JPH1154381A - アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 - Google Patents
アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法Info
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- JPH1154381A JPH1154381A JP9207524A JP20752497A JPH1154381A JP H1154381 A JPH1154381 A JP H1154381A JP 9207524 A JP9207524 A JP 9207524A JP 20752497 A JP20752497 A JP 20752497A JP H1154381 A JPH1154381 A JP H1154381A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い静電容量を得ることができるアルミ電解
コンデンサ用電極箔の製造方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 エッチング処理されたアルミニウム箔を
脱塩素処理し、その後、酸またはアルカリ溶液中でアル
ミニウム箔を陰極にして電圧を印加することにより水和
処理を行い、その後、熱処理を行い、さらにその後、化
成処理を行うようにしたものである。
コンデンサ用電極箔の製造方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 エッチング処理されたアルミニウム箔を
脱塩素処理し、その後、酸またはアルカリ溶液中でアル
ミニウム箔を陰極にして電圧を印加することにより水和
処理を行い、その後、熱処理を行い、さらにその後、化
成処理を行うようにしたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は低圧用のアルミ電解
コンデンサに用いられるアルミ電解コンデンサ用電極箔
の製造方法に関するものである。
コンデンサに用いられるアルミ電解コンデンサ用電極箔
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に陽極用の電極箔はアルミニウム箔
を電気化学的あるいは化学的にエッチングして有効表面
積を拡大したものが使用されているが、この表面積を拡
大するために種々のエッチング方法が研究されている。
一般的にはアルミニウム箔を数種類の異なるエッチング
槽に連続的に挿入し、各エッチング槽内のエッチング条
件を変えることによりアルミニウム箔の表面積を徐々に
拡大している。エッチングされたアルミニウム箔はその
後脱塩素処理を行い、水和処理を施した後に化成処理さ
れて製造されている。
を電気化学的あるいは化学的にエッチングして有効表面
積を拡大したものが使用されているが、この表面積を拡
大するために種々のエッチング方法が研究されている。
一般的にはアルミニウム箔を数種類の異なるエッチング
槽に連続的に挿入し、各エッチング槽内のエッチング条
件を変えることによりアルミニウム箔の表面積を徐々に
拡大している。エッチングされたアルミニウム箔はその
後脱塩素処理を行い、水和処理を施した後に化成処理さ
れて製造されている。
【０００３】エッチングされた後の水和処理は、アルミ
ニウム箔の表面に水酸化皮膜を形成することにより、化
成の際の陽極酸化皮膜の膜質を向上させることを目的と
するものである。通常はアルミニウム箔を高温の純水中
に浸漬することによって行われているが、特開平２−２
１６８１０号公報に見られるように高温の純水中にアミ
ンを添加したもので行われているものもある。
ニウム箔の表面に水酸化皮膜を形成することにより、化
成の際の陽極酸化皮膜の膜質を向上させることを目的と
するものである。通常はアルミニウム箔を高温の純水中
に浸漬することによって行われているが、特開平２−２
１６８１０号公報に見られるように高温の純水中にアミ
ンを添加したもので行われているものもある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た水和処理法では、更なる静電容量の増大化に対して必
ずしも満足できる結果は得られていない。
た水和処理法では、更なる静電容量の増大化に対して必
ずしも満足できる結果は得られていない。
【０００５】本発明は上記のような事情に鑑みてなされ
たもので、高い静電容量を得ることができるアルミ電解
コンデンサ用電極箔の製造方法を提供することを目的と
するものである。
たもので、高い静電容量を得ることができるアルミ電解
コンデンサ用電極箔の製造方法を提供することを目的と
するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法
は、エッチング処理されたアルミニウム箔を脱塩素処理
し、その後、酸またはアルカリ溶液中でアルミニウム箔
を陰極にして電圧を印加することにより水和処理を行
い、その後、熱処理を行い、さらにその後、化成処理を
行うようにしたもので、この製造方法によれば高い静電
容量を得ることができるものである。
に本発明のアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法
