JPH11251399A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JPH11251399A JPH11251399A JP4763998A JP4763998A JPH11251399A JP H11251399 A JPH11251399 A JP H11251399A JP 4763998 A JP4763998 A JP 4763998A JP 4763998 A JP4763998 A JP 4763998A JP H11251399 A JPH11251399 A JP H11251399A
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- processing units
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板処理装置の設置面積を極力小さくすると
ともに、処理ユニット間の基板の搬送を円滑に行うこと
ができる基板処理装置を提供する。 【解決手段】 基板単位に一連の処理を行う基板処理装
置であって、塗布処理ユニットSC1〜SC3および現
像処理ユニットSD1〜SD3は、それぞれが鉤状に配
置され、かつ、互いの鉤状配置の懐領域に他方の鉤状配
置の一端側にある処理ユニットが入り込むように配置さ
れる。これにより装置の設置面積が小さくなる。また、
並行処理が行われる塗布処理ユニットSC1〜SC3や
第1の熱処理ユニット群は基板搬送ロボットTRAで、
同様に並行処理が行われる現像処理ユニットSD1〜S
D3や第2の熱処理ユニット群は基板搬送ロボットTR
Bで、それぞれ基板の搬入・搬出が行われるので、処理
ユニット間の基板の搬送を円滑に行うことができる。
ともに、処理ユニット間の基板の搬送を円滑に行うこと
ができる基板処理装置を提供する。 【解決手段】 基板単位に一連の処理を行う基板処理装
置であって、塗布処理ユニットSC1〜SC3および現
像処理ユニットSD1〜SD3は、それぞれが鉤状に配
置され、かつ、互いの鉤状配置の懐領域に他方の鉤状配
置の一端側にある処理ユニットが入り込むように配置さ
れる。これにより装置の設置面積が小さくなる。また、
並行処理が行われる塗布処理ユニットSC1〜SC3や
第1の熱処理ユニット群は基板搬送ロボットTRAで、
同様に並行処理が行われる現像処理ユニットSD1〜S
D3や第2の熱処理ユニット群は基板搬送ロボットTR
Bで、それぞれ基板の搬入・搬出が行われるので、処理
ユニット間の基板の搬送を円滑に行うことができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用のガラス基板、フォトマスクや光ディスク
用の基板などの基板に、基板単位に塗布処理、現像処
理、熱処理などの一連の処理を施す基板処理装置に関す
る。
晶表示装置用のガラス基板、フォトマスクや光ディスク
用の基板などの基板に、基板単位に塗布処理、現像処
理、熱処理などの一連の処理を施す基板処理装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の基板処理装置の設置面積
を縮小する目的で、昇降移動する基板搬送ロボットの昇
降移動経路の周りに処理ユニットを多段に配置した装置
が提案されている。以下、この基板処理装置を図7を参
照して説明する。
を縮小する目的で、昇降移動する基板搬送ロボットの昇
降移動経路の周りに処理ユニットを多段に配置した装置
が提案されている。以下、この基板処理装置を図7を参
照して説明する。
【0003】この基板処理装置10は、各処理ユニット
に対して例えば半導体ウエハ(以下、単に「基板」とい
う)を搬入・搬出する昇降可能な基板搬送ロボットTR
を備えている。図7(a)に示すように、この基板搬送
ロボットTRの昇降移動経路の周りに、基板にフォトレ
ジストなど塗布する2つの塗布処理ユニットSC1、S
C2と、回路パターンなどを露光された基板を現像処理
する2つの現像処理ユニットSD1、SD2とが配置さ
れている。さらに、図7(b)に示すように、これらの
処理ユニットSC1、SC2、SD1、SD2の上方位
置であって、基板搬送ロボットTRの昇降移動経路の周
りに、加熱処理ユニットHP1〜HP7、冷却処理ユニ
ットCP1〜CP6、アドヒージョン処理ユニットAH
L、エッジ露光部EEが配置されている。なお、図7
(b)中で、枠内に多段に記載した例えば「CP4、H
P4、HP5」は、冷却処理ユニットCP4、加熱処理
ユニットHP4、および加熱処理ユニットHP5が、そ
の順に下から多段に配置されていることを示し、他の枠
内の表示も同様である。
に対して例えば半導体ウエハ(以下、単に「基板」とい
う)を搬入・搬出する昇降可能な基板搬送ロボットTR
を備えている。図7(a)に示すように、この基板搬送
ロボットTRの昇降移動経路の周りに、基板にフォトレ
ジストなど塗布する2つの塗布処理ユニットSC1、S
C2と、回路パターンなどを露光された基板を現像処理
する2つの現像処理ユニットSD1、SD2とが配置さ
れている。さらに、図7(b)に示すように、これらの
処理ユニットSC1、SC2、SD1、SD2の上方位
置であって、基板搬送ロボットTRの昇降移動経路の周
りに、加熱処理ユニットHP1〜HP7、冷却処理ユニ
ットCP1〜CP6、アドヒージョン処理ユニットAH
L、エッジ露光部EEが配置されている。なお、図7
(b)中で、枠内に多段に記載した例えば「CP4、H
P4、HP5」は、冷却処理ユニットCP4、加熱処理
ユニットHP4、および加熱処理ユニットHP5が、そ
の順に下から多段に配置されていることを示し、他の枠
内の表示も同様である。
【0004】以上のように構成された基板処理装置10
の一端側には、基板Wを多段に収納するカセットCから
未処理の基板Wを取り出したり、処理済みの基板Wをカ
セットCへ収納するためのロボット21を備えたインデ
クサ装置20が配置される。また、基板処理装置10の
他端側には、基板Wの受け渡しを介在するインターフェ
イス装置30を介して露光装置40が配置される。
の一端側には、基板Wを多段に収納するカセットCから
未処理の基板Wを取り出したり、処理済みの基板Wをカ
セットCへ収納するためのロボット21を備えたインデ
クサ装置20が配置される。また、基板処理装置10の
他端側には、基板Wの受け渡しを介在するインターフェ
イス装置30を介して露光装置40が配置される。
【0005】以下に上述した従来の基板処理装置におけ
る基板Wの処理の流れを図8を参照して簡単に説明す
る。図8は、各処理ユニットなどへの基板Wの流れを示
したフロー図である。なお、図8中に符号を並べて記載
したステップ、例えば「SC1、SC2」は、空いてい
る方の塗布処理ユニットに基板を搬入して基板の並行処
理を行うことを意味する。
る基板Wの処理の流れを図8を参照して簡単に説明す
る。図8は、各処理ユニットなどへの基板Wの流れを示
したフロー図である。なお、図8中に符号を並べて記載
したステップ、例えば「SC1、SC2」は、空いてい
る方の塗布処理ユニットに基板を搬入して基板の並行処
理を行うことを意味する。
【0006】インデクサ装置(IDA)20から取り出
された未処理の基板Wは、基板処理装置10の基板搬送
ロボットTRに受け渡される。この基板Wは、基板搬送
ロボットTRによって、アドヒージョン処理ユニットA
HL、加熱処理ユニットHP1またはHP2、冷却処理
ユニットCP1またはCP2、塗布処理ユニットSC1
またはSC2、加熱処理ユニットHP3またはHP4、
および冷却処理ユニットCP3へと順に搬送される。以
上の処理を受けた基板Wは、インターフェイス装置(I
F)30を介して露光装置(EXP)40に送られる。
回路パターンなどが露光された基板Wは、インターフェ
イス装置30を介して再び基板搬送ロボットTRに受け
渡される。この基板Wは、基板搬送ロボットTRによっ
て、エッジ露光部EE、加熱処理ユニットHP5または
HP6、冷却処理ユニットCP4またはCP5、現像処
理ユニットSD1またはSD2、加熱処理ユニットHP
7またはHP8、および冷却処理ユニットCP6へと順
に搬送される。以上の処理を受けた基板Wは、インデク
サ装置20を戻されてカセットCに収納される。以下、
同様の処理が基板単位で繰り返し実行される。
された未処理の基板Wは、基板処理装置10の基板搬送
ロボットTRに受け渡される。この基板Wは、基板搬送
ロボットTRによって、アドヒージョン処理ユニットA
HL、加熱処理ユニットHP1またはHP2、冷却処理
ユニットCP1またはCP2、塗布処理ユニットSC1
またはSC2、加熱処理ユニットHP3またはHP4、
および冷却処理ユニットCP3へと順に搬送される。以
上の処理を受けた基板Wは、インターフェイス装置(I
F)30を介して露光装置(EXP)40に送られる。
回路パターンなどが露光された基板Wは、インターフェ
イス装置30を介して再び基板搬送ロボットTRに受け
渡される。この基板Wは、基板搬送ロボットTRによっ
て、エッジ露光部EE、加熱処理ユニットHP5または
HP6、冷却処理ユニットCP4またはCP5、現像処
理ユニットSD1またはSD2、加熱処理ユニットHP
7またはHP8、および冷却処理ユニットCP6へと順
に搬送される。以上の処理を受けた基板Wは、インデク
サ装置20を戻されてカセットCに収納される。以下、
同様の処理が基板単位で繰り返し実行される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな基板処理装置10の処理能力に比べて、露光装置4
0の処理能力が高い場合に、露光装置40の稼働率が低
下する。露光装置40は非常に高価であるので、露光装
置40の稼働率が低下することは不都合である。そこ
で、このような場合、基板処理装置10の処理ユニット
の個数を増やして、基板処理装置10の処理能力を上げ
ることが望まれる。具体的には、塗布処理ユニットの個
数を2つから3つに、現像処理ユニットの個数を2つか
ら3つに、それぞれ増設するという要請である。
うな基板処理装置10の処理能力に比べて、露光装置4
0の処理能力が高い場合に、露光装置40の稼働率が低
下する。露光装置40は非常に高価であるので、露光装
置40の稼働率が低下することは不都合である。そこ
