JP2001110701A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 例えば塗布、現像装置において、ウエハ搬送
手段の負担を軽減し、スル−プットを向上させること。 【解決手段】 レジストの塗布等を行う処理ステ−ショ
ンＳ２では、カセット２２を搬出入するカセットステ−
ションＳ１のカセット２２の配列方向と平行に、このス
テ−ションＳ１に隣接して、反射防止膜形成ユニットＢ
と塗布ユニットＣと冷却部３とを含む第１の処理部群
を、この隣に棚ユニットＲを含む第３の処理部群と、現
像ユニットＤを含む第２の処理部群をこの順で第１の処
理部群と対向するように配置し、第１及び第２の処理部
群の間、及び第２及び第３の処理部群の間にウエハ搬送
手段ＭＡ１，ＭＡ２を夫々配置する。このようにすると
カセットステ−ションＳ１の受け渡しア−ム２３により
第１の処理部群との間でウエハＷの受け渡しを行うこと
ができ、ウエハ搬送手段ＭＡの負担が軽減される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハや液晶ディスプレイ用のガラス基板などの基板に対し
て例えばレジスト液の塗布処理や現像処理などを行う基
板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程におけるフォ
トリソグラフィ−技術においては半導体ウエハ（以下ウ
エハという）の表面にレジストを塗布し、この塗布レジ
ストを所定パタ−ンに露光処理し、更に現像処理して所
定パタ−ンのレジスト膜が形成される。このような一連
の処理は、塗布／現像装置に露光装置を接続したシステ
ムにより行われる。

【０００３】図１０はこのような装置の従来例を示す平
面図であり、基板例えば半導体ウエハＷを２５枚収納し
たカセットＣはカセットステ−ションＡ１のカセットス
テ−ジ１に搬入される。カセットステ−ションＡ１には
処理ステ−ションＡ２が接続されており、この処理ステ
−ションＡ２は、ウエハＷにレジスト液を塗布する例え
ば２個の塗布ユニット１１と、露光後のウエハＷを現像
する例えば２個の現像ユニットとを備えていて、これら
は例えばカセットステ−ションＡ１に載置されたカセッ
トＣの配列方向と直交するように２個並んで２段に設け
られている（この例では下段に現像ユニットが配列され
ている）。

【０００４】また当該ステ−ションＡ２は、ウエハＷが
多段に載置される例えば３個の棚ユニット１２，１３，
１４を備えており、これら棚ユニット１２，１３，１４
の各棚は、加熱部、冷却部、ウエハＷの受け渡し部など
として構成されている。そしてウエハＷはウエハ搬送手
段１５により、前記塗布ユニット１１と現像ユニットと
棚ユニット１２，１３，１４との間で搬送されるように
なっている。このような処理ステ−ションＡ２にはイン
タ−フェイスステ−ションＡ３を介して露光装置Ａ４が
接続されている。

【０００５】このシステムでは、前記カセットステ−ジ
１上のカセットＣ内のウエハＷは、受け渡しア−ム１６
により取り出され、棚ユニット１２の受け渡し部を介し
て塗布ユニット１１に送られ、ここでレジストが塗布さ
れる。その後ウエハＷはウエハ搬送手段１５→棚ユニッ
ト１３の受け渡し部→インタ−フフェイスステ−ション
Ａ３→露光装置Ａ４の経路で搬送されて露光される。露
光後のウエハＷは、逆経路で処理ステ−ションＡ２に搬
送され、塗布ユニット１１の下段に設けられた図示しな
い現像ユニットにて現像された後、ウエハ搬送手段１５
→棚ユニット１２の受け渡し部→カセットＣの経路で搬
送される。なお１７は処理ステ−ションＡ２と露光装置
Ａ４との間でウエハＷの受け渡しを行うための受け渡し
ア−ムである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の塗
布・現像装置では、処理ステ−ションＡ２に受け渡され
たウエハＷは、当該処理ステ−ションＡ２内では、前記
塗布ユニット１１と現像ユニットと棚ユニット１２，１
３，１４との間をウエハ搬送手段１５により搬送される
ため、ウエハ搬送手段１５の負荷が大きく、処理ステ−
ションＡ２内のユニットの数をそれ程多くすることがで
きないという現状である。

【０００７】一方スル−プット向上の観点からは、例え
ば塗布ユニット１１や現像ユニットの数を増やすことが
望ましく、またウエハＷにレジストを塗布する前の反射
防止膜の形成等、新たなユニットを追加することも検討
されている。このような場合、ユニット数の増加に合わ
せてウエハ搬送手段１５の数を増やすことが要求され
る。

【０００８】また上述の塗布・現像装置では、塗布ユニ
ット１１や現像ユニットの近傍に棚ユニット１２，１３
が配置されているため、塗布ユニット１１等が棚ユニッ
ト１２，１３の加熱部からの熱影響を受けやすい。この
ため各ユニットにおける処理の際、ウエハＷの温度が変
化しやすく、温度が処理に影響を与えるため、処理にム
ラが発生しやすいという問題がある。このようなことか
らスル−プットを向上させ、かつ処理を均一に行うため
のレイアウトの構築が望まれている。

【０００９】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、基板搬送手段の負荷を少なくし
てスル−プットの向上を図る基板処理装置を提供するこ
とにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】このための本発明の基板
処理装置は、複数の基板を収納した基板カセットを載置
する載置部と、この載置部に載置された基板カセットに
対して基板の受け渡しを行う受け渡し手段と、を含むカ
セットステ−ションと、このカセットステ−ションに接
続され、前記受け渡し手段により搬送された基板を処理
する処理ステ−ションと、を有し、前記処理ステ−ショ
ンは、基板に対して処理液を塗布する塗布処理部と、こ
の塗布処理部に対して基板の受け渡しを行う基板搬送手
段と、を備え、前記カセットステ−ションの受け渡し手
段が前記処理ステ−ションの塗布処理部に対して基板の
受け渡しを行うことを特徴とする。