は、エッチング処理されたアルミニウム箔を脱塩素処理
し、その後、酸またはアルカリ溶液中でアルミニウム箔
を陰極にして電圧を印加することにより水和処理を行
い、その後、熱処理を行い、さらにその後、化成処理を
行うようにしたもので、この製造方法によれば高い静電
容量を得ることができるものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、エッチング処理されたアルミニウム箔を脱塩素処理
し、その後、酸またはアルカリ溶液中でアルミニウム箔
を陰極にして電圧を印加することにより水和処理を行
い、その後、熱処理を行い、さらにその後、化成処理を
行うようにしたもので、この製造方法によれば高い静電
容量を得ることができるものである。すなわち、通常の
浸漬処理による水和処理の場合は、エッチングピットに
おける細孔の径が小さくなればなるほど細孔内と外部の
処理液の交換が行われにくくなるため、水和皮膜の形成
が細孔内と外部で差が生じ不均一に形成されてしまう。
しかるにアルミニウム箔を陰極にして電圧を印加すると
溶液中の水が還元され、アルミニウム箔から水素ガスが
発生するためアルミニウム箔表面近傍のｐＨは溶液の沖
合いｐＨより高くなり、水和皮膜が形成されやすくなる
ものである。特に、細孔内においては、水素ガス発生に
より液交換が行われやすくなって細孔内と外部で水和皮
膜の形成が均一に行われるものである。これにより、化
成時においては、均一な化成皮膜が形成されて高い静電
容量が得られるものである。
は、エッチング処理されたアルミニウム箔を脱塩素処理
し、その後、酸またはアルカリ溶液中でアルミニウム箔
を陰極にして電圧を印加することにより水和処理を行
い、その後、熱処理を行い、さらにその後、化成処理を
行うようにしたもので、この製造方法によれば高い静電
容量を得ることができるものである。すなわち、通常の
浸漬処理による水和処理の場合は、エッチングピットに
おける細孔の径が小さくなればなるほど細孔内と外部の
処理液の交換が行われにくくなるため、水和皮膜の形成
が細孔内と外部で差が生じ不均一に形成されてしまう。
しかるにアルミニウム箔を陰極にして電圧を印加すると
溶液中の水が還元され、アルミニウム箔から水素ガスが
発生するためアルミニウム箔表面近傍のｐＨは溶液の沖
合いｐＨより高くなり、水和皮膜が形成されやすくなる
ものである。特に、細孔内においては、水素ガス発生に
より液交換が行われやすくなって細孔内と外部で水和皮
膜の形成が均一に行われるものである。これにより、化
成時においては、均一な化成皮膜が形成されて高い静電
容量が得られるものである。
【０００８】請求項２に記載の発明は、水和処理におけ
る酸またはアルカリ溶液のｐＨを５．５〜１０、処理温
度を４０〜７０℃、印加電圧を２〜５０Ｖ、処理時間を
０．５〜３分の範囲に設定したもので、この範囲に設定
した理由は以下の通りである。すなわち、ｐＨが５．５
前後でアルミニウム箔の溶解度は最低となるため、水和
皮膜は最も形成されにくい。一方、ｐＨが１０以上にな
ると、アルミニウム箔の溶解だけでなく、水和皮膜の溶
解も激しくなるため十分な水和皮膜形成が行われないも
のである。また、処理温度が４０℃以下では反応性が低
いため、水和皮膜が形成されにくく、一方、７０℃以上
ではアルミニウム箔の溶解が激しくなるため、十分な水
和皮膜形成が行われないものであり、したがって、最適
なｐＨは５．５〜１０の範囲であり、かつ最適な処理温
度は４０〜７０℃の範囲である。
る酸またはアルカリ溶液のｐＨを５．５〜１０、処理温
度を４０〜７０℃、印加電圧を２〜５０Ｖ、処理時間を
０．５〜３分の範囲に設定したもので、この範囲に設定
した理由は以下の通りである。すなわち、ｐＨが５．５
前後でアルミニウム箔の溶解度は最低となるため、水和
皮膜は最も形成されにくい。一方、ｐＨが１０以上にな
ると、アルミニウム箔の溶解だけでなく、水和皮膜の溶
解も激しくなるため十分な水和皮膜形成が行われないも
のである。また、処理温度が４０℃以下では反応性が低
いため、水和皮膜が形成されにくく、一方、７０℃以上
ではアルミニウム箔の溶解が激しくなるため、十分な水
和皮膜形成が行われないものであり、したがって、最適
なｐＨは５．５〜１０の範囲であり、かつ最適な処理温
度は４０〜７０℃の範囲である。
【０００９】なお、液の種類に関しては、特に規定する
ものではない。また印加電圧が２Ｖ以下または処理時間
が０．５分以下では、水和皮膜の形成が十分ではなく、
一方、５０Ｖ以上または３分以上では、厚い水和皮膜が
形成されてしまって静電容量の低下を招いてしまうもの
であり、したがって、最適な電圧は２〜５０Ｖの範囲で
あり、かつ最適な処理時間は０．５〜３分の範囲であ
る。
ものではない。また印加電圧が２Ｖ以下または処理時間
が０．５分以下では、水和皮膜の形成が十分ではなく、
一方、５０Ｖ以上または３分以上では、厚い水和皮膜が
形成されてしまって静電容量の低下を招いてしまうもの
であり、したがって、最適な電圧は２〜５０Ｖの範囲で
あり、かつ最適な処理時間は０．５〜３分の範囲であ
る。
【００１０】以下、本発明の具体的な実施の形態と比較
例について説明する。エッチング工程として、純度９
９．９８％、厚さ１００μｍの高純度アルミニウム箔の