で、このような場合、基板処理装置10の処理ユニット
の個数を増やして、基板処理装置10の処理能力を上げ
ることが望まれる。具体的には、塗布処理ユニットの個
数を2つから3つに、現像処理ユニットの個数を2つか
ら3つに、それぞれ増設するという要請である。
【0008】このような要請に応えるために、本発明者
らが、処理ユニットの増設を検討した結果、次のような
解決すべき問題点が明らかになった。
らが、処理ユニットの増設を検討した結果、次のような
解決すべき問題点が明らかになった。
【0009】まず、基板搬送ロボットTRに備えられた
図示しない基板ハンドリングアームの進退ストロークに
限界があるので、基板搬送ロボットTRの周りにそれぞ
れ3つの塗布処理ユニットと現像処理ユニットとを配設
することは困難である。
図示しない基板ハンドリングアームの進退ストロークに
限界があるので、基板搬送ロボットTRの周りにそれぞ
れ3つの塗布処理ユニットと現像処理ユニットとを配設
することは困難である。
【0010】したがって、処理ユニットを増設するため
には、2台の基板搬送ロボットTRを用い、各基板搬送
ロボットTRの周りに処理ユニットを配設するのが妥当
である。2台の基板搬送ロボットTRを用いた基板処理
装置の一例として、図9のような装置構成が考えられ
る。この基板処理装置50は、2台の基板処理装置50
Aおよび50Bを連ねて構成したもので、一方の基板処
理装置50Aには基板搬送ロボットTRAの周りに3つ
の塗布処理ユニットSC1、SC2、SC3が配設され
ている。これらの塗布処理ユニットSC1〜SC3の上
方位置に、基板搬送ロボットTRAで基板の搬入・搬出
が行われる図示しない熱処理ユニット群が設けられてい
る。もう一つの基板処理装置50Bには、基板搬送ロボ
ットTRBの周りに3つの現像処理ユニットSD1、S
D2、SD3が配設されている。これらの現像処理ユニ
ットSD1〜SD3の上方位置にも、基板搬送ロボット
TRBで基板の搬入・搬出が行われる図示しない熱処理
ユニット群が設けられている。なお、図9中の符号52
は基板搬送ロボットTRAとTRBとの間の基板の受け
渡しを介在するインターフェイス機構である。
には、2台の基板搬送ロボットTRを用い、各基板搬送
ロボットTRの周りに処理ユニットを配設するのが妥当
である。2台の基板搬送ロボットTRを用いた基板処理
装置の一例として、図9のような装置構成が考えられ
る。この基板処理装置50は、2台の基板処理装置50
Aおよび50Bを連ねて構成したもので、一方の基板処
理装置50Aには基板搬送ロボットTRAの周りに3つ
の塗布処理ユニットSC1、SC2、SC3が配設され
ている。これらの塗布処理ユニットSC1〜SC3の上
方位置に、基板搬送ロボットTRAで基板の搬入・搬出
が行われる図示しない熱処理ユニット群が設けられてい
る。もう一つの基板処理装置50Bには、基板搬送ロボ
ットTRBの周りに3つの現像処理ユニットSD1、S
D2、SD3が配設されている。これらの現像処理ユニ
ットSD1〜SD3の上方位置にも、基板搬送ロボット
TRBで基板の搬入・搬出が行われる図示しない熱処理
ユニット群が設けられている。なお、図9中の符号52
は基板搬送ロボットTRAとTRBとの間の基板の受け
渡しを介在するインターフェイス機構である。
【0011】しかしながら、この基板処理装置50によ
れば、処理効率を向上することはできるが、各装置50
Aおよび50Bに、図9中に「×」印で示した所に、空
きスペースができるので、基板処理装置50の設置面積
が大きくなるという難点がある。
れば、処理効率を向上することはできるが、各装置50
Aおよび50Bに、図9中に「×」印で示した所に、空
きスペースができるので、基板処理装置50の設置面積
が大きくなるという難点がある。
【0012】2台の基板搬送ロボットTRを用いた基板
処理装置の別の例として、図10のような装置構成も考
えられる。この基板処理装置60は、2台の基板処理装
置60Aおよび60Bを連ねて構成したもので、一方の
基板処理装置60Aには基板搬送ロボットTRAの周り
に3つの塗布処理ユニットSC1、SC2、SC3と1
つの現像処理ユニットSD1がそれぞれが配設されてお
り、他方の基板処理装置60Bの基板搬送ロボットTR
Bの周りに2つの現像処理ユニットSD2、SD3が配
設されている。塗布処理ユニットSC1〜SC3および
現像処理ユニットSD1の上方には、基板搬送ロボット
TRAで基板の搬入・搬出が行われる熱処理ユニット群
などが配設されている。また、現像処理ユニットSD
1、SD2の上方には、基板搬送ロボットTRBで基板
の搬入・搬出が行われる熱処理ユニット群などが配設さ
れている。
処理装置の別の例として、図10のような装置構成も考
えられる。この基板処理装置60は、2台の基板処理装
置60Aおよび60Bを連ねて構成したもので、一方の
基板処理装置60Aには基板搬送ロボットTRAの周り
に3つの塗布処理ユニットSC1、SC2、SC3と1
つの現像処理ユニットSD1がそれぞれが配設されてお
り、他方の基板処理装置60Bの基板搬送ロボットTR
Bの周りに2つの現像処理ユニットSD2、SD3が配
設されている。塗布処理ユニットSC1〜SC3および
現像処理ユニットSD1の上方には、基板搬送ロボット
TRAで基板の搬入・搬出が行われる熱処理ユニット群
などが配設されている。また、現像処理ユニットSD
1、SD2の上方には、基板搬送ロボットTRBで基板
の搬入・搬出が行われる熱処理ユニット群などが配設さ
れている。
【0013】この基板処理装置60によれば、装置の設
置面積は比較的に小さくすることはできるが、次のよう
な別異の問題点がある。すなわち、現像処理ユニットS
D1は基板搬送ロボットTRAの周りに配置されている
ので、図10中に符号Fで示した装置フレームが障害と
なり、基板搬送ロボットTRBが現像処理ユニットSD
1に対して基板の搬入・搬出を行うことができない。そ
のため、露光された基板を露光装置40からインターフ
ェイス装置30を介して基板搬送ロボットTRBが受け
取った場合、基板搬送ロボットTRBは現像処理ユニッ
トSD2およびSD3に対しては、自分自身で基板Wの
搬入・搬出を行うことができるが、現像処理ユニットS
D1に対しては、インターフェイス機構52を介して基
板Wを基板搬送ロボットTRAに受け渡し、この基板搬
送ロボットTRAが現像処理ユニットSD1に対して基
板を搬入・搬出しなければならい。その結果、並行処理
を行う現像処理ユニットSD1〜SD3と、別の並行処
理(例えば、塗布処理、加熱処理、冷却処理など)を行
う処理ユニット群との間で、基板の受け渡しのタイミン
グにずれが生じ、装置全体として基板搬送を円滑に行う
ことができないという問題が生じる。以下、図11を参
照して説明する。
置面積は比較的に小さくすることはできるが、次のよう
な別異の問題点がある。すなわち、現像処理ユニットS
D1は基板搬送ロボットTRAの周りに配置されている
ので、図10中に符号Fで示した装置フレームが障害と
なり、基板搬送ロボットTRBが現像処理ユニットSD
1に対して基板の搬入・搬出を行うことができない。そ
のため、露光された基板を露光装置40からインターフ
ェイス装置30を介して基板搬送ロボットTRBが受け
取った場合、基板搬送ロボットTRBは現像処理ユニッ
トSD2およびSD3に対しては、自分自身で基板Wの
搬入・搬出を行うことができるが、現像処理ユニットS
D1に対しては、インターフェイス機構52を介して基
板Wを基板搬送ロボットTRAに受け渡し、この基板搬
送ロボットTRAが現像処理ユニットSD1に対して基
板を搬入・搬出しなければならい。その結果、並行処理
を行う現像処理ユニットSD1〜SD3と、別の並行処
理(例えば、塗布処理、加熱処理、冷却処理など)を行
う処理ユニット群との間で、基板の受け渡しのタイミン
グにずれが生じ、装置全体として基板搬送を円滑に行う
ことができないという問題が生じる。以下、図11を参
照して説明する。
【0014】図11(a)は、1つの基板搬送ロボット
TRによって基板の搬入・搬出が行われる現像処理ユニ
ットSD1〜SD3を備えた基板処理装置(例えば、図
9に示したような基板処理装置)における現像処理ユニ
ットSD1〜SD3の前後の基板の流れを抜き出して示
したフロー図である。図中、符号A1、A2は並行処理
を行う例えば2つの冷却処理ユニットであり、符号B1
〜B3は並行処理を行う例えば3つの加熱処理ユニット
である。並行処理を行う冷却処理ユニットA1、A2の
グループから、並行処理を行う現像処理ユニットSD1
〜SD3への単位時間あたりの基板の受け渡し枚数と、
現像処理ユニットSD1〜SD3から、同じく並行処理
を行う加熱処理ユニットB1〜B3への単位時間あたり
の基板の受け渡し枚数は、同じ値に設定しなければなら
い。そうしないと並行処理を行ういずれかの処理ユニッ
ト群で基板Wが滞留してしまい、基板の円滑な搬送がで
きなくなるからである。したがって、並行処理を行う処
理ユニットのグループ間で、例えば30秒当たり3枚の
基板の受け渡しを行う場合、1台の現像処理ユニットは
10秒当たり1枚の基板を排出することになる。
TRによって基板の搬入・搬出が行われる現像処理ユニ
ットSD1〜SD3を備えた基板処理装置(例えば、図
9に示したような基板処理装置)における現像処理ユニ
ットSD1〜SD3の前後の基板の流れを抜き出して示
したフロー図である。図中、符号A1、A2は並行処理
を行う例えば2つの冷却処理ユニットであり、符号B1
〜B3は並行処理を行う例えば3つの加熱処理ユニット
である。並行処理を行う冷却処理ユニットA1、A2の
グループから、並行処理を行う現像処理ユニットSD1
〜SD3への単位時間あたりの基板の受け渡し枚数と、
現像処理ユニットSD1〜SD3から、同じく並行処理
を行う加熱処理ユニットB1〜B3への単位時間あたり
の基板の受け渡し枚数は、同じ値に設定しなければなら
い。そうしないと並行処理を行ういずれかの処理ユニッ
ト群で基板Wが滞留してしまい、基板の円滑な搬送がで
きなくなるからである。したがって、並行処理を行う処
理ユニットのグループ間で、例えば30秒当たり3枚の
基板の受け渡しを行う場合、1台の現像処理ユニットは
10秒当たり1枚の基板を排出することになる。
