JPH1174411A - 樹脂封止型半導体装置とそれに用いられる回路部材 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置とそれに用いられる回路部材

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JPH1174411A
JPH1174411A JP9247480A JP24748097A JPH1174411A JP H1174411 A JPH1174411 A JP H1174411A JP 9247480 A JP9247480 A JP 9247480A JP 24748097 A JP24748097 A JP 24748097A JP H1174411 A JPH1174411 A JP H1174411A
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circuit
semiconductor device
lead
external
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Shuichi Yamada
修一 山田
Makoto Nakamura
誠 中村
Takeshi Takeshita
毅志 竹下
Yutaka Yagi
裕 八木
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Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 半導体装置パッケージサイズにおけるチップ
の占有率を上げ、半導体装置の小型化に対応させる。 【解決手段】 半導体素子の内部端子部131と外部端
子部132とを一体的に連結するリード部133とを略
平面内に複数個互いに独立して配置し、且つ、それぞれ
の接続するための端子面を、互いに異なる面側に配設し
た回路部であって、内部端子部、リード部は、外部端子
部より薄肉に形成され、外部端子部の端子面132S
は、リード部の面より突出されている回路部を設けたも
ので、半導体素子110は、半導体素子の端子部とは反
対の面を、回路部の内部端子部より内側の内部端子部の
端子面側の面において、回路部に絶縁層120を介して
接着固定して回路部に搭載され、半導体素子の端子部と
内部端子部の端子面とをワイヤにて電気的に接続してお
り、且つ、回路部の外部端子部の一部を外部に露出さ
せ、樹脂封止している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は,半導体素子を搭載
する樹脂封止型の半導体装置(プラスチックパッケー
ジ)に関し、特に、パッケージサイズの小型化に対応
し、その実装性を向上させることができる半導体装置と
その製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体装置は、高集積化、小型化
技術の進歩と電子機器の高性能化と軽薄短小化の傾向
(時流)から、LSIのASICに代表されるように、
ますます高集積化、高機能化になってきている。これに
伴い、リードフレームを用いた封止型の半導体装置にお
いても、その開発のトレンドが、SOJ(Small
Outline J−Leaded Package)
やQFP(Quad Flat Package)のよ
うな表面実装型のパッケージを経て、TSOP(Thi
n Small OutlinePackage)の開
発による薄型化を主軸としたパッケージの開発へ、さら
にはパッケージ内部の構造を工夫しチップ収納効率向上
を目的としたLOC(Lead On Chip)の構
造へと進展してきた。しかし、樹脂封止型半導体装置に
は、高集積化、高機能化とともに、更に一層の多ピン
化、薄型化、小型化が求められており、上記従来のパッ
ケージにおいてもチップ外周部分のリードの引き回しが
あるため、パッケージの小型化に限界が見えてきた。ま
た、TSOP等の小型パッケージにおいては、リードの
引き回し、ピンピッチから多ピン化に対しても限界が見
えてきた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、更なる
樹脂封止型半導体装置の高集積化、高機能化が求められ
ており、樹脂封止型半導体装置の一層の多ピン化、薄型
化、小型化が求められている。本発明は、このような状
況のもと、パッケージサイズにおけるチップの占有率を
上げ、半導体装置の小型化に対応させ、回路基板への実
装面積を低減できる、即ち、回路基板への実装密度を向
上させることができる樹脂封止型半導体装置を提供しよ
うとするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、半導体素子の端子と電気的に結線するための
内部端子部と、外部回路への接続のための外部端子部
と、前記内部端子部と外部端子部とを一体的に連結する
リード部とを略平面内に複数個、それぞれ互いに独立し
て配置し、且つ、内部端子部の半導体素子と接続するた
め端子面と、外部端子部の外部回路と接続するための端
子面とを、互いに異なる面側に配設した回路部であっ
て、その一面を全て、内部端子部の端子面に沿う一平面
