JP3089768B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JP3089768B2 JP3089768B2 JP03319124A JP31912491A JP3089768B2 JP 3089768 B2 JP3089768 B2 JP 3089768B2 JP 03319124 A JP03319124 A JP 03319124A JP 31912491 A JP31912491 A JP 31912491A JP 3089768 B2 JP3089768 B2 JP 3089768B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光の照射により、情報
の記録、再生が可能である光情報記録媒体に関するもの
である。
の記録、再生が可能である光情報記録媒体に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来の光記録媒体は、光学的な変化を利
用して情報を記録、再生または消去を行なうための記録
層が、空気中の水分や酸素、あるいは熱によって酸化腐
食を受け、保存、運搬中に記録層の特性が劣化するばか
りでなく、繰り返し記録消去可能な光記録媒体の場合は
記録消去の繰り返しによって記録消去特性が劣化するた
めに使用できなくなるという欠点を有していた。そこで
特開昭 59-110052 号公報、特開昭 60-131659 号公報
のように、アルミニウムの窒化物、珪素の窒化物、Ｍｇ
Ｆ2 、ＺｎＳ、ＡｌＦ3 、などの非酸化物、特開昭 58
-215744 号公報のようにＳｉＯ2 、ＳｉＯ、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 などの酸化物や、さらに特
開昭 63-103453 号公報のようにＺｎＳなどのカルコゲ
ン化物とＳｉＯ2 などの酸化物を混合した誘電体層を公
知の薄膜形成法によって成膜して記録層の保護層として
いた。
用して情報を記録、再生または消去を行なうための記録
層が、空気中の水分や酸素、あるいは熱によって酸化腐
食を受け、保存、運搬中に記録層の特性が劣化するばか
りでなく、繰り返し記録消去可能な光記録媒体の場合は
記録消去の繰り返しによって記録消去特性が劣化するた
めに使用できなくなるという欠点を有していた。そこで
特開昭 59-110052 号公報、特開昭 60-131659 号公報
のように、アルミニウムの窒化物、珪素の窒化物、Ｍｇ
Ｆ2 、ＺｎＳ、ＡｌＦ3 、などの非酸化物、特開昭 58
-215744 号公報のようにＳｉＯ2 、ＳｉＯ、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 などの酸化物や、さらに特
開昭 63-103453 号公報のようにＺｎＳなどのカルコゲ
ン化物とＳｉＯ2 などの酸化物を混合した誘電体層を公
知の薄膜形成法によって成膜して記録層の保護層として
いた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】光記録媒体に備えられ
る誘電体層は、記録時あるいは消去時の熱的、機械的負
荷にさらされるため、機械特性や耐熱性に優れているこ
とが必要であり、さらに光記録媒体の保存時に記録層を
保護する機能を合せ持つ必要がある。
る誘電体層は、記録時あるいは消去時の熱的、機械的負
荷にさらされるため、機械特性や耐熱性に優れているこ
とが必要であり、さらに光記録媒体の保存時に記録層を
保護する機能を合せ持つ必要がある。
【０００４】酸化物や窒化物の誘電体層の場合、高温高
湿の環境下における保存において誘電体層自体が剥離し
たりクラックが生じる場合があり、さらに誘電体層の光
学定数が適切でないために、記録あるいは消去特性が低
下してしまう場合がある。
湿の環境下における保存において誘電体層自体が剥離し
たりクラックが生じる場合があり、さらに誘電体層の光
学定数が適切でないために、記録あるいは消去特性が低
下してしまう場合がある。
【０００５】ＺｎＳなどのカルコゲン化合物単独、ある
いはＺｎＳなどのカルコゲン化物とＳｉＯ2 などの酸化
物を混合した誘電体層については、蒸着やスパッタリン
グなどの薄膜形成法による成膜では、膜内に発生する内
部応力が大きな圧縮応力となるため、剥離が発生し易
く、さらに光記録媒体のそりなどの機械的変形が大き
い。
いはＺｎＳなどのカルコゲン化物とＳｉＯ2 などの酸化
物を混合した誘電体層については、蒸着やスパッタリン
グなどの薄膜形成法による成膜では、膜内に発生する内
部応力が大きな圧縮応力となるため、剥離が発生し易
く、さらに光記録媒体のそりなどの機械的変形が大き
い。
【０００６】本発明は、かかる従来技術の諸欠点に鑑み
創案されたもので、その目的は膜内に発生する内部応力
を十分に低減した誘電体層を備え、そりなどの機械的変
形が少ない高品位な光記録媒体を提供することである。
機械特性が良好であるため、記録、再生を行うシステム
に対する負担を著しく減少することができる。
創案されたもので、その目的は膜内に発生する内部応力
を十分に低減した誘電体層を備え、そりなどの機械的変