【００１１】このような構成では、前記処理ステ−ショ
ンの塗布処理部に対して、基板搬送手段のみならず前記
カセットステ−ションの受け渡し手段によっても基板の
受け渡しを行うことができる。このため基板搬送手段の
負荷を軽減でき、その分塗布処理部等を増加することが
できるので、スル−プットの向上が図れる。

【００１２】また本発明は、複数の基板を収納した基板
カセットを載置する載置部と、この載置部に載置された
基板カセットに対して基板の受け渡しを行う受け渡し手
段と、を含むカセットステ−ションと、このカセットス
テ−ションに接続され、前記受け渡し手段により搬送さ
れた基板を処理する処理ステ−ションと、を有し、前記
処理ステ−ションは、カセットステ−ション側に設けら
れ、基板に対して第１の処理液を塗布する第１の塗布処
理部と、カセットステ−ションの反対側に設けられ、基
板に対して第２の処理液を塗布する第２の塗布処理部
と、前記第１及び第２の塗布処理部の間に設けられ、基
板を加熱するための加熱部と、第１の塗布処理部と加熱
部との間に設けられ、これらに対して基板の搬送を行う
第１の基板搬送手段と、第２の塗布処理部と加熱部との
間に設けられ、これらに対して基板の搬送を行う第２の
基板搬送手段と、を備えることを特徴とする。

【００１３】このような構成では、第１の塗布処理部と
第２の塗布処理部は加熱部の両側に、加熱部と基板搬送
手段を挟んで設けられており、第１及び第２の塗布処理
部は加熱部から離れているので、これら第１及び第２の
塗布処理部が加熱部からの熱影響を受けにくくなる。こ
のため塗布処理時における基板温度の変化が抑えられ、
温度変化が原因となる処理ムラの発生が防止できて、塗
布処理の均一性の向上が図れる。

【００１４】ここで前記カセットステ−ションの受け渡
し手段により前記処理ステ−ションの第１の塗布処理部
に対して基板の受け渡しを行うように構成してもよく、
この場合には基板搬送手段の負荷が軽減される。

【００１５】また前記処理ステ−ションは、基板を冷却
するための冷却部を備え、前記カセットステ−ションの
受け渡し手段がこの処理ステ−ションの冷却部に対して
基板の受け渡しを行うように構成してもよく、この場合
には例えば塗布処理の前に基板を冷却して基板温度を調
整する場合であっても、基板搬送手段の負荷が軽減され
ると共に、基板の搬送の無駄を省くことができる。

【００１６】本発明は具体的には、前記処理ステ−ショ
ンのカセットステ−ションの反対側に設けられた露光装
置と、処理ステ−ションのカセットステ−ションの反対
側に接続され、処理ステ−ションと露光装置との間で基
板の受け渡しを行うためのインタ−フェイスステ−ショ
ンと、を備え、前記第１の塗布処理部は基板に対して反
射防止膜の形成を行う処理部を含み、前記第２の塗布処
理部は前記露光装置にて露光された基板に対して現像処
理を行う処理部を含むという構成である。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に本発明を基板の塗布、現像
装置に適用した実施の形態について説明する。図１はこ
の実施の形態の内部を透視して示す概観図、図２は概略
平面図であって、図中Ｓ１はカセットステ−ション、Ｓ
２はウエハＷに対してレジストの塗布処理や現像処理等
を行うための処理ステ−ション、Ｓ３はインタ−フェイ
スステ−ション、Ｓ４は露光装置である。

【００１８】カセットステ−ションＳ１は、複数の基板
例えば２５枚のウエハＷを収納した例えば４個の基板カ
セットをなすウエハカセット（以下「カセット」とい
う）２２を載置する載置部をなすカセットステ−ジ２１
と、カセットステ−ジ２１上のカセット２２と処理ステ
−ションＳ２との間でウエハＷの受け渡しを行なうため
の受け渡し手段をなす受け渡しア−ム２３とを備えてい
る。

【００１９】また処理ステ−ションＳ２は、例えば３個
の反射防止膜形成ユニットＢ（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）と、
例えば３個の塗布ユニットＣ（Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３）と、
例えば６個の現像ユニットＤ（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ
４，Ｄ５，Ｄ６）と、複数例えば２個の棚ユニットＲ
（Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３）と、複数例えば３個の冷却部３
（３Ａ，３Ｂ，３Ｃ）と、基板搬送手段である複数例え
ば２個のウエハ搬送手段ＭＡ（ＭＡ１，ＭＡ２）と、複
数例えば２個のウエハＷの受け渡し部４（４Ａ，４Ｂ）
とを備えており、カセットステ−ションＳ１とインタ−
フェイスステ−ションＳ３との間でウエハＷの受け渡し
を行うと共に、当該ステ−ションＳ２内ではウエハＷに
反射防止膜を形成する処理と、ウエハＷにレジストを塗
布する処理と、ウエハＷの現像処理と、これらの処理の
前後にウエハＷを所定の温度に加熱し、冷却する処理と
を行うように構成されている。