上に設け、内部端子部、リード部は、外部端子部より薄
肉に形成され、外部端子部の端子面は、前記一平面側で
ない、リード部の面より突出されている回路部を設けた
もので、半導体素子は、半導体素子の端子部とは反対の
面を、回路部の内部端子部より内側の内部端子部の端子
面側の面において、回路部に絶縁層を介して接着固定し
て回路部に搭載され、半導体素子の端子部と回路部の内
部端子部の端子面とをワイヤにて電気的に接続してお
り、且つ、回路部の外部端子部の一部を外部に露出さ
せ、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置である、または
前記樹脂封止型半導体装置の外部に露出した外部端子部
の面に、回路基板等への実装のための半田からなる外部
電極を設けた樹脂封止型半導体装置であることを特徴と
するものである。そして、上記において、一面を内部端
子部の端子面に沿い、且つ、外部端子部に接続し、内部
に延びる、外部端子部より薄肉の半導体素子搭載用リー
ドを設け、半導体素子は、半導体素子の端子部とは反対
の面を、絶縁層を介して接着固定して、少なくとも半導
体素子搭載用リードに搭載されていることを特徴とする
ものである。また、上記において、樹脂封止領域をほぼ
半導体素子の外形寸法にあわせたCSP(Chip S
ize Package)としたことを特徴とするもの
である。
【0005】本発明の回路部材は、半導体素子の端子と
電気的に結線するための内部端子部と、外部回路への接
続のための外部端子部と、前記内部端子部と外部端子部
とを一体的に連結するリード部とを有し、これらを略平
面内に複数個、それぞれ互いに独立して配置し、前記リ
ード部に一体的に連結した前記リード部とは異なる、接
続リードを介してこれらの外側で、全体を保持する外枠
部とを備え、且つ内部端子部の端子面および外部端子の
端子面とを、互いに異なる面側に設けた樹脂封止型半導
体装置用回路部材であり、回路部材の内部端子部の端子
面側の面は全て素材面で、内部端子部、リード部および
接続リード部は、回路部材の素材の板厚よりも薄肉に形
成され、外部端子部は、回路部材の素材の板厚に形成さ
れており、外部端子部の外部回路と接続する側の端子面
は、素材面側でないリード部の面や接続リード部の面よ
り突出されているものであり、且つ、内部端子部は、半
導体素子搭載領域の外側に形成されていることを特徴と
するものである。
【0006】
【作用】本発明の樹脂封止型半導体装置は、上記のよう
な構成にすることにより、半導体装置におけるチップの
占有率を上げ、半導体装置の小型化に対応できるものと
している。即ち、半導体装置の回路基板への実装面積を
低減し、回路基板への実装密度の向上を可能としてい
る。外部端子部に一体的に連結した外部電極部を半田ボ
ールにて形成することにより、BGA(Ball Gr
id Array)タイプのようにすることもできる。
詳しくは、半導体素子の端子と電気的に結線するための
内部端子部と、外部回路への接続のための外部端子部
と、前記内部端子部と外部端子部とを一体的に連結する
リード部とを略平面内に複数個、それぞれ互いに独立し
て配置し、且つ、内部端子部の半導体素子と接続するた
め端子面と、外部端子部の外部回路と接続するための端
子面とを、互いに異なる面側に配設した回路部であっ
て、その一面を全て、内部端子部の端子面に沿う一平面
上に設け、内部端子部、リード部は、外部端子部より薄
肉に形成され、外部端子部の端子面は、前記一平面側で
ない、リード部の面より突出されている回路部を設けた
もので、半導体素子は、半導体素子の端子部とは反対の
面を、回路部の内部端子部より内側の内部端子部の端子
面側の面において、回路部に絶縁層を介して接着固定し
て回路部に搭載され、半導体素子の端子部と回路部の内
部端子部の端子面とをワイヤにて電気的に接続してお
り、且つ、回路部の外部端子部の一部を外部に露出さ
せ、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置である、または
前記樹脂封止型半導体装置の外部に露出した外部端子部
の面に、回路基板等への実装のための半田からなる外部
電極を設けた樹脂封止型半導体装置であることにより、
これを達成している。そして、一面を内部端子部の端子
面に沿い、且つ、外部端子部に接続し、内部に延びる、
外部端子部より薄肉の半導体素子搭載用リードを設け、
半導体素子は、半導体素子の端子部とは反対の面を、絶
縁層を介して接着固定して、少なくとも半導体素子搭載
用リードに搭載されていることにより、半導体素子の搭
載を簡単に、且つ安定なものとできる。特に、樹脂封止
領域をほぼ半導体素子の外形寸法にあわせたCSP(C
hipSize Package)とすることにより、
半導体装置の小型化に対応できる。
【0007】本発明の回路部材は、上記のような構成に
することにより、上記本発明の樹脂封止型半導体装置の
製造に用いられるものであるが、ハーフエッチング加工
を併う通常のエッチング工程で作製することができる。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明の樹脂封止型半導体装置を
図に基づいて説明する。図1は本発明の樹脂封止型半導
