド配列とすることにより、より一層の薄型化を達成できるものとしている。
尚、外部端子部の外側側面部に切り欠け部を設けていることにより、個片化の際の切断を容易なものとしている。
端子部材としては、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなるものが挙げられる。
また、内部端子部の端子面および外部端子部の表裏の端子面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層を、接続用のめっき層としていることにより、ワイヤボンディング接続を信頼性良いものとしている。
【００１１】
第１の本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、このような構成にすることにより、請求項１ないし４の発明の薄型の樹脂封止型半導体装置を、量産性良く製造できるものとしている。
また、第２の本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、このような構成にすることにより、請求項５ないし７の発明の薄型の樹脂封止型半導体装置を、量産性良く製造できるものとしている。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例の断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ１側から透視してみた図で、図２（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例の断面図で、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ１側から透視してみた図で、図３（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例の断面図で、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ１側から透視してみた図で、図４（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例の断面図で、図４（ｂ）は図４（ａ）のＤ１側から透視してみた図で、図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）はそれぞれ第１の例、第２の例、第３の例の変形例の断面図で、図６（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第５の例の断面図で、図６（ｂ）は図６（ａ）のＥ１側から透視してみた図で、図７（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第６の例の断面図で、図７（ｂ）は図７（ａ）のＦ１側から透視してみた図で、図８（ａ）、図８（ｂ）はそれぞれ第５の例、第６の例の変形例の断面図で、図９は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の１例の製造工程の一部を示した工程断面図で、図１０は図９に続く工程を示した工程断面図で、図１１はダイシングソーによる切断状態を示した図である。
尚、図１（ａ）は図１（ｂ）のＡ１−Ａ２側から見た図で、図２（ａ）は図２（ｂ）のＢ１−Ｂ２側から見た図で、図３（ａ）は図３（ｂ）のＣ１−Ｃ２側から見た図で、図４（ａ）は図４（ｂ）のＤ１−Ｄ２側から見た図で、図６（ａ）は図６（ｂ）のＥ１−Ｅ２側から見た図で、図７（ａ）は図７（ｂ）のＦ１−Ｆ２側から見た図である。
また、図１０（ｉ）における両方向矢印は、ダイシングソーの昇降方向を示している。
図１〜図１１中、１１０は端子部材、１１１は内部端子部、１１２は外部端子部、１１２ａ、１１２ｂは端子面、１１３は連結部、１１４はリード部、１１４ａはハーフエッチング面、１１５は凹部（グルーブとも言う）、１１６は切り欠け部、１２０、１２０Ａは半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、１２０ａは端子面、１２１は端子、１２５、１２５Ａは半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、１２５ａは端子面、１２６は端子、１３０、１３５、１３５Ａはボンディングワイヤ、１４０は封止用樹脂、２１０は端子部材、２１１は内部端子部、２１２は外部端子部、２１２ａ、２１２ｂは端子面、、２１４はリード部、２１４ａはハーフエッチング面、２１５は凹部（グルーブとも言う）、２１６は切り欠け部、２２０は半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、２２０ａは端子面、２２１は端子、２２５は半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、２２５ａは端子面、２２６は端子、２３０、２３５はボンディングワイヤ、２４０は封止用樹脂、
３１０は加工用素材、３１０Ａは加工シート、３２０はレジスト、３２５は開口、３３０は端子部材、３３１は内部端子部、３３２は外部端子部、３３４は凹部、３３４Ａは切り欠け部、３３５は凹部（グルーブとも言う）、３３６は支持部（連結部とも言う）、３３７はリード部、３３７ａはハーフエッチング面、３４０は半導体素子、３４１は端子部、３５０はボンディングワイヤ、３６０は（モールド用の）テープ、３６５は（切断用の）テープ、３７１、３７２はモールド固定用の平板、３８０は封止用樹脂、４０１は単位の樹脂封止型半導体装置、４１０Ａは加工シート、４１５は枠部、４１６は治具孔、４１７は長孔部、４８５は切断ラインである。
【００１３】
はじめに、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例を図１に基づいて説明する。
第１の例は、外部回路と接続するための外部端子部１１２と、半導体素子と接続するための内部端子部１１１をその一部として含むリード部１１４とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材（図示していない）から、外部端子部１１２の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部１１４をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材１１０を、複数個と、センターパッド配列の半導体素子１２０とを用い、半導体素子１２０の所定の端子部１２１と所定の端子部材の内部端子部１１１とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した平板状方形の樹脂封止型半導体装置である。
そして、各端子部材１１０を同じ向きにし、外部端子部１１２の表裏の面およびリード部１１４のエッチング面１１４ａが、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部１１２を外側、内部端子部１１１を内側に向けて、各端子部材１１０を配しており、内部端子部１１１の端子面をエッチング面１１４ａとして、且つ、リード部１１４のハーフエッチング面１１４ａでない側の面を半導体素子の端子面１２０ａに載せるＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造のもので、各端子部材１１０のハーフエッチング面１１４ａ側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを、それぞれ端子面１１２ａ，１１２ｂとして露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている。
【００１４】
本例は、端子部材１１０の加工用素材（図示していない）の一面側が、露出するようにして樹脂封止していることにより、薄型化が達成できる。
また、半導体素子自体の厚さの薄化に対応しても、薄型化が達成できる。
本例では、加工用素材の厚さと半導体素子の総厚により、その厚さは決まる。
また、本例においては、ワイヤボンディング接続をとっていることにより、接続作業性を良いものとし、且つ、接続信頼性を良いものとしている。
また、本例は、後述する、（図９、図１０に示す）本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、面付け状態で作製できる、量産性に適した構造といえる。
また、本例は、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
【００１５】
端子部材１１０は、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金等が挙げられるが、通常は、導電性等から、Ｃｕ、Ｃｕ系合金が用いられる。
第１の例においては、外部端子部１１２の外側側面の端子面１１２ｂは切断部で、それ以外の表面には、接続用のめっき層が設けられている。
接続用のめっき層としては、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層が用いられる。
封止用樹脂１４０としては、通常、エポキシ系のものが用いられるが、これに限定はされない。
【００１６】
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例を図２に基づいて説明する。
第２の例の樹脂封止型半導体装置も、第１の例と同様に、外部回路と接続するための外部端子部１１２と、半導体素子と接続するための内部端子部１１１をその一部として含むリード部１１４とを、一体的に連結してなる同じ形状の端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材（図示していない）から、外部端子部１１２の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材１１０を、複数個と、センターパッド配列の半導体素子１２０とを用い、半導体素子１２０の所定の端子部１２１と所定の端子部材の内部端子部１１１とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した平板状方形の樹脂封止型半導体装置であり、各端子部材１１０を同じ向きにし、外部端子部１１２の表裏の面およびリード部１１４のエッチング面１１４ａが、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配している。