【００２０】このステ−ションＳ２内のレイアウトの一
例について説明すると、当該ステ−ションＳ２内におい
てカセットステ−ションＳ１に隣接した領域には、第１
の処理部群が配列されている。この第１の処理部群は例
えば第１の塗布処理部である３個の反射防止膜形成ユニ
ットＢと、３個の塗布ユニットＣと、１個の冷却部３Ａ
と、１個の受け渡し部４Ａとを含み、例えば図３（処理
ステ−ションＳ２のカセットステ−ションＳ１に隣接し
た領域を露光装置Ｓ４側から見た断面図）に示すよう
に、カセットステ−ションＳ１から見て右側に３個の反
射防止膜形成ユニットＢが３段に設けられている。そし
てこの左側に１個の冷却部３Ａと１個のウエハＷの受け
渡し部４Ａとが例えば冷却部３Ａを上にして２段に設け
られており、さらにこの左側に３個の塗布ユニットＣが
３段に設けられている。

【００２１】ここで前記受け渡しア−ム２３は、夫々ウ
エハＷを保持するためのア−ム２３ａを２枚備えており
（図５参照）、各々のア−ム２３ａは昇降自在、Ｘ，Ｙ
方向に移動自在、鉛直軸まわりに回転自在に構成されて
いて、例えばカセットステ−ジ２１上のカセット２２
と、前記第１の処理部群である、３個の反射防止膜形成
ユニットＢと、冷却部３Ａと、受け渡し部４Ａとの間で
ウエハＷの受け渡しを行なうようにこれらにアクセスで
きるように構成されると共に、前記第１の処理部群のレ
イアウトが決定されている。

【００２２】またカセットステ−ションＳ１から見て最
も奥側のインタ−フェイスステ−ションＳ３に隣接した
領域には、例えば図４（処理ステ−ションＳ２のインタ
−フェイスステ−ションＳ３に隣接した領域を露光装置
Ｓ４側から見た断面図）に示すように、第１の処理部群
と対向して第２の処理部群が設けられている。この第２
の処理部群は、例えば第２の塗布処理部である６個の現
像ユニットＤと、ウエハＷの受け渡し部を兼ねる１個の
冷却部３Ｃとを含み、カセットステ−ションＳ１から見
て右側に３個の現像ユニットＤ（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３）が
３段に設けられ、この左側に冷却部３Ｃが設けられ、さ
らにこの左側に３個の現像ユニットＤ（Ｄ４，Ｄ５，Ｄ
６）が３段に設けられている。

【００２３】そして第１の処理部群及び第２の処理部群
の間には、第３の処理部群が設けられている。この第３
の処理部群は２個の棚ユニットＲと、１個の冷却部３Ｂ
と、１個の受け渡し部４Ｂとを含み、この例ではカセッ
トステ−ションＳ１から見て反射防止膜形成ユニットＢ
の奥側に棚ユニットＲ１、塗布ユニットＣの奥側に棚ユ
ニットＲ２が夫々設けられており、この間に１個の冷却
部３Ｂと１個の受け渡し部４Ｂとが冷却部３Ｂを上にし
て２段に設けられている。

【００２４】前記２個のウエハ搬送手段ＭＡは、後述の
ように進退自在、昇降自在、鉛直軸まわりに回転自在に
構成されており、いずれかのウエハ搬送手段ＭＡによ
り、各反射防止膜形成ユニットＢと、各塗布ユニットＣ
と、各現像ユニットＤと、各冷却部３と、各受け渡し部
４と、棚ユニットＲの全ての棚との間でウエハＷの受け
渡しが行われるようにレイアウトされている。

【００２５】例えばウエハ搬送手段ＭＡ１は、前記第１
の処理部群と第３の処理部群とにアクセスできるよう
に、例えばカセットステ−ションＳ１から見て冷却部３
Ａの奥側に配置され、各反射防止膜形成ユニットＢと、
各塗布ユニットＣと、各棚ユニットＲと、冷却部３Ａ，
３Ｂと、受け渡し部４Ａ，４Ｂとの間でウエハＷの受け
渡しを行なうようになっている。また例えばウエハ搬送
手段ＭＡ２は、第２の処理部群と第３の処理部群とにア
クセスできるように、例えば冷却部３Ｂの奥側に配置さ
れ、各現像ユニットＤと、各棚ユニットＲと、冷却部３
Ｂ，３Ｃと、受け渡し部４Ｂとの間でウエハＷの受け渡
しを行なうようになっている。

【００２６】さらにカセットステ−ションＳ１から見て
各ウエハ搬送手段ＭＡの右側はケミカルユニットＵとし
て割り当てられており、左側は作業用スペ−スとして確
保されている。ここでケミカルユニットＵとは、反射防
止膜形成ユニットＢや塗布ユニットＣ、現像ユニットＤ
への薬液の供給系を収納するためのものであり、例えば
溶剤やレジスト液、現像液等の貯留タンクや、貯留タン
クの開閉バルブ等の各種バルブ、フィルタ、バルブの駆
動部、吐出ノズルの駆動系等が収納されている。

【００２７】前記棚ユニットＲ（Ｒ１，Ｒ２）は、図５
に棚ユニットＲ１を代表して示すように、ウエハＷを加
熱し、その後冷却するための、複数例えば６個のＣＨＰ
装置５（Chilling Hot Plate Process Station）が縦に
配列されている。前記ＣＨＰ装置５は、例えば図６に示
すように、ウエハＷを加熱するための加熱部をなす加熱
プレ−ト５１と、ウエハＷを冷却するための冷却プレ−
ト５２とを備えており、先ずウエハＷを加熱プレ−ト５
１に載置して所定温度まで加熱した後（図６（ａ）参
照）、例えば加熱プレ−ト５１からウエハＷを例えば突
出ピン５４で持ち上げると共に、冷却プレ−ト５２を搬
送手段５３によりウエハＷの下方側の位置まで移動させ
てウエハＷを冷却プレ−ト５２に受け渡し（（図６
（ｂ），（ｃ）参照）、その後ウエハＷを載置したまま
冷却プレ−ト５２を加熱プレ−ト５１の側方の位置まで
移動させてウエハＷを所定温度まで冷却するようになっ
ており（（図６（ｄ））、この装置では加熱プレ−ト５
１と冷却プレ−ト５２との間のウエハＷの受け渡しによ
って加熱時間が制御されるので、オ−バ−ベ−クが防止
される。 また塗布ユニットＣについて例えば図７に基
づいて説明すると、３１はカップであり、このカップ３
１内に真空吸着機能を有する回転自在なスピンチャック
３２が設けられている。このスピンチャック３２は昇降
機構３３により昇降自在に構成されており、カップ３１
の上方側に位置しているときに、前記ウエハ搬送手段Ｍ
Ａの後述するア−ム４１との間でウエハＷの受け渡しが
行われる。