形が少ない高品位な光記録媒体を提供することである。
機械特性が良好であるため、記録、再生を行うシステム
に対する負担を著しく減少することができる。
【０００７】本発明の別の目的は、誘電体層と記録層と
の接着力に優れ、膜の剥離、クラックの発生などがない
光記録媒体を提供することである。したがって、酸素、
水分などの遮断性が優れており記録層の膜質変化や性能
劣化が抑制され、長期の信頼性が確保される。
の接着力に優れ、膜の剥離、クラックの発生などがない
光記録媒体を提供することである。したがって、酸素、
水分などの遮断性が優れており記録層の膜質変化や性能
劣化が抑制され、長期の信頼性が確保される。
【０００８】本発明のさらに別の目的は、繰り返し記録
消去を行うことが可能な光記録媒体の場合、誘電体層自
体の膜内に発生する内部応力を低減しているため、記録
消去の繰り返しにより発生する場合がある微小な誘電体
層の剥離、クラック、記録層の劣化などが発生せず、記
録消去の繰り返し性が良好な光記録媒体を提供すること
である。
消去を行うことが可能な光記録媒体の場合、誘電体層自
体の膜内に発生する内部応力を低減しているため、記録
消去の繰り返しにより発生する場合がある微小な誘電体
層の剥離、クラック、記録層の劣化などが発生せず、記
録消去の繰り返し性が良好な光記録媒体を提供すること
である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
基板上に記録層と誘電体層を備えた光記録媒体におい
て、該記録層がＴｅＧｅ系またはＳｂＴｅＧｅ系であ
り、かつ該誘電体層が組成式 （Ａ1-XＢX）1-YＣY （ここでＡはカルコゲン化合物、ＢはＳｉＯ 2 、Ｃは炭
素を表し、X、Yおよび数字は各元素または分子のモル比
を表す） かつ、０．０２≦X ≦０．５０ ０．０５≦Y ≦０．８０ で表される 複合物からなることを特徴とする光記録媒体
により達成される。
基板上に記録層と誘電体層を備えた光記録媒体におい
て、該記録層がＴｅＧｅ系またはＳｂＴｅＧｅ系であ
り、かつ該誘電体層が組成式 （Ａ1-XＢX）1-YＣY （ここでＡはカルコゲン化合物、ＢはＳｉＯ 2 、Ｃは炭
素を表し、X、Yおよび数字は各元素または分子のモル比
を表す） かつ、０．０２≦X ≦０．５０ ０．０５≦Y ≦０．８０ で表される 複合物からなることを特徴とする光記録媒体
により達成される。
【００１０】本発明において、カルコゲン化合物として
は、硫化物、セレン化物およびテルル化物などが挙げら
れる。たとえばＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ、
ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅなどの硫化物、セレン化物、テルル
化物を挙げられることができるが、これらに限定されな
い。
は、硫化物、セレン化物およびテルル化物などが挙げら
れる。たとえばＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ、
ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅなどの硫化物、セレン化物、テルル
化物を挙げられることができるが、これらに限定されな
い。
【００１１】また、酸化物は、Ｓｉの酸化物である。
【００１２】さらに、ここで言うカルコゲン化合物とＳ
ｉの酸化物と炭素を含む複合物としては、これら三種類
以上の物質が数ナノメータ以下さらには原子レベルのオ
ーダーで分散混合している物質、あるいは、数ナノメー
タ以下のグレインの集合体であり、かつそのグレインの
一部または全部が、数ナノメータ以下の単位で規則正し
く層状構造となっている物質、または該物質から主とし
てなるものであることが好ましいが、これらに限定され
ない。
ｉの酸化物と炭素を含む複合物としては、これら三種類
以上の物質が数ナノメータ以下さらには原子レベルのオ
ーダーで分散混合している物質、あるいは、数ナノメー
タ以下のグレインの集合体であり、かつそのグレインの
一部または全部が、数ナノメータ以下の単位で規則正し
く層状構造となっている物質、または該物質から主とし
てなるものであることが好ましいが、これらに限定され
ない。
【００１３】光記録媒体に用いる誘電体層について、本
発明者らが行った検討によると、公知の薄膜形成法、例
えば蒸着やスパッタリングにより成膜したＺｎＳなどの
カルコゲン化合物は一般に膜内に大きな圧縮応力が発生
する。また、カルコゲン化合物を含む複合物として、た
とえばＺｎＳとＳｉＯ2 の複合物の場合も大きな圧縮応
力が発生する。
発明者らが行った検討によると、公知の薄膜形成法、例
えば蒸着やスパッタリングにより成膜したＺｎＳなどの
カルコゲン化合物は一般に膜内に大きな圧縮応力が発生
する。また、カルコゲン化合物を含む複合物として、た
とえばＺｎＳとＳｉＯ2 の複合物の場合も大きな圧縮応
力が発生する。
【００１４】本発明における誘電体層は、少なくともカ
ルコゲン化合物とＳｉの酸化物と炭素を含む複合物であ
るため、該誘電体層は内部応力が低減される。このた
め、光記録媒体のそりなどの機械的変形が少ない。さら