試料（有効面積２×５cm）を、液温が４０℃である１７
wt％の塩酸溶液に硫酸を１wt％添加した電解液に浸漬
し、電流密度０．５Ａ／cm2、周波数４０Hzで３分間交
流エッチングを行った。その後、このエッチング処理が
なされたアルミニウム箔を、液温が５５℃である１２wt
％の硫酸溶液中に３分間浸漬して脱塩素処理を行った。
その後、水和処理として、ｐＨ、処理温度、印加電圧、
処理時間を変化させて水和皮膜を形成した後、３００℃
で１分間の熱処理を行った。そしてこの後、液温が６０
℃である３wt％のアジピン酸アンモニウム水溶液中で、
化成電圧２２Ｖを印加して定電流による本化成を行っ
た。
例について説明する。エッチング工程として、純度９
９．９８％、厚さ１００μｍの高純度アルミニウム箔の
試料（有効面積２×５cm）を、液温が４０℃である１７
wt％の塩酸溶液に硫酸を１wt％添加した電解液に浸漬
し、電流密度０．５Ａ／cm2、周波数４０Hzで３分間交
流エッチングを行った。その後、このエッチング処理が
なされたアルミニウム箔を、液温が５５℃である１２wt
％の硫酸溶液中に３分間浸漬して脱塩素処理を行った。
その後、水和処理として、ｐＨ、処理温度、印加電圧、
処理時間を変化させて水和皮膜を形成した後、３００℃
で１分間の熱処理を行った。そしてこの後、液温が６０
℃である３wt％のアジピン酸アンモニウム水溶液中で、
化成電圧２２Ｖを印加して定電流による本化成を行っ
た。
【００１１】上記本発明の実施の形態１では、ほう酸
（１％）と酢酸（０．３％）を混合することによりｐＨ
を３．５に調整し、処理温度６０℃、印加電圧３０Ｖ、
処理時間２分の水和処理を行った。
（１％）と酢酸（０．３％）を混合することによりｐＨ
を３．５に調整し、処理温度６０℃、印加電圧３０Ｖ、
処理時間２分の水和処理を行った。
【００１２】実施の形態２では、ほう酸（１％）により
ｐＨを５．５に調整し、処理温度６０℃、印加電圧３０
Ｖ、処理時間２分の水和処理を行った。
ｐＨを５．５に調整し、処理温度６０℃、印加電圧３０
Ｖ、処理時間２分の水和処理を行った。
【００１３】実施の形態３では、アジピン酸アンモニウ
ム（１％）によりｐＨを６．８に調整し、処理温度６０
℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
ム（１％）によりｐＨを６．８に調整し、処理温度６０
℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
【００１４】実施の形態４では、酢酸アンモニウム
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
【００１５】実施の形態５では、アンモニア（１％）と
酢酸（０．１％）によりｐＨを１０に調整し、処理温度
６０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行
った。
酢酸（０．１％）によりｐＨを１０に調整し、処理温度
６０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行
った。
【００１６】実施の形態６では、アンモニア（１％）に
よりｐＨを１１に調整し、処理温度６０℃、印加電圧３
０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行った。
よりｐＨを１１に調整し、処理温度６０℃、印加電圧３
０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行った。
【００１７】実施の形態７では、酢酸アンモニウム
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度３
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度３
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
【００１８】実施の形態８では、酢酸アンモニウム
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度４
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度４
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
【００１９】実施の形態９では、酢酸アンモニウム
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度５
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度５
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
【００２０】実施の形態１０では、酢酸アンモニウム
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度７
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度７
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
