JPH09246108A - アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 - Google Patents
アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法Info
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- JPH09246108A JPH09246108A JP8045749A JP4574996A JPH09246108A JP H09246108 A JPH09246108 A JP H09246108A JP 8045749 A JP8045749 A JP 8045749A JP 4574996 A JP4574996 A JP 4574996A JP H09246108 A JPH09246108 A JP H09246108A
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- aluminum
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い静電容量を得ることができるアルミ電解
コンデンサ用電極箔の製造方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 化学的あるいは電気化学的にエッチング
処理されたアルミニウム箔を脱塩素処理し、その後、水
和処理を施してアルミニウム箔の表面に水和皮膜を形成
し、さらにその後、熱処理を行って、この熱処理後のア
ルミニウム箔表面の水分量がアルミニウム箔の減量１ｇ
当たり５．４〜８．４mgの範囲となるように規定したア
ルミニウム箔を化成処理するようにしたものである。
コンデンサ用電極箔の製造方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 化学的あるいは電気化学的にエッチング
処理されたアルミニウム箔を脱塩素処理し、その後、水
和処理を施してアルミニウム箔の表面に水和皮膜を形成
し、さらにその後、熱処理を行って、この熱処理後のア
ルミニウム箔表面の水分量がアルミニウム箔の減量１ｇ
当たり５．４〜８．４mgの範囲となるように規定したア
ルミニウム箔を化成処理するようにしたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低圧用アルミ電解
コンデンサに用いられるアルミ電解コンデンサ用電極箔
の製造方法に関するものである。
コンデンサに用いられるアルミ電解コンデンサ用電極箔
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にこの種のアルミ電解コンデンサ用
電極箔は、アルミニウム箔を化学的あるいは電気化学的
にエッチング処理することによりアルミニウム箔の有効
表面積を拡大させ、その後、水和処理を施してアルミニ
ウム箔表面に水和皮膜を形成し、さらにその後、熱処理
を施し、この後、化成処理を施すようにしている。
電極箔は、アルミニウム箔を化学的あるいは電気化学的
にエッチング処理することによりアルミニウム箔の有効
表面積を拡大させ、その後、水和処理を施してアルミニ
ウム箔表面に水和皮膜を形成し、さらにその後、熱処理
を施し、この後、化成処理を施すようにしている。
【０００３】アルミニウム箔の有効表面積を拡大させる
ために、種々のエッチング方法が研究されているが、一
般的には、アルミニウム箔を多数のエッチング槽に連続
的に挿入し、そして各エッチング槽内のエッチング条件
を変えることにより、アルミニウム箔の有効表面積を徐
々に拡大させるようにしている。
ために、種々のエッチング方法が研究されているが、一
般的には、アルミニウム箔を多数のエッチング槽に連続
的に挿入し、そして各エッチング槽内のエッチング条件
を変えることにより、アルミニウム箔の有効表面積を徐
々に拡大させるようにしている。
【０００４】また、アルミニウム箔の表面に水和皮膜を
形成する水和処理は、化成処理においてγ−Ａｌ2Ｏ3に
転化しやすい水酸化アルミをアルミニウム箔の表面に形
成するためになされるものであるが、通常はアルミニウ
ム箔を高温の純水中に浸漬することによって行われてい