【0015】一方、図11(b)は、現像処理ユニット
SD1への基板の搬入・搬出にインターフェイス機構
(IFB)52が介在する図10に示した基板処理装置
60における基板の流れを抜き出して示したフロー図で
ある。この基板処理装置60では、現像処理ユニットS
D1への基板の搬入・搬出にインターフェイス機構(I
FB)52が介在するので、基板の受け渡しに余分な時
間がかかり、結果として、現像処理ユニットSD1が、
設定された時間ごとに基板(例えば、10秒当たり1枚
の基板)を排出することができなくなる。そのため、前
述したように並行処理を行う処理ユニット間の基板の受
け渡しのタイミングにずれが生じて、装置全体として基
板の円滑な搬送ができなくなるという問題が生じる。
SD1への基板の搬入・搬出にインターフェイス機構
(IFB)52が介在する図10に示した基板処理装置
60における基板の流れを抜き出して示したフロー図で
ある。この基板処理装置60では、現像処理ユニットS
D1への基板の搬入・搬出にインターフェイス機構(I
FB)52が介在するので、基板の受け渡しに余分な時
間がかかり、結果として、現像処理ユニットSD1が、
設定された時間ごとに基板(例えば、10秒当たり1枚
の基板)を排出することができなくなる。そのため、前
述したように並行処理を行う処理ユニット間の基板の受
け渡しのタイミングにずれが生じて、装置全体として基
板の円滑な搬送ができなくなるという問題が生じる。
【0016】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、基板処理装置の設置面積を極力小さく
するとともに、処理ユニット間の基板の搬送を円滑に行
うことができる基板処理装置を提供することを主たる目
的としている。
たものであって、基板処理装置の設置面積を極力小さく
するとともに、処理ユニット間の基板の搬送を円滑に行
うことができる基板処理装置を提供することを主たる目
的としている。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の発明は、基板単位に一連の処理を
施す基板処理装置であって、基板に塗布処理を施す3つ
の塗布処理ユニットと、基板の塗布処理の前後で基板に
熱処理を施す第1の熱処理ユニット群と、基板に現像処
理を施す3つの現像処理ユニットと、基板の現像処理の
前後で基板に熱処理を施す第2の熱処理ユニット群と、
前記3つの塗布処理ユニットおよび第1の熱処理ユニッ
ト群に対する基板の搬入・搬出に共通使用される第1の
基板搬送手段と、前記3つの現像処理ユニットおよび第
2の熱処理ユニット群に対する基板の搬入・搬出に共通
使用される第2の基板搬送手段とを備え、前記3つの塗
布処理ユニットおよび前記3つの現像処理ユニットは、
それぞれが鉤状に配置され、かつ、互いの鉤状配置の懐
領域に他方の鉤状配置の一端側にある処理ユニットが入
り込むように配置されて、全体として6つの処理ユニッ
トが矩形状に配置されていることを特徴とする。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の発明は、基板単位に一連の処理を
施す基板処理装置であって、基板に塗布処理を施す3つ
の塗布処理ユニットと、基板の塗布処理の前後で基板に
熱処理を施す第1の熱処理ユニット群と、基板に現像処
理を施す3つの現像処理ユニットと、基板の現像処理の
前後で基板に熱処理を施す第2の熱処理ユニット群と、
前記3つの塗布処理ユニットおよび第1の熱処理ユニッ
ト群に対する基板の搬入・搬出に共通使用される第1の
基板搬送手段と、前記3つの現像処理ユニットおよび第
2の熱処理ユニット群に対する基板の搬入・搬出に共通
使用される第2の基板搬送手段とを備え、前記3つの塗
布処理ユニットおよび前記3つの現像処理ユニットは、
それぞれが鉤状に配置され、かつ、互いの鉤状配置の懐
領域に他方の鉤状配置の一端側にある処理ユニットが入
り込むように配置されて、全体として6つの処理ユニッ
トが矩形状に配置されていることを特徴とする。
【0018】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の基板処理装置において、前記3つの塗布処理ユニット
と前記3つの現像処理ユニットとは水平に配置されてい
るとともに、前記3つの塗布処理ユニットは昇降可能な
第1の基板搬送手段の昇降移動経路の周りに、前記3つ
の現像処理ユニットは昇降可能な第2の基板搬送手段の
昇降移動経路の周りに、それぞれ配置されており、か
つ、前記第1の熱処理ユニット群は、前記3つの塗布処
理ユニットの上方位置であって、前記第1の基板搬送手
段の昇降移動経路の周りに配置され、前記第2の熱処理
ユニット群は、前記3つの現像処理ユニットの上方位置
であって、前記第2の基板搬送手段の昇降移動経路の周
りに配置されている。
の基板処理装置において、前記3つの塗布処理ユニット
と前記3つの現像処理ユニットとは水平に配置されてい
るとともに、前記3つの塗布処理ユニットは昇降可能な
第1の基板搬送手段の昇降移動経路の周りに、前記3つ
の現像処理ユニットは昇降可能な第2の基板搬送手段の
昇降移動経路の周りに、それぞれ配置されており、か
つ、前記第1の熱処理ユニット群は、前記3つの塗布処
理ユニットの上方位置であって、前記第1の基板搬送手
段の昇降移動経路の周りに配置され、前記第2の熱処理
ユニット群は、前記3つの現像処理ユニットの上方位置
であって、前記第2の基板搬送手段の昇降移動経路の周
りに配置されている。
【0019】請求項3に記載の発明は、請求項2に記載
の基板処理装置において、前記装置はさらに、第1の熱
処理ユニット群または第2の熱処理ユニット群と並ぶよ
うに第1の基板搬送手段の昇降移動経路または第2の基
板搬送手段の昇降移動経路の周りに配置された、基板の
周囲を露光するエッジ露光手段を備えている。
の基板処理装置において、前記装置はさらに、第1の熱
処理ユニット群または第2の熱処理ユニット群と並ぶよ
うに第1の基板搬送手段の昇降移動経路または第2の基
板搬送手段の昇降移動経路の周りに配置された、基板の
周囲を露光するエッジ露光手段を備えている。
【0020】請求項4に記載の発明は、請求項3に記載
の基板処理装置において、前記エッジ露光手段は、第1
の基板搬送手段および第2の基板搬送手段の両方が基板
の搬入・搬出をできる位置に配置されている。
の基板処理装置において、前記エッジ露光手段は、第1
の基板搬送手段および第2の基板搬送手段の両方が基板
の搬入・搬出をできる位置に配置されている。
【0021】請求項5に記載の発明は、請求項1に記載
の基板処理装置において、前記3つの塗布処理ユニット
と前記3つの現像処理ユニットとは鉛直に配置されてい
るとともに、前記3つの塗布処理ユニットは昇降可能な
第1の基板搬送手段の昇降移動経路の周りに、前記3つ
の現像処理ユニットは昇降可能な第2の基板搬送手段の
昇降移動経路の周りに、それぞれ配置されており、か
つ、前記第1の熱処理ユニット群は、前記3つの塗布処
理ユニットと対向するように、前記第1の基板搬送手段
の昇降移動経路の周りに配置され、前記第2の熱処理ユ
ニット群は、前記3つの現像処理ユニットと対向するよ
うに、前記第2の基板搬送手段の昇降移動経路の周りに
配置されている。
の基板処理装置において、前記3つの塗布処理ユニット
と前記3つの現像処理ユニットとは鉛直に配置されてい
るとともに、前記3つの塗布処理ユニットは昇降可能な
第1の基板搬送手段の昇降移動経路の周りに、前記3つ
の現像処理ユニットは昇降可能な第2の基板搬送手段の
昇降移動経路の周りに、それぞれ配置されており、か
つ、前記第1の熱処理ユニット群は、前記3つの塗布処
理ユニットと対向するように、前記第1の基板搬送手段
の昇降移動経路の周りに配置され、前記第2の熱処理ユ
ニット群は、前記3つの現像処理ユニットと対向するよ
うに、前記第2の基板搬送手段の昇降移動経路の周りに
配置されている。
【0022】請求項6に記載の発明は、請求項1に記載
の基板処理装置において、前記3つの塗布処理ユニット
は、それぞれがフォトレジストの塗布処理ユニットで構
成されている。
の基板処理装置において、前記3つの塗布処理ユニット
は、それぞれがフォトレジストの塗布処理ユニットで構
成されている。
【0023】請求項7に記載の発明は、請求項1に記載
の基板処理装置において、前記3つの塗布処理ユニット
は、そのうちの2つがフォトレジストの塗布処理ユニッ
トであり、他の1つがフォトレジストの塗布前に基板上
に反射防止膜を形成するための塗布処理ユニットで構成
されている。
の基板処理装置において、前記3つの塗布処理ユニット
は、そのうちの2つがフォトレジストの塗布処理ユニッ
トであり、他の1つがフォトレジストの塗布前に基板上
に反射防止膜を形成するための塗布処理ユニットで構成
されている。
【0024】請求項8に記載の発明は、請求項1に記載
の基板処理装置において、前記3つの塗布処理ユニット
は、そのうちの2つがフォトレジストの塗布処理ユニッ
トであり、他の1つがフォトレジストの塗布後にレジス
ト膜上に反射防止膜を形成するための塗布処理ユニット
で構成されている。
の基板処理装置において、前記3つの塗布処理ユニット
は、そのうちの2つがフォトレジストの塗布処理ユニッ
トであり、他の1つがフォトレジストの塗布後にレジス
ト膜上に反射防止膜を形成するための塗布処理ユニット
で構成されている。
【0025】
【作用】請求項1に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。本基板処理装置の一端側にインデクサ装置が、他端
側に露光装置が連設された場合には、次のようして基板
処理が進められる。インデクサ装置から未処理の基板が
取り出されて第1の基板搬送手段に受け渡される。第1
の基板搬送手段はこの基板を第1の熱処理ユニット群に
搬入して、塗布処理前の熱処理を施し、続いて第1の基
板搬送手段がその基板を塗布処理ユニットに搬入して、
基板に塗布処理を施す。先の基板が熱処理や塗布処理を
受けている間、第1の基板搬送手段は、続いて受け渡さ
れる未処理の基板を上記と同様の順序で、空いている熱
処理ユニットや塗布処理ユニットに順に搬入してゆく。
その結果、3つの塗布処理ユニットでは3枚の基板が並
行処理される。第1の基板搬送手段は、塗布処理が終わ