【００２１】実施の形態１１では、酢酸アンモニウム
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度８
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度８
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
【００２２】実施の形態１２では、酢酸アンモニウム
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧１Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧１Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
【００２３】実施の形態１３では、酢酸アンモニウム
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧２Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧２Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
【００２４】実施の形態１４では、酢酸アンモニウム
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧２０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧２０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
【００２５】実施の形態１５では、酢酸アンモニウム
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧５０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧５０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
【００２６】実施の形態１６では、酢酸アンモニウム
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧６０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧６０Ｖ、処理時間２分の水和処理を行っ
た。
【００２７】実施の形態１７では、酢酸アンモニウム
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間０．３分の水和処理を
行った。
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間０．３分の水和処理を
行った。
【００２８】実施の形態１８では、酢酸アンモニウム
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間０．５分の水和処理を
行った。
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間０．５分の水和処理を
行った。
【００２９】実施の形態１９では、酢酸アンモニウム
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間１分の水和処理を行っ
た。
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間１分の水和処理を行っ
た。
【００３０】実施の形態２０では、酢酸アンモニウム
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間３分の水和処理を行っ
た。
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間３分の水和処理を行っ
た。
【００３１】実施の形態２１では、酢酸アンモニウム
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間３．５分の水和処理を
行った。
（０．８％）によりｐＨを８．６に調整し、処理温度６
０℃、印加電圧３０Ｖ、処理時間３．５分の水和処理を
行った。
【００３２】比較例は、水和処理を９５℃の純水に２分
間浸漬して行い、３００℃で１分間の熱処理を行った
後、本化成を行った。
間浸漬して行い、３００℃で１分間の熱処理を行った
後、本化成を行った。
【００３３】（表１）は上記本発明の実施の形態１〜２
１および比較例に示した処理済みアルミニウム箔の静電
容量を測定した結果を示したものである。
１および比較例に示した処理済みアルミニウム箔の静電
容量を測定した結果を示したものである。
【００３４】
【表１】
【００３５】（表１）から明らかなように、比較例の静
電容量を１００とした場合、酸またはアルカリ溶液中で
アルミニウム箔を陰極にして電圧を印加することにより
水和処理を行う際のｐＨは５．５〜１０、処理温度は４
０〜７０℃、印加電圧は２〜５０Ｖ、処理時間は０．５
〜３分の範囲において高い静電容量が得られるものであ
る。なお、液組成については、特に規定するものではな
く、ｐＨが上記範囲内であれば同様の効果が得られるも