に、記録層との接着力が優れ、膜が剥離したりクラック
が生じることを抑制することができる。したがって、酸
素、水分などの遮断性が優れており、記録層の膜質変化
や性能劣化を抑制することができる。また、該誘電体層
は内部応力が低減されているので、記録消去の繰り返し
時の加熱、冷却の熱サイクルによる誘電体層の機械的破
壊や、記録層と誘電体層の剥離などが生じることがな
く、記録消去の繰り返し特性が優れている。
ルコゲン化合物とＳｉの酸化物と炭素を含む複合物であ
るため、該誘電体層は内部応力が低減される。このた
め、光記録媒体のそりなどの機械的変形が少ない。さら
に、記録層との接着力が優れ、膜が剥離したりクラック
が生じることを抑制することができる。したがって、酸
素、水分などの遮断性が優れており、記録層の膜質変化
や性能劣化を抑制することができる。また、該誘電体層
は内部応力が低減されているので、記録消去の繰り返し
時の加熱、冷却の熱サイクルによる誘電体層の機械的破
壊や、記録層と誘電体層の剥離などが生じることがな
く、記録消去の繰り返し特性が優れている。
【００１５】特に耐熱性が高く、記録消去動作時に繰り
返し加熱されても十分な機械特性を有し破壊することが
ないことから記録繰り返し性が優れており、さらに吸湿
性が少なく、酸素、水分などの遮断性が優れているため
に記録層の保護特性が優れており、光記録媒体の長期信
頼性が得られることから、カルコゲン化合物としてはＺ
ｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅが好ましく、酸化物はＳｉＯ
2 である。
返し加熱されても十分な機械特性を有し破壊することが
ないことから記録繰り返し性が優れており、さらに吸湿
性が少なく、酸素、水分などの遮断性が優れているため
に記録層の保護特性が優れており、光記録媒体の長期信
頼性が得られることから、カルコゲン化合物としてはＺ
ｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅが好ましく、酸化物はＳｉＯ
2 である。
【００１６】カルコゲン化合物とＳｉの酸化物と炭素の
組成比は、誘電体層の内部応力の低減効果の大きい点か
らは、下記の組成であることが必要である。
組成比は、誘電体層の内部応力の低減効果の大きい点か
らは、下記の組成であることが必要である。
【００１７】組成式 （Ａ1-X ＢX ）1-Y ＣY ここでＡはカルコゲン化合物、Ｂは酸化物、Ｃは炭素を
表し、X 、Y および数字は各元素または分子のモル比を
表す。 かつ、 ０．０２≦X ≦０．５０ ０．０５≦Y ≦０．８０ さらに、好ましくは上記組成式において、下記の組成で
ある。
表し、X 、Y および数字は各元素または分子のモル比を
表す。 かつ、 ０．０２≦X ≦０．５０ ０．０５≦Y ≦０．８０ さらに、好ましくは上記組成式において、下記の組成で
ある。
【００１８】０．０５≦X ≦０．３５ ０．１０≦Y ≦０．５０ 誘電体層の膜厚は３ｎｍ〜５００ｎｍの範囲が好まし
く、より好ましくは１０ｎｍ〜３００ｎｍである。３ｎ
ｍ未満では、酸素、水分などを十分に遮断することがで
きずに、記録層保護特性を得ることが難しい。５００ｎ
ｍより大きいと内部応力が大きくなり、剥離あるいはク
ラックが発生し易くなり、さらに光記録媒体のそりなど
の機械的変形が大きくなる。
く、より好ましくは１０ｎｍ〜３００ｎｍである。３ｎ
ｍ未満では、酸素、水分などを十分に遮断することがで
きずに、記録層保護特性を得ることが難しい。５００ｎ
ｍより大きいと内部応力が大きくなり、剥離あるいはク
ラックが発生し易くなり、さらに光記録媒体のそりなど
の機械的変形が大きくなる。
【００１９】また、該誘電体層に内部応力を緩和したり
屈折率を調整するために、記録特性等を著しく劣化させ
ない範囲で金属、半金属、およびこれらの窒化物、炭化
物、弗化物などが含まれていてもかまわない。
屈折率を調整するために、記録特性等を著しく劣化させ
ない範囲で金属、半金属、およびこれらの窒化物、炭化
物、弗化物などが含まれていてもかまわない。
【００２０】本発明の光記録媒体は少なくとも基板と該
基板上に形成された記録層と誘電体層とを備えて成るも
のであり、該誘電体層は記録層の片面または両面に隣接
して設けることができる。
基板上に形成された記録層と誘電体層とを備えて成るも
のであり、該誘電体層は記録層の片面または両面に隣接
して設けることができる。
【００２１】本発明における記録層は、記録層に集光し
たレーザ光を照射することにより記録層の結晶構造を変
化させる（例えば結晶から非晶質またはその逆、あるい
は六方晶から立方晶またはその逆等）つまり相変化によ
り情報を記録できる材料であるＴｅＧｅ系またはＳｂＴ
ｅＧｅ系である。これらの系は少量の金属等の添加物で
モディファイしてあっても良い。
たレーザ光を照射することにより記録層の結晶構造を変
化させる（例えば結晶から非晶質またはその逆、あるい
は六方晶から立方晶またはその逆等）つまり相変化によ
り情報を記録できる材料であるＴｅＧｅ系またはＳｂＴ
ｅＧｅ系である。これらの系は少量の金属等の添加物で
モディファイしてあっても良い。