第２の例は、第１の例とは異なり、内部端子部１１１の端子面をリード部のエッチング面１１４ａと対向する面に設け、且つ、リード部１１４のハーフエッチング面１１４ａ側の面を半導体素子１２０の端子面１２０ａに載せるＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造のものである。
そして、第１の例と同様に、各端子部材１１０のハーフエッチング面１１４ａ側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを、それぞれ端子面１１２ａ，１１２ｂとして露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている。
第２の例も端子部材１１０の加工用素材（図示していない）の一面側が、露出するようにして樹脂封止していることにより、薄型化が達成できる。
半導体素子は加工用素材から端子部材のハーフエッチングの深さよりも薄いものが用いられる。
例えば、端子部材１１０の加工用素材の板厚を０． ２ｍｍ厚とした場合、０． １ｍｍ〜０． ０２５ｍｍ厚の半導体素子を用いることにより、薄型化が達成できる。
また、本例においても、ワイヤボンディング接続をとっていることにより、接続作業性を良いものとし、且つ、接続信頼性を良いものとしている。
また、本例も、半導体素子へのリード部の搭載向きが第１の例とは異なるが、基本的には、ほぼ同じように面付け状態で作製でき、量産性に適した構造と言える。
また、第１の例と同様に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
各部については第１の例と同じものが用いられる。
【００１７】
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例を図３に基づいて説明する。
第３の例の樹脂封止型半導体装置は、第１の例において、半導体素子１２０の端子面１２０ａ側でない裏面に、その対向する２辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の半導体装置１２５をその裏面側で積層して、半導体素子１２０とは反対側でリード部１１４とワイヤボンディング接続したものである。
第３の例も端子部材１１０の加工用素材（図示していない）の一面側が、第１の例と同様、露出するようにして樹脂封止していることにより、半導体素子を１つのパッケージ内に重ね搭載するタイプのものにおいて、薄型化が達成できる。半導体素子を２個用いるが基本的には第１の例と同様にして、面付けで作製することができる、量産性に適した構造で、また、第１の例と同様に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
各部については第１の例と同じものが用いられる。
【００１８】
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例を図４に基づいて説明する。
第４の例の樹脂封止型半導体装置は、第３の例において、半導体素子１２０を同じセンタパッド配列の半導体素子１２０Ａに代え、且つ、その対向する２辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の半導体装置１２５を、その４辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の半導体装置１２５Ａに代えて用い、更に、端子部材１１０を周辺４辺に沿い配設したものである。
半導体素子１２５Ａの端子１２６の端子部材との接続は、リード部１１４の、半導体素子１２０の接続の場合とは反対側の面で行なっている。
第４の例も端子部材１１０の加工用素材（図示していない）の一面側が、第１の例と同様、露出するようにして樹脂封止していることにより、薄型化が達成できる。
本例も、半導体素子を２個用いるが基本的には第１の例と同様にして、面付けで作製することができ、量産性に適した構造で、また、第１の例と同様に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
各部については第１の例と同じものが用いられる。
【００１９】
第１の例、第２の例、第３の例の変形例としては、樹脂のモールド領域がこれらとは若干異なり、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面を端子面として、また各端子部材の外側側面を含む側面部を端子部として露出させている形態の、それぞれ、図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）に示すものが挙げられる。
勿論、第４の例の変形例として、同様の形態を採るものを挙げることができる。
【００２０】
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第５の例を図６に基づいて説明する。
第５の例の樹脂封止型半導体装置は、第１の例と同じ端子部材２１０を、複数個と、その４辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の半導体装置２２０とを用い、半導体素子２２０の所定の端子部２２１と所定の端子部材の内部端子部２１１とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した平板状方形の樹脂封止型半導体装置である。
そして、各端子部材２１０を同じ向きにし、外部端子部２１２の表裏の面およびリード部２１４のエッチング面２１４ａが、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部２１２を外側、内部端子部２１１側を内側に向けて、各端子部材を配しており、内部端子部２１１の端子面をリード部のエッチング面２１４ａと対向する面に設け、且つ、半導体素子２２０をその端子面２２０ａでない裏面の周辺にて、各端子部材のリード部２１４に搭載した、ＣＯＬ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｌｅａｄ）構造としたものである。
そして、第１の例と同様に、各端子部材２１０のハーフエッチング面２１４ａ側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを、それぞれ端子面２１２ａ，２１２ｂとして露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている。
半導体素子２２０以外の各部については、第１の例と同じものが適用でき、その作製も、面付け作製ができる量産性に適した構造のもので、樹脂モールドに際しては、第１の例の場合と同様、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
各部については第１の例と同じものが用いられる。
【００２１】
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第６の例を図７に基づいて説明する。
第６の例の樹脂封止型半導体装置は、第５の例において、半導体素子２２０の端子面２２０ａ上に、その４辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の半導体装置２２５をその裏面側で積層して、半導体素子２２０とは同じ側でリード部１１４とワイヤボンディング接続したものである。
第６の例も端子部材２１０の加工用素材（図示していない）の一面側が、第１の例と同様、露出するようにして樹脂封止していることにより、半導体素子を１つのパッケージ内に重ね搭載するタイプのものにおいて、薄型化が達成できる。
本例も、半導体素子を２個用いるが基本的には第１の例と同様にして、面付けで作製することができ、量産性に適した構造で、また、第１の例と同様に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
各部については第１の例と同じものが用いられる。
【００２２】
第５の例、第６の例の変形例としては、樹脂のモールド領域がこれらとは若干異なり、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面を端子面として、また各端子部材の外側側面を含む側面部を端子部として露出させている形態の、それぞれ、図８（ａ）、図８（ｂ）に示すものが挙げられる。
【００２３】
次いで、第１の例の樹脂封止型半導体装置の製造方法の１例を図９、図１０に基づいて説明する。
尚、これを以って、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の１例の説明に代える。
先ず、加工用素材３１０の両面に所定形状にレジスト３２０を配設し（図９（ａ））、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、この配置状態に、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工法にて、両面からエッチングを行い、端子部材３３０を、支持部３３６にて連結した状態で、面付けして形成する。（図９（ｂ））
これにより、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、これが支持部３３５にて連結され面付けされた、加工シート３１０Ａを得る。
加工用素材３１０としては、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２合金（Ｎｉ４２％−Ｆｅ合金）等が用いられ、エッチング液としては、塩化第二鉄溶液が用いられる。
また、レジスト３２０としては、耐エッチング性のもので、所望の解像性を有し、処理性の良いものであれば特に限定はされない。
