JPH1110472A - 真空吸着保持装置 - Google Patents
真空吸着保持装置Info
- Publication number
- JPH1110472A JPH1110472A JP17015397A JP17015397A JPH1110472A JP H1110472 A JPH1110472 A JP H1110472A JP 17015397 A JP17015397 A JP 17015397A JP 17015397 A JP17015397 A JP 17015397A JP H1110472 A JPH1110472 A JP H1110472A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- porous ceramic
- workpiece
- sealing material
- holding surface
- holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】切断時の加工熱による保持面の変形が少なく、
かつ段差のない平坦な保持面を有するダイヤモンドブレ
ードによるダイシング加工やスライシング加工に適した
真空吸着保持装置を提供する。 【解決手段】真空吸着保持装置１を構成する多孔質セラ
ミック板２の一主面を保持面６とし、該保持面６の周縁
部及び多孔質セラミック板２の側面に樹脂やガラスなど
の封止材５を塗着せしめて気密にシールするとともに、
少なくとも上記保持面６の周縁部を構成する封止材５に
導電性付与剤等を添加するなどして導電性を持たせる。
かつ段差のない平坦な保持面を有するダイヤモンドブレ
ードによるダイシング加工やスライシング加工に適した
真空吸着保持装置を提供する。 【解決手段】真空吸着保持装置１を構成する多孔質セラ
ミック板２の一主面を保持面６とし、該保持面６の周縁
部及び多孔質セラミック板２の側面に樹脂やガラスなど
の封止材５を塗着せしめて気密にシールするとともに、
少なくとも上記保持面６の周縁部を構成する封止材５に
導電性付与剤等を添加するなどして導電性を持たせる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、保持面の吸着部が
多孔質セラミックスからなる真空吸着保持装置に関する
ものであり、特に、半導体ウエハや薄膜磁気ヘッド用基
板などの被加工物をブレードで切断分離するダイシング
加工やスライシング加工に好適なものである。
多孔質セラミックスからなる真空吸着保持装置に関する
ものであり、特に、半導体ウエハや薄膜磁気ヘッド用基
板などの被加工物をブレードで切断分離するダイシング
加工やスライシング加工に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置や薄膜磁気ヘッドの製
造工程において、半導体ウエハや磁気ヘッド用基板など
の被加工物を切断分離する工程では、被加工物を吸着保
持するために真空吸着保持装置が使用されている。
造工程において、半導体ウエハや磁気ヘッド用基板など
の被加工物を切断分離する工程では、被加工物を吸着保
持するために真空吸着保持装置が使用されている。
【０００３】この種の真空吸着保持装置には、保持面の
吸着部が多孔質セラミック体からなるものと、緻密質セ
ラミック板に多数の吸引孔を穿設したものがあり、その
中でも被加工物の切断分離工程では均一な吸着力が得ら
れる多孔質タイプのものが多用されている。
吸着部が多孔質セラミック体からなるものと、緻密質セ
ラミック板に多数の吸引孔を穿設したものがあり、その
中でも被加工物の切断分離工程では均一な吸着力が得ら
れる多孔質タイプのものが多用されている。
【０００４】図４は一般的な多孔質タイプの真空吸着保
持装置２１を示したもので、ステンレス等の金属からな
る基体２４の中央に開口する凹部２５に、被加工物Ｗよ
り若干径の小さな多孔質セラミック体２２を嵌合し、そ
の上面を吸着面２３とするとともに、該吸着面２３を基
体２４のリム部２７の頂面２８と同一平面上に位置させ
ることで被加工物Ｗの保持面２９を形成したものであっ
た。そして、上記基体２４の凹部２５に連通する排気孔
２６より真空吸引することで、前記保持面２９に載置し
た被加工物Ｗを吸着させて固定するとともに、ダイヤモ
ンドブレード３０をリム部２７の頂面２８と微小に当接
させ、接触したことを電気的に検知して切断開始状態と
したあと、ダイヤモンドブレード３０を保持面２９上に
沿って水平に移動させるか、あるいは真空吸着保持装置
２１を水平に移動させることで、被加工物Ｗを所定の形
状に切断分離するようになっていた。
持装置２１を示したもので、ステンレス等の金属からな