った基板から順に第1の熱処理ユニット群に搬入して、
塗布処理後の熱処理を施す。第1の基板搬送手段は、塗
布処理後の熱処理が終わった基板を第2の基板搬送手段
に受け渡し、第2の基板搬送手段がその基板を露光装置
に受け渡す。
る。本基板処理装置の一端側にインデクサ装置が、他端
側に露光装置が連設された場合には、次のようして基板
処理が進められる。インデクサ装置から未処理の基板が
取り出されて第1の基板搬送手段に受け渡される。第1
の基板搬送手段はこの基板を第1の熱処理ユニット群に
搬入して、塗布処理前の熱処理を施し、続いて第1の基
板搬送手段がその基板を塗布処理ユニットに搬入して、
基板に塗布処理を施す。先の基板が熱処理や塗布処理を
受けている間、第1の基板搬送手段は、続いて受け渡さ
れる未処理の基板を上記と同様の順序で、空いている熱
処理ユニットや塗布処理ユニットに順に搬入してゆく。
その結果、3つの塗布処理ユニットでは3枚の基板が並
行処理される。第1の基板搬送手段は、塗布処理が終わ
った基板から順に第1の熱処理ユニット群に搬入して、
塗布処理後の熱処理を施す。第1の基板搬送手段は、塗
布処理後の熱処理が終わった基板を第2の基板搬送手段
に受け渡し、第2の基板搬送手段がその基板を露光装置
に受け渡す。
【0026】露光された基板は再び第2の基板搬送手段
に受け渡される。第2の基板搬送手段は、その基板を第
2の熱処理ユニット群に搬入して、現像処理前の熱処理
を施し、続いて第2の搬送手段がその基板を現像処理ユ
ニットに搬入して、基板に現像処理を施す。先の基板が
熱処理や現像処理を受けている間、第2の基板搬送手段
は、続いて受け渡される露光済みの基板を上記と同様の
順序で、空いている熱処理ユニットや現像処理ユニット
に順に搬入してゆく。その結果、3つの現像処理ユニッ
トでは3枚の基板が並行処理される。第2の基板搬送手
段は、現像処理が終わった基板から順に第2の熱処理ユ
ニット群に搬入して、現像処理後の熱処理を施す。第2
の基板搬送手段は、現像処理後の熱処理が終わった基板
を第1の基板搬送手段に受け渡し、第1の基板搬送手段
がその基板をインデクサ装置に戻す。
に受け渡される。第2の基板搬送手段は、その基板を第
2の熱処理ユニット群に搬入して、現像処理前の熱処理
を施し、続いて第2の搬送手段がその基板を現像処理ユ
ニットに搬入して、基板に現像処理を施す。先の基板が
熱処理や現像処理を受けている間、第2の基板搬送手段
は、続いて受け渡される露光済みの基板を上記と同様の
順序で、空いている熱処理ユニットや現像処理ユニット
に順に搬入してゆく。その結果、3つの現像処理ユニッ
トでは3枚の基板が並行処理される。第2の基板搬送手
段は、現像処理が終わった基板から順に第2の熱処理ユ
ニット群に搬入して、現像処理後の熱処理を施す。第2
の基板搬送手段は、現像処理後の熱処理が終わった基板
を第1の基板搬送手段に受け渡し、第1の基板搬送手段
がその基板をインデクサ装置に戻す。
【0027】3つの塗布処理ユニットの全てが常に並行
処理されるとは限らないが、いずれにしても、これらの
塗布処理ユニットは第1の基板搬送手段でのみ基板の搬
入・搬出が行われ、また、3つの現像処理ユニットは第
2の基板搬送手段でのみ基板の搬入・搬出が行われる。
つまり、特定の塗布処理ユニットや現像処理ユニットに
基板の搬入・搬出を行う過程で、第1の基板搬送手段と
第2の基板搬送手段の両者が介在することがないので、
並行処理を行う処理ユニット間で基板を円滑に搬送する
ことができる。
処理されるとは限らないが、いずれにしても、これらの
塗布処理ユニットは第1の基板搬送手段でのみ基板の搬
入・搬出が行われ、また、3つの現像処理ユニットは第
2の基板搬送手段でのみ基板の搬入・搬出が行われる。
つまり、特定の塗布処理ユニットや現像処理ユニットに
基板の搬入・搬出を行う過程で、第1の基板搬送手段と
第2の基板搬送手段の両者が介在することがないので、
並行処理を行う処理ユニット間で基板を円滑に搬送する
ことができる。
【0028】さらに、3つの塗布処理ユニットおよび3
つの現像処理ユニットは、それぞれが鉤状に配置され、
かつ、互いの鉤状配置の懐領域に他方の鉤状配置の一端
側にある処理ユニットが入り込むように配置されている
ので、基板処理装置の設置面積も小さくなる。
つの現像処理ユニットは、それぞれが鉤状に配置され、
かつ、互いの鉤状配置の懐領域に他方の鉤状配置の一端
側にある処理ユニットが入り込むように配置されている
ので、基板処理装置の設置面積も小さくなる。
【0029】請求項2に記載の発明によれば、3つの塗
布処理ユニットの上方に第1の熱処理ユニット群が配置
されるので、第1の基板搬送手段が昇降することによ
り、各塗布処理ユニットと第1の熱処理ユニット群との
間で基板を受け渡す。同様に、3つ現像処理ユニットの
上方に第2の熱処理ユニット群が配置されるので、第2
の基板搬送手段が昇降することにより、各現像処理ユニ
ットと第2の熱処理ユニット群との間で基板を受け渡
す。
布処理ユニットの上方に第1の熱処理ユニット群が配置
されるので、第1の基板搬送手段が昇降することによ
り、各塗布処理ユニットと第1の熱処理ユニット群との
間で基板を受け渡す。同様に、3つ現像処理ユニットの
上方に第2の熱処理ユニット群が配置されるので、第2
の基板搬送手段が昇降することにより、各現像処理ユニ
ットと第2の熱処理ユニット群との間で基板を受け渡
す。
【0030】請求項3に記載の発明によれば、第1の熱
処理ユニット群にエッジ露光手段が並設された場合に
は、塗布処理された基板が第1の熱処理ユニット群で熱
処理を受けた後に、エッジ露光手段て基板の周縁が露光
される。エッジ露光された基板は、第1の基板搬送手段
から第2の基板搬送手段に受け渡されて露光装置に送ら
れる。一方、第2の基板処理ユニット群にエッジ露光手
段が並設された場合には、露光装置から基板を受け取っ
た第2の基板搬送手段がその基板をエッジ露光手段に搬
入して、基板の周縁露光を行い、その後、第2の熱処理
ユニット群で熱処理した後に、現像処理ユニットに搬入
されて、現像処理が施される。
処理ユニット群にエッジ露光手段が並設された場合に
は、塗布処理された基板が第1の熱処理ユニット群で熱
処理を受けた後に、エッジ露光手段て基板の周縁が露光
される。エッジ露光された基板は、第1の基板搬送手段
から第2の基板搬送手段に受け渡されて露光装置に送ら
れる。一方、第2の基板処理ユニット群にエッジ露光手
段が並設された場合には、露光装置から基板を受け取っ
た第2の基板搬送手段がその基板をエッジ露光手段に搬
入して、基板の周縁露光を行い、その後、第2の熱処理
ユニット群で熱処理した後に、現像処理ユニットに搬入
されて、現像処理が施される。
【0031】請求項4に記載の発明によれば、エッジ露
光手段は第1の基板搬送手段および第2の基板搬送手段
の両方から基板の搬入・搬出が可能であるので、露光装
置で基板に回路パターンなどを露光する前、あるいはそ
の後であっても、任意にエッジ露光を施すことができ
る。
光手段は第1の基板搬送手段および第2の基板搬送手段
の両方から基板の搬入・搬出が可能であるので、露光装
置で基板に回路パターンなどを露光する前、あるいはそ
の後であっても、任意にエッジ露光を施すことができ
る。
【0032】請求項5に記載の発明によれば、3つの塗
布処理ユニットおよび3つの現像処理ユニットが、それ
ぞれ鉤状に配置され、かつ、互いの鉤状配置の懐領域に
他方の鉤状配置の一端側にある処理ユニットが入り込む
ように配置され、全体として鉛直方向に矩形状に配置さ
れる。そして、これらの処理ユニットと対向するように
第1および第2の熱処理ユニット群が配置される。第1
の基板搬送手段は昇降移動することにより、塗布処理ユ
ニット群と第1の熱処理ユニット群との間で基板の受け
渡しを行う、第2の基板搬送手段は昇降移動することに
より、現像処理ユニット群と第2の熱処理ユニット群の
間で、基板を受け渡しを行う。
布処理ユニットおよび3つの現像処理ユニットが、それ
ぞれ鉤状に配置され、かつ、互いの鉤状配置の懐領域に
他方の鉤状配置の一端側にある処理ユニットが入り込む
ように配置され、全体として鉛直方向に矩形状に配置さ
れる。そして、これらの処理ユニットと対向するように
第1および第2の熱処理ユニット群が配置される。第1
の基板搬送手段は昇降移動することにより、塗布処理ユ
ニット群と第1の熱処理ユニット群との間で基板の受け
渡しを行う、第2の基板搬送手段は昇降移動することに
より、現像処理ユニット群と第2の熱処理ユニット群の
間で、基板を受け渡しを行う。
【0033】請求項6に記載の発明によれば、3つの塗
布処理ユニットのそれぞれがフォトレジストの塗布処理
ユニットであるので、これらの3つの塗布処理ユニット
がフォトレジストの並行塗布処理に供される。
布処理ユニットのそれぞれがフォトレジストの塗布処理
ユニットであるので、これらの3つの塗布処理ユニット
がフォトレジストの並行塗布処理に供される。
【0034】請求項7に記載の発明によれば、フォトレ
ジストの塗布前に、1つの塗布処理ユニットを使って基
板上に反射防止膜が塗布され、その後に、2つの塗布処
理ユニットを使ってフォトレジストの並行塗布処理が行
われる。
ジストの塗布前に、1つの塗布処理ユニットを使って基
板上に反射防止膜が塗布され、その後に、2つの塗布処
理ユニットを使ってフォトレジストの並行塗布処理が行
われる。
【0035】請求項8に記載の発明によれば、2つの塗
布処理ユニットを使ってフォトレジストの並行塗布処理
を行った後、1つの塗布処理ユニットを使ってレジスト
膜の上に反射防止膜が塗布される。
布処理ユニットを使ってフォトレジストの並行塗布処理
を行った後、1つの塗布処理ユニットを使ってレジスト
膜の上に反射防止膜が塗布される。
【0036】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。 <第1実施例>図1は、本発明に係る基板処理装置の第
1実施例の概略構成を示した平面図、図2は基板搬送ロ
ボット周辺の平面図、図3は図2のA−A矢視図であ
る。本実施例に係る基板処理装置70は、図1(a)に
示すように、2台の基板処理装置70Aおよび70Bを
連ねて構成されている。一方の基板処理装置70Aは昇
降可能な基板搬送ロボットTRAを備え、この基板搬送