次いで、レジスト３２０を除去（図９（ｃ））後、洗浄処理等を施し、全面に接続用の表面めっきを施した（図示していない）後、面付け形成され、表面めっきが施された加工シート３１０Ａのハーフエッチング面３３７ａ側ではない側に、面付け分の数だけ、半導体素子３４０を所定の位置に位置決めして、端子部材３３０のリード部３３７に載せる。（図９（ｄ））
次いで、この状態で、各半導体素子３４０について、その端子３４１と端子部材３３０の内部端子部（図１の１１１に相当）のハーフエッチング面である端子面とをワイヤボンディング接続する。（図９（ｅ））
次いで、モールド用のテープ３６０を、加工シート３１０Ａのハーフエッチング面３３７ａ側を覆うように、平面状に貼る。（図９（ｆ））
次いで、表裏をモールド固定用の平板３７１、３７２にて挟み、加工シート３１０Ａ全体について、一括してモールドを行う。（図１０（ｇ））
尚、加工シート３１０Ａの端子部材３３０を支持する支持部３３５は、通りぬけ孔等を設けたもので、モールドの際、各面付け間モールド用の樹脂が通りぬけできるような形状になっている。
このようにして、図１に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置は製造することができる。
【００２４】
次いで、表裏のモールド固定用の平板３７１、３７２を除去し、更にテープ３６０を除去し（図１０（ｈ））、切断用のテープ３６５を貼り（図１０（ｉ））、該切断用のテープ３６５とは反対側からダイシングソー（図示していない）にて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る。（図１０（ｊ））
ダイシングソー（図示していない）による切断状態は、例えば、図１１（ａ）や、図１１（ｂ）のようになる。
尚、図１１において、単位の樹脂封止型半導体装置４０１は、切断ライン４８５にて互いに分けられた各領域であり、ここでは、説明を分かり易くするため図示していないが、図１０の支持部３３５を凹部３３４で切断する。
加工シート３１０Ａは、フレームとも呼ばれる。
また、この切断面が、作製される樹脂封止型半導体装置の外部端子の外側側面となる。
尚、切り欠け部３３４Ａの切断された面でない面には接続用のめっきが配設されておりこの部分は接続用に利用し易い。
このようにして、図１に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置は製造することができる。
【００２５】
第２の例〜第６の例の製造は、半導体素子と端子部材のリード部との位置関係は異なる、あるいは、半導体素子を積層する工程やワイヤボンディング工程が余分にあっても、大筋は、上記第１の例の製造と同様にして行うことができる。
【００２６】
図５に示す、第１の例〜第３の例の変形例や、図８に示す第５の例、第６の例のように、
各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面を端子面として、また各端子部材の外側側面を含む側面部を端子部として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂のモールドしている形態のものの、樹脂モールドは、図９〜図１０に示す製造方法のように面付け状態で半導体素子を搭載し、更にワイヤボンディング接続を行った後、露出させる外部端子部の端子面は、上記製造法方と同様、平板で抑え、反対側に、所定の型を用いて所定のキャビティーを形成して、分割方式により、繰り返し行う。
例えば、図１１（ａ）に示す、１６個分の型を用い、領域Ｇ毎に繰り返して行う。
【００２７】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、更なる薄型化を廉価に達成でき、且つ、量産性に適した構造の樹脂封止型半導体装置の提供を可能とした。
特に、センタパッド配列の半導体素子を用いたＱＦＮパッケージあるいはＳＯＮパッケージ構造の樹脂封止型半導体装置の薄型化を達成できるものとした。
同時に、このような薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法の提供を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例の断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ１側から透視してみた図である。
【図２】図２（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例の断面図で、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ１側から透視してみた図である。
【図３】図３（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例の断面図で、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ１側から透視してみた図である。
【図４】図４（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例の断面図で、図４（ｂ）は図４（ａ）のＤ１側から透視してみた図である。
【図５】図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）はそれぞれ第１の例、第２の例、第３の例の変形例の断面図である。
【図６】図６（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第５の例の断面図で、図６（ｂ）は図６（ａ）のＥ１側から透視してみた図である。
【図７】図７（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第６の例の断面図で、図７（ｂ）は図７（ａ）のＦ１側から透視してみた図である。
【図８】図８（ａ）、図８（ｂ）はそれぞれ第５の例、第６の例の変形例の断面図である。
【図９】図９は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の１例の製造工程の一部を示した工程断面図である。
【図１０】図９に続く工程を示した工程断面図である。
【図１１】ダイシングソーによる切断状態を示した図である。
【符号の説明】
１１０ 端子部材
１１１ 内部端子部
１１２ 外部端子部
１１２ａ、１１２ｂ 端子面
１１３ 連結部
１１４ リード部
１１４ａ ハーフエッチング面
１１５ 凹部（グルーブとも言う）
１１６ 切り欠け部
１２０、１２０Ａ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
１２０ａ 端子面
１２１ 端子
１２５、１２５Ａ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
１２５ａ 端子面
１２６ 端子
１３０、１３５、１３５Ａ ボンディングワイヤ
１４０ 封止用樹脂
２１０ 端子部材
２１１ 内部端子部
２１２ 外部端子部
２１２ａ、２１２ｂ 端子面
２１４ リード部
２１４ａ ハーフエッチング面
２１５ 凹部（グルーブとも言う）
２１６ 切り欠け部
２２０ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
２２０ａ 端子面
２２１ 端子
２２５ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
２２５ａ 端子面
２２６ 端子
２３０、２３５ ボンディングワイヤ
２４０ 封止用樹脂
３１０ 加工用素材
３１０Ａ 加工シート
３２０ レジスト
３２５ 開口
３３０ 端子部材
３３１ 内部端子部
３３２ 外部端子部
３３４ 凹部
３３４Ａ 切り欠け部
３３５ 凹部（グルーブとも言う）
３３６ 支持部（連結部とも言う）
３３７ リード部
３３７ａ ハーフエッチング面
３４０ 半導体素子
３４１ 端子部
３５０ ボンディングワイヤ
３６０ （モールド用の）テープ
３６５ （切断用の）テープ
３７１、３７２ モールド固定用の平板
３８０ 封止用樹脂
４０１ 単位の樹脂封止型半導体装置
４１０Ａ 加工シート
４１５ 枠部
４１６ 治具孔
４１７ 長孔部
４８５ 切断ライン
【発明の属する技術分野】
本発明は、エッチング形成した端子部材を用いた、小型、薄型の樹脂封止型半導体装置と、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に対応するために、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装することが要求され、それにともなって、半導体部品の小型化、薄型化が進んでおり、更なる薄型化を廉価に達成できるパッケージが求められている。
このような状況のもと、薄型化に対応するものとして、特開平１１−３０７６７５号公報に記載の接続用リードの上面及び下面を露出させた構造の樹脂封止型半導体装置や、特開平１１−２６０９８９号公報に記載の接続用リードの一部を露出して外部端子としている樹脂封止型半導体装置が提案されている。
特開平１１−３０７６７５号や 特開平１１−２６０９８９号公報に記載のものは、ダイパッドを備えた樹脂封止型半導体装置で、特にセンターパッド配列の半導体素子を用いた場合、薄型化は十分なものでない。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−３０７６７５号公報
【特許文献２】
特開平１１−２６０９８９号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、近年、半導体部品の小型化、薄型化が進んでおり、更なる薄型化を廉価に達成できるパッケージが求められており、この対応が求められていた。
本発明はこれらに対応するもので、具体的には、半導体部品の更なる小型化、薄型化を廉価に達成でき、量産性に適した、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎｌｅａｄ）パッケージあるいはＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎｌｅａｄ）パッケージ構造の半導体装置を提供しようとするものである。