る。
形成する水和処理は、化成処理においてγ−Ａｌ2Ｏ3に
転化しやすい水酸化アルミをアルミニウム箔の表面に形
成するためになされるものであるが、通常はアルミニウ
ム箔を高温の純水中に浸漬することによって行われてい
る。
【０００５】そしてまた熱処理は、化成処理において酸
化皮膜の結晶化を促進させるための結晶種を作ることを
目的として行われているものである。
化皮膜の結晶化を促進させるための結晶種を作ることを
目的として行われているものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た水和処理方法では、ユーザーからのニーズである静電
容量の増大化に対して必ずしも満足できる結果は得られ
ていない。
た水和処理方法では、ユーザーからのニーズである静電
容量の増大化に対して必ずしも満足できる結果は得られ
ていない。
【０００７】本発明は上記のような事情に鑑みてなされ
たもので、高い静電容量を得ることができるアルミ電解
コンデンサ用電極箔の製造方法を提供することを目的と
するものである。
たもので、高い静電容量を得ることができるアルミ電解
コンデンサ用電極箔の製造方法を提供することを目的と
するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法
は、化学的あるいは電気化学的にエッチング処理された
アルミニウム箔を脱塩素処理し、その後、水和処理を施
してアルミニウム箔の表面に水和皮膜を形成し、さらに
その後、熱処理を行って、この熱処理後のアルミニウム
箔表面の水分量がアルミニウム箔の減量１ｇ当たり５．
４〜８．４mgの範囲となるように規定したアルミニウム
箔を化成処理するようにしたもので、この製造方法によ
れば、高い静電容量を得ることができるものである。
に本発明のアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法
は、化学的あるいは電気化学的にエッチング処理された
アルミニウム箔を脱塩素処理し、その後、水和処理を施
してアルミニウム箔の表面に水和皮膜を形成し、さらに
その後、熱処理を行って、この熱処理後のアルミニウム
箔表面の水分量がアルミニウム箔の減量１ｇ当たり５．
４〜８．４mgの範囲となるように規定したアルミニウム
箔を化成処理するようにしたもので、この製造方法によ
れば、高い静電容量を得ることができるものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、化学的あるいは電気化学的にエッチング処理された
アルミニウム箔を脱塩素処理し、その後、水和処理を施
してアルミニウム箔の表面に水和皮膜を形成し、さらに
その後、熱処理を行って、この熱処理後のアルミニウム
箔表面の水分量がアルミニウム箔の減量１ｇ当たり５．
４〜８．４mgの範囲となるように規定したアルミニウム
箔を化成処理するようにしたもので、この製造方法によ
れば、熱処理後のアルミニウム箔表面の水分量を、アル
ミニウム箔の減量１ｇ当たり５．４〜８．４mgの範囲と
なるように規定しているため、高い静電容量を得ること
ができるものである。すなわち、水分量が８．４mg以上
であると、水和処理によりアルミニウム箔の表面に形成
される水和皮膜の厚みが厚くなっているため、この水和
皮膜によってエッチングにより形成されたピットが埋め
られて有効表面積が減少し、これにより、静電容量が低
下するものであり、一方、水分量が５．４mg以下である
と、水和処理によりアルミニウム箔の表面に形成される
水和皮膜の厚みが薄いため、この後の熱処理により作ら
れる結晶種の数が十分でなくなり、その結果、耐電圧当
たりの膜厚が厚くなって、静電容量が低下するものであ
り、したがって、熱処理後のアルミニウム箔表面の水分
量を、アルミニウム箔の減量１ｇ当たり５．４〜８．４
mgの範囲となるように規定することにより、最適な厚み
の水和皮膜が形成されるとともに、適度な結晶種が生成
されて高い静電容量を得ることができるものである。
は、化学的あるいは電気化学的にエッチング処理された
アルミニウム箔を脱塩素処理し、その後、水和処理を施
してアルミニウム箔の表面に水和皮膜を形成し、さらに
その後、熱処理を行って、この熱処理後のアルミニウム