【００２８】このウエハＷの受け渡しについては、ア−
ム４１上のウエハＷをカップ３１の上方側にてスピンチ
ャック３２がその下方側から相対的に上昇して受取り、
またその逆の動作によってスピンチャック３２側からア
−ム４１に受け渡される。３４は吐出ノズル、３５は処
理液供給管、３６はノズルを水平移動させる支持ア−ム
であり、このような塗布ユニットＣでは、スピンチャッ
ク３２上のウエハＷの表面に吐出ノズル３４からレジス
ト液を滴下し、スピンチャック３２を回転させてレジス
ト液をウエハＷ上に伸展させ塗布する。

【００２９】また反射防止膜形成ユニットＢ及び現像ユ
ニットＤは塗布ユニットＣとほぼ同一の構成であるが、
現像ユニットＤは吐出ノズル３４が例えばウエハＷの直
径方向に配列された多数の供給孔を備えるように構成さ
れ、スピンチャック３２上のウエハＷの表面に吐出ノズ
ル３４から第２の処理液である現像液を吐出し、スピン
チャック３２を半回転させることによりウエハＷ上に現
像液の液盛りが行われ、現像液の液膜が形成されるよう
になっている。また反射防止膜形成ユニットＢでは吐出
ノズル３４から第１の処理液である薬液が吐出されるよ
うになっている。 前記ウエハ搬送手段ＭＡ１，ＭＡ２
は同一に構成され、例えば図８に示すように、ウエハＷ
を保持するための３枚のア−ム４１と、このア−ム４１
を進退自在に支持する基台４２と、この基台４２を昇降
自在に支持する一対の案内レ−ル４３，４４と、を備え
ており、これら案内レ−ル４３，４４を回転駆動部４５
により回転させることにより、進退自在、昇降自在、鉛
直軸回りに回転自在に構成されている。

【００３０】前記ウエハの受け渡し部４は、例えばプレ
−トの上面のウエハＷのほぼ中央部に対応する位置にウ
エハ搬送手段ＭＡのア−ム４１が緩衝しない程度の高さ
の複数のピンを備えており、これらピン上にウエハＷを
載置してからア−ム４１を下降させ、次いでア−ム４１
を退行させることにより、受け渡し部４にウエハＷを受
け渡すように構成されている。

【００３１】また前記冷却部３は、例えば冷媒の通流に
よって冷却された微調整用冷却プレ−トＰ（図５参照）
の表面にウエハＷを載置することにより、当該ウエハＷ
が所定温度まで高精度に温度制御された状態で冷却され
るようになっている。本実施の形態では、ＣＨＰ装置５
の加熱プレ−ト５１にて所定温度に加熱されたウエハＷ
は、冷却プレ−ト５２により第１の温度まで冷却され、
その後冷却部３にて第１の温度よりも低い第２の温度ま
で高精度に制御された状態で冷却されるようになってお
り、２段階で所定の温度（第２の温度）まで冷却するこ
とにより高精度に温度調整を行っている。

【００３２】さらにこの例では第２の処理部群が設けら
れた領域は空間が閉じられている。つまりウエハ搬送手
段ＭＡ２が設けられた領域との間が図１に破線で示す仕
切り壁６にて仕切られており、図４に示すように天井部
に設けられたフィルタユニットＦを介して清浄化された
空気が処理部の中に入っていくように構成されていると
いうことであり、仕切り壁６には各現像ユニットＤ及び
冷却部３Ｃとウエハ搬送手段ＭＡ２との間でウエハＷの
受け渡しを行うためのウエハＷの受け渡し口（図示せ
ず）と、冷却部３Ｃと後述するインタ−フェイスステ−
ションＳ３の受け渡しア−ム７との間でウエハＷの受け
渡しを行うためのウエハＷの受け渡し口（図示せず）と
が形成されている。

【００３３】例えばフィルタユニットＦは例えば処理ス
テ−ションＳ２の上方側を覆うように設けられており、
処理ステ−ションＳ２の下部に設けられた通気孔板６３
を介して回収される当該ステ−ションＳ２内の下側雰囲
気が、排気口６４から工場排気系に排気される一方、一
部がフィルタ装置６５へと導入され、このフィルタ装置
６５にて清浄化された空気が、側壁との間に形成された
壁ダクト６６へと送出され、天井部に設けられたフィル
タユニットＦを介して処理ステ−ションＳ２内にダウン
フロ−として吹き出されるようになっている。

【００３４】フィルタユニットＦは、空気を清浄化する
ためのフィルタ、空気中のアルカリ成分例えばアンモニ
ア成分やアミンを除去するために酸成分が添加されてい
る化学フィルタ、吸い込みファン、及び加熱機構や加湿
機構などを備えており、清浄化され、アルカリ成分が除
去され、所定の温度及び湿度に調整された空気を下方側
の処理空間内に送出するようになっている。例えばレジ
スト液として化学増幅型のレジストを用いた場合には、
現像処理雰囲気にアルカリ成分が入り込みことを防止す
る必要があるので、処理部を閉じた空間とし、化学フィ
ルタを用いて外部からのアルカリ成分の侵入を防いでい
る。