体装置の実施の形態の1例を示したもので、図1(a)
はその概略断面図であり、図1(b)は外部電極側(図
1(a)のA0側)からみた図であり、図2は図1に示
す半導体装置の外部電極側および側面部を分かり易く示
した斜視図である。図3は図1に示す半導体装置の変形
例の断面図であり、図4は本発明の回路部材の概略図で
ある。図1、図2、図3、図4中、100、101、1
03は樹脂封止型半導体装置、110は半導体素子、1
11は端子(パッド)、120は絶縁層、123は絶縁
性フィルム、125は接着剤層、130は回路部材、1
30Aは回路部、130Sは素材面、131は内部端子
部、131Sは端子面、132は外部端子部、132S
は端子面、133はリード、134は接続リード、13
5は半導体素子搭載用リード、136は枠部、140は
ワイヤ、150は封止用樹脂、160は銀めっき、17
0は半田からなる外部電極である。図1に示す樹脂封止
型半導体装置100は、図4(a)に示す回路部材13
0の点線内領域部B2のみを回路部130Aとして樹脂
封止して用い、且つ回路部材130のそれ以外の部分は
分離して使用しないものであり、半導体素子110を、
端子(パッド)111側と反対の面側にて、回路部13
0Aの内部端子131の端子面131Sに沿う平面に、
絶縁層120を介して搭載し、半導体素子110の端子
(パッド)111と内部端子部131の端子面131S
とをワイヤ140にて電気的に接続し、且つ、外部端子
132の一部を外部に露出させ、全体を封止用樹脂15
0で樹脂封止している。そして、外部に露出した外部端
子部の面132Sに、回路基板等への実装のための半田
からなる外部電極170を設けている。尚、端子面13
1S表面にはワイヤボンディングのための銀めっき16
0が施されてある。また、図1に示す半導体装置100
は、図4に示す回路部材130を用いているため、接続
リード134をその内部に残す。
【0009】回路部130Aは、図4(a)に示すよう
に、半導体素子110の端子111と電気的に結線する
ための内部端子部131と、外部回路への接続のための
外部端子部132と、内部端子部131と外部端子部1
32とを一体的に連結するリード部133と、接続用リ
ード134とを略一平面内に複数個、それぞれ互いに独
立して配置するものである。尚、図4(b)は、図4
(a)のB1領域を分かり易く示した斜視図である。回
路部130Aは、図4(b)に示すように、内部端子部
の端子面131S側の面を全て、素材面130Sとし、
略一平面上に形成されており、内部端子部131の端子
面131Sと外部端子部132の外部回路と接続するた
めの端子面132Sとを、回路部130Aの互いに回路
部の異なる面側に設けている。そして、内部端子部13
1、リード部133、接続リード部134は、外部端子
部132より薄肉に形成され、外部端子部132の端子
面132Sは、前記一平面側でない、端子部の面、リー
ド部の面、接続リードの面より突出されている。尚、図
4に示す回路部材130では、外部端子部132は回路
部材130の素材の厚さに形成され、内部端子部13
1、リード部133、接続リード部134は、回路部材
130の素材の厚差より薄肉に形成されている。そし
て、内部端子部131の端子面131Sがある面(素材
面130S)と、半導体素子110の端子部111側と
反対の面とが絶縁層120を介して接着固定されてい
る。
【0010】接続リード134は、半導体装置作製の際
に、図4(a)に示す回路部材130の枠部136と分
離し易いように、外部端子部132よりも薄肉に形成す
る。
【0011】回路部130Aの材質としては42合金
(Ni42%のFe合金)、銅合金等が用いられ、絶縁
層120としては、図1に示すように絶縁性フィルム1
23の両側に接着剤層125を設けたものや、市販のダ
イアタッチ剤が用いられる。
【0012】図1に示す樹脂封止型半導体装置100に
おいては、内部端子部131は、半導体素子の各辺(四
辺)に沿い、半導体素子領域の外側にそれぞれ設けられ
ている。そして、回路部130Aの上に絶縁層120を
介して半導体素子110が載った構造で、COL(Ch
ip On Lead)と言われる。また、図1に示す
樹脂封止型半導体装置100においては、樹脂封止領域
を、半導体素子のサイズにほぼあわせた構造で、CSP
(Chip Size Package)と言われるも
のである。尚、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の
形態としては、上記図1に示す、COLタイプ、CSP
タイプに特に限定されることはない。
【0013】次いで、図1に示す半導体装置の変形例を
挙げる。図3(a)に示すものは、図1に示す半導体装
置の回路部130Aに半導体素子搭載用リード135を
設けた構造で、これにより、半導体素子の回路部への固
定を確実にできるものとしている。半導体素子搭載用リ
ード135は、一面を内部端子部131の端子面131
Sに沿い、外部端子部に接続し、内部に延びるもので、
外部端子部より薄肉に形成されている。また、図3
(b)に示すものは、図1に示す半導体装置100にお
いて半田ボールからなる外部電極を設けない形態のもの
で、半田ペースト等のプリント基板との接続部を形成し
たものである。