【００２２】本発明に用いられる基板としては、プラス
チック、ガラス、アルミニウムなど従来の記録媒体と同
様なものでよい。収束光により基板側から記録、再生あ
るいは消去することによって記録媒体に付着したごみな
どの影響を避ける場合には、基板として透明材料を用い
ることが好ましい。上記のような材料としては、ポリエ
ステル樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂、スチレン系樹脂、ガ
ラスなどが挙げられる。好ましくは、複屈折が小さいこ
と、形成が容易であることから、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリカーボネート、エポキシ樹脂がよい。基板の
厚さは、特に限定するものではないが、１０μｍ〜５ｍ
ｍの範囲が実用的である。１０μｍ未満では収束光によ
り基板側から記録、再生あるいは消去する場合でもごみ
の影響を受け易くなり、５ｍｍを越える場合には、収束
光により記録、再生あるいは消去する場合対物レンズの
開口数を大きくすることができなくなり、ピットサイズ
が大きくなるため記録密度を上げることが困難になる。
チック、ガラス、アルミニウムなど従来の記録媒体と同
様なものでよい。収束光により基板側から記録、再生あ
るいは消去することによって記録媒体に付着したごみな
どの影響を避ける場合には、基板として透明材料を用い
ることが好ましい。上記のような材料としては、ポリエ
ステル樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂、スチレン系樹脂、ガ
ラスなどが挙げられる。好ましくは、複屈折が小さいこ
と、形成が容易であることから、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリカーボネート、エポキシ樹脂がよい。基板の
厚さは、特に限定するものではないが、１０μｍ〜５ｍ
ｍの範囲が実用的である。１０μｍ未満では収束光によ
り基板側から記録、再生あるいは消去する場合でもごみ
の影響を受け易くなり、５ｍｍを越える場合には、収束
光により記録、再生あるいは消去する場合対物レンズの
開口数を大きくすることができなくなり、ピットサイズ
が大きくなるため記録密度を上げることが困難になる。
【００２３】基板はフレキシブルなものであっても良い
し、リジッドなものであっても良い。フレキシブルな基
板は、テープ状、あるいはカード型または円形などのシ
ート状で用いることができる。リジッドな基板は、カー
ド状、あるいは円形ディスク状で用いることができる。
し、リジッドなものであっても良い。フレキシブルな基
板は、テープ状、あるいはカード型または円形などのシ
ート状で用いることができる。リジッドな基板は、カー
ド状、あるいは円形ディスク状で用いることができる。
【００２４】本発明の光記録媒体の記録、再生あるいは
消去に用いる光としては、レーザ光やストロボ光のごと
き光であり、とりわけ、半導体レーザを用いることは、
光源が小型でかつ消費電力が小さく、変調が容易である
ことから好ましい。
消去に用いる光としては、レーザ光やストロボ光のごと
き光であり、とりわけ、半導体レーザを用いることは、
光源が小型でかつ消費電力が小さく、変調が容易である
ことから好ましい。
【００２５】本発明における光記録媒体は基板上に記録
層を形成し、該記録層上に本発明における誘電体層を形
成した構造、あるいは基板上に誘電体層、記録層および
誘電体層をこの順に積層した構造として用いられるもの
である。
層を形成し、該記録層上に本発明における誘電体層を形
成した構造、あるいは基板上に誘電体層、記録層および
誘電体層をこの順に積層した構造として用いられるもの
である。
【００２６】さらに記録層の反射率の変化で信号を読み
取る場合には、記録層の光の入射面と反対側の片面に金
属などの反射層（例えば、Ａｌ、Ａｕ、ＮｉＣｒなど）
を設けてもよく、さらに記録層と反射層の間に中間層を
設けることもでき、この中間層に本発明の誘電体層を用
いることもできる。
取る場合には、記録層の光の入射面と反対側の片面に金
属などの反射層（例えば、Ａｌ、Ａｕ、ＮｉＣｒなど）
を設けてもよく、さらに記録層と反射層の間に中間層を
設けることもでき、この中間層に本発明の誘電体層を用
いることもできる。
【００２７】基板に記録層、誘電体層および必要に応じ
て設けた反射層などを形成した光記録媒体は、さらに該
層の形成面の上に、樹脂層、たとえば紫外線硬化樹脂な
どの層を設けて単板として使用することができるし、ま
た、エアーサンドイッチ構造、エアーインシデント構
造、密着はりあわせ構造などとして、他の部材もしくは
同種の基板と２枚はりあわせて使用することもできる。
て設けた反射層などを形成した光記録媒体は、さらに該
層の形成面の上に、樹脂層、たとえば紫外線硬化樹脂な
どの層を設けて単板として使用することができるし、ま
た、エアーサンドイッチ構造、エアーインシデント構
造、密着はりあわせ構造などとして、他の部材もしくは
同種の基板と２枚はりあわせて使用することもできる。
【００２８】本発明において、記録層、誘電体層および