箔表面の水分量がアルミニウム箔の減量１ｇ当たり５．
４〜８．４mgの範囲となるように規定したアルミニウム
箔を化成処理するようにしたもので、この製造方法によ
れば、熱処理後のアルミニウム箔表面の水分量を、アル
ミニウム箔の減量１ｇ当たり５．４〜８．４mgの範囲と
なるように規定しているため、高い静電容量を得ること
ができるものである。すなわち、水分量が８．４mg以上
であると、水和処理によりアルミニウム箔の表面に形成
される水和皮膜の厚みが厚くなっているため、この水和
皮膜によってエッチングにより形成されたピットが埋め
られて有効表面積が減少し、これにより、静電容量が低
下するものであり、一方、水分量が５．４mg以下である
と、水和処理によりアルミニウム箔の表面に形成される
水和皮膜の厚みが薄いため、この後の熱処理により作ら
れる結晶種の数が十分でなくなり、その結果、耐電圧当
たりの膜厚が厚くなって、静電容量が低下するものであ
り、したがって、熱処理後のアルミニウム箔表面の水分
量を、アルミニウム箔の減量１ｇ当たり５．４〜８．４
mgの範囲となるように規定することにより、最適な厚み
の水和皮膜が形成されるとともに、適度な結晶種が生成
されて高い静電容量を得ることができるものである。
【００１０】以下、本発明の具体的な実施の形態と比較
例について説明する。エッチング工程として、純度９
９．９８％、厚さ１００μmの高純度アルミニウム箔の
試料（有効面積２×５cm）を、液温が２５℃であり、か
つ１２wt％の塩酸溶液に硫酸を０．１wt％添加した電解
液に浸漬し、電流密度０．２Ａ／cm2、周波数２５Hzで
３分間交流エッチングを行った。その後、このエッチン
グ処理がなされたアルミニウム箔を、液温が５５℃であ
る１０wt％の硫酸溶液中に１分間浸漬して脱塩素処理を
行った。その後、水和処理を施してアルミニウム箔の表
面に水和皮膜を形成し、さらにその後、４００℃で２分
間熱処理を行った。
例について説明する。エッチング工程として、純度９
９．９８％、厚さ１００μmの高純度アルミニウム箔の
試料（有効面積２×５cm）を、液温が２５℃であり、か
つ１２wt％の塩酸溶液に硫酸を０．１wt％添加した電解
液に浸漬し、電流密度０．２Ａ／cm2、周波数２５Hzで
３分間交流エッチングを行った。その後、このエッチン
グ処理がなされたアルミニウム箔を、液温が５５℃であ
る１０wt％の硫酸溶液中に１分間浸漬して脱塩素処理を
行った。その後、水和処理を施してアルミニウム箔の表
面に水和皮膜を形成し、さらにその後、４００℃で２分
間熱処理を行った。
【００１１】そしてこの後、液温が７０℃である７wt％
のアジピン酸アンモニウム水溶液中で、化成電圧２２Ｖ
を印加して定電流化成を行った。
のアジピン酸アンモニウム水溶液中で、化成電圧２２Ｖ
を印加して定電流化成を行った。
【００１２】前記熱処理後のアルミニウム箔の表面の水
分量は、（表１）に示すように、水和処理の条件を変え
ることにより規定した。すなわち、水和処理溶液とし
て、ＮａＯＨ水溶液と純水を用い、そしてＮａＯＨ水溶
液については濃度と処理時間を変え、一方純水について
は処理時間を変えて行った。つまり、本発明の実施の形
態１では、脱塩素処理がなされたアルミニウム箔を液温
が６０℃で、かつ濃度が０．５wt％のＮａＯＨ水溶液に
５分間浸漬してアルミニウム箔の表面に水和皮膜を形成
した。
分量は、（表１）に示すように、水和処理の条件を変え
ることにより規定した。すなわち、水和処理溶液とし
て、ＮａＯＨ水溶液と純水を用い、そしてＮａＯＨ水溶
液については濃度と処理時間を変え、一方純水について
は処理時間を変えて行った。つまり、本発明の実施の形
態１では、脱塩素処理がなされたアルミニウム箔を液温
が６０℃で、かつ濃度が０．５wt％のＮａＯＨ水溶液に
５分間浸漬してアルミニウム箔の表面に水和皮膜を形成
した。
【００１３】実施の形態２では、脱塩素処理がなされた
アルミニウム箔を液温が６０℃で、かつ濃度が０．５wt
％のＮａＯＨ水溶液に２分間浸漬してアルミニウム箔の
表面に水和皮膜を形成した。
アルミニウム箔を液温が６０℃で、かつ濃度が０．５wt
％のＮａＯＨ水溶液に２分間浸漬してアルミニウム箔の
表面に水和皮膜を形成した。
【００１４】実施の形態３では、脱塩素処理がなされた
アルミニウム箔を液温が６０℃で、かつ濃度が０．１wt