【0014】次に、本発明の回路部材を図に基づいて説
明する。図4は本発明の回路部材の1例を示したもの
で、前述の通り、図4(a)は平面図、図4(b)は、
図4(a)のB1部を拡大して示した拡大斜視図であ
る。尚、図4中の点線領域B2は、回路部材の半導体装
置作製の際に、樹脂封止して用いられる領域で、点線外
側の領域は最終的には分離除去される。図4に示す回路
部材130は、本発明の半導体装置の作製に用いられる
ものであり、図4(a)に示すように、半導体素子の端
子と電気的に結線するための内部端子部131と、外部
回路への接続のための外部端子部132と、内部端子部
131と外部端子部132とを一体的に連結するリード
部133とを有し、これらを略平面内に複数個、それぞ
れ互いに独立して配置し、且つ、前記リード部133と
は異なる接続リード134を介して内部端子部132と
一体的に連結し、これらの外側で、全体を保持する外枠
部136とを備え、且つ内部端子部131の端子面13
1Sおよび外部端子部132の端子面132Sとを、互
いに異なる面側に設けている。そして、内部端子部13
1の端子面131S側の、回路部材130の面は、全て
素材面130Sで、内部端子部131、リード部133
および接続リード部134は、回路部材の素材の板厚よ
りも薄肉に形成され、外部端子部132は、回路部材の
素材の板厚に形成されており、外部端子部132の外部
回路と接続する側の端子面132Sは、内部端子部の端
子面131Sとは反対側に形成され、素材面側でないリ
ード部の面133の面や接続リード部134の面より突
出されている。更に、内部端子部131は、半導体素子
搭載領域の外側に、形成されている。回路部材130の
材質としては42合金(Ni42%のFe合金)、銅合
金等が用いられ、通常のリードフレームと同様、エッチ
ングにより外形加工できる。
【0015】次いで、図4に示す回路部材130の製造
方法の1例を、図5に基づいて説明する。尚、図5は、
説明を分かり易くするため、図4(a)に示す一点鎖線
B3−B4における断面のみを示している。先ず、42
合金(Ni42%のFe合金)等からなる、回路部材の
素材である厚さ0.2mm程度の板材510を準備し、
板材510の両面を脱脂等を行い良く洗浄処理した(図
5(a))後、板材510の両面に感光性のレジスト5
20を塗布し、乾燥する。(図5(b)) 次いで、板材510の両面から所定のパターン版を用い
てレジストの所定の部分のみに露光を行った後、現像処
理し、レジストパターン521、522を形成する。
(図5(c)) 内部端子部131、リード部133、接続リード部13
4の形成領域においては、板材の一面側にレジストが覆
われていない。尚、レジストとてしは、特に限定はされ
ないが、重クロム酸カリウムを感光材としたガゼイン系
のレジストや、東京応化株式会社製のネガ型液状レジス
ト(PMERレジスト)等が使用できる。次いで、レジ
ストパターンを耐腐蝕性膜として、板材510の両面か
ら腐蝕液にてエッチングを行う。内部端子部、リード
部、接続リード部の形成領域においては、板材の一面側
のレジストが覆われていない為、片側からのみエッチン
グが進行する。(これを、ここではハーフエッチングと
言っている。) 板材510の表裏のエッチング量を加減することによ
り、薄肉部(内部端子部131)の厚さを調整すること
ができる。エッチングは、通常、腐蝕液として塩化第二
鉄水溶液を用い、板材の両面からスプレイエッチングに
て行う。エッチングにより、途中図5(d)のようにな
り、更にエッチングが進行して、内部端子部131間が
分離された状態で、一面を板材510の素材面510S
とした状態で、内部端子部131、リード部133、接
続リード部134を板材510の素材の厚さより薄肉
に、且つ外部端子部132、外枠部136を板材510
の素材の厚さと同じ厚さに形成される。(図5(e)) 次いで、レジストを剥離した後、図4に示す回路部材1
30が得られる。(図5(f)) 尚、生産性の面から、エッチング加工する際、複数個面
付けした状態で上記の工程を行う。
【0016】次に、図1に示す半導体装置100の製造
方法を、図6に基づいて簡単に説明する。先ず、図5の
ようにして外形加工して作製された、図4に示す回路部
材130を用意する。(6(a)) 次いで、洗浄処理等を施した後、内部端子部131の端
子面131S側に銀めっき処理を行い、銀めっき部16
0を設ける。(図6(b)) 尚、銀めっきに代え、金めっきやパラジウムめっきでも
良い。次いで、半導体素子110を、回路部材130の
内部端子部131形成領域の内側領域で、且つ、回路部
材130の内部端子部131の端子面131S側の素材
面130Sに、半導体素子の端子面111側とは反対側
の面で、絶縁層120を介して回路部材130と接着固
定(搭載)する。(図6(c)) 絶縁層120は、図1(a)に示すように絶縁性フィル
ム123の両面に接着材層125をもうけた構造のもの
等が挙げられるが、これに代え、市販のダイアタッチ剤
を用いても良い。そして、半導体素子110の端子11
1と、内部端子部131の端子面131S(銀めっき部
160)とをワイヤ140にて電気的に接続する。(図
6(d)) この後、外部端子部132の一部を外部に露出させ、全