ロボットTRAの周りに、3つの塗布処理ユニットSC
1、SC2、SC3が鉤状(直角)に配置されている。
他方の基板処理装置70Bは昇降可能な基板搬送ロボッ
トTRBを備え、この基板搬送ロボットTRAの周り
に、3つの現像処理ユニットSD1、SD2、SD3が
鉤状(直角)に配置されている。
施例を説明する。 <第1実施例>図1は、本発明に係る基板処理装置の第
1実施例の概略構成を示した平面図、図2は基板搬送ロ
ボット周辺の平面図、図3は図2のA−A矢視図であ
る。本実施例に係る基板処理装置70は、図1(a)に
示すように、2台の基板処理装置70Aおよび70Bを
連ねて構成されている。一方の基板処理装置70Aは昇
降可能な基板搬送ロボットTRAを備え、この基板搬送
ロボットTRAの周りに、3つの塗布処理ユニットSC
1、SC2、SC3が鉤状(直角)に配置されている。
他方の基板処理装置70Bは昇降可能な基板搬送ロボッ
トTRBを備え、この基板搬送ロボットTRAの周り
に、3つの現像処理ユニットSD1、SD2、SD3が
鉤状(直角)に配置されている。
【0037】鉤状配置された3つの塗布処理ユニットS
C1〜SC3の懐領域(内側の空きスペース)に、現像
処理ユニットSD3が入り込むように配置されていると
ともに、同じく鉤状配置された3つの現像処理ユニット
SD1〜SD3の懐領域に、塗布処理ユニットSC1が
入り込むように配置されて、全体として6つの処理ユニ
ットSC1〜SC3、SD1〜SD3が矩形状に配置さ
れている。このような配置構成にすることにより、基板
処理装置70に空きスペースがなくなり、装置の設置面
積を小さくすることができる。
C1〜SC3の懐領域(内側の空きスペース)に、現像
処理ユニットSD3が入り込むように配置されていると
ともに、同じく鉤状配置された3つの現像処理ユニット
SD1〜SD3の懐領域に、塗布処理ユニットSC1が
入り込むように配置されて、全体として6つの処理ユニ
ットSC1〜SC3、SD1〜SD3が矩形状に配置さ
れている。このような配置構成にすることにより、基板
処理装置70に空きスペースがなくなり、装置の設置面
積を小さくすることができる。
【0038】さらに、図1(b)に示すように、基板処
理装置70Aの塗布処理ユニットSC1〜SC3の上方
位置であって、基板搬送ロボットTRAの周りに、加熱
処理ユニットHP1〜HP3、冷却処理ユニットCP1
〜CP4、およびアドヒージョン処理ユニットAHL
1、AHL2からなる第1の熱処理ユニット群が配置さ
れているとともに、この第1の熱処理ユニット群に並べ
て2つのエッジ露光部EE1、EE2が設けられてい
る。同様に、基板処理装置70Bの現像処理ユニットS
D1〜SC3の上方位置であって、基板搬送ロボットT
RBの周りに、加熱処理ユニットHP4〜HP9、冷却
処理ユニットCP5〜CP8からなる第2の熱処理ユニ
ット群が配置されている。なお、なお、図1(b)中
で、枠内に多段に記載した例えば「CP3、HP2、H
P3」は、図3に示すように、冷却処理ユニットCP
3、加熱処理ユニットHP2、および加熱処理ユニット
HP3が、その順に下から多段に配置されていることを
示し、他の枠内の表示も同様である。
理装置70Aの塗布処理ユニットSC1〜SC3の上方
位置であって、基板搬送ロボットTRAの周りに、加熱
処理ユニットHP1〜HP3、冷却処理ユニットCP1
〜CP4、およびアドヒージョン処理ユニットAHL
1、AHL2からなる第1の熱処理ユニット群が配置さ
れているとともに、この第1の熱処理ユニット群に並べ
て2つのエッジ露光部EE1、EE2が設けられてい
る。同様に、基板処理装置70Bの現像処理ユニットS
D1〜SC3の上方位置であって、基板搬送ロボットT
RBの周りに、加熱処理ユニットHP4〜HP9、冷却
処理ユニットCP5〜CP8からなる第2の熱処理ユニ
ット群が配置されている。なお、なお、図1(b)中
で、枠内に多段に記載した例えば「CP3、HP2、H
P3」は、図3に示すように、冷却処理ユニットCP
3、加熱処理ユニットHP2、および加熱処理ユニット
HP3が、その順に下から多段に配置されていることを
示し、他の枠内の表示も同様である。
【0039】以下、図2および図3を参照して各処理ユ
ニットおよび基板搬送ロボットTRA、TRBの構成を
簡単に説明する。基板搬送ロボットTRA、TRBは同
じ構成であるので、基板搬送ロボットTRAを例に採っ
て説明する。基板搬送ロボットTRAは、2つの基板ハ
ンドリングアーム71を備えている。各基板ハンドリン
グアーム71は、それぞれの基端部にあるモータ72の
回転に伴って進退移動する多関節アームから構成されて
おり、その先端部に基板Wを載置保持する略Uの字状の
基板保持部73が設けられている。基板搬送ロボットT
RAは軸芯P1周りに旋回可能で、かつ、昇降可能に構
成されている。基板搬送ロボットTRAの昇降駆動機構
は、特に限定されないが、例えば、基板搬送ロボットT
RAの昇降移動経路に沿って配設された螺子送り機構や
ロッドレスシリンダ、あるいは基板搬送ロボットTRA
の下部に連結配置されたパンタグラフ式の昇降機構など
で構成することができる。
ニットおよび基板搬送ロボットTRA、TRBの構成を
簡単に説明する。基板搬送ロボットTRA、TRBは同
じ構成であるので、基板搬送ロボットTRAを例に採っ
て説明する。基板搬送ロボットTRAは、2つの基板ハ
ンドリングアーム71を備えている。各基板ハンドリン
グアーム71は、それぞれの基端部にあるモータ72の
回転に伴って進退移動する多関節アームから構成されて
おり、その先端部に基板Wを載置保持する略Uの字状の
基板保持部73が設けられている。基板搬送ロボットT
RAは軸芯P1周りに旋回可能で、かつ、昇降可能に構
成されている。基板搬送ロボットTRAの昇降駆動機構
は、特に限定されないが、例えば、基板搬送ロボットT
RAの昇降移動経路に沿って配設された螺子送り機構や
ロッドレスシリンダ、あるいは基板搬送ロボットTRA
の下部に連結配置されたパンタグラフ式の昇降機構など
で構成することができる。
【0040】塗布処理ユニットSC1〜SC3は、基板
Wをスピッチャック81上に吸着保持してモータ82で
回転させる基板回転保持機構83と、基板Wに塗布液を
吐出するノズル84と、塗布液の飛散を防止するカップ
85などを備えて構成されている。現像処理ユニットS
D1〜SD3は、塗布処理ユニットSC1〜SC3と同
様の基板回転保持機構と、基板W上に現像液を吐出する
ノズルや、飛散防止カップなどを備えて構成されてい
る。塗布処理ユニットSC1〜SC3は、基板Wに塗布
する塗布液の種類に応じて、例えば次のように使い分け
られる。
Wをスピッチャック81上に吸着保持してモータ82で
回転させる基板回転保持機構83と、基板Wに塗布液を
吐出するノズル84と、塗布液の飛散を防止するカップ
85などを備えて構成されている。現像処理ユニットS
D1〜SD3は、塗布処理ユニットSC1〜SC3と同
様の基板回転保持機構と、基板W上に現像液を吐出する
ノズルや、飛散防止カップなどを備えて構成されてい
る。塗布処理ユニットSC1〜SC3は、基板Wに塗布
する塗布液の種類に応じて、例えば次のように使い分け
られる。
【0041】第1の例は、塗布処理ユニットSC1〜S
C3の全てが、フォトレジストの塗布処理ユニットで構
成される場合である。この場合、塗布処理ユニットSC
1〜SC3がフォトレジスト塗布の並行処理に供され
る。
C3の全てが、フォトレジストの塗布処理ユニットで構
成される場合である。この場合、塗布処理ユニットSC
1〜SC3がフォトレジスト塗布の並行処理に供され
る。
【0042】第2の例は、塗布処理ユニットSC1〜S
C3のうち、塗布処理ユニットSC1およびSC2がフ
ォトレジストの塗布処理ユニットであり、他の塗布処理
ユニットSC3がフォトレジストの塗布前に基板W上に
反射防止膜を形成するための塗布処理ユニットで構成さ
れる場合である。この場合、塗布処理ユニットSC1、
SC2がフォトレジスト塗布の並行処理に供される。
C3のうち、塗布処理ユニットSC1およびSC2がフ
ォトレジストの塗布処理ユニットであり、他の塗布処理
ユニットSC3がフォトレジストの塗布前に基板W上に
反射防止膜を形成するための塗布処理ユニットで構成さ
れる場合である。この場合、塗布処理ユニットSC1、
SC2がフォトレジスト塗布の並行処理に供される。
【0043】第3の例は、塗布処理ユニットSC1〜S
C3のうち、塗布処理ユニットSC1およびSC2がフ
ォトレジストの塗布処理ユニットであり、他の塗布処理
ユニットSC3がフォトレジストの塗布後にレジスト膜
上に反射防止膜を形成するための塗布処理ユニットで構
成される場合である。この場合も塗布処理ユニットSC
1、SC2がフォトレジスト塗布の並行処理に供され
る。
C3のうち、塗布処理ユニットSC1およびSC2がフ
ォトレジストの塗布処理ユニットであり、他の塗布処理
ユニットSC3がフォトレジストの塗布後にレジスト膜
上に反射防止膜を形成するための塗布処理ユニットで構
成される場合である。この場合も塗布処理ユニットSC
1、SC2がフォトレジスト塗布の並行処理に供され
る。
【0044】第2および第3の例で述べた反射防止膜
は、露光装置40で照射されるUV光を吸収もしくは減
衰させる特徴を持ち、露光時に発生する定在波やハレー
ションを減少させるために、レジスト膜の上部か下部に
形成されるものである。レジスト膜の上に形成される反
射防止膜は、外部雰囲気によるレジスト膜の劣化を防止
する機能もある。
は、露光装置40で照射されるUV光を吸収もしくは減
衰させる特徴を持ち、露光時に発生する定在波やハレー
ションを減少させるために、レジスト膜の上部か下部に
形成されるものである。レジスト膜の上に形成される反
射防止膜は、外部雰囲気によるレジスト膜の劣化を防止
する機能もある。
【0045】加熱処理ユニットHP1〜HP9および冷
却処理ユニットCP1〜CP8は、それぞれのハウジン
グ内に加熱プレートあるいは冷却プレートを備えて構成
されている。アドヒージョン処理ユニットAHL1およ
びAHL2は、ハウジング内に加熱プレートと、HMD
S(ヘキサメチルジシラザン)などの密着強化剤の蒸気
を供給する機構を備えて構成されている。エッジ露光部