【００３５】なお化学増幅型のレジストは露光すること
により酸が生成し、この酸が加熱処理により拡散して触
媒として作用し、レジスト材料の主成分であるベ−ス樹
脂を分解したり、分子構造を変えて現像液に対して可溶
化するものである。従ってこの種のレジストを用いた場
合、空気中に含まれている微量なアンモニアや壁の塗料
などから発生するアミンなどのアルカリ成分がレジスト
表面部の酸と接触すると酸による触媒反応が抑制され、
パタ−ンの形状が劣化するためアルカリ成分を除去する
必要がある。

【００３６】こうして処理ステ−ションＳ２では、カセ
ットステ−ションＳ１の受け渡しア−ム２３によって各
反射防止膜形成ユニットＢと、冷却部３Ａと、受け渡し
部４Ａとに対してウエハＷの受け渡しが行なわれ、ウエ
ハ搬送手段ＭＡ１によって各反射防止膜形成ユニットＢ
と、各塗布ユニットＣと、冷却部３Ａ，３Ｂと、受け渡
し部４Ａ，４Ｂと、各棚ユニットＲとに対してウエハＷ
の受け渡しが行われ、ウエハ搬送手段ＭＡ２によって各
現像ユニットＤと、冷却部３Ｂ，３Ｃと、受け渡し部４
Ｂと、各棚ユニットＲとに対してウエハＷの受け渡しが
行われる。

【００３７】処理ステ−ションＳ２の隣にはインタ−フ
ェイスステ−ションＳ３が接続され、このインタ−フェ
イスステ−ションＳ３の奥側には、レジスト膜が形成さ
れたウエハＷに対して露光を行うための露光装置Ｓ４が
接続されている。インタ−フェイスステ−ションＳ３
は、ウエハＷを加熱及び冷却するためのＣＨＰ装置７１
と、処理ステ−ションＳ２と露光装置Ｓ４との間及び、
処理ステ−ションＳ２とＣＨＰ装置７１との間でウエハ
Ｗの受け渡しを行うための受け渡しア−ム７とを備えて
おり、この受け渡しア−ム７は冷却部３ＣとＣＨＰ装置
７１と露光装置Ｓ４とにアクセスできるように構成され
ている。

【００３８】次に上述の実施の形態の作用について説明
する。先ず自動搬送ロボット（あるいは作業者）により
例えば２５枚のウエハＷを収納したカセット２２がカセ
ットステ−ジ２１に搬入され、受け渡しア−ム２３によ
りカセット２２内からウエハＷが取り出されて処理ステ
−ションＳ２の冷却部３Ａに受け渡され、ここで所定の
温度まで冷却される。この後ウエハＷは例えば受け渡し
ア−ム２３により反射防止膜形成ユニットＢに搬送さ
れ、ここで反射防止膜が形成される。この際受け渡しア
−ム２３は２枚のア−ム２３ａを備えているので、一方
のア−ム２３ａにより冷却部３Ａから冷却後のウエハＷ
を受け取った後、他方のア−ム２３ａのウエハＷを冷却
部３Ａに受け渡すことができる。また反射防止膜を形成
するのは、化学増幅型のレジストを用いると露光時にレ
ジストの下側で反射が起こるので、これを防止するため
である。

【００３９】次いで反射防止膜形成ユニットＢのウエハ
Ｗは、例えば受け渡しア−ム２３→受け渡し部４Ａ→ウ
エハ搬送手段ＭＡ１→棚ユニットＲのＣＨＰ装置５→ウ
エハ搬送手段ＭＡ１→冷却部３→ウエハ搬送手段ＭＡ１
→塗布ユニットＣの経路で搬送される。こうしてウエハ
Ｗは、ＣＨＰ装置５にて加熱プレ−ト５１で所定温度ま
で加熱された後、当該ＣＨＰ装置５の冷却プレ−ト５２
及び冷却部３により所定温度まで２段階で冷却されて温
度調整が行われ、レジストが塗布される。

【００４０】次に塗布ユニットＣのウエハＷは、ウエハ
搬送手段ＭＡ１→棚ユニットＲのＣＨＰ装置５→ウエハ
搬送手段ＭＡ２→冷却部３Ｃの経路で搬送されて、ＣＨ
Ｐ装置５→冷却部３Ｃにより所定温度まで加熱された
後、所定温度まで２段階で冷却されて温度調整が行われ
る。そして冷却部３ＣのウエハＷは、インタ−フェイス
ステ−ションＳ３の受け渡しア−ム７→露光装置Ｓ４の
経路で搬送され、露光が行われる。

【００４１】露光後のウエハＷは逆の経路、つまり露光
装置Ｓ４→受け渡しア−ム７→ＣＨＰ装置７１→受け渡
しア−ム７→冷却部３Ｃ→ウエハ搬送手段ＭＡ２→現像
ユニットＤの経路で搬送される。こうしてウエハＷは、
ＣＨＰ装置７１→冷却部３Ｃにより所定温度まで加熱さ
れた後、所定温度まで２段階で冷却されて温度調整が行
われ、次いでウエハＷは現像ユニットＤにて現像処理さ
れる。

【００４２】その後ウエハＷはウエハ搬送手段ＭＡ２→
棚ユニットＲのＣＨＰ装置５→ウエハ搬送手段ＭＡ１→
受け渡し部４Ａ→受け渡しア−ム２３の経路で搬送さ
れ、一旦所定温度まで加熱された後、所定温度まで冷却
されたウエハＷは、受け渡し部４Ａを介して例えば元の
カセット２２内に戻される。