必要に応じて設ける反射層などの形成には、蒸着、スパ
ッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤなどの公知
の薄膜形成技術を用いることができる。
必要に応じて設ける反射層などの形成には、蒸着、スパ
ッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤなどの公知
の薄膜形成技術を用いることができる。
【００２９】少なくともカルコゲン化合物と酸化物と炭
素を含む複合物からなる該誘電体層の形成には、たとえ
ば蒸着の場合、カルコゲン化合物と酸化物と炭素を別々
の蒸発源から同時に蒸発させたり、あるいはカルコゲン
化合物と酸化物と炭素を含む材料をあらかじめ所定の割
合で混合して１つの蒸発源から蒸発させたりすることに
より得られる。また、スパッタリングの場合、カルコゲ
ン化合物よりなるターゲットと酸化物よりなるターゲッ
トと炭素よりなるターゲットを同時にスパッタリングを
行なったり、あるいはカルコゲン化合物と酸化物を炭素
を含む材料をあらかじめ所定の割合で混合して作製した
ターゲットをスパッタリングすることにより得られる。
素を含む複合物からなる該誘電体層の形成には、たとえ
ば蒸着の場合、カルコゲン化合物と酸化物と炭素を別々
の蒸発源から同時に蒸発させたり、あるいはカルコゲン
化合物と酸化物と炭素を含む材料をあらかじめ所定の割
合で混合して１つの蒸発源から蒸発させたりすることに
より得られる。また、スパッタリングの場合、カルコゲ
ン化合物よりなるターゲットと酸化物よりなるターゲッ
トと炭素よりなるターゲットを同時にスパッタリングを
行なったり、あるいはカルコゲン化合物と酸化物を炭素
を含む材料をあらかじめ所定の割合で混合して作製した
ターゲットをスパッタリングすることにより得られる。
【００３０】以下一例として基板、誘電体層、記録層お
よび誘電体層の構成から成る本発明の光記録媒体を形成
する方法について説明する。
よび誘電体層の構成から成る本発明の光記録媒体を形成
する方法について説明する。
【００３１】基板としてポリカーボネート製ディスクを
用いて、まず、例えばＺｎＳターゲットとＳｉＯ2 ター
ゲットと炭素ターゲットを用いて同時スパッタリングを
行なうことにより誘電体層を形成する。次いで該誘電体
層上に記録層形成材料のターゲットを用いてスパッタリ
ングを行なうことにより記録層を形成し、さらにこの記
録層上に前記と同様の方法により誘電体層を形成するこ
とにより得ることができる。
用いて、まず、例えばＺｎＳターゲットとＳｉＯ2 ター
ゲットと炭素ターゲットを用いて同時スパッタリングを
行なうことにより誘電体層を形成する。次いで該誘電体
層上に記録層形成材料のターゲットを用いてスパッタリ
ングを行なうことにより記録層を形成し、さらにこの記
録層上に前記と同様の方法により誘電体層を形成するこ
とにより得ることができる。
【００３２】スパッタリング方法としては特に限定され
ず、例えばＡｒ雰囲気中でのＲＦマグネトロンスパッタ
リング等の慣用手段を用いることができ、また基板上の
組成および膜厚を均一化するために基板を回転させるこ
とは有効である。
ず、例えばＡｒ雰囲気中でのＲＦマグネトロンスパッタ
リング等の慣用手段を用いることができ、また基板上の
組成および膜厚を均一化するために基板を回転させるこ
とは有効である。
【００３３】上述の製法において誘電体層の組成比は、
各ターゲットからの蒸発量により制御される。具体的に
は、あらかじめ各ターゲットへの供給電力と蒸発量との
関係を検討しておき、所望の蒸発量に見合った電力を供
給してもよいし、または蒸発量を例えば水晶式膜厚モニ
タでモニタしながら供給電力を制御するようにしてもよ
い。
各ターゲットからの蒸発量により制御される。具体的に
は、あらかじめ各ターゲットへの供給電力と蒸発量との
関係を検討しておき、所望の蒸発量に見合った電力を供
給してもよいし、または蒸発量を例えば水晶式膜厚モニ
タでモニタしながら供給電力を制御するようにしてもよ
い。
【００３４】スパッタリング中の真空度は特に限定され
るものではないが、たとえば５×１０-2Ｐａから３Ｐａ
程度である。
るものではないが、たとえば５×１０-2Ｐａから３Ｐａ
程度である。
【００３５】
【実施例】以下、本発明を実施例にもとづいて説明する
が、本発明はこれらに限定されない。
が、本発明はこれらに限定されない。
【００３６】実施例１ ３個のターゲットをセットでき、同時スパッタリングが
可能なスパッタリング装置に、ＺｎＳターゲットとＳｉ
Ｏ2 ターゲット、およびＣ（グラファイト）ターゲット
をセットし、さらにディスク基板（１３０ｍｍ書換形Ｉ
ＳＯ規格フォーマット、ポリカーボネート製、厚さ１．
２ｍｍ）をセットした。スパッタリングチャンバー内部
を２×１０-4Ｐａまで真空排気したのち、Ａｒガスを２
×１０-1Ｐａとなるように導入した。次に、膜厚、組成
を均一にするために基板を自公転させながら、ＺｎＳが
５６モル％、ＳｉＯ2 が１４モル％、Ｃが３０モル％、
の蒸発量となるようにそれぞれターゲットへの供給電力
を制御して３つのターゲットを同時にＲＦマグネトロン
スパッタ法によりスパッタして、それぞれの膜厚モニタ