同時に、このような樹脂封止型半導体装置の製造方法の提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の樹脂封止型半導体装置は、外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、半導体素子１つとを用い、半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、半導体素子の端子面の周辺に各端子部材のリード部を搭載した、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造、あるいは、半導体素子をその端子面でない裏面の周辺にて各端子部材のリード部に搭載した、ＣＯＬ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｌｅａｄ）構造としたもので、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを端子面として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とするものである。
そして、上記の樹脂封止型半導体装置おいて、半導体素子がセンターパッド配列で、該半導体素子の端子面の周辺に各端子部材のリード部を搭載した、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造としていることを特徴とするものである。
あるいは、本発明の樹脂封止型半導体装置は、外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、半導体素子２つ以上を積層した状態とし、各半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、センターパッド配列の半導体素子の端子面の周辺に各端子部材のリード部を搭載した、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造とし、該センターパッド配列の半導体素子の端子面でない裏面上に、一番上以外をペリフェラルパッド配列の半導体素子として、順次、その裏面側を前記センターパッド配列の半導体素子側に向けて、半導体素子を重ねて搭載したもので、各端子部材は、リード部のハーフエッチング面に対向する側の面にて前記センターパッド配列の半導体素子に搭載し、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを端子面として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とするものである。
そして、上記のいずれかの樹脂封止型半導体装置おいて、樹脂封止されて、全体が板状方形であることを特徴とするものである。
【０００６】
あるいはまた、本発明の樹脂封止型半導体装置は、外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、半導体素子１つとを用い、半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、半導体素子の端子面の周辺に各端子部材のリード部を搭載した、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造、あるいは、半導体素子をその端子面でない裏面の周辺にて各端子部材のリード部に搭載した、ＣＯＬ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｌｅａｄ）構造としたもので、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面を端子面として、また各端子部材の外側側面を含む側面部を端子部として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とするものである。
そして、上記の樹脂封止型半導体装置おいて、半導体素子がセンターパッド配列で、該半導体素子の端子面の周辺に各端子部材のリード部を搭載した、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造としていることを特徴とするものである。
更にまた、本発明の樹脂封止型半導体装置は、外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、半導体素子２つ以上を積層した状態とし、各半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、センターパッド配列の半導体素子の端子面の周辺に各端子部材のリード部を搭載した、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造とし、該センターパッド配列の半導体素子の端子面でない裏面上に、一番上以外をペリフェラルパッド配列の半導体素子として、順次、その裏面側を前記センターパッド配列の半導体素子側に向けて、半導体素子を重ねて搭載したもので、各端子部材は、内部端子部のハーフエッチング面に対向する側の面にて前記センターパッド配列の半導体素子に搭載し、該センターパッド配列の半導体素子の端子面でない裏面上に、ペリフェラルパッド配列の半導体素子を互いに裏面を合せるようにして重ねて搭載したもので、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面を端子面として、また各端子部材の外側側面を含む側面部を端子部として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とするものである。
【０００７】
また、上記のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置において、外部端子部の外側側面部に切り欠け部を設けていることを特徴とするものである。
また、上記のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置おいて、端子部材は、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなることを特徴とするものである。
また、上記のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置において、内部端子部の端子面および外部端子部の表裏の端子面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層を、接続用のめっき層として設けていることを特徴とするものである。
【０００８】
第１の本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項１ないし４のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（ａ）１つの樹脂封止型半導体装置の各端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、端子部材の外部端子部側を支持部で連結した状態で、面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（ｂ）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（ｃ）加工シートを固定した状態で、面付け分だけ、半導体素子を所定の位置に位置決めして、各端子部材のリード部上に搭載する半導体素子搭載工程と、（ｄ）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（ｅ）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側を覆うように平面状に、モールド用のテープを貼る、平面状に貼る、テープ貼り工程と、（ｆ）モールド用のテープ側は、テープに添わせ、反対側はキャビティを設けるように、表裏をモールド固定用の平板にて囲み、加工シート全体について、一括してモールドを行う、一括モールド工程と、（ｇ）表裏のモールド固定用の平板、テープを除去し、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とするものである。
【０００９】
第２の本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項５ないし７のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（ａ１）１つの樹脂封止型半導体装置の各端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、端子部材の外部端子部側を支持部で連結した状態で、面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（ｂ１）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（ｃ１）加工シートを固定した状態で、面付け分だけ、半導体素子を所定の位置に位置決めして、各端子部材のリード部上に搭載する半導体素子搭載工程と、（ｄ１）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（ｅ１）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側を覆うように平面状に、モールド用のテープを貼る、平面状に貼る、テープ貼り工程と、（ｆ１）モールド用のテープ側は、テープに添わせ、モールド固定用の平板にて固定し、反対側には、所定の面付け数をまかなう所定の型を設け、前記モールド固定用の平板と前記型間を樹脂で埋めるモールドを行う、モールド工程と、（ｇ１）モールド固定用の平板、テープを除去し、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】
本発明の樹脂封止型半導体装置は、このような構成にすることにより、半導体部品の更なる小型化、薄型化を廉価に達成でき、量産性に適したＱＦＮパッケージあるいはＳＯＮパッケージ構造の半導体装置の提供を可能にしている。