％のＮａＯＨ水溶液に３分間浸漬してアルミニウム箔の
表面に水和皮膜を形成した。
アルミニウム箔を液温が６０℃で、かつ濃度が０．１wt
％のＮａＯＨ水溶液に３分間浸漬してアルミニウム箔の
表面に水和皮膜を形成した。
【００１５】実施の形態４では、脱塩素処理がなされた
アルミニウム箔を液温が６０℃で、かつ濃度が０．１wt
％のＮａＯＨ水溶液に２．５分間浸漬してアルミニウム
箔の表面に水和皮膜を形成した。
アルミニウム箔を液温が６０℃で、かつ濃度が０．１wt
％のＮａＯＨ水溶液に２．５分間浸漬してアルミニウム
箔の表面に水和皮膜を形成した。
【００１６】実施の形態５では、脱塩素処理がなされた
アルミニウム箔を液温が６０℃で、かつ濃度が０．１wt
％のＮａＯＨ水溶液に２分間浸漬してアルミニウム箔の
表面に水和皮膜を形成した。
アルミニウム箔を液温が６０℃で、かつ濃度が０．１wt
％のＮａＯＨ水溶液に２分間浸漬してアルミニウム箔の
表面に水和皮膜を形成した。
【００１７】実施の形態６では、脱塩素処理がなされた
アルミニウム箔を液温が６０℃で、かつ濃度が０．１wt
％のＮａＯＨ水溶液に１．７分間浸漬してアルミニウム
箔の表面に水和皮膜を形成した。
アルミニウム箔を液温が６０℃で、かつ濃度が０．１wt
％のＮａＯＨ水溶液に１．７分間浸漬してアルミニウム
箔の表面に水和皮膜を形成した。
【００１８】実施の形態７では、脱塩素処理がなされた
アルミニウム箔を液温が６０℃で、かつ濃度が０．１wt
％のＮａＯＨ水溶液に１．２分間浸漬してアルミニウム
箔の表面に水和皮膜を形成した。
アルミニウム箔を液温が６０℃で、かつ濃度が０．１wt
％のＮａＯＨ水溶液に１．２分間浸漬してアルミニウム
箔の表面に水和皮膜を形成した。
【００１９】実施の形態８では、脱塩素処理がなされた
アルミニウム箔を液温が６０℃で、かつ濃度が０．１wt
％のＮａＯＨ水溶液に１分間浸漬してアルミニウム箔の
表面に水和皮膜を形成した。
アルミニウム箔を液温が６０℃で、かつ濃度が０．１wt
％のＮａＯＨ水溶液に１分間浸漬してアルミニウム箔の
表面に水和皮膜を形成した。
【００２０】実施の形態９では、脱塩素処理がなされた
アルミニウム箔を液温が９０℃の純水に１．５分間浸漬
してアルミニウム箔の表面に水和皮膜を形成した。
アルミニウム箔を液温が９０℃の純水に１．５分間浸漬
してアルミニウム箔の表面に水和皮膜を形成した。
【００２１】実施の形態１０では、脱塩素処理がなされ
たアルミニウム箔を液温が９０℃の純水に１分間浸漬し
てアルミニウム箔の表面に水和皮膜を形成した。
たアルミニウム箔を液温が９０℃の純水に１分間浸漬し
てアルミニウム箔の表面に水和皮膜を形成した。
【００２２】比較例は、脱塩素処理がなされたアルミニ
ウム箔を化成の前に、液温が９０℃の純水に２分間浸漬
してアルミニウム箔の表面に水和皮膜を形成した。
ウム箔を化成の前に、液温が９０℃の純水に２分間浸漬
してアルミニウム箔の表面に水和皮膜を形成した。
【００２３】上記した本発明の実施の形態１〜１０およ
び比較例について、熱処理後のアルミニウム箔の表面の
水分量をカールフィッシャー法で測定した。この測定結
果を（表１）に示す。また、本発明の実施の形態１〜１
０および比較例に示したアルミニウム箔を、液温が７０
℃である７wt％のアジピン酸アンモニウム水溶液に浸漬
し、化成電圧２２Ｖを印加して定電流化成を行い、その
ときの静電容量を測定した結果を（表１）に示す。
び比較例について、熱処理後のアルミニウム箔の表面の
水分量をカールフィッシャー法で測定した。この測定結
果を（表１）に示す。また、本発明の実施の形態１〜１
０および比較例に示したアルミニウム箔を、液温が７０
℃である７wt％のアジピン酸アンモニウム水溶液に浸漬
し、化成電圧２２Ｖを印加して定電流化成を行い、その
ときの静電容量を測定した結果を（表１）に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】（表１）から明らかなように、比較例の静
電容量を１００とした場合、熱処理後のアルミニウム箔
の表面の水分量がアルミニウム箔の減量１ｇ当たり５．
４〜８．４mgの範囲において、高い静電容量が得られる
ものである。
電容量を１００とした場合、熱処理後のアルミニウム箔