【００４３】ここで処理ステ−ションＳ２では、ウエハ
Ｗは順次冷却部３Ａに送られ、続いて空いている反射防
止膜形成ユニットＢ→棚ユニットＲ１の空いているＣＨ
Ｐ装置５→空いている冷却部３→空いている塗布ユニッ
トＣ→棚ユニットＲの空いているＣＨＰ装置５→冷却部
３Ｃ→インタ−フェイスステ−ションＳ２の経路で搬送
され、また露光後のウエハＷはインタ−フェイスステ−
ションＳ２のＣＨＰ装置７１→受け渡しア−ム７→冷却
部３Ｃ→空いている現像ユニットＤ→棚ユニットＲの空
いているＣＨＰ装置５→受け渡し部４Ａの経路で搬送さ
れればよい。

【００４４】この際冷却部３Ａと反射防止膜形成ユニッ
トＢとの間は、ウエハＷを受け渡しア−ム２３にて搬送
するようにしてもよいし、ウエハ搬送手段ＭＡ１により
搬送するようにしてもよい。またウエハＷを搬送する際
に、ウエハ搬送手段ＭＡ同士の間でウエハＷの受け渡し
を行う場合には、受け渡し部４Ｂを介してウエハＷの受
け渡しが行われる。

【００４５】さらに上述の実施の形態では、受け渡しア
−ム２３を塗布ユニットＣにアクセスできるように構成
し、冷却部３Ａと塗布ユニットＣとの間は、ウエハＷを
受け渡しア−ム２３により搬送するようにしてもよい。

【００４６】上述実施の形態では、カセットステ−ショ
ンＳ１の受け渡しア−ム２３により、処理ステ−ション
Ｓ２の反射防止膜形成ユニットＢと冷却部３と受け渡し
部４Ａとの間でウエハＷを搬送するようにしたので、処
理ステ−ションＳ２内におけるウエハＷの搬送を全てウ
エハ搬送手段ＭＡが行っていた従来の場合に比べて、ウ
エハ搬送手段ＭＡの負荷が軽減される。このためウエハ
搬送手段ＭＡでアクセスするユニットの数を増加するこ
とができ、スル−プットの向上を図ることができる。

【００４７】つまり上述の実施の形態では、処理ステ−
ションＳ２内のカセットステ−ションＳ１に隣接した領
域に、カセットステ−ションＳ１のカセット２２の配列
方向と平行に、反射防止膜形成ユニットＢと塗布ユニッ
トＣと冷却部３Ａと受け渡し部４Ａとを含む第１の処理
部群を配置し、これに対向するようにインタ−フェイス
ステ−ションＳ３に隣接する領域に現像ユニットＤと冷
却部３Ｃとを含む第２の処理部群を配置し、これらの間
に棚ユニットＲと冷却部３Ｂと受け渡し部４Ｂとを含む
第３の処理部群を配置し、さらに第１及び第２の処理部
群の間にウエハ搬送手段ＭＡ１、第２及び第３の処理部
群の間にウエハ搬送手段ＭＡ２を夫々配置するレイアウ
トになっている。

【００４８】このため第１の処理部群に対しては受け渡
しア−ム２３とウエハ搬送手段ＭＡ１のいずれによって
もウエハＷの受け渡しを行うことができ、第３の処理部
群はウエハ搬送手段ＭＡ１，ＭＡ２のいずれによっても
ウエハＷの受け渡しを行うことができる。このように２
つの搬送手段でアクセスできるユニットが多いので、ウ
エハＷの待ち時間を作ることなくアクセスできるユニッ
トの数を多くすることができ、スル−プットを向上させ
ることができる。

【００４９】また上述の実施の形態では、反射防止膜形
成ユニットＢや塗布ユニットＣや現像ユニットＤ等のい
わゆる塗布処理を行うユニットを第１の処理部群と第２
の処理部群とし、また加熱源である加熱プレ−ト５１を
含むＣＨＰ装置５を第３の処理部群として、カセットス
テ−ションＳ１側から第１の処理部群、第３の処理部
群、第２の処理部群をこの順序で配列し、第１の処理部
群と第３の処理部群との間及び第３の処理部群と第２の
処理部群との間に夫々ウエハ搬送手段ＭＡとケミカルユ
ニットＵを配置するようにレイアウトしたので、塗布処
理を行うユニットが加熱源から分離される。このためＣ
ＨＰ装置５→冷却部３の経路で２段階に高精度に温度調
整されたウエハＷが加熱プレ−ト５１からの熱影響を受
けにくく、高い温度精度を維持した状態で各ユニットに
おいて塗布処理を行うことができるので、温度変化が原
因となる処理ムラの発生が抑えられ、均一な処理を行う
ことができる。

【００５０】さらにまた本発明では、第１の処理部群と
第３の処理部群との間及び第３の処理部群と第２の処理
部群との間の、カセットステ−ションＳ１から見て各ウ
エハ搬送手段ＭＡの左側に既述のように作業用スペ−ス
を確保することができるので、棚ユニットＲのメインテ
ナンスやウエハ搬送手段ＭＡの動作の確認といった作業
を作業者がこのスペ−スに入り込んで行うことができ、
これらの作業を容易に行うことができる。