のである。
電容量を１００とした場合、酸またはアルカリ溶液中で
アルミニウム箔を陰極にして電圧を印加することにより
水和処理を行う際のｐＨは５．５〜１０、処理温度は４
０〜７０℃、印加電圧は２〜５０Ｖ、処理時間は０．５
〜３分の範囲において高い静電容量が得られるものであ
る。なお、液組成については、特に規定するものではな
く、ｐＨが上記範囲内であれば同様の効果が得られるも
のである。
【００３６】
【発明の効果】以上のように本発明のアルミ電解コンデ
ンサ用電極箔の製造方法は、エッチング処理されたアル
ミニウム箔を脱塩素処理し、その後、酸またはアルカリ
溶液中でアルミニウム箔を陰極にして電圧を印加するこ
とにより水和処理を行い、その後、熱処理を行い、さら
にその後、化成処理を行うようにしたもので、この製造
方法によれば、高い静電容量を得ることができるもので
ある。すなわち、通常の浸漬処理による水和処理の場合
は、エッチングピットにおける細孔の径が小さくなれば
なるほど細孔内と外部の処理液の交換が行われにくくな
るため、水和皮膜の形成が細孔内と外部で差が生じ、不
均一に形成されてしまう。しかるにアルミニウム箔を陰
極にして電圧を印加すると、溶液中の水が還元され、ア
ルミニウム箔から水素ガスが発生するため、アルミニウ
ム箔表面近傍のｐＨは溶液の沖合いｐＨより高くなり、
水和皮膜が形成されやすくなるものである。特に、細孔
内においては、水素ガス発生により液交換が行われやす
くなって細孔内と外部で水和皮膜の形成が均一に行われ
るものである。これにより、化成時においては、均一な
化成皮膜が形成されて高い静電容量が得られるものであ
る。
ンサ用電極箔の製造方法は、エッチング処理されたアル
ミニウム箔を脱塩素処理し、その後、酸またはアルカリ
溶液中でアルミニウム箔を陰極にして電圧を印加するこ
とにより水和処理を行い、その後、熱処理を行い、さら
にその後、化成処理を行うようにしたもので、この製造
方法によれば、高い静電容量を得ることができるもので
ある。すなわち、通常の浸漬処理による水和処理の場合
は、エッチングピットにおける細孔の径が小さくなれば
なるほど細孔内と外部の処理液の交換が行われにくくな
るため、水和皮膜の形成が細孔内と外部で差が生じ、不
均一に形成されてしまう。しかるにアルミニウム箔を陰
極にして電圧を印加すると、溶液中の水が還元され、ア
ルミニウム箔から水素ガスが発生するため、アルミニウ
ム箔表面近傍のｐＨは溶液の沖合いｐＨより高くなり、
水和皮膜が形成されやすくなるものである。特に、細孔
内においては、水素ガス発生により液交換が行われやす
くなって細孔内と外部で水和皮膜の形成が均一に行われ
るものである。これにより、化成時においては、均一な
化成皮膜が形成されて高い静電容量が得られるものであ
る。
フロントページの続き (72)発明者 中村 克之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小島 浩一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 エッチング処理されたアルミニウム箔を
脱塩素処理し、その後、酸またはアルカリ溶液中でアル
ミニウム箔を陰極にして電圧を印加することにより水和
処理を行い、その後、熱処理を行い、さらにその後、化
成処理を行うようにしたアルミ電解コンデンサ用電極箔
の製造方法。 - 【請求項２】 水和処理における酸またはアルカリ溶液
のｐＨを５．５〜１０、処理温度を４０〜７０℃、印加
電圧を２〜５０Ｖ、処理時間を０．５〜３分の範囲に設
定した請求項１に記載のアルミ電解コンデンサ用電極箔
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9207524A JPH1154381A (ja) | 1997-08-01 | 1997-08-01 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9207524A JPH1154381A (ja) | 1997-08-01 | 1997-08-01 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154381A true JPH1154381A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16541151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9207524A Pending JPH1154381A (ja) | 1997-08-01 | 1997-08-01 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1154381A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019021638A1 (ja) * | 2017-07-28 | 2019-01-31 | 日本軽金属株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極およびその製造方法 |
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