の表面の水分量がアルミニウム箔の減量１ｇ当たり５．
４〜８．４mgの範囲において、高い静電容量が得られる
ものである。
【００２６】（表２）は、脱塩素処理がなされたアルミ
ニウム箔を液温が６０℃で、かつ濃度が０．１wt％のＮ
ａＯＨ水溶液に２分間浸漬してアルミニウム箔の表面に
水和皮膜を形成し、その後、４００℃で２分間熱処理を
行ったものと、熱処理を行わなかったものを試作し、こ
れらを液温が７０℃である７wt％のアジピン酸アンモニ
ウム水溶液に浸漬し、化成電圧２２Ｖを印加して定電流
化成を行ったときの静電容量の測定結果を示したもので
ある。
ニウム箔を液温が６０℃で、かつ濃度が０．１wt％のＮ
ａＯＨ水溶液に２分間浸漬してアルミニウム箔の表面に
水和皮膜を形成し、その後、４００℃で２分間熱処理を
行ったものと、熱処理を行わなかったものを試作し、こ
れらを液温が７０℃である７wt％のアジピン酸アンモニ
ウム水溶液に浸漬し、化成電圧２２Ｖを印加して定電流
化成を行ったときの静電容量の測定結果を示したもので
ある。
【００２７】
【表２】
【００２８】（表２）から明らかなように、熱処理なし
の静電容量を１００とした場合、熱処理を行うことによ
り、高い静電容量が得られるものである。
の静電容量を１００とした場合、熱処理を行うことによ
り、高い静電容量が得られるものである。
【００２９】なお、上記した本発明の実施の形態１〜８
においては、水和処理を行う場合、脱塩素処理がなされ
たアルミニウム箔をＮａＯＨ水溶液に浸漬してアルミニ
ウム箔の表面に水和皮膜を形成するようにしているが、
この水溶液はＮａＯＨ水溶液に限定されるものではな
く、これ以外のジエタノールアミン水溶液やトリエタノ
ールアミン水溶液を用いても、上記した本発明の実施の
形態１〜８とほぼ同様の効果が得られるものである。
においては、水和処理を行う場合、脱塩素処理がなされ
たアルミニウム箔をＮａＯＨ水溶液に浸漬してアルミニ
ウム箔の表面に水和皮膜を形成するようにしているが、
この水溶液はＮａＯＨ水溶液に限定されるものではな
く、これ以外のジエタノールアミン水溶液やトリエタノ
ールアミン水溶液を用いても、上記した本発明の実施の
形態１〜８とほぼ同様の効果が得られるものである。
【００３０】
【発明の効果】以上のように本発明のアルミ電解コンデ
ンサ用電極箔の製造方法は、化学的あるいは電気化学的
にエッチング処理されたアルミニウム箔を脱塩素処理
し、その後、水和処理を施してアルミニウム箔の表面に
水和皮膜を形成し、さらにその後、熱処理を行って、こ
の熱処理後のアルミニウム箔表面の水分量がアルミニウ
ム箔の減量１ｇ当たり５．４〜８．４mgの範囲となるよ
うに規定したアルミニウム箔を化成処理するようにした
もので、熱処理後のアルミニウム箔表面の水分量を、ア
ルミニウム箔の減量１ｇ当たり５．４〜８．４mgの範囲
となるように規定しているため、高い静電容量を得るこ
とができるものである。すなわち、水分量が８．４mg以
上であると、水和処理によりアルミニウム箔の表面に形
成される水和皮膜の厚みが厚くなっているため、この水
和皮膜によってエッチングにより形成されたピットが埋
められて有効表面積が減少し、これにより、静電容量が
低下するものであり、一方、水分量が５．４mg以下であ
ると、水和処理によりアルミニウム箔の表面に形成され
る水和皮膜の厚みが薄いため、この後の熱処理により作
られる結晶種の数が十分でなくなり、その結果、耐電圧
当たりの膜厚が厚くなって、静電容量が低下するもので
あり、したがって、熱処理後のアルミニウム箔表面の水
分量を、アルミニウム箔の減量１ｇ当たり５．４〜８．
４mgの範囲となるように規定することにより、最適な厚
みの水和皮膜が形成されるとともに、適度な結晶種が生
成されて高い静電容量を得ることができるものである。
ンサ用電極箔の製造方法は、化学的あるいは電気化学的
にエッチング処理されたアルミニウム箔を脱塩素処理
し、その後、水和処理を施してアルミニウム箔の表面に
水和皮膜を形成し、さらにその後、熱処理を行って、こ
の熱処理後のアルミニウム箔表面の水分量がアルミニウ
ム箔の減量１ｇ当たり５．４〜８．４mgの範囲となるよ
うに規定したアルミニウム箔を化成処理するようにした
もので、熱処理後のアルミニウム箔表面の水分量を、ア
ルミニウム箔の減量１ｇ当たり５．４〜８．４mgの範囲