EE1およびEE2は、図3に示すように、基板Wを保
持して低速回転させる基板回転保持機構86と、基板W
の周縁に光を照射する光照射部87などを備えて構成さ
れている。エッジ露光された基板Wは、後の現像処理に
よって基板Wの周縁のフォトレジスト膜が除去される結
果、基板Wの周縁のフォトレジスト膜が剥離してパーテ
ィクルになるという弊害が生じない。
却処理ユニットCP1〜CP8は、それぞれのハウジン
グ内に加熱プレートあるいは冷却プレートを備えて構成
されている。アドヒージョン処理ユニットAHL1およ
びAHL2は、ハウジング内に加熱プレートと、HMD
S(ヘキサメチルジシラザン)などの密着強化剤の蒸気
を供給する機構を備えて構成されている。エッジ露光部
EE1およびEE2は、図3に示すように、基板Wを保
持して低速回転させる基板回転保持機構86と、基板W
の周縁に光を照射する光照射部87などを備えて構成さ
れている。エッジ露光された基板Wは、後の現像処理に
よって基板Wの周縁のフォトレジスト膜が除去される結
果、基板Wの周縁のフォトレジスト膜が剥離してパーテ
ィクルになるという弊害が生じない。
【0046】なお、図1中の符号75は基板搬送ロボッ
トTRAとTRBとの間の基板の受け渡しを介在するイ
ンターフェイス機構である。インターフェイス機構75
は、基板Wを支持する支持ピンや、基板を位置決めする
機構などで構成されている。
トTRAとTRBとの間の基板の受け渡しを介在するイ
ンターフェイス機構である。インターフェイス機構75
は、基板Wを支持する支持ピンや、基板を位置決めする
機構などで構成されている。
【0047】以下に上述した実施例装置における基板W
の処理の流れを図4を参照して説明する。図4は、塗布
処理ユニットSC1〜SC3がフォトレジストの塗布処
理ユニットである場合の基板Wの流れを示したフロー図
である。なお、図4中に符号を並べて記載したステッ
プ、例えば「SC1、SC2、SC3」は、空いている
塗布処理ユニットに基板を搬入して基板の並行処理(こ
の場合、フォトレジスト塗布の並行処理)を行うことを
意味する。
の処理の流れを図4を参照して説明する。図4は、塗布
処理ユニットSC1〜SC3がフォトレジストの塗布処
理ユニットである場合の基板Wの流れを示したフロー図
である。なお、図4中に符号を並べて記載したステッ
プ、例えば「SC1、SC2、SC3」は、空いている
塗布処理ユニットに基板を搬入して基板の並行処理(こ
の場合、フォトレジスト塗布の並行処理)を行うことを
意味する。
【0048】インデクサ装置(IDA)20から取り出
された未処理の基板Wは、基板処理装置70の基板搬送
ロボットTRAに受け渡される。この基板Wは、基板搬
送ロボットTRAによって、アドヒージョン処理ユニッ
トAHL1またはAHL2、冷却処理ユニットCP1ま
たはCP2、塗布処理ユニットSC1またはSC2また
はSC3、加熱処理ユニットHP1またはHP2または
HP3、冷却処理ユニットCP3またはCP4、エッジ
露光部EE1またはEE2へと順に搬送される。以上の
処理を受けた基板Wは、インターフェイス機構(IF
B)75を介して基板搬送ロボットTRAから基板搬送
ロボットTRBを受け渡され、さらに、インターフェイ
ス装置(IF)30を介して露光装置(EXP)40に
送られる。
された未処理の基板Wは、基板処理装置70の基板搬送
ロボットTRAに受け渡される。この基板Wは、基板搬
送ロボットTRAによって、アドヒージョン処理ユニッ
トAHL1またはAHL2、冷却処理ユニットCP1ま
たはCP2、塗布処理ユニットSC1またはSC2また
はSC3、加熱処理ユニットHP1またはHP2または
HP3、冷却処理ユニットCP3またはCP4、エッジ
露光部EE1またはEE2へと順に搬送される。以上の
処理を受けた基板Wは、インターフェイス機構(IF
B)75を介して基板搬送ロボットTRAから基板搬送
ロボットTRBを受け渡され、さらに、インターフェイ
ス装置(IF)30を介して露光装置(EXP)40に
送られる。
【0049】露光装置40で回路パターンなどが露光さ
れた基板Wは、インターフェイス装置30を介して再び
基板搬送ロボットTRBに受け渡される。この基板W
は、基板搬送ロボットTRBによって、加熱処理ユニッ
トHP4またはHP5またはHP6、冷却処理ユニット
CP5またはCP6、現像処理ユニットSD1またはS
D2またはSD3、加熱処理ユニットHP7またはHP
8またはHP9、および冷却処理ユニットCP7または
CP8へと順に搬送される。以上の処理を受けた基板W
は、インターフェイス機構75を介して基板搬送ロボッ
トTRBから基板搬送ロボットTRAを受け渡され、さ
らに、インデクサ装置20を戻されてカセットCに収納
される。以下、同様の処理が基板単位で繰り返し実行さ
れる。
れた基板Wは、インターフェイス装置30を介して再び
基板搬送ロボットTRBに受け渡される。この基板W
は、基板搬送ロボットTRBによって、加熱処理ユニッ
トHP4またはHP5またはHP6、冷却処理ユニット
CP5またはCP6、現像処理ユニットSD1またはS
D2またはSD3、加熱処理ユニットHP7またはHP
8またはHP9、および冷却処理ユニットCP7または
CP8へと順に搬送される。以上の処理を受けた基板W
は、インターフェイス機構75を介して基板搬送ロボッ
トTRBから基板搬送ロボットTRAを受け渡され、さ
らに、インデクサ装置20を戻されてカセットCに収納
される。以下、同様の処理が基板単位で繰り返し実行さ
れる。
【0050】以上のように、本実施例装置によれば、あ
る種の並行処理を行う複数個の処理ユニットに対する基
板の搬入・搬出を単一の基板搬送ロボットで行っている
ので、基板搬送ロボットによる基板の搬入・搬出に要す
る時間が各処理ユニットについて同じになる。つまり、
並行処理を行う処理ユニットのグループ内で、特定の処
理ユニットへの基板の搬入・搬出に要する時間が、その
グループ内の他の処理ユニットに比べて長くなったりし
ないので、並行処理を行っている処理ユニットのグルー
プから、別の処理ユニットのグループへの基板搬送を円
滑に行うことができる。
る種の並行処理を行う複数個の処理ユニットに対する基
板の搬入・搬出を単一の基板搬送ロボットで行っている
ので、基板搬送ロボットによる基板の搬入・搬出に要す
る時間が各処理ユニットについて同じになる。つまり、
並行処理を行う処理ユニットのグループ内で、特定の処
理ユニットへの基板の搬入・搬出に要する時間が、その
グループ内の他の処理ユニットに比べて長くなったりし
ないので、並行処理を行っている処理ユニットのグルー
プから、別の処理ユニットのグループへの基板搬送を円
滑に行うことができる。
【0051】<第2実施例>図5は、本発明に係る基板
処理装置の第2実施例の概略構成を示した平面図であ
る。なお、図5において、図1中の符号と同一の符号で
示した構成部分は、第1実施例のものと同じ構成である
ので、ここでの説明は省略する。以下、本実施例の特徴
部分を説明する。
処理装置の第2実施例の概略構成を示した平面図であ
る。なお、図5において、図1中の符号と同一の符号で
示した構成部分は、第1実施例のものと同じ構成である
ので、ここでの説明は省略する。以下、本実施例の特徴
部分を説明する。
【0052】本実施例に係る基板処理装置90は、図5
(a)中に符号Fで示した矩形状の装置フレーム内に3
つの塗布処理ユニットSC1〜SC3および3つの現像
処理ユニットSD1〜SD3などを配置した一体型の装
置であり、その設置面積は第1実施例の装置よりも縮小
化されている。塗布処理ユニットSC1〜SC3および
現像処理ユニットSD1〜SD3は、基板搬送ロボット
TRAおよびTRBの周りにそれぞれ鉤状に配置され、
かつ、鉤状配置の塗布処理ユニットSC1〜SC3の懐
領域に現像処理ユニットSD3が、鉤状配置の現像処理
ユニットSD1〜SD3の懐領域に塗布処理ユニットS
C1が、それぞれ入り込むように配置されている点は第
1実施例装置と同様である。
(a)中に符号Fで示した矩形状の装置フレーム内に3
つの塗布処理ユニットSC1〜SC3および3つの現像
処理ユニットSD1〜SD3などを配置した一体型の装
置であり、その設置面積は第1実施例の装置よりも縮小
化されている。塗布処理ユニットSC1〜SC3および
現像処理ユニットSD1〜SD3は、基板搬送ロボット
TRAおよびTRBの周りにそれぞれ鉤状に配置され、
かつ、鉤状配置の塗布処理ユニットSC1〜SC3の懐
領域に現像処理ユニットSD3が、鉤状配置の現像処理
ユニットSD1〜SD3の懐領域に塗布処理ユニットS
C1が、それぞれ入り込むように配置されている点は第
1実施例装置と同様である。
【0053】塗布処理ユニットSC1〜SC3の上方位
置であって、基板搬送ロボットTRAの昇降移動経路の
周りに第1実施例と同様の第1の熱処理ユニット群が配
置されており、また、現像処理ユニットSD1〜SD3
の上方位置であって、基板搬送ロボットTRBの昇降移
動経路の周りに第1実施例と同様の第2の熱処理ユニッ
ト群が配置されている。塗布処理ユニットSC1〜SC
3および第1の熱処理ユニット群が基板搬送ロボットT
RAによって基板Wを搬入・搬出され、また、現像処理
ユニットSD1〜SD3および第2の熱処理ユニット群
が基板搬送ロボットTRBによって基板Wを搬入・搬出
されることも第1実施例装置と同様である。
置であって、基板搬送ロボットTRAの昇降移動経路の
周りに第1実施例と同様の第1の熱処理ユニット群が配
置されており、また、現像処理ユニットSD1〜SD3
の上方位置であって、基板搬送ロボットTRBの昇降移
動経路の周りに第1実施例と同様の第2の熱処理ユニッ
ト群が配置されている。塗布処理ユニットSC1〜SC
3および第1の熱処理ユニット群が基板搬送ロボットT
RAによって基板Wを搬入・搬出され、また、現像処理
ユニットSD1〜SD3および第2の熱処理ユニット群
が基板搬送ロボットTRBによって基板Wを搬入・搬出
されることも第1実施例装置と同様である。
【0054】さらに、本実施例の特徴として、2つのエ
ッジ露光部EE1およびEE2が、両方の基板搬送ロボ
ットTRAおよびTRBによって基板を搬入・搬出でき
るように、第1および第2の熱処理ユニット群の間に配
置されている。その結果、露光装置40による露光の