値の和が２２０ｎｍとなるまでスパッタリングを行ない
誘電体層を形成した。次に、相変化タイプ書換形光記録
材料であるＰｄ１Ｇｅ１７Ｓｂ２６Ｔｅ５６（原子％）
ターゲットをセットし、Ａｒガス圧力３×１０-1Ｐａ
で、上述と同様にして膜厚モニタ値が２５ｎｍとなるま
でスパッタを行ない誘電体層上に記録層を形成した。さ
らに該記録層の上に、上述と同様にしてＺｎＳ ５６モ
ル％、ＳｉＯ2 １４モル％、Ｃ ３０モル％よりなる
誘電体層を２５ｎｍ形成した。その後、さらにＡｌター
ゲットをセットして、Ａｒガス圧力３×１０-1Ｐａで上
述と同様にして反射層を８０ｎｍ形成した。このように
して、基板／誘電体層（（（ＺｎＳ）0.80（ＳｉＯ2 ）
0.20）0.70Ｃ0.30）／記録層／誘電体層（（（ＺｎＳ）
0.80（ＳｉＯ2 ）0.20）0.70Ｃ0.30）／反射層の４層構
成体を形成した。この４層構成体の反射層上に紫外線硬
化樹脂層を１０μｍ設けて、本発明の光記録媒体を形成
した。
可能なスパッタリング装置に、ＺｎＳターゲットとＳｉ
Ｏ2 ターゲット、およびＣ（グラファイト）ターゲット
をセットし、さらにディスク基板（１３０ｍｍ書換形Ｉ
ＳＯ規格フォーマット、ポリカーボネート製、厚さ１．
２ｍｍ）をセットした。スパッタリングチャンバー内部
を２×１０-4Ｐａまで真空排気したのち、Ａｒガスを２
×１０-1Ｐａとなるように導入した。次に、膜厚、組成
を均一にするために基板を自公転させながら、ＺｎＳが
５６モル％、ＳｉＯ2 が１４モル％、Ｃが３０モル％、
の蒸発量となるようにそれぞれターゲットへの供給電力
を制御して３つのターゲットを同時にＲＦマグネトロン
スパッタ法によりスパッタして、それぞれの膜厚モニタ
値の和が２２０ｎｍとなるまでスパッタリングを行ない
誘電体層を形成した。次に、相変化タイプ書換形光記録
材料であるＰｄ１Ｇｅ１７Ｓｂ２６Ｔｅ５６（原子％）
ターゲットをセットし、Ａｒガス圧力３×１０-1Ｐａ
で、上述と同様にして膜厚モニタ値が２５ｎｍとなるま
でスパッタを行ない誘電体層上に記録層を形成した。さ
らに該記録層の上に、上述と同様にしてＺｎＳ ５６モ
ル％、ＳｉＯ2 １４モル％、Ｃ ３０モル％よりなる
誘電体層を２５ｎｍ形成した。その後、さらにＡｌター
ゲットをセットして、Ａｒガス圧力３×１０-1Ｐａで上
述と同様にして反射層を８０ｎｍ形成した。このように
して、基板／誘電体層（（（ＺｎＳ）0.80（ＳｉＯ2 ）
0.20）0.70Ｃ0.30）／記録層／誘電体層（（（ＺｎＳ）
0.80（ＳｉＯ2 ）0.20）0.70Ｃ0.30）／反射層の４層構
成体を形成した。この４層構成体の反射層上に紫外線硬
化樹脂層を１０μｍ設けて、本発明の光記録媒体を形成
した。
【００３７】この光記録媒体の機械特性を測定した結
果、最大チルト量は３．４ｍｒａｄであった。１３０ｍ
ｍ書換形光ディスクのＩＳＯ規格値は５ｍｒａｄ以下で
ある。本発明の光記録媒体は、単板構成においてもこの
規格を十分にクリアーしているため、はりあわせ後はさ
らに良好な機械特性が期待できる。
果、最大チルト量は３．４ｍｒａｄであった。１３０ｍ
ｍ書換形光ディスクのＩＳＯ規格値は５ｍｒａｄ以下で
ある。本発明の光記録媒体は、単板構成においてもこの
規格を十分にクリアーしているため、はりあわせ後はさ
らに良好な機械特性が期待できる。
【００３８】この光記録媒体の記録領域を全面（半径２
８〜６２ｍｍ）を初期化（結晶化）したのち、対物レン
ズの開口数０．５３、半導体レーザの波長８３０ｎｍの
光学ヘッドを使用して記録をおこなった。回転数１８０
０ｒｐｍ、ピークパワー１９ｍＷ、記録パルス幅６０ｎ
ｓ、ボトムパワー８．５ｍＷの条件で、トラックＮｏ．
９００〜１０００のなかで初期測定でＢＥＲ（ビットエ
ラーレート）がゼロのトラックを１本用いて、１．５Ｔ
信号（３．７ＭＨｚ）と４Ｔ信号（１．４ＭＨｚ）を交
互にオーバライトを繰り返したのち、１．５Ｔ信号のＢ
ＥＲを測定した。ＢＥＲが１×１０-4を越えた記録繰り
返し回数は２２万回であった。
８〜６２ｍｍ）を初期化（結晶化）したのち、対物レン
ズの開口数０．５３、半導体レーザの波長８３０ｎｍの
光学ヘッドを使用して記録をおこなった。回転数１８０
０ｒｐｍ、ピークパワー１９ｍＷ、記録パルス幅６０ｎ
ｓ、ボトムパワー８．５ｍＷの条件で、トラックＮｏ．
９００〜１０００のなかで初期測定でＢＥＲ（ビットエ
ラーレート）がゼロのトラックを１本用いて、１．５Ｔ
信号（３．７ＭＨｚ）と４Ｔ信号（１．４ＭＨｚ）を交
互にオーバライトを繰り返したのち、１．５Ｔ信号のＢ
ＥＲを測定した。ＢＥＲが１×１０-4を越えた記録繰り
返し回数は２２万回であった。
【００３９】さらに、上記と同一記録条件で、１．５Ｔ
信号（３．７ＭＨｚ）をトラックＮｏ．１００１〜３０
００の２０００本のトラックに記録し、ＢＥＲを測定し
た結果１．４×１０-6であった。この光記録媒体を８０
℃，８０％ＲＨの環境下において３０００時間保管後、
トラックＮｏ．１００１〜３０００を再生し、ＢＥＲを
測定したところ１．６×１０-6であり劣化は極めてわず
かであった。本発明の光記録媒体は優れた長期信頼性性
を有していることがわかる。
信号（３．７ＭＨｚ）をトラックＮｏ．１００１〜３０