【００５１】続いて本発明の他の例について図９に基づ
いて説明するが、図９では図２に示す塗布、現像装置と
同じ符号の部分は、同じ構成を示している。この例で
は、２個の棚ユニットＲ３，Ｒ４には、ＣＨＰ装置５の
代わりに、複数の加熱部と冷却部が縦に配列されてお
り、これら棚ユニットＲ３，Ｒ４と冷却部３Ｂ、受け渡
し部４Ｂ（図示せず）により第３の処理部群が構成され
ている。また第２の処理部群は現像ユニットＤと複数の
冷却部８を備えており、この冷却部８は上述の冷却部３
と同様に構成され、縦に多段に配列されている。さらに
インタ−フェイスステ−ションＳ３には、ＣＨＰ装置７
１の代わりに複数の加熱部７２が多段に設けられてい
る。

【００５２】処理ステ−ションＳ２内のレイアウトにつ
いては、上述の実施の形態と同様に、カセットステ−シ
ョンＳ１のカセット２２の配列方向と平行に、当該ステ
−ションＳ１に隣接して反射防止膜形成ユニットＢと塗
布ユニットＣと冷却部３Ａと受け渡し部４Ａとを含む第
１の処理部群を配置し、これに対向するようにインタ−
フェイスステ−ションＳ３に隣接する領域に前記第２の
処理部群を配置し、第１及び第２の処理部群の間にこれ
らに対向するように前記第３の処理部群を配置して、第
１及び第２の処理部群の間及び第２及び第３の処理部群
の間にウエハ搬送手段ＭＡ１，ＭＡ２を夫々配置する。

【００５３】また第３の処理部群のレイアウトについて
は、カセットステ−ションＳ１から見てウエハ搬送手段
ＭＡ１の奥側に冷却部３Ｂと受け渡し部４Ｂとが冷却部
３Ｂを上にして縦に配列されており、この右側に棚ユニ
ットＲ３、左側に棚ユニットＲ４が夫々配置されてい
る。

【００５４】前記棚ユニットＲ３，Ｒ４の加熱部及びイ
ンタ−フェイスステ−ションＳ３の加熱部７２は、例え
ばヒ−タにより加熱された加熱プレ−トの表面にウエハ
Ｗを載置することにより、当該ウエハＷが所定温度に加
熱されるようになっている。また棚ユニットＲ３，Ｒ４
の冷却部は冷媒の通流によって冷却された粗調整用冷却
プレ−トの表面にウエハＷを載置することにより、当該
ウエハＷが所定温度まで冷却されるようになっており、
上述の冷却部３，８が微調整用の冷却部３であるのに対
し、いわばウエハＷの粗熱をとるための粗調整用の冷却
部である。

【００５５】さらにこの例では棚ユニットＲ４は、図示
しない搬送レ−ルに沿って冷却部３Ｂの隣接する位置か
ら、図９に破線で示すように、カセットステ−ションＳ
１の受け渡しア−ム２３のストロ−ク範囲内の、塗布ユ
ニットＣに隣接するカセットステ−ションＳ１側の位置
まで移動可能に構成されており、棚ユニットＲ４にある
ウエハＷを、棚ユニットＲ４自身でカセットステ−ショ
ンＳ１に望む位置まで搬送できるようになっている。こ
の際カセットステ−ションＳ１の受け渡しア−ム２３
は、棚ユニットＲ４との間でウエハＷの受け渡しを行う
ことができるように構成されており、棚ユニットＲ４に
よって搬送されたウエハＷを当該棚ユニットＲ４から受
け渡しア−ム２３が直接受け取ることができるようにな
っている。他の構成は図２に示す実施の形態と同様であ
る。

【００５６】このような処理ステ−ションＳ２内でのウ
エハＷの流れを簡単に説明すると、ウエハＷは、受け渡
しア−ム２３→冷却部３Ａ→受け渡しア−ム２３→反射
防止膜形成ユニットＢ→ウエハ搬送手段ＭＡ１→棚ユニ
ットＲ３（Ｒ４）の加熱部→冷却部→ウエハ搬送手段Ｍ
Ａ１→冷却部３→ウエハ搬送手段ＭＡ１→塗布ユニット
Ｃ→ウエハ搬送手段ＭＡ１→棚ユニットＲ３（Ｒ４）の
加熱部→冷却部→ウエハ搬送手段ＭＡ２→冷却部３Ｃ→
インタ−フェイスステ−ションＳ３の受け渡しア−ム７
→露光装置Ｓ４→受け渡しア−ム７→加熱部７２→受け
渡しア−ム７→冷却部８→ウエハ搬送手段ＭＡ２→現像
ユニットＤ→ウエハ搬送手段ＭＡ２→棚ユニットＲ４の
加熱部→冷却部→棚ユニットＲ４のカセットステ−ショ
ンＳ１側への移動→受け渡しア−ム２３の経路で搬送さ
れる。

【００５７】このようにこの実施の形態では、棚ユニッ
トＲ４を移動可能に構成し、現像後のウエハＷに対して
棚ユニットＲ４で加熱、冷却を行った後、ウエハ搬送手
段ＭＡ１によらずに当該ウエハＷを棚ユニットＲ４自体
で搬送し、受け渡しア−ム２３に受け渡し渡すようにし
たので、ウエハ搬送手段ＭＡ１の負担を軽減することが
でき、スル−プットの向上を図ることができる。

【００５８】以上において本発明では、反射防止膜形成
ユニットＢや塗布ユニットＣ、現像ユニットＤ、冷却部
３、棚ユニットＲのＣＨＰ装置や加熱部、冷却部の個数
は上述の例に限らず適宜選択されるものであり、これに
合わせて前記ユニット等の積み重ね段数も適宜選択され
る。また第１の処理部群を構成する反射防止膜形成ユニ
ットＢや塗布ユニットＣ、冷却部３Ａの配置は、上述の
例に限らず、反射防止膜形成ユニットＢと塗布ユニット
Ｃとを他段に積み重ねてもよいし、反射防止膜形成ユニ
ットＢと塗布ユニットＣと冷却部３Ａとを他段に積み重
ねてもよい。