即ち、ハーフエッチング法にて作製され、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材と、半導体素子とを用い、具体的には、端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、半導体素子の端子面の周辺に端子部材の各端子部材のリード部を搭載した、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造、あるいは、半導体素子をその端子面でない裏面の周辺にて各端子部材のリード部に搭載した、ＣＯＬ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｌｅａｄ）構造としたもので、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを端子面として露出させ、あるいは、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面を端子面として、また各端子部材の外側側面を含む側面部を端子部として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることにより、これを達成している。
また、ワイヤボンディング接続をとっていることにより、接続作業性を良いものとし、且つ、接続信頼性を良いものとしている。
また、後述する、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、面付け状態で作製でき、量産性の良い構造といえる。
特に、樹脂封止されて、全体が板状方形で、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを端子面として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている場合には、樹脂封止工程（モールド工程）において、特別な型を設ける必要はなく、一括モールドが簡単に行え、量産性、設備の面からも好ましい構造と言える。
また、特に、ＬＯＣ構造で、半導体素子をセンターパッド配列とすることにより、より一層の薄型化を達成できるものとしている。
尚、外部端子部の外側側面部に切り欠け部を設けていることにより、個片化の際の切断を容易なものとしている。
端子部材としては、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなるものが挙げられる。
また、内部端子部の端子面および外部端子部の表裏の端子面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層を、接続用のめっき層としていることにより、ワイヤボンディング接続を信頼性良いものとしている。
【００１１】
第１の本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、このような構成にすることにより、請求項１ないし４の発明の薄型の樹脂封止型半導体装置を、量産性良く製造できるものとしている。
また、第２の本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、このような構成にすることにより、請求項５ないし７の発明の薄型の樹脂封止型半導体装置を、量産性良く製造できるものとしている。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例の断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ１側から透視してみた図で、図２（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例の断面図で、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ１側から透視してみた図で、図３（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例の断面図で、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ１側から透視してみた図で、図４（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例の断面図で、図４（ｂ）は図４（ａ）のＤ１側から透視してみた図で、図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）はそれぞれ第１の例、第２の例、第３の例の変形例の断面図で、図６（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第５の例の断面図で、図６（ｂ）は図６（ａ）のＥ１側から透視してみた図で、図７（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第６の例の断面図で、図７（ｂ）は図７（ａ）のＦ１側から透視してみた図で、図８（ａ）、図８（ｂ）はそれぞれ第５の例、第６の例の変形例の断面図で、図９は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の１例の製造工程の一部を示した工程断面図で、図１０は図９に続く工程を示した工程断面図で、図１１はダイシングソーによる切断状態を示した図である。
尚、図１（ａ）は図１（ｂ）のＡ１−Ａ２側から見た図で、図２（ａ）は図２（ｂ）のＢ１−Ｂ２側から見た図で、図３（ａ）は図３（ｂ）のＣ１−Ｃ２側から見た図で、図４（ａ）は図４（ｂ）のＤ１−Ｄ２側から見た図で、図６（ａ）は図６（ｂ）のＥ１−Ｅ２側から見た図で、図７（ａ）は図７（ｂ）のＦ１−Ｆ２側から見た図である。
また、図１０（ｉ）における両方向矢印は、ダイシングソーの昇降方向を示している。
図１〜図１１中、１１０は端子部材、１１１は内部端子部、１１２は外部端子部、１１２ａ、１１２ｂは端子面、１１３は連結部、１１４はリード部、１１４ａはハーフエッチング面、１１５は凹部（グルーブとも言う）、１１６は切り欠け部、１２０、１２０Ａは半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、１２０ａは端子面、１２１は端子、１２５、１２５Ａは半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、１２５ａは端子面、１２６は端子、１３０、１３５、１３５Ａはボンディングワイヤ、１４０は封止用樹脂、２１０は端子部材、２１１は内部端子部、２１２は外部端子部、２１２ａ、２１２ｂは端子面、、２１４はリード部、２１４ａはハーフエッチング面、２１５は凹部（グルーブとも言う）、２１６は切り欠け部、２２０は半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、２２０ａは端子面、２２１は端子、２２５は半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、２２５ａは端子面、２２６は端子、２３０、２３５はボンディングワイヤ、２４０は封止用樹脂、
３１０は加工用素材、３１０Ａは加工シート、３２０はレジスト、３２５は開口、３３０は端子部材、３３１は内部端子部、３３２は外部端子部、３３４は凹部、３３４Ａは切り欠け部、３３５は凹部（グルーブとも言う）、３３６は支持部（連結部とも言う）、３３７はリード部、３３７ａはハーフエッチング面、３４０は半導体素子、３４１は端子部、３５０はボンディングワイヤ、３６０は（モールド用の）テープ、３６５は（切断用の）テープ、３７１、３７２はモールド固定用の平板、３８０は封止用樹脂、４０１は単位の樹脂封止型半導体装置、４１０Ａは加工シート、４１５は枠部、４１６は治具孔、４１７は長孔部、４８５は切断ラインである。
【００１３】
はじめに、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例を図１に基づいて説明する。
第１の例は、外部回路と接続するための外部端子部１１２と、半導体素子と接続するための内部端子部１１１をその一部として含むリード部１１４とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材（図示していない）から、外部端子部１１２の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部１１４をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材１１０を、複数個と、センターパッド配列の半導体素子１２０とを用い、半導体素子１２０の所定の端子部１２１と所定の端子部材の内部端子部１１１とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した平板状方形の樹脂封止型半導体装置である。
そして、各端子部材１１０を同じ向きにし、外部端子部１１２の表裏の面およびリード部１１４のエッチング面１１４ａが、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部１１２を外側、内部端子部１１１を内側に向けて、各端子部材１１０を配しており、内部端子部１１１の端子面をエッチング面１１４ａとして、且つ、リード部１１４のハーフエッチング面１１４ａでない側の面を半導体素子の端子面１２０ａに載せるＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造のもので、各端子部材１１０のハーフエッチング面１１４ａ側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを、それぞれ端子面１１２ａ，１１２ｂとして露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている。
【００１４】
本例は、端子部材１１０の加工用素材（図示していない）の一面側が、露出するようにして樹脂封止していることにより、薄型化が達成できる。
また、半導体素子自体の厚さの薄化に対応しても、薄型化が達成できる。
本例では、加工用素材の厚さと半導体素子の総厚により、その厚さは決まる。