体を封止用樹脂150で樹脂封止する。(図6(e)) 更に、露出した外部端子部132の端子面132Sに、
半田めっき等の表面処理剤を施した後、半田ボールから
なる外部電極170を形成する。(図6(f)) 次いで、回路部材130の各接続リード134をプレス
により切断し、外枠部136を除去する。(図6
(g)) また、半田ボールからなる外部電極170のかわりに、
スクリーン印刷による半田ペースト塗布などで回路基板
と半導体装置との接続に必要な量の半田が得られるよう
にしても良い。
【0017】
【実施例】更に、本発明の回路部材の実施例を挙げて、
図4に基づいて説明する。42合金(Ni42%のFe
合金)からなり、外部端子部の厚さ0.2mm、内部端
子部の厚さを0.05mmとする、図4に示す回路部材
130を、図5に示す加工方法にて作製して得た後、図
6に示す半導体装置の作製方法により、図1に示す半導
体装置を作製したが、品質的には特に問題はなかった。
【0018】
【発明の効果】本発明は、上記のように、更なる樹脂封
止型半導体装置の高集積化、高機能化が求められる状況
のもと、半導体装置におけるチップの占有率を上げ、半
導体装置の小型化に対応させ、回路基板への実装面積を
低減できる、即ち、回路基板への実装密度を向上させる
ことができる導体装置の提供を可能としたものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の樹脂封止型半導体装置の1例を示した
【図2】本発明の樹脂封止型半導体装置の1例の斜視図
【図3】本発明の樹脂封止型半導体装置の1例の変形例
の断面図
【図4】本発明の回路部材を示した図
【図5】本発明の回路部材の製造工程図
【図6】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造工程図
【符号の説明】
100、101 樹脂封止型半導体装置 110 半導体素子 111 端子(パッド) 120 絶縁層(絶縁性フィル
ム) 130 回路部材 130A 回路部 130S 素材面 131 内部端子部 131S 端子面 132 外部端子部 132S 端子面 133 リード 134 接続リード 135 半導体素子搭載用リード
部 136 枠部 140 ワイヤ 150 封止用樹脂 160 銀めっき 170 半田からなる外部電極 510 板材 510S 板材の素材面 520 レジスト 521、522 レジストパターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 八木 裕 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体素子の端子と電気的に結線するた
    めの内部端子部と、外部回路への接続のための外部端子
    部と、前記内部端子部と外部端子部とを一体的に連結す
    るリード部とを略平面内に複数個、それぞれ互いに独立
    して配置し、且つ、内部端子部の半導体素子と接続する
    ための端子面と、外部端子部の外部回路と接続するため
    の端子面とを、互いに異なる面側に配設した回路部であ
    って、その一面を全て、内部端子部の端子面に沿う一平
    面上に設け、内部端子部、リード部は、外部端子部より
    薄肉に形成され、外部端子部の端子面は、前記一平面側
    でない、リード部の面より突出されている回路部を設け
    たもので、半導体素子は、半導体素子の端子部とは反対
    の面を、回路部の内部端子部より内側の内部端子部の端
    子面側の面において、回路部に絶縁層を介して接着固定
    して回路部に搭載され、半導体素子の端子部と回路部の
    内部端子部の端子面とをワイヤにて電気的に接続してお
    り、且つ、回路部の外部端子部の一部を外部に露出さ
    せ、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置である、または
    前記樹脂封止型半導体装置の外部に露出した外部端子部
    の面に、回路基板等への実装のための半田からなる外部
    電極を設けた樹脂封止型半導体装置であることを特徴と
    する樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項2】 請求項1において、一面を内部端子部の
    端子面に沿い、且つ、外部端子部に接続し、内部に延び
    る、外部端子部より薄肉の半導体素子搭載用リードを設
    け、半導体素子は、半導体素子の端子部とは反対の面
    を、絶縁層を介して接着固定して、少なくとも半導体素
    子搭載用リードに搭載されていることを特徴とする樹脂
    封止型半導体装置。
  3. 【請求項3】 請求項1ないし2において、樹脂封止領
    域をほぼ半導体素子の外形寸法にあわせたCSP(Ch
    ip Size Package)としたことを特徴と
    する樹脂封止型半導体装置。
  4. 【請求項4】 半導体素子の端子と電気的に結線するた
    めの内部端子部と、外部回路への接続のための外部端子
    部と、前記内部端子部と外部端子部とを一体的に連結す
    るリード部とを有し、これらを略平面内に複数個、それ