となるように規定しているため、高い静電容量を得るこ
とができるものである。すなわち、水分量が８．４mg以
上であると、水和処理によりアルミニウム箔の表面に形
成される水和皮膜の厚みが厚くなっているため、この水
和皮膜によってエッチングにより形成されたピットが埋
められて有効表面積が減少し、これにより、静電容量が
低下するものであり、一方、水分量が５．４mg以下であ
ると、水和処理によりアルミニウム箔の表面に形成され
る水和皮膜の厚みが薄いため、この後の熱処理により作
られる結晶種の数が十分でなくなり、その結果、耐電圧
当たりの膜厚が厚くなって、静電容量が低下するもので
あり、したがって、熱処理後のアルミニウム箔表面の水
分量を、アルミニウム箔の減量１ｇ当たり５．４〜８．
４mgの範囲となるように規定することにより、最適な厚
みの水和皮膜が形成されるとともに、適度な結晶種が生
成されて高い静電容量を得ることができるものである。
Claims (1)
- 【請求項１】 化学的あるいは電気化学的にエッチング
処理されたアルミニウム箔を脱塩素処理し、その後、水
和処理を施してアルミニウム箔の表面に水和皮膜を形成
し、さらにその後、熱処理を行って、この熱処理後のア
ルミニウム箔表面の水分量がアルミニウム箔の減量１ｇ
当たり５．４〜８．４mgの範囲となるように規定したア
ルミニウム箔を化成処理するようにしたアルミ電解コン
デンサ用電極箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8045749A JPH09246108A (ja) | 1996-03-04 | 1996-03-04 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8045749A JPH09246108A (ja) | 1996-03-04 | 1996-03-04 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246108A true JPH09246108A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=12727965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8045749A Pending JPH09246108A (ja) | 1996-03-04 | 1996-03-04 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09246108A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007299901A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| JP2019201128A (ja) * | 2018-05-17 | 2019-11-21 | 日本軽金属株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極の製造方法 |
| CN113764191A (zh) * | 2021-09-14 | 2021-12-07 | 南通海星电子股份有限公司 | 一种抑制Al（OH）3结晶生成的低压电极箔制造方法 |
-
1996
- 1996-03-04 JP JP8045749A patent/JPH09246108A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007299901A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
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| WO2019220690A1 (ja) * | 2018-05-17 | 2019-11-21 | 日本軽金属株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極の製造方法 |
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