前、あるいは露光の後のいずれであっても、基板Wに対
してエッジ露光の並行処理を行うことができる。つま
り、露光装置40による露光の前にエッジ露光を施す場
合には、エッジ露光部EE1およびEE2に対して、基
板搬送ロボットTRAを使って基板Wの搬入・搬出を行
い、また、露光装置40による露光の後にエッジ露光を
施す場合には、エッジ露光部EE1およびEE2に対し
て、基板搬送ロボットTRBを使って基板Wの搬入・搬
出を行う。本実施例装置による基板Wの処理の流れは、
図4に示した第1実施例装置の処理の流れと同様である
ので、ここでの説明は省略する。
ッジ露光部EE1およびEE2が、両方の基板搬送ロボ
ットTRAおよびTRBによって基板を搬入・搬出でき
るように、第1および第2の熱処理ユニット群の間に配
置されている。その結果、露光装置40による露光の
前、あるいは露光の後のいずれであっても、基板Wに対
してエッジ露光の並行処理を行うことができる。つま
り、露光装置40による露光の前にエッジ露光を施す場
合には、エッジ露光部EE1およびEE2に対して、基
板搬送ロボットTRAを使って基板Wの搬入・搬出を行
い、また、露光装置40による露光の後にエッジ露光を
施す場合には、エッジ露光部EE1およびEE2に対し
て、基板搬送ロボットTRBを使って基板Wの搬入・搬
出を行う。本実施例装置による基板Wの処理の流れは、
図4に示した第1実施例装置の処理の流れと同様である
ので、ここでの説明は省略する。
【0055】<第3実施例>図6は、本発明に係る基板
処理装置の第3実施例の概略構成を示した図であり、同
図(a)は塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットを
正面からみた配置図、同図(b)は実施例装置を上面か
ら見た各処理ユニットの配置図である。なお、図6にお
いて、図1中の符号と同一の符号で示した構成部分は、
第1実施例のものと同じ構成であるので、ここでの説明
は省略する。以下、本実施例の特徴部分を説明する。
処理装置の第3実施例の概略構成を示した図であり、同
図(a)は塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットを
正面からみた配置図、同図(b)は実施例装置を上面か
ら見た各処理ユニットの配置図である。なお、図6にお
いて、図1中の符号と同一の符号で示した構成部分は、
第1実施例のものと同じ構成であるので、ここでの説明
は省略する。以下、本実施例の特徴部分を説明する。
【0056】本実施例に係る基板処理装置100は、3
つの塗布処理ユニットSC1〜SC3および3つの現像
処理ユニットSD1〜SD3が鉛直に配置され、これら
の処理ユニットと対向して熱処理ユニット群102〜1
05がそれぞれ多段に配置されている。具体的には、塗
布処理ユニットSC1〜SC3は、2つの塗布処理ユニ
ットSC1およびSC2を下段に、塗布処理ユニットS
C3を上段にそれぞれ配置して、全体として鉤状配置に
なっている。現像処理ユニットSD1〜SD3は、現像
処理ユニットSD1を下段に、2つの現像処理ユニット
SD2およびSD3を上段にそれぞれ配置して、全体と
して鉤状配置になっている。そして、鉤状配置された塗
布処理ユニットSC1〜SC3の懐領域に現像処理ユニ
ットSD3が、同様に鉤状配置された現像処理ユニット
SD1〜SD3の懐領域に塗布処理ユニットSC1が、
それぞれ入り込むように配置されて、全体として6つの
塗布処理ユニットSC1〜SC3およびSD1〜SD3
が矩形状に配置されている。その結果、本実施例装置で
は、鉛直面内における装置の設置面積を小さくすること
ができる。
つの塗布処理ユニットSC1〜SC3および3つの現像
処理ユニットSD1〜SD3が鉛直に配置され、これら
の処理ユニットと対向して熱処理ユニット群102〜1
05がそれぞれ多段に配置されている。具体的には、塗
布処理ユニットSC1〜SC3は、2つの塗布処理ユニ
ットSC1およびSC2を下段に、塗布処理ユニットS
C3を上段にそれぞれ配置して、全体として鉤状配置に
なっている。現像処理ユニットSD1〜SD3は、現像
処理ユニットSD1を下段に、2つの現像処理ユニット
SD2およびSD3を上段にそれぞれ配置して、全体と
して鉤状配置になっている。そして、鉤状配置された塗
布処理ユニットSC1〜SC3の懐領域に現像処理ユニ
ットSD3が、同様に鉤状配置された現像処理ユニット
SD1〜SD3の懐領域に塗布処理ユニットSC1が、
それぞれ入り込むように配置されて、全体として6つの
塗布処理ユニットSC1〜SC3およびSD1〜SD3
が矩形状に配置されている。その結果、本実施例装置で
は、鉛直面内における装置の設置面積を小さくすること
ができる。
【0057】なお、処理ユニットSC1〜SC3、SD
1〜SD3の配置は上記の例に限らず、現像処理ユニッ
トと塗布処理ユニットとを入れ換えて、図6(a)の配
置とは逆になるように配置してもよい。
1〜SD3の配置は上記の例に限らず、現像処理ユニッ
トと塗布処理ユニットとを入れ換えて、図6(a)の配
置とは逆になるように配置してもよい。
【0058】塗布処理ユニットSC1とSC2のほぼ中
間を通るように基板搬送ロボットTRAの昇降移動経路
LA が設けられ、同様に、現像処理ユニットSD2とS
D3のほぼ中間を通るように基板搬送ロボットTRBの
昇降移動経路LB が設けられている。そして、基板搬送
ロボットTRAの昇降移動経路LA に沿うように、それ
ぞれが加熱処理ユニット(HP)や冷却処理ユニット
(CP)を多段に配置して構成された熱処理ユニット群
102、103からなる第1の熱処理ユニット群が塗布
処理ユニットSC1〜SC3と対向して配置されてい
る。このように基板搬送ロボットTRAの昇降移動経路
LA の周りに配置された塗布処理ユニットSC1〜SC
3および熱処理ユニット群102、103は、基板搬送
ロボットTRAによって基板の搬入・搬出が行われる。
同様に、基板搬送ロボットTRBの昇降移動経路LB の
周りに、熱処理ユニット群104、105からなる第2
の熱処理ユニット群が、現像処理ユニットSD1〜SD
3と対向して配置されている。基板搬送ロボットTRB
の昇降移動経路LB の周りに配置された現像処理ユニッ
トSD1〜SD3および熱処理ユニット群104、10
5は、基板搬送ロボットTRBによって基板の搬入・搬
出が行われる。
間を通るように基板搬送ロボットTRAの昇降移動経路
LA が設けられ、同様に、現像処理ユニットSD2とS
D3のほぼ中間を通るように基板搬送ロボットTRBの
昇降移動経路LB が設けられている。そして、基板搬送
ロボットTRAの昇降移動経路LA に沿うように、それ
ぞれが加熱処理ユニット(HP)や冷却処理ユニット
(CP)を多段に配置して構成された熱処理ユニット群
102、103からなる第1の熱処理ユニット群が塗布
処理ユニットSC1〜SC3と対向して配置されてい
る。このように基板搬送ロボットTRAの昇降移動経路
LA の周りに配置された塗布処理ユニットSC1〜SC
3および熱処理ユニット群102、103は、基板搬送
ロボットTRAによって基板の搬入・搬出が行われる。
同様に、基板搬送ロボットTRBの昇降移動経路LB の
周りに、熱処理ユニット群104、105からなる第2
の熱処理ユニット群が、現像処理ユニットSD1〜SD
3と対向して配置されている。基板搬送ロボットTRB
の昇降移動経路LB の周りに配置された現像処理ユニッ
トSD1〜SD3および熱処理ユニット群104、10
5は、基板搬送ロボットTRBによって基板の搬入・搬
出が行われる。
【0059】本実施例の基板搬送ロボットTRA、TR
Bは、各処理ユニットに対して基板の搬入・搬出を行
う、進退可能な基板ハンドリングアーム101を備えて
おり、第1実施例と同様に旋回、および昇降可能に構成
されている。本実施例では、各基板搬送ロボットTR
A、TRBは、単一の基板ハンドリングアーム101を
備えるが、第1実施例と同様にそれぞれ2つの基板ハン
ドリングアームを備えるように構成してもよい。
Bは、各処理ユニットに対して基板の搬入・搬出を行
う、進退可能な基板ハンドリングアーム101を備えて
おり、第1実施例と同様に旋回、および昇降可能に構成
されている。本実施例では、各基板搬送ロボットTR
A、TRBは、単一の基板ハンドリングアーム101を
備えるが、第1実施例と同様にそれぞれ2つの基板ハン
ドリングアームを備えるように構成してもよい。
【0060】本実施例装置においても、並行処理可能な
例えば塗布処理ユニットSC1〜SC3は基板搬送ロボ
ットTRAでのみ基板の搬入・搬出が行われる、同様
に、現像処理ユニットSD1〜SD3は基板搬送ロボッ
トTRBでのみ基板の搬入・搬出が行われるので、並行
処理を行う処理ユニット間での基板の搬送を円滑に行う
ことができる。
例えば塗布処理ユニットSC1〜SC3は基板搬送ロボ
ットTRAでのみ基板の搬入・搬出が行われる、同様
に、現像処理ユニットSD1〜SD3は基板搬送ロボッ
トTRBでのみ基板の搬入・搬出が行われるので、並行
処理を行う処理ユニット間での基板の搬送を円滑に行う
ことができる。
【0061】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば次の効果を奏する。請求項1に記載の発明によ
れば、3つの塗布処理ユニットおよび第1の熱処理ユニ
ット群が第1の基板搬送手段によって、また、3つの現
像処理ユニットおよび第2の熱処理ユニット群が第2の
基板搬送手段によって、それぞれ基板を搬入・搬出され
るので、並行処理を行う処理ユニット間の基板の搬送を
円滑に行うことができる。また、これらの塗布処理ユニ
ットおよび現像処理ユニットが、空き領域ができないよ
うに矩形状に配置されるので、基板処理装置の設置面積
を小さくすることもできる。
によれば次の効果を奏する。請求項1に記載の発明によ
れば、3つの塗布処理ユニットおよび第1の熱処理ユニ
ット群が第1の基板搬送手段によって、また、3つの現
像処理ユニットおよび第2の熱処理ユニット群が第2の
基板搬送手段によって、それぞれ基板を搬入・搬出され
るので、並行処理を行う処理ユニット間の基板の搬送を
円滑に行うことができる。また、これらの塗布処理ユニ
ットおよび現像処理ユニットが、空き領域ができないよ