    ぞれ互いに独立して配置し、前記リード部に一体的に連
    結した前記リード部とは異なる、接続リードを介してこ
    れらの外側で、全体を保持する外枠部とを備え、且つ内
    部端子部の端子面および外部端子の端子面とを、互いに
    異なる面側に設けた樹脂封止型半導体装置用回路部材で
    あり、回路部材の内部端子部の端子面側の面は全て素材
    面で、内部端子部、リード部および接続リード部は、回
    路部材の素材の板厚よりも薄肉に形成され、外部端子部
    は、回路部材の素材の板厚に形成されており、外部端子
    部の外部回路と接続する側の端子面は、素材面側でない
    リード部の面や接続リード部の面より突出されているも
    のであり、且つ、内部端子部は、半導体素子搭載領域の
    外側に形成されていることを特徴とする回路部材。
  5. 【請求項5】 請求項4において、一面を素材面に沿
    い、且つ、外部端子部に接続し、内部に延びる回路部材
    の素材の板厚よりも薄肉な半導体素子搭載用リードを設
    けていることを特徴とする回路部材。
  6. 【請求項6】 ハーフエッチング加工により、外形加工
    したものであることを特徴とする請求項4ないし5記載
    の回路部材。
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US09/123,558 US6359221B1 (en) 1997-08-04 1998-07-29 Resin sealed semiconductor device, circuit member for use therein
US09/804,149 US6465734B2 (en) 1997-08-04 2001-03-13 Resin sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing circuit member
US09/987,855 US6658734B2 (en) 1997-08-04 2001-11-16 Method of manufacturing a circuit member for a resin-sealed semiconductor device

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1189279A1 (en) * 2000-03-13 2002-03-20 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Resin-sealed semiconductor device, circuit member used for the device, and method of manufacturing the circuit member
KR100404062B1 (ko) * 2000-05-24 2003-11-03 산요덴키가부시키가이샤 판상체 및 반도체 장치의 제조 방법
KR100457421B1 (ko) * 1999-12-16 2004-11-16 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100457421B1 (ko) * 1999-12-16 2004-11-16 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
EP1189279A1 (en) * 2000-03-13 2002-03-20 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Resin-sealed semiconductor device, circuit member used for the device, and method of manufacturing the circuit member
EP1189279A4 (en) * 2000-03-13 2006-04-12 Dainippon Printing Co Ltd SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR DEVICE WITH RESIN ENVELOPE, CIRCUIT MEMBER FOR THIS DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE CIRCUIT MEMBER
US7307347B2 (en) 2000-03-13 2007-12-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Resin-encapsulated package, lead member for the same and method of fabricating the lead member
KR100404062B1 (ko) * 2000-05-24 2003-11-03 산요덴키가부시키가이샤 판상체 및 반도체 장치의 제조 방법

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