また、本例においては、ワイヤボンディング接続をとっていることにより、接続作業性を良いものとし、且つ、接続信頼性を良いものとしている。
また、本例は、後述する、（図９、図１０に示す）本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、面付け状態で作製できる、量産性に適した構造といえる。
また、本例は、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
【００１５】
端子部材１１０は、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金等が挙げられるが、通常は、導電性等から、Ｃｕ、Ｃｕ系合金が用いられる。
第１の例においては、外部端子部１１２の外側側面の端子面１１２ｂは切断部で、それ以外の表面には、接続用のめっき層が設けられている。
接続用のめっき層としては、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層が用いられる。
封止用樹脂１４０としては、通常、エポキシ系のものが用いられるが、これに限定はされない。
【００１６】
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例を図２に基づいて説明する。
第２の例の樹脂封止型半導体装置も、第１の例と同様に、外部回路と接続するための外部端子部１１２と、半導体素子と接続するための内部端子部１１１をその一部として含むリード部１１４とを、一体的に連結してなる同じ形状の端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材（図示していない）から、外部端子部１１２の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材１１０を、複数個と、センターパッド配列の半導体素子１２０とを用い、半導体素子１２０の所定の端子部１２１と所定の端子部材の内部端子部１１１とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した平板状方形の樹脂封止型半導体装置であり、各端子部材１１０を同じ向きにし、外部端子部１１２の表裏の面およびリード部１１４のエッチング面１１４ａが、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配している。
第２の例は、第１の例とは異なり、内部端子部１１１の端子面をリード部のエッチング面１１４ａと対向する面に設け、且つ、リード部１１４のハーフエッチング面１１４ａ側の面を半導体素子１２０の端子面１２０ａに載せるＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造のものである。
そして、第１の例と同様に、各端子部材１１０のハーフエッチング面１１４ａ側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを、それぞれ端子面１１２ａ，１１２ｂとして露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている。
第２の例も端子部材１１０の加工用素材（図示していない）の一面側が、露出するようにして樹脂封止していることにより、薄型化が達成できる。
半導体素子は加工用素材から端子部材のハーフエッチングの深さよりも薄いものが用いられる。
例えば、端子部材１１０の加工用素材の板厚を０． ２ｍｍ厚とした場合、０． １ｍｍ〜０． ０２５ｍｍ厚の半導体素子を用いることにより、薄型化が達成できる。
また、本例においても、ワイヤボンディング接続をとっていることにより、接続作業性を良いものとし、且つ、接続信頼性を良いものとしている。
また、本例も、半導体素子へのリード部の搭載向きが第１の例とは異なるが、基本的には、ほぼ同じように面付け状態で作製でき、量産性に適した構造と言える。
また、第１の例と同様に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
各部については第１の例と同じものが用いられる。
【００１７】
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例を図３に基づいて説明する。
第３の例の樹脂封止型半導体装置は、第１の例において、半導体素子１２０の端子面１２０ａ側でない裏面に、その対向する２辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の半導体装置１２５をその裏面側で積層して、半導体素子１２０とは反対側でリード部１１４とワイヤボンディング接続したものである。
第３の例も端子部材１１０の加工用素材（図示していない）の一面側が、第１の例と同様、露出するようにして樹脂封止していることにより、半導体素子を１つのパッケージ内に重ね搭載するタイプのものにおいて、薄型化が達成できる。半導体素子を２個用いるが基本的には第１の例と同様にして、面付けで作製することができる、量産性に適した構造で、また、第１の例と同様に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
各部については第１の例と同じものが用いられる。
【００１８】
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例を図４に基づいて説明する。
第４の例の樹脂封止型半導体装置は、第３の例において、半導体素子１２０を同じセンタパッド配列の半導体素子１２０Ａに代え、且つ、その対向する２辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の半導体装置１２５を、その４辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の半導体装置１２５Ａに代えて用い、更に、端子部材１１０を周辺４辺に沿い配設したものである。
半導体素子１２５Ａの端子１２６の端子部材との接続は、リード部１１４の、半導体素子１２０の接続の場合とは反対側の面で行なっている。
第４の例も端子部材１１０の加工用素材（図示していない）の一面側が、第１の例と同様、露出するようにして樹脂封止していることにより、薄型化が達成できる。
本例も、半導体素子を２個用いるが基本的には第１の例と同様にして、面付けで作製することができ、量産性に適した構造で、また、第１の例と同様に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
各部については第１の例と同じものが用いられる。
【００１９】
第１の例、第２の例、第３の例の変形例としては、樹脂のモールド領域がこれらとは若干異なり、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面を端子面として、また各端子部材の外側側面を含む側面部を端子部として露出させている形態の、それぞれ、図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）に示すものが挙げられる。
勿論、第４の例の変形例として、同様の形態を採るものを挙げることができる。
【００２０】
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第５の例を図６に基づいて説明する。
第５の例の樹脂封止型半導体装置は、第１の例と同じ端子部材２１０を、複数個と、その４辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の半導体装置２２０とを用い、半導体素子２２０の所定の端子部２２１と所定の端子部材の内部端子部２１１とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した平板状方形の樹脂封止型半導体装置である。
そして、各端子部材２１０を同じ向きにし、外部端子部２１２の表裏の面およびリード部２１４のエッチング面２１４ａが、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部２１２を外側、内部端子部２１１側を内側に向けて、各端子部材を配しており、内部端子部２１１の端子面をリード部のエッチング面２１４ａと対向する面に設け、且つ、半導体素子２２０をその端子面２２０ａでない裏面の周辺にて、各端子部材のリード部２１４に搭載した、ＣＯＬ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｌｅａｄ）構造としたものである。
そして、第１の例と同様に、各端子部材２１０のハーフエッチング面２１４ａ側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを、それぞれ端子面２１２ａ，２１２ｂとして露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている。
半導体素子２２０以外の各部については、第１の例と同じものが適用でき、その作製も、面付け作製ができる量産性に適した構造のもので、樹脂モールドに際しては、第１の例の場合と同様、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
各部については第１の例と同じものが用いられる。
【００２１】
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第６の例を図７に基づいて説明する。
第６の例の樹脂封止型半導体装置は、第５の例において、半導体素子２２０の端子面２２０ａ上に、その４辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の半導体装置２２５をその裏面側で積層して、半導体素子２２０とは同じ側でリード部１１４とワイヤボンディング接続したものである。
第６の例も端子部材２１０の加工用素材（図示していない）の一面側が、第１の例と同様、露出するようにして樹脂封止していることにより、半導体素子を１つのパッケージ内に重ね搭載するタイプのものにおいて、薄型化が達成できる。