００の２０００本のトラックに記録し、ＢＥＲを測定し
た結果１．４×１０-6であった。この光記録媒体を８０
℃，８０％ＲＨの環境下において３０００時間保管後、
トラックＮｏ．１００１〜３０００を再生し、ＢＥＲを
測定したところ１．６×１０-6であり劣化は極めてわず
かであった。本発明の光記録媒体は優れた長期信頼性性
を有していることがわかる。
【００４０】比較例１ 実施例１においてＣ（グラファイト）ターゲットをセッ
トせずに、ＺｎＳターゲットとＳｉＯ2 ターゲットのみ
セットした。基板、スパッタ圧力条件は実施例１と同様
にして、まずＺｎＳが８０モル％、ＳｉＯ2 が２０モル
％の蒸発量となるようにそれぞれのターゲットへの供給
電力を制御して２つのターゲットを同時にスパッタし
て、それぞれの膜厚モニタ値の和が２２０ｎｍとなるま
でスパッタリングを行い誘電体層を形成した。次いで、
記録層は実施例１と同様に２５ｎｍ形成し、さらに、上
述と同様にＺｎＳ ８０モル％、ＳｉＯ2 ２０モル％
からなる誘電体層を２５ｎｍ形成した。その後、さらに
実施例１と同様にＡｌよりなる反射層を８０ｎｍ形成し
た。このようにして、基板／誘電体層（（ＺｎＳ）0.80
（ＳｉＯ2 ）0.20）／記録層／誘電体層（（ＺｎＳ）0.
80（ＳｉＯ2 ）0.20）／反射層の４層構成体を形成し
た。この４層構成体の反射層上に紫外線硬化樹脂層を１
０μｍ設けて、光記録媒体を形成した。
トせずに、ＺｎＳターゲットとＳｉＯ2 ターゲットのみ
セットした。基板、スパッタ圧力条件は実施例１と同様
にして、まずＺｎＳが８０モル％、ＳｉＯ2 が２０モル
％の蒸発量となるようにそれぞれのターゲットへの供給
電力を制御して２つのターゲットを同時にスパッタし
て、それぞれの膜厚モニタ値の和が２２０ｎｍとなるま
でスパッタリングを行い誘電体層を形成した。次いで、
記録層は実施例１と同様に２５ｎｍ形成し、さらに、上
述と同様にＺｎＳ ８０モル％、ＳｉＯ2 ２０モル％
からなる誘電体層を２５ｎｍ形成した。その後、さらに
実施例１と同様にＡｌよりなる反射層を８０ｎｍ形成し
た。このようにして、基板／誘電体層（（ＺｎＳ）0.80
（ＳｉＯ2 ）0.20）／記録層／誘電体層（（ＺｎＳ）0.
80（ＳｉＯ2 ）0.20）／反射層の４層構成体を形成し
た。この４層構成体の反射層上に紫外線硬化樹脂層を１
０μｍ設けて、光記録媒体を形成した。
【００４１】この光記録媒体の機械特性を測定した結
果、最大チルト量は５．６ｍｒａｄであった。
果、最大チルト量は５．６ｍｒａｄであった。
【００４２】実施例１と同様にして、記録繰り返し回数
を測定したところ、８万回であった。
を測定したところ、８万回であった。
【００４３】さらに、実施例１と同様にして、８０℃，
８０％ＲＨの環境下において３０００時間保管後のＢＥ
Ｒを測定したところ、初期ＢＥＲ３．１×１０-6が６．
４×１０-6と約２倍になった。
８０％ＲＨの環境下において３０００時間保管後のＢＥ
Ｒを測定したところ、初期ＢＥＲ３．１×１０-6が６．
４×１０-6と約２倍になった。
【００４４】
【００４５】
【００４６】
【００４７】比較例２ 実施例２において、（（（ＺｎＳｅ）0.90（ＴｉＯ2 ）
0.10）0.80Ｃ0.20）ターゲットの代りに（（ＺｎＳｅ）
0.90（ＴｉＯ2 ）0.10）ターゲットをセットした以外
は、基板、スパッタ圧力条件、各層膜厚などは実施例２
と同様にして、基板／誘電体層（（ＺｎＳｅ）0.90（Ｔ
ｉＯ2 ）0.10）／記録層／誘電体層（（ＺｎＳｅ）0.90
（ＴｉＯ2 ）0.10）の３層構成体を形成した。この３層
構成体の誘電体層上に紫外線硬化樹脂層を１０μｍ設け
て、光記録媒体を形成した。
0.10）0.80Ｃ0.20）ターゲットの代りに（（ＺｎＳｅ）
0.90（ＴｉＯ2 ）0.10）ターゲットをセットした以外
は、基板、スパッタ圧力条件、各層膜厚などは実施例２
と同様にして、基板／誘電体層（（ＺｎＳｅ）0.90（Ｔ
ｉＯ2 ）0.10）／記録層／誘電体層（（ＺｎＳｅ）0.90
（ＴｉＯ2 ）0.10）の３層構成体を形成した。この３層
構成体の誘電体層上に紫外線硬化樹脂層を１０μｍ設け
て、光記録媒体を形成した。
【００４８】この光記録媒体の機械特性を測定した結
果、最大チルト量は６．３ｍｒａｄであった。
果、最大チルト量は６．３ｍｒａｄであった。
【００４９】さらに、対物レンズの開口数０．５３、半
導体レーザの波長８３０ｎｍの光学ヘッドを使用して、
回転数１８００ｒｐｍ、ピークパワー９．０ｍＷ、記録
パルス幅９０ｎｓの条件で１．５Ｔ信号（３．７ＭＨ
ｚ）をトラックＮｏ．１００１〜３０００の２０００本
のトラックに記録し、８０℃，８０％ＲＨの環境下にお
いて３０００時間保管後のＢＥＲを測定したところ、初
期ＢＥＲ１．９×１０-6が２．６×１０-5と約１０倍に
増加した。
導体レーザの波長８３０ｎｍの光学ヘッドを使用して、
回転数１８００ｒｐｍ、ピークパワー９．０ｍＷ、記録
パルス幅９０ｎｓの条件で１．５Ｔ信号（３．７ＭＨ
ｚ）をトラックＮｏ．１００１〜３０００の２０００本
のトラックに記録し、８０℃，８０％ＲＨの環境下にお
いて３０００時間保管後のＢＥＲを測定したところ、初