【００５９】また本発明では、レジストの塗布処理や現
像処理の際に、ウエハＷを加熱した後２段階で冷却する
手法を用いたが、微調整用の冷却部３，８を用いずにウ
エハＷを１段階で冷却するようにしてもよい。ここで上
述の例では、冷却部３Ａは第１の処理部群として、カセ
ットステ−ションＳ１に隣接する領域に配置し、受け渡
しア−ム２３によりウエハＷの受け渡しを行うことがで
きるように構成したが、これは反射防止膜を形成する場
合に望ましい。つまり反射防止膜形成を形成する場合に
は、この前にウエハＷを冷却して所定の温度に調整する
必要があり、既述の位置に冷却部３Ａが無い場合には、
ウエハＷを受け渡しア−ム２３により一旦受け渡し部４
Ａや反射防止膜形成ユニットＢ等の第１の処理部群の一
つに受け渡し、これをウエハ搬送手段ＭＡ１により棚ユ
ニットＲのＣＨＰ装置や冷却部に搬送して冷却すること
になり、搬送に無駄が生じるからである。

【００６０】さらにまた本発明は反射防止膜を形成する
代わりに疎水化処理を行う場合に適用してもよく、例え
ばこの場合には反射防止膜形成ユニットＢの代わりに疎
水化処理部を設け、ここで疎水化処理を行った後、塗布
ユニットＣにてレジストの塗布が行われる。さらにまた
本発明は、基板としてはウエハに限らず、液晶ディスプ
レイ用のガラス基板であってもよい。

【００６１】

【発明の効果】本発明によれば、基板搬送手段の負担が
軽減されるので、スル−プットの向上を図ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る塗布、現像装置を示
す概観斜視図である。

【図２】前記塗布、現像装置を示す概略平面図である。

【図３】前記塗布、現像装置の第１の処理部群の一例を
示す側面図である。

【図４】前記塗布、現像装置の第２の処理部群の一例を
示す側面図である。

【図５】棚ユニットの一例を示す側面図である。

【図６】ＣＨＰ装置を示す断面図である。

【図７】塗布ユニットを示す断面図である。

【図８】ウエハ搬送手段を示す斜視図である。

【図９】塗布、現像装置の他の例を示す概略平面図であ
る。

【図１０】従来の塗布、現像装置を示す概略平面図であ
る。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ Ｓ１ カセットステ−ション Ｓ２ 処理ステ−ション Ｓ３ インタ−フェイスステ−ション Ｓ４ 露光装置 ２３ 受け渡しア−ム ３ 冷却部 Ｂ 反射防止膜形成ユニット Ｃ 塗布ユニット Ｄ 現像ユニット Ｒ 棚ユニット ＭＡ ウエハ搬送手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F031 CA02 CA05 DA17 FA01 FA03 FA11 FA12 FA15 MA02 MA09 MA24 MA26 MA27 NA03 NA16 5F046 CD01 CD05 CD06 JA22 LA18

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の基板を収納した基板カセットを載
   置する載置部と、この載置部に載置された基板カセット
   に対して基板の受け渡しを行う受け渡し手段と、を含む
   カセットステ−ションと、このカセットステ−ションに
   接続され、前記受け渡し手段により搬送された基板を処
   理する処理ステ−ションと、を有し、 前記処理ステ−ションは、基板に対して処理液を塗布す
   る塗布処理部と、 この塗布処理部に対して基板の受け渡しを行う基板搬送
   手段と、を備え、 前記カセットステ−ションの受け渡し手段が前記処理ス
   テ−ションの塗布処理部に対して基板の受け渡しを行う
   ことを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 複数の基板を収納した基板カセットを載
   置する載置部と、この載置部に載置された基板カセット
   に対して基板の受け渡しを行う受け渡し手段と、を含む
   カセットステ−ションと、このカセットステ−ションに
   接続され、前記受け渡し手段により搬送された基板を処
   理する処理ステ−ションと、を有し、 前記処理ステ−ションは、カセットステ−ション側に設
   けられ、基板に対して第１の処理液を塗布する第１の塗
   布処理部と、 カセットステ−ションの反対側に設けられ、基板に対し
   て第２の処理液を塗布する第２の塗布処理部と、 前記第１及び第２の塗布処理部の間に設けられ、基板を
   加熱するための加熱部と、 第１の塗布処理部と加熱部との間に設けられ、これらに
   対して基板の搬送を行う第１の基板搬送手段と、 第２の塗布処理部と加熱部との間に設けられ、これらに
   対して基板の搬送を行う第２の基板搬送手段と、を備え
   ることを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 前記カセットステ−ションの受け渡し手
   段が前記処理ステ−ションの第１の塗布処理部に対して
   基板の受け渡しを行うことを特徴とする請求項２記載の
   基板処理装置。
4. 【請求項４】 前記処理ステ−ションは、基板を冷却す
   るための冷却部を備え、前記カセットステ−ションの受
   け渡し手段がこの処理ステ−ションの冷却部に対して基
   板の受け渡しを行うことを特徴とする請求項１，２又は
   ３記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】 前記処理ステ−ションのカセットステ−
   ションの反対側に設けられた露光装置と、処理ステ−シ
   ョンのカセットステ−ションの反対側に接続され、処理
   ステ−ションと露光装置との間で基板の受け渡しを行う
   ためのインタ−フェイスステ−ションと、を備え、前記
   第１の塗布処理部は基板に対して反射防止膜の形成を行
   う処理部を含み、前記第２の塗布処理部は前記露光装置
   にて露光された基板に対して現像処理を行う処理部を含
   むことを特徴とする請求項２，３又は４記載の基板処理
   装置。