本例も、半導体素子を２個用いるが基本的には第１の例と同様にして、面付けで作製することができ、量産性に適した構造で、また、第１の例と同様に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
各部については第１の例と同じものが用いられる。
【００２２】
第５の例、第６の例の変形例としては、樹脂のモールド領域がこれらとは若干異なり、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面を端子面として、また各端子部材の外側側面を含む側面部を端子部として露出させている形態の、それぞれ、図８（ａ）、図８（ｂ）に示すものが挙げられる。
【００２３】
次いで、第１の例の樹脂封止型半導体装置の製造方法の１例を図９、図１０に基づいて説明する。
尚、これを以って、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の１例の説明に代える。
先ず、加工用素材３１０の両面に所定形状にレジスト３２０を配設し（図９（ａ））、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、この配置状態に、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工法にて、両面からエッチングを行い、端子部材３３０を、支持部３３６にて連結した状態で、面付けして形成する。（図９（ｂ））
これにより、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、これが支持部３３５にて連結され面付けされた、加工シート３１０Ａを得る。
加工用素材３１０としては、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２合金（Ｎｉ４２％−Ｆｅ合金）等が用いられ、エッチング液としては、塩化第二鉄溶液が用いられる。
また、レジスト３２０としては、耐エッチング性のもので、所望の解像性を有し、処理性の良いものであれば特に限定はされない。
次いで、レジスト３２０を除去（図９（ｃ））後、洗浄処理等を施し、全面に接続用の表面めっきを施した（図示していない）後、面付け形成され、表面めっきが施された加工シート３１０Ａのハーフエッチング面３３７ａ側ではない側に、面付け分の数だけ、半導体素子３４０を所定の位置に位置決めして、端子部材３３０のリード部３３７に載せる。（図９（ｄ））
次いで、この状態で、各半導体素子３４０について、その端子３４１と端子部材３３０の内部端子部（図１の１１１に相当）のハーフエッチング面である端子面とをワイヤボンディング接続する。（図９（ｅ））
次いで、モールド用のテープ３６０を、加工シート３１０Ａのハーフエッチング面３３７ａ側を覆うように、平面状に貼る。（図９（ｆ））
次いで、表裏をモールド固定用の平板３７１、３７２にて挟み、加工シート３１０Ａ全体について、一括してモールドを行う。（図１０（ｇ））
尚、加工シート３１０Ａの端子部材３３０を支持する支持部３３５は、通りぬけ孔等を設けたもので、モールドの際、各面付け間モールド用の樹脂が通りぬけできるような形状になっている。
このようにして、図１に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置は製造することができる。
【００２４】
次いで、表裏のモールド固定用の平板３７１、３７２を除去し、更にテープ３６０を除去し（図１０（ｈ））、切断用のテープ３６５を貼り（図１０（ｉ））、該切断用のテープ３６５とは反対側からダイシングソー（図示していない）にて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る。（図１０（ｊ））
ダイシングソー（図示していない）による切断状態は、例えば、図１１（ａ）や、図１１（ｂ）のようになる。
尚、図１１において、単位の樹脂封止型半導体装置４０１は、切断ライン４８５にて互いに分けられた各領域であり、ここでは、説明を分かり易くするため図示していないが、図１０の支持部３３５を凹部３３４で切断する。
加工シート３１０Ａは、フレームとも呼ばれる。
また、この切断面が、作製される樹脂封止型半導体装置の外部端子の外側側面となる。
尚、切り欠け部３３４Ａの切断された面でない面には接続用のめっきが配設されておりこの部分は接続用に利用し易い。
このようにして、図１に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置は製造することができる。
【００２５】
第２の例〜第６の例の製造は、半導体素子と端子部材のリード部との位置関係は異なる、あるいは、半導体素子を積層する工程やワイヤボンディング工程が余分にあっても、大筋は、上記第１の例の製造と同様にして行うことができる。
【００２６】
図５に示す、第１の例〜第３の例の変形例や、図８に示す第５の例、第６の例のように、
各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面を端子面として、また各端子部材の外側側面を含む側面部を端子部として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂のモールドしている形態のものの、樹脂モールドは、図９〜図１０に示す製造方法のように面付け状態で半導体素子を搭載し、更にワイヤボンディング接続を行った後、露出させる外部端子部の端子面は、上記製造法方と同様、平板で抑え、反対側に、所定の型を用いて所定のキャビティーを形成して、分割方式により、繰り返し行う。
例えば、図１１（ａ）に示す、１６個分の型を用い、領域Ｇ毎に繰り返して行う。
【００２７】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、更なる薄型化を廉価に達成でき、且つ、量産性に適した構造の樹脂封止型半導体装置の提供を可能とした。
特に、センタパッド配列の半導体素子を用いたＱＦＮパッケージあるいはＳＯＮパッケージ構造の樹脂封止型半導体装置の薄型化を達成できるものとした。
同時に、このような薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法の提供を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例の断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ１側から透視してみた図である。
【図２】図２（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例の断面図で、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ１側から透視してみた図である。
【図３】図３（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例の断面図で、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ１側から透視してみた図である。
【図４】図４（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例の断面図で、図４（ｂ）は図４（ａ）のＤ１側から透視してみた図である。
【図５】図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）はそれぞれ第１の例、第２の例、第３の例の変形例の断面図である。
【図６】図６（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第５の例の断面図で、図６（ｂ）は図６（ａ）のＥ１側から透視してみた図である。
【図７】図７（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第６の例の断面図で、図７（ｂ）は図７（ａ）のＦ１側から透視してみた図である。
【図８】図８（ａ）、図８（ｂ）はそれぞれ第５の例、第６の例の変形例の断面図である。
【図９】図９は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の１例の製造工程の一部を示した工程断面図である。
【図１０】図９に続く工程を示した工程断面図である。
【図１１】ダイシングソーによる切断状態を示した図である。
【符号の説明】
１１０ 端子部材
１１１ 内部端子部
１１２ 外部端子部
１１２ａ、１１２ｂ 端子面
１１３ 連結部
１１４ リード部
１１４ａ ハーフエッチング面
１１５ 凹部（グルーブとも言う）
１１６ 切り欠け部
１２０、１２０Ａ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
１２０ａ 端子面
１２１ 端子
１２５、１２５Ａ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
１２５ａ 端子面
１２６ 端子
１３０、１３５、１３５Ａ ボンディングワイヤ
１４０ 封止用樹脂
２１０ 端子部材
２１１ 内部端子部
２１２ 外部端子部
２１２ａ、２１２ｂ 端子面
２１４ リード部
２１４ａ ハーフエッチング面
２１５ 凹部（グルーブとも言う）
２１６ 切り欠け部
２２０ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
２２０ａ 端子面
２２１ 端子
２２５ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
２２５ａ 端子面
２２６ 端子
２３０、２３５ ボンディングワイヤ
２４０ 封止用樹脂
３１０ 加工用素材
３１０Ａ 加工シート
３２０ レジスト
３２５ 開口
３３０ 端子部材
３３１ 内部端子部
３３２ 外部端子部
３３４ 凹部
３３４Ａ 切り欠け部
３３５ 凹部（グルーブとも言う）
３３６ 支持部（連結部とも言う）
３３７ リード部
３３７ａ ハーフエッチング面
３４０ 半導体素子
３４１ 端子部
３５０ ボンディングワイヤ
３６０ （モールド用の）テープ
３６５ （切断用の）テープ
３７１、３７２ モールド固定用の平板
３８０ 封止用樹脂
４０１ 単位の樹脂封止型半導体装置
４１０Ａ 加工シート
４１５ 枠部
４１６ 治具孔
４１７ 長孔部
４８５ 切断ライン
Claims (12)
- 外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、半導体素子１つとを用い、半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、半導体素子の端子面の周辺に各端子部材のリード部を搭載した、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造、あるいは、半導体素子をその端子面でない裏面の周辺にて各端子部材のリード部に搭載した、ＣＯＬ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｌｅａｄ）構造としたもので、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを端子面として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
- 請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置おいて、半導体素子がセンターパッド配列で、該半導体素子の端子面の周辺に各端子部材のリード部を搭載した、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造としていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
- 外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、半導体素子２つ以上を積層した状態とし、各半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、センターパッド配列の半導体素子の端子面の周辺に各端子部材のリード部を搭載した、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造とし、該センターパッド配列の半導体素子の端子面でない裏面上に、一番上以外をペリフェラルパッド配列の半導体素子として、順次、その裏面側を前記センターパッド配列の半導体素子側に向けて、半導体素子を重ねて搭載したもので、各端子部材は、リード部のハーフエッチング面に対向する側の面にて前記センターパッド配列の半導体素子に搭載し、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを端子面として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
- 請求項１ないし２のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置おいて、樹脂封止されて、全体が板状方形であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
- 外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、半導体素子１つとを用い、半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、半導体素子の端子面の周辺に各端子部材のリード部を搭載した、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造、あるいは、半導体素子をその端子面でない裏面の周辺にて各端子部材のリード部に搭載した、ＣＯＬ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｌｅａｄ）構造としたもので、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面を端子面として、また各端子部材の外側側面を含む側面部を端子部として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
- 請求項５に記載の樹脂封止型半導体装置おいて、半導体素子がセンターパッド配列で、該半導体素子の端子面の周辺に各端子部材のリード部を搭載した、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造としていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
- 外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、半導体素子２つ以上を積層した状態とし、各半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、
各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、センターパッド配列の半導体素子の端子面の周辺に各端子部材のリード部を搭載した、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造とし、該センターパッド配列の半導体素子の端子面でない裏面上に、一番上以外をペリフェラルパッド配列の半導体素子として、順次、その裏面側を前記センターパッド配列の半導体素子側に向けて、半導体素子を重ねて搭載したもので、各端子部材は、内部端子部のハーフエッチング面に対向する側の面にて前記センターパッド配列の半導体素子に搭載し、該センターパッド配列の半導体素子の端子面でない裏面上に、ペリフェラルパッド配列の半導体素子を互いに裏面を合せるようにして重ねて搭載したもので、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面を端子面として、また各端子部材の外側側面を含む側面部を端子部として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 請求項１ないし７のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置において、外部端子部の外側側面部に切り欠け部を設けていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
- 請求項１ないし８のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置おいて、端子部材は、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
- 請求項１ないし９のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置において、内部端子部の端子面および外部端子部の表裏の端子面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層を、接続用のめっき層として設けていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
- 請求項１ないし４のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（ａ）１つの樹脂封止型半導体装置の各端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、端子部材の外部端子部側を支持部で連結した状態で、面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（ｂ）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（ｃ）加工シートを固定した状態で、面付け分だけ、半導体素子を所定の位置に位置決めして、各端子部材のリード部上に搭載する半導体素子搭載工程と、（ｄ）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（ｅ）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側を覆うように平面状に、モールド用のテープを貼る、平面状に貼る、テープ貼り工程と、（ｆ）モールド用のテープ側は、テープに添わせ、反対側はキャビティを設けるように、表裏をモールド固定用の平板にて囲み、加工シート全体について、一括してモールドを行う、一括モールド工程と、（ｇ）表裏のモールド固定用の平板、テープを除去し、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
- 請求項５ないし７のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（ａ１）１つの樹脂封止型半導体装置の各端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、端子部材の外部端子部側を支持部で連結した状態で、面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（ｂ１）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（ｃ１）加工シートを固定した状態で、面付け分だけ、半導体素子を所定の位置に位置決めして、各端子部材のリード部上に搭載する半導体素子搭載工程と、（ｄ１）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（ｅ１）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側を覆うように平面状に、モールド用のテープを貼る、平面状に貼る、テープ貼り工程と、（ｆ１）モールド用のテープ側は、テープに添わせ、モールド固定用の平板にて固定し、反対側には、所定の面付け数をまかなう所定の型を設け、前記モールド固定用の平板と前記型間を樹脂で埋めるモールドを行う、モールド工程と、（ｇ１）モールド固定用の平板、テープを除去し、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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