うに矩形状に配置されるので、基板処理装置の設置面積
を小さくすることもできる。
【0062】請求項2に記載の発明によれば、3つの塗
布処理ユニットの上方位置に第1の熱処理ユニット群
が、3つの現像処理ユニットの上方位置に第2の熱処理
ユニット群が、それぞれ配置された基板処理装置におい
て、並行処理を行う処理ユニット間の基板の搬送を円滑
に行うことができるとともに、装置の設置面積を小さく
することができる。
布処理ユニットの上方位置に第1の熱処理ユニット群
が、3つの現像処理ユニットの上方位置に第2の熱処理
ユニット群が、それぞれ配置された基板処理装置におい
て、並行処理を行う処理ユニット間の基板の搬送を円滑
に行うことができるとともに、装置の設置面積を小さく
することができる。
【0063】請求項3に記載の発明によれば、エッジ露
光手段を備えた基板処理装置において、並行処理を行う
処理ユニット間の基板の搬送を円滑に行うことができる
とともに、装置の設置面積を小さくすることができる。
光手段を備えた基板処理装置において、並行処理を行う
処理ユニット間の基板の搬送を円滑に行うことができる
とともに、装置の設置面積を小さくすることができる。
【0064】請求項4に記載の発明によれば、基板上に
回路パターンを露光する前、あるいは露光後のいずれで
あっても、エッジ露光を任意に行うこともできる。
回路パターンを露光する前、あるいは露光後のいずれで
あっても、エッジ露光を任意に行うこともできる。
【0065】請求項5に記載の発明によれば、並行処理
を行う処理ユニット間の基板の搬送を円滑に行うことが
できるとともに、鉛直面内での装置の設置面積を小さく
することができる。
を行う処理ユニット間の基板の搬送を円滑に行うことが
できるとともに、鉛直面内での装置の設置面積を小さく
することができる。
【0066】請求項6に記載の発明によれば、3つの塗
布処理ユニットでフォトレジスト塗布の並行処理を行う
場合に、基板の搬送を円滑に行うことができる。
布処理ユニットでフォトレジスト塗布の並行処理を行う
場合に、基板の搬送を円滑に行うことができる。
【0067】請求項7に記載の発明によれば、2つの塗
布処理ユニットでフォトレジスト塗布の並行処理を行
い、他の1つの塗布処理ユニットでフォトレジストの塗
布前に基板上に反射防止膜を形成する場合に、基板の搬
送を円滑に行うことができる。
布処理ユニットでフォトレジスト塗布の並行処理を行
い、他の1つの塗布処理ユニットでフォトレジストの塗
布前に基板上に反射防止膜を形成する場合に、基板の搬
送を円滑に行うことができる。
【0068】請求項8に記載の発明によれば、2つの塗
布処理ユニットでフォトレジスト塗布の並行処理を行
い、他の1つの塗布処理ユニットでフォトレジストの塗
布後にレジスト膜上に反射防止膜を形成する場合に、基
板の搬送を円滑に行うことができる。
布処理ユニットでフォトレジスト塗布の並行処理を行
い、他の1つの塗布処理ユニットでフォトレジストの塗
布後にレジスト膜上に反射防止膜を形成する場合に、基
板の搬送を円滑に行うことができる。
【図1】本発明に係る基板処理装置の第1実施例におけ
る各処理ユニットの配置を示した図である。
る各処理ユニットの配置を示した図である。
【図2】第1実施例装置の基板搬送ロボットの周辺を示
した平面図である。
した平面図である。
【図3】図2のA−A矢視図である。
【図4】第1実施例装置における基板の処理の流れを示
したフロー図である。
したフロー図である。
【図5】第2実施例における各処理ユニットの配置を示
した図である。
した図である。
【図6】第3実施例における各処理ユニットの配置を示
した図である。
した図である。
【図7】従来の基板処理装置における各処理ユニットの
配置を示した図である。
配置を示した図である。
【図8】従来装置における基板の処理の流れを示したフ
ロー図てある。
ロー図てある。
【図9】本発明の課題の説明に供する基板処理装置の一
例を示した図である。
例を示した図である。
【図10】本発明の課題の説明に供する基板処理装置の
他の例を示した図である。
他の例を示した図である。
【図11】本発明の課題の説明に供する基板の処理の流
れを示したフロー図である。
れを示したフロー図である。
70、90、100…基板処理装置 TRA、TRB…基板搬送ロボット SC1〜SC3…塗布処理ユニット SD1〜SD3…現像処理ユニット HP1〜HP9…加熱処理ユニット CP1〜CP8…冷却処理ユニット AHL1〜AHL2…アドヒージョン処理ユニット EE1〜EE2…エッジ露光部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近森 隆一 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 岩見 優樹 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 大谷 正美 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内
Claims (8)
- 【請求項1】 基板単位に一連の処理を施す基板処理装
置であって、 基板に塗布処理を施す3つの塗布処理ユニットと、 基板の塗布処理の前後で基板に熱処理を施す第1の熱処
理ユニット群と、 基板に現像処理を施す3つの現像処理ユニットと、 基板の現像処理の前後で基板に熱処理を施す第2の熱処
理ユニット群と、 前記3つの塗布処理ユニットおよび第1の熱処理ユニッ
ト群に対する基板の搬入・搬出に共通使用される第1の
基板搬送手段と、 前記3つの現像処理ユニットおよび第2の熱処理ユニッ
ト群に対する基板の搬入・搬出に共通使用される第2の
基板搬送手段とを備え、 前記3つの塗布処理ユニットおよび前記3つの現像処理
ユニットは、それぞれが鉤状に配置され、かつ、互いの
鉤状配置の懐領域に他方の鉤状配置の一端側にある処理
ユニットが入り込むように配置されて、全体として6つ
の処理ユニットが矩形状に配置されていることを特徴と
する基板処理装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置におい
て、 前記3つの塗布処理ユニットと前記3つの現像処理ユニ
ットとは水平に配置されているとともに、 前記3つの塗布処理ユニットは昇降可能な第1の基板搬
送手段の昇降移動経路の周りに、前記3つの現像処理ユ
ニットは昇降可能な第2の基板搬送手段の昇降移動経路
の周りに、それぞれ配置されており、 かつ、前記第1の熱処理ユニット群は、前記3つの塗布
処理ユニットの上方位置であって、前記第1の基板搬送
手段の昇降移動経路の周りに配置され、 前記第2の熱処理ユニット群は、前記3つの現像処理ユ
ニットの上方位置であって、前記第2の基板搬送手段の
昇降移動経路の周りに配置されている基板処理装置。 - 【請求項3】 請求項2に記載の基板処理装置におい
て、 前記装置はさらに、第1の熱処理ユニット群または第2
の熱処理ユニット群と並ぶように第1の基板搬送手段の
昇降移動経路または第2の基板搬送手段の昇降移動経路
の周りに配置された、基板の周囲を露光するエッジ露光
手段を備えている基板処理装置。 - 【請求項4】 請求項3に記載の基板処理装置におい
て、 前記エッジ露光手段は、第1の基板搬送手段および第2
の基板搬送手段の両方が基板の搬入・搬出をできる位置
に配置されている基板処理装置。 - 【請求項5】 請求項1に記載の基板処理装置におい
て、 前記3つの塗布処理ユニットと前記3つの現像処理ユニ
ットとは鉛直に配置されているとともに、 前記3つの塗布処理ユニットは昇降可能な第1の基板搬
送手段の昇降移動経路の周りに、前記3つの現像処理ユ
ニットは昇降可能な第2の基板搬送手段の昇降移動経路
の周りに、それぞれ配置されており、 かつ、前記第1の熱処理ユニット群は、前記3つの塗布
処理ユニットと対向するように、前記第1の基板搬送手
段の昇降移動経路の周りに配置され、 前記第2の熱処理ユニット群は、前記3つの現像処理ユ
ニットと対向するように、前記第2の基板搬送手段の昇
降移動経路の周りに配置されている基板処理装置。 - 【請求項6】 請求項1に記載の基板処理装置におい
て、 前記3つの塗布処理ユニットは、それぞれがフォトレジ
ストの塗布処理ユニットである基板処理装置。 - 【請求項7】 請求項1に記載の基板処理装置におい
て、 前記3つの塗布処理ユニットは、そのうちの2つがフォ
トレジストの塗布処理ユニットであり、他の1つがフォ
トレジストの塗布前に基板上に反射防止膜を形成するた
めの塗布処理ユニットである基板処理装置。 - 【請求項8】 請求項1に記載の基板処理装置におい
て、 前記3つの塗布処理ユニットは、そのうちの2つがフォ
トレジストの塗布処理ユニットであり、他の1つがフォ
トレジストの塗布後にレジスト膜上に反射防止膜を形成
するための塗布処理ユニットである基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4763998A JPH11251399A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4763998A JPH11251399A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11251399A true JPH11251399A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12780823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4763998A Pending JPH11251399A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11251399A (ja) |
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1998
- 1998-02-27 JP JP4763998A patent/JPH11251399A/ja active Pending
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