期ＢＥＲ１．９×１０-6が２．６×１０-5と約１０倍に
増加した。
【００５０】
【発明の効果】本発明の光記録媒体は、上述のごとく記
録層をＴｅＧｅ系またはＳｂＴｅＧｅ系、かつ誘電体層
を組成式 （Ａ1-XＢX）1-YＣY （ここでＡはカルコゲン化合物、ＢはＳｉの酸化物、Ｃ
は炭素を表し、X、Yおよび数字は各元素または分子のモ
ル比を表す） かつ、０．０２≦X ≦０．５０ ０．０５≦Y ≦０．８０ で表される 複合物としたために、次のごとき優れた効果
が得られた。
録層をＴｅＧｅ系またはＳｂＴｅＧｅ系、かつ誘電体層
を組成式 （Ａ1-XＢX）1-YＣY （ここでＡはカルコゲン化合物、ＢはＳｉの酸化物、Ｃ
は炭素を表し、X、Yおよび数字は各元素または分子のモ
ル比を表す） かつ、０．０２≦X ≦０．５０ ０．０５≦Y ≦０．８０ で表される 複合物としたために、次のごとき優れた効果
が得られた。
【００５１】（１）機械特性が良好である。光記録媒体
のそりなどの機械的変形が少く、記録、再生を行うシス
テムに対する負担が著しく減少する。
のそりなどの機械的変形が少く、記録、再生を行うシス
テムに対する負担が著しく減少する。
【００５２】（２）高温高湿の環境下における保存にお
いて、記録特性が劣化せず、長期信頼性が確保される。
いて、記録特性が劣化せず、長期信頼性が確保される。
【００５３】（３）繰り返し記録消去を行うことが可能
な光記録媒体の場合、多数回の記録消去が行える。
な光記録媒体の場合、多数回の記録消去が行える。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 7/24
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に記録層と誘電体層を備えた光記
録媒体において、該記録層がＳｂＴｅＧｅ系であり、か
つ該誘電体層が組成式 （Ａ1-XＢX）1-YＣY （ここでＡはカルコゲン化合物、ＢはＳｉの酸化物、Ｃ
は炭素を表し、X、Yおよび数字は各元素または分子のモ
ル比を表す） かつ、０．０２≦X ≦０．５０ ０．０５≦Y ≦０．８０ で表される 複合物からなることを特徴とする光記録媒
体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03319124A JP3089768B2 (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 光記録媒体 |
| DE69225771T DE69225771T2 (de) | 1991-11-07 | 1992-11-05 | Optisches Aufzeichnungsmedium |
| EP92310138A EP0541376B1 (en) | 1991-11-07 | 1992-11-05 | Optical recording medium |
| US08/638,876 US5695866A (en) | 1991-11-07 | 1996-04-25 | Optical recording medium |
| HK98104782A HK1005632A1 (en) | 1991-11-07 | 1998-06-03 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03319124A JP3089768B2 (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05159369A JPH05159369A (ja) | 1993-06-25 |
| JP3089768B2 true JP3089768B2 (ja) | 2000-09-18 |
Family
ID=18106734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03319124A Expired - Fee Related JP3089768B2 (ja) | 1991-11-07 | 1991-12-03 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3089768B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11167722A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-06-22 | Tdk Corp | 光記録媒体、その記録方法およびその記録装置 |
| JP2000067435A (ja) * | 1997-12-27 | 2000-03-03 | Tdk Corp | 光記録媒体およびその記録方法 |
-
1991
- 1991-12-03 JP JP03319124A patent/JP3089768B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05159369A (ja) | 1993-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |