JP2000058698A - 半導体装置 - Google Patents
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】リードフレームと封止樹脂との密着性が劣化す
ることが無く、また別の種類のリードフレームを用いる
ことなく同一のリードフレームを用いて半導体装置の表
面に露出されている外部端子の位置を任意に設定できる
半導体装置を提供する。 【解決手段】リードフレーム２が用いられ半導体素子５
が搭載され封止樹脂７で封止され外部端子１３が表面に
露出され半田ボール９または半田バンプが搭載されたボ
ールグリッドアレイ型半導体装置１において、外部端子
１３がリードフレーム２のリード３に固定接続された金
属体である。
ることが無く、また別の種類のリードフレームを用いる
ことなく同一のリードフレームを用いて半導体装置の表
面に露出されている外部端子の位置を任意に設定できる
半導体装置を提供する。 【解決手段】リードフレーム２が用いられ半導体素子５
が搭載され封止樹脂７で封止され外部端子１３が表面に
露出され半田ボール９または半田バンプが搭載されたボ
ールグリッドアレイ型半導体装置１において、外部端子
１３がリードフレーム２のリード３に固定接続された金
属体である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特にボールグリッドアレイ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ
Ａｒｒａｙ）型半導体装置（以下、ＢＧＡという）に関
する。
し、特にボールグリッドアレイ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ
Ａｒｒａｙ）型半導体装置（以下、ＢＧＡという）に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を組込んだ電子機器では薄型
化・小型化が進んでおり、それに伴い組み込む半導体装
置にも薄型化・小型化が要求されており、それに対応し
たＢＧＡが用いられている。ＢＧＡは、特徴として実装
基板と接続される外部端子がパッケージ表面に格子状に
露出されこの上に半田ボールまたは半田バンプが搭載さ
れて形成されていることである。
化・小型化が進んでおり、それに伴い組み込む半導体装
置にも薄型化・小型化が要求されており、それに対応し
たＢＧＡが用いられている。ＢＧＡは、特徴として実装
基板と接続される外部端子がパッケージ表面に格子状に
露出されこの上に半田ボールまたは半田バンプが搭載さ
れて形成されていることである。
【０００３】ＢＧＡは、パッケージの基板としてプリン
ト基板やＴＡＢテープが用いられているが、最近リード
フレームが用いられたものが実用化されてきた。リード
フレームが用いられたものは、外部端子の形成に２種類
のタイプが有り、その一つは、例えば特開平９−１１６
０４５号公報（従来例１）に示されている様な図５の断
面図に示す半導体装置がある。この半導体装置は、ハー
フエッチングされず平面的なリードフレーム２が用いら
れ、このリードフレーム２に半導体素子５が搭載され、
搭載された半導体素子５の電極（図示せず）とリードフ
レーム２のリード３が金属細線６により電気的に接続さ
れ、搭載された半導体素子５、金属細線６及びリード３
の一部である外部端子部４を含むリードフレーム２が封
止樹脂７で封止され、そのリードフレーム２のリード３
の一部である外部端子部４が半導体装置１の表面に露出
される様に、封止樹脂７で封止された半導体装置１の表
面に開口部８が設けられ、その開口部８から露出された
外部端子部４上に半田ボール９または半田バンプが搭載
されたものである（以下、平面タイプＢＧＡと称す
る）。この従来例１では、半導体素子５の搭載側は封止
樹脂７で封止されているが、反対側の外部端子部４側は
封止樹脂７で封止されているのではなく樹脂封止領域に
絶縁性樹脂である感光性のソルダーレジスト１１が塗布
され、このソルダーレジスト１１にパターン形成により
開口部８が設けられていることが開示されている。
ト基板やＴＡＢテープが用いられているが、最近リード
フレームが用いられたものが実用化されてきた。リード
フレームが用いられたものは、外部端子の形成に２種類
のタイプが有り、その一つは、例えば特開平９−１１６
０４５号公報（従来例１）に示されている様な図５の断
面図に示す半導体装置がある。この半導体装置は、ハー
フエッチングされず平面的なリードフレーム２が用いら
れ、このリードフレーム２に半導体素子５が搭載され、
搭載された半導体素子５の電極（図示せず）とリードフ
レーム２のリード３が金属細線６により電気的に接続さ
れ、搭載された半導体素子５、金属細線６及びリード３
の一部である外部端子部４を含むリードフレーム２が封
止樹脂７で封止され、そのリードフレーム２のリード３
の一部である外部端子部４が半導体装置１の表面に露出
される様に、封止樹脂７で封止された半導体装置１の表
面に開口部８が設けられ、その開口部８から露出された
外部端子部４上に半田ボール９または半田バンプが搭載
されたものである（以下、平面タイプＢＧＡと称す
る）。この従来例１では、半導体素子５の搭載側は封止
樹脂７で封止されているが、反対側の外部端子部４側は
封止樹脂７で封止されているのではなく樹脂封止領域に
絶縁性樹脂である感光性のソルダーレジスト１１が塗布
され、このソルダーレジスト１１にパターン形成により
開口部８が設けられていることが開示されている。
【０００４】他の一つは、例えば特開平９−４５８１８
号公報（従来例２）に示されている様な図６の概略図に
示す半導体装置がある。この場合一般的に、リード３の
一部である外部端子部４のみを除いてハーフエッチング
されたリードフレーム２が用いられ、このリードフレー
ム２上に半導体素子５が搭載され、搭載された半導体素
子５の電極（図示せず）とリードフレーム２のリード３
が金属細線（図示せず）により電気的に接続され、搭載
された半導体素子５、金属細線（図示せず）及びリード
フレーム２が封止樹脂７で封止され、この時リードフレ
ーム２のリード３の一部である外部端子部４の端部が半
導体装置１の表面に露出される様に封止され、この露出
された外部端子部４上に半田ボールまたは半田バンプ１
０が搭載されたものである（以下、ハーフエッチングタ
イプＢＧＡと称する）。尚、この従来例２の如く、ＢＧ
Ａの内パッケージサイズが搭載した半導体素子と略同じ
ものを特にＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）型半導体装置といい、この従来例２では、半導体素
子５の電極（図示せず）とリードフレーム２のリード３
との電気的接続が金属細線（図示せず）により行われる
のではなく、半導体素子５の電極上の金属バンプ１２と
リード３がギャングボンディングにより直接接続されて
いることが開示されている。
号公報（従来例２）に示されている様な図６の概略図に
示す半導体装置がある。この場合一般的に、リード３の
一部である外部端子部４のみを除いてハーフエッチング
されたリードフレーム２が用いられ、このリードフレー
ム２上に半導体素子５が搭載され、搭載された半導体素
子５の電極（図示せず）とリードフレーム２のリード３
が金属細線（図示せず）により電気的に接続され、搭載
された半導体素子５、金属細線（図示せず）及びリード
フレーム２が封止樹脂７で封止され、この時リードフレ
ーム２のリード３の一部である外部端子部４の端部が半
導体装置１の表面に露出される様に封止され、この露出
された外部端子部４上に半田ボールまたは半田バンプ１
０が搭載されたものである（以下、ハーフエッチングタ
イプＢＧＡと称する）。尚、この従来例２の如く、ＢＧ
Ａの内パッケージサイズが搭載した半導体素子と略同じ
ものを特にＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）型半導体装置といい、この従来例２では、半導体素
子５の電極（図示せず）とリードフレーム２のリード３
との電気的接続が金属細線（図示せず）により行われる
のではなく、半導体素子５の電極上の金属バンプ１２と
リード３がギャングボンディングにより直接接続されて
いることが開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置は、平面タイプＢＧＡおよびハーフエッチングタイ
プＢＧＡどちらのＢＧＡにおいても樹脂封止された樹脂
厚が薄く特に外部端子部４側の樹脂厚が薄く、それゆえ
外部から水分が進入し易く進入した水分によりリードフ
レーム２と封止樹脂７または１１との密着性が劣化し剥
離するという問題が生ずる。
装置は、平面タイプＢＧＡおよびハーフエッチングタイ
プＢＧＡどちらのＢＧＡにおいても樹脂封止された樹脂
厚が薄く特に外部端子部４側の樹脂厚が薄く、それゆえ
外部から水分が進入し易く進入した水分によりリードフ
レーム２と封止樹脂７または１１との密着性が劣化し剥
離するという問題が生ずる。
【０００６】また、平面タイプＢＧＡおよびハーフエッ
チングタイプＢＧＡどちらのＢＧＡにおいてもリードフ
レーム２の種類毎に外部端子部４の位置は固定であり、
それゆえ半導体装置１の表面に露出されている外部端子
部４の位置も固定であり、例えば同一品種（同一半導体
素子）の半導体装置でも半導体装置１の表面に露出され
ている外部端子部４の位置が異なる場合は別の種類のリ
ードフレーム２を用いなければならないという問題が有
る。
チングタイプＢＧＡどちらのＢＧＡにおいてもリードフ
レーム２の種類毎に外部端子部４の位置は固定であり、
それゆえ半導体装置１の表面に露出されている外部端子
部４の位置も固定であり、例えば同一品種（同一半導体
素子）の半導体装置でも半導体装置１の表面に露出され
ている外部端子部４の位置が異なる場合は別の種類のリ
ードフレーム２を用いなければならないという問題が有
る。
【０００７】従って、本発明の目的は、リードフレーム
と封止樹脂との密着性が劣化することが無い半導体装置
を提供することにある。
と封止樹脂との密着性が劣化することが無い半導体装置
を提供することにある。
【０００８】本発明の他の目的は、別の種類のリードフ
レームを用いることなく同一のリードフレームを用いて
半導体装置の表面に露出されている外部端子部の位置を
任意に設定できる半導体装置を提供することにある。
レームを用いることなく同一のリードフレームを用いて
半導体装置の表面に露出されている外部端子部の位置を
任意に設定できる半導体装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
リードフレームが用いられ半導体素子が搭載され封止樹
脂で封止され外部端子が表面に露出され半田ボールまた
は半田バンプが搭載されたボールグリッドアレイ型半導
体装置において、外部端子がリードフレームのリードに
固定接続された金属体であることを特徴とする。
リードフレームが用いられ半導体素子が搭載され封止樹
脂で封止され外部端子が表面に露出され半田ボールまた
は半田バンプが搭載されたボールグリッドアレイ型半導
体装置において、外部端子がリードフレームのリードに
固定接続された金属体であることを特徴とする。
【００１０】この様な本発明によれば、半導体装置の外
部端子はリードフレームのリードに固定接続された金属
体でありその長さは任意に設定でき、またこの半導体装
置の外部端子は形状が真っ直ぐな形状だけではなく中間
部で折れ曲がった形状のものもありその折れ曲がった形
状は任意に設定できる。
部端子はリードフレームのリードに固定接続された金属
体でありその長さは任意に設定でき、またこの半導体装
置の外部端子は形状が真っ直ぐな形状だけではなく中間
部で折れ曲がった形状のものもありその折れ曲がった形
状は任意に設定できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】図１は本発明の半導体装置の第１の実施形
態を示す断面図であり、図２（ａ）は図１の半導体装置
の外部端子を説明する部分平面図であり図２（ｂ）はそ
の外部端子の部分拡大正面図であり図２（ｃ）は同じく
その外部端子の固定接続状態を示す部分拡大断面図であ
り、そして図３（ａ）および図３（ｂ）は図１の半導体
装置の外部端子の樹脂封止を説明する正面図および部分
断面図である。また図４は本発明の半導体装置の第２の
実施形態を示す断面図である。
態を示す断面図であり、図２（ａ）は図１の半導体装置
の外部端子を説明する部分平面図であり図２（ｂ）はそ
の外部端子の部分拡大正面図であり図２（ｃ）は同じく
その外部端子の固定接続状態を示す部分拡大断面図であ
り、そして図３（ａ）および図３（ｂ）は図１の半導体
装置の外部端子の樹脂封止を説明する正面図および部分
断面図である。また図４は本発明の半導体装置の第２の
実施形態を示す断面図である。
【００１３】図１および図２（ａ）に示すように、本実
施形態の半導体装置１は、金属円柱からなる外部端子１
３がリードフレーム２のリード３の中間部の両側面に設
けられた一対の凹形状の括れ部１４に固定接続されてお
り、このリードフレーム２に半導体素子５が搭載され、
搭載された半導体素子５の電極（図示せず）とリードフ
レーム２のリード３が金属細線６により電気的に接続さ
れ、搭載された半導体素子５、金属細線６及びリード３
の括れ部１４に固定接続された外部端子１３を含むリー
ドフレーム２が封止樹脂７で封止され、この時リードフ
レーム２のリード３の括れ部１４に固定接続された外部
端子１３の端部が半導体装置１の表面に露出される様に
封止され、その露出された外部端子１３上に半田ボール
９または半田バンプが搭載されたものである。
施形態の半導体装置１は、金属円柱からなる外部端子１
３がリードフレーム２のリード３の中間部の両側面に設
けられた一対の凹形状の括れ部１４に固定接続されてお
り、このリードフレーム２に半導体素子５が搭載され、
搭載された半導体素子５の電極（図示せず）とリードフ
レーム２のリード３が金属細線６により電気的に接続さ
れ、搭載された半導体素子５、金属細線６及びリード３
の括れ部１４に固定接続された外部端子１３を含むリー
ドフレーム２が封止樹脂７で封止され、この時リードフ
レーム２のリード３の括れ部１４に固定接続された外部
端子１３の端部が半導体装置１の表面に露出される様に
封止され、その露出された外部端子１３上に半田ボール
９または半田バンプが搭載されたものである。
【００１４】ここで、この半導体装置１の外部端子１３
は、材質がリードフレーム２と同じ４２合金（Ｎｉ４２
％−鉄合金）またはＣｕ合金の金属であり、形状が図２
（ａ）図２（ｂ）および図２（ｃ）に示すような円柱形
状をなし、そして二又に分かれている形状のリードフレ
ーム２のリード３に固定接続される部分１５が設けられ
ており、その中にリードフレーム２のリード３の括れ部
１４が挟み込まれ、そして二又に分かれている形状部の
先端部分が互いに接する様に固定接続部１５が折り曲げ
られ、互いに接したその二又に分かれている形状部の先
端部分が一つに溶接接合されることにより、外部端子１
３がリードフレーム２のリード３に固定接続される。
は、材質がリードフレーム２と同じ４２合金（Ｎｉ４２
％−鉄合金）またはＣｕ合金の金属であり、形状が図２
（ａ）図２（ｂ）および図２（ｃ）に示すような円柱形
状をなし、そして二又に分かれている形状のリードフレ
ーム２のリード３に固定接続される部分１５が設けられ
ており、その中にリードフレーム２のリード３の括れ部
１４が挟み込まれ、そして二又に分かれている形状部の
先端部分が互いに接する様に固定接続部１５が折り曲げ
られ、互いに接したその二又に分かれている形状部の先
端部分が一つに溶接接合されることにより、外部端子１
３がリードフレーム２のリード３に固定接続される。
【００１５】また、この半導体装置１の外部端子１３
は、図３に示すように樹脂封止され外部端子１３の端部
が半導体装置１の表面に露出される。まず図３（ａ）に
示す半導体素子５が搭載され、リード３の括れ部１４に
外部端子１３が固定接続されているリードフレーム２
を、図３（ｂ）に示すように封止金型１６に載置する。
この時外部端子１３の封止金型１６の下金型１７までの
長さはリードフレーム２のリード３から下金型１７まで
の距離より０．１ｍｍから０．５ｍｍ長くなっている。
そしてリードフレーム２全体を封止金型１６の下金型１
７と上金型１８で挟み込み固定し、この時外部端子１３
は下金型１７に押さえつけられ固定された状態であり、
この状態で封止樹脂７が封止金型１６のキャビティ１９
内に注入され封止される。これにより外部端子１３の端
部が半導体装置１の表面に露出される様に封止され、こ
の露出された外部端子１３上に半田ボール９または半田
バンプが搭載される。
は、図３に示すように樹脂封止され外部端子１３の端部
が半導体装置１の表面に露出される。まず図３（ａ）に
示す半導体素子５が搭載され、リード３の括れ部１４に
外部端子１３が固定接続されているリードフレーム２
を、図３（ｂ）に示すように封止金型１６に載置する。
この時外部端子１３の封止金型１６の下金型１７までの
長さはリードフレーム２のリード３から下金型１７まで
の距離より０．１ｍｍから０．５ｍｍ長くなっている。
そしてリードフレーム２全体を封止金型１６の下金型１
７と上金型１８で挟み込み固定し、この時外部端子１３
は下金型１７に押さえつけられ固定された状態であり、
この状態で封止樹脂７が封止金型１６のキャビティ１９
内に注入され封止される。これにより外部端子１３の端
部が半導体装置１の表面に露出される様に封止され、こ
の露出された外部端子１３上に半田ボール９または半田
バンプが搭載される。
【００１６】尚、図３（ｂ）に示すような樹脂封止され
た半導体装置１は、樹脂封止後リードフレーム２の樹脂
封止部の外側の外枠部２０等が切断金型で切断除去さ
れ、図１に示すような形状になる。
た半導体装置１は、樹脂封止後リードフレーム２の樹脂
封止部の外側の外枠部２０等が切断金型で切断除去さ
れ、図１に示すような形状になる。
【００１７】図４は本発明の半導体装置の第２の実施形
態を示す断面図である。本実施形態と第１の実施形態と
の相違点は、図４に示すように、半導体装置１の外部端
子１３の形状が図１に示すような真っ直ぐな円柱形状だ
けではなく、中間部で折れ曲がった円柱形状のものもあ
ることである。つまり外部端子１３の端部が半導体装置
１の表面に露出されている位置と、外部端子１３がリー
ドフレーム２のリード３に固定接続されている位置と
が、外部端子１３の端部側から見て異なっているものも
あることである。なお、第２の実施形態における半導体
装置１の外部端子１３の折れ曲がった形状は、一つの半
導体装置内で一様でなくても良い。
態を示す断面図である。本実施形態と第１の実施形態と
の相違点は、図４に示すように、半導体装置１の外部端
子１３の形状が図１に示すような真っ直ぐな円柱形状だ
けではなく、中間部で折れ曲がった円柱形状のものもあ
ることである。つまり外部端子１３の端部が半導体装置
１の表面に露出されている位置と、外部端子１３がリー
ドフレーム２のリード３に固定接続されている位置と
が、外部端子１３の端部側から見て異なっているものも
あることである。なお、第２の実施形態における半導体
装置１の外部端子１３の折れ曲がった形状は、一つの半
導体装置内で一様でなくても良い。
【００１８】また、本実施形態では、半導体装置１の外
部端子１３とリードフレーム２のリード３との接続が、
半導体装置１の外部端子１３に設けられた二又に分かれ
ている形状の固定接続部１５にリードフレーム２のリー
ド３の括れ部１４が挟み込まれ、そして折り曲げられ互
いに接した二又に分かれている形状部の先端部分が一つ
に溶接接合されることにより固定接続されたがこれに限
定されず、半導体装置１の外部端子１３の二又に分かれ
ている形状の固定接続部１５にリードフレーム２のリー
ド３の括れ部１４が挟み込まれ、その挟み込まれた箇所
が例えばエポキシ樹脂等の導電性かつ耐熱性の接着剤で
接着されて固定接続されても良い。
部端子１３とリードフレーム２のリード３との接続が、
半導体装置１の外部端子１３に設けられた二又に分かれ
ている形状の固定接続部１５にリードフレーム２のリー
ド３の括れ部１４が挟み込まれ、そして折り曲げられ互
いに接した二又に分かれている形状部の先端部分が一つ
に溶接接合されることにより固定接続されたがこれに限
定されず、半導体装置１の外部端子１３の二又に分かれ
ている形状の固定接続部１５にリードフレーム２のリー
ド３の括れ部１４が挟み込まれ、その挟み込まれた箇所
が例えばエポキシ樹脂等の導電性かつ耐熱性の接着剤で
接着されて固定接続されても良い。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、半
導体装置の外部端子はリードフレームのリードに固定接
続された金属体でありその長さは任意に設定できるの
で、樹脂封止された樹脂厚は外部端子側でも充分厚くす
ることができ、それゆえ外部からの水分の進入を防止で
き、リードフレームと封止樹脂との密着性が劣化するこ
とが無いという効果が得られる。また、この半導体装置
の外部端子は形状が真っ直ぐな形状だけではなく中間部
で折れ曲がった形状のものもありその折れ曲がった形状
は任意に設定できるので、別の種類のリードフレームを
用いることなく同一のリードフレームを用いて半導体装
置の表面に露出されている外部端子の位置を任意に設定
できるという効果も得られる。
導体装置の外部端子はリードフレームのリードに固定接
続された金属体でありその長さは任意に設定できるの
で、樹脂封止された樹脂厚は外部端子側でも充分厚くす
ることができ、それゆえ外部からの水分の進入を防止で
き、リードフレームと封止樹脂との密着性が劣化するこ
とが無いという効果が得られる。また、この半導体装置
の外部端子は形状が真っ直ぐな形状だけではなく中間部
で折れ曲がった形状のものもありその折れ曲がった形状
は任意に設定できるので、別の種類のリードフレームを
用いることなく同一のリードフレームを用いて半導体装
置の表面に露出されている外部端子の位置を任意に設定
できるという効果も得られる。
【図１】本発明の半導体装置の第１の実施形態を示す断
面図である。
面図である。
【図２】図１の半導体装置の外部端子を説明する部分平
面図およびその部分拡大正面図ならびに部分拡大断面図
である。
面図およびその部分拡大正面図ならびに部分拡大断面図
である。
【図３】図１の半導体装置の外部端子の樹脂封止を説明
する正面図および部分断面図である。
する正面図および部分断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の第２の実施形態を示す断
面図である。
面図である。
【図５】従来技術を説明する断面図である。
【図６】他の従来技術を説明する概略図である。
１ 半導体装置 ２ リードフレーム ３ リード ４ 外部端子部 ５ 半導体素子 ６ 金属細線 ７ 封止樹脂 ８ 開口部 ９ 半田ボール １０ 半田バンプ １１ ソルダーレジスト １２ 金属バンプ １３ 外部端子 １４ 括れ部 １５ 固定接続部 １６ 封止金型 １７ 下金型 １８ 上金型 １９ キャビティ ２０ 外枠部
Claims (7)
- 【請求項１】 リードフレームが用いられ半導体素子が
搭載され封止樹脂で封止され外部端子が表面に露出され
半田ボールまたは半田バンプが搭載されたボールグリッ
ドアレイ型半導体装置において、前記外部端子が前記リ
ードフレームのリードに固定接続された金属体であるこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記リードフレームはリードの中間部の
両側面に一対の凹形状の括れ部が設けられている請求項
１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記外部端子は真っ直ぐな形状の金属体
である請求項１または２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記外部端子は中間部で折れ曲がった形
状の金属体である請求項１または２記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記外部端子は長さが封止金型に載置し
た前記リードフレームのリードから前記封止金型の下金
型までの距離より長い長さである請求項１，２，３また
は４記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記外部端子は二又に分かれている形状
の前記リードフレームのリードとの固定接続部が設けら
れている請求項１，２，３，４または５記載の半導体装
置。 - 【請求項７】 前記外部端子の固定接続部に、前記リー
ドフレームのリードの中間部の両側面に設けられた括れ
部が挟み込まれて、前記外部端子が前記リードフレーム
のリードに固定接続されている請求項６記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP22033198A JP3153185B2 (ja) | 1998-08-04 | 1998-08-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22033198A JP3153185B2 (ja) | 1998-08-04 | 1998-08-04 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058698A true JP2000058698A (ja) | 2000-02-25 |
| JP3153185B2 JP3153185B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=16749481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22033198A Expired - Fee Related JP3153185B2 (ja) | 1998-08-04 | 1998-08-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3153185B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6083584B1 (ja) * | 2016-01-28 | 2017-02-22 | 株式会社アカギ | 配管吊下支持具 |
-
1998
- 1998-08-04 JP JP22033198A patent/JP3153185B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3153185B2 (ja) | 2001-04-03 |
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