る基体２４の中央に開口する凹部２５に、被加工物Ｗよ
り若干径の小さな多孔質セラミック体２２を嵌合し、そ
の上面を吸着面２３とするとともに、該吸着面２３を基
体２４のリム部２７の頂面２８と同一平面上に位置させ
ることで被加工物Ｗの保持面２９を形成したものであっ
た。そして、上記基体２４の凹部２５に連通する排気孔
２６より真空吸引することで、前記保持面２９に載置し
た被加工物Ｗを吸着させて固定するとともに、ダイヤモ
ンドブレード３０をリム部２７の頂面２８と微小に当接
させ、接触したことを電気的に検知して切断開始状態と
したあと、ダイヤモンドブレード３０を保持面２９上に
沿って水平に移動させるか、あるいは真空吸着保持装置
２１を水平に移動させることで、被加工物Ｗを所定の形
状に切断分離するようになっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図４の真空
吸着保持装置２１のように、基体２４の凹部２５に多孔
質セラミック体２２を嵌合した二体構造のものでは、金
属からなる基体２４と多孔質セラミック体２２との間の
熱膨張差が大きいために、被加工物Ｗの切断を行うとダ
イヤモンドブレード３０との摩擦により発生する熱でも
って真空吸着保持装置２１の保持面２９が微妙に変形す
るといった課題があった。その為、半導体ウエハや薄膜
磁気ヘッド用基板などのように一枚の基板から多数の製
品を所定の寸法通りに切り出すことができず、生産性を
高めることができなかった。
吸着保持装置２１のように、基体２４の凹部２５に多孔
質セラミック体２２を嵌合した二体構造のものでは、金
属からなる基体２４と多孔質セラミック体２２との間の
熱膨張差が大きいために、被加工物Ｗの切断を行うとダ
イヤモンドブレード３０との摩擦により発生する熱でも
って真空吸着保持装置２１の保持面２９が微妙に変形す
るといった課題があった。その為、半導体ウエハや薄膜
磁気ヘッド用基板などのように一枚の基板から多数の製
品を所定の寸法通りに切り出すことができず、生産性を
高めることができなかった。
【０００６】また、保持面２９を構成する吸着面２３と
リム部２７の頂面２８は異材質からなるために同一平面
を構成するように研削することは難しいものであった。
リム部２７の頂面２８は異材質からなるために同一平面
を構成するように研削することは難しいものであった。
【０００７】即ち、リム部２７を構成するステンレスは
吸着面２３を構成するセラミックスに比べて硬度が小さ
いことから、平面研削を行うと吸着面２３に比べリム部
２７の頂面２８が多く削られ、段差が形成されるといっ
た課題があった。その為、被加工物Ｗとして半導体ウエ
ハや薄膜磁気ヘッド用基板を切断すると、被加工物Ｗの
周縁部がリム部２７の頂面２８で保持されていないこと
から、被加工物Ｗの周縁部より所定寸法の製品を切り出
すことができなかった。
吸着面２３を構成するセラミックスに比べて硬度が小さ
いことから、平面研削を行うと吸着面２３に比べリム部
２７の頂面２８が多く削られ、段差が形成されるといっ
た課題があった。その為、被加工物Ｗとして半導体ウエ
ハや薄膜磁気ヘッド用基板を切断すると、被加工物Ｗの
周縁部がリム部２７の頂面２８で保持されていないこと
から、被加工物Ｗの周縁部より所定寸法の製品を切り出
すことができなかった。
【０００８】しかも、図４の真空吸着保持装置２１のよ
うに二体構造であると、吸着面２３を構成する多孔質セ
ラミック体２２と基体２４とを別々に形成しなければな
らないことから、部品点数が多くなるとともに、前述し
たように吸着面２３とリム部２７の頂面２８とが同一平
面上に位置するよう平坦化するために、多孔質セラミッ
ク体２２及び基体２４の寸法精度を厳密に管理しなけれ
ばならないなどの不都合もあった。
うに二体構造であると、吸着面２３を構成する多孔質セ
ラミック体２２と基体２４とを別々に形成しなければな
らないことから、部品点数が多くなるとともに、前述し
たように吸着面２３とリム部２７の頂面２８とが同一平
面上に位置するよう平坦化するために、多孔質セラミッ
ク体２２及び基体２４の寸法精度を厳密に管理しなけれ
ばならないなどの不都合もあった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで、上記課題に鑑
み、本発明の真空吸着保持装置は、多孔質セラミック板
の一主面を保持面とし、該保持面の周縁部及び多孔質セ
ラミック板の側面に樹脂やガラスなどの封止材を塗着せ
しめて気密にシールするとともに、少なくとも上記保持
面の周縁部に塗着した封止材に導電性を持たせたことを
特徴とするものである。
み、本発明の真空吸着保持装置は、多孔質セラミック板
の一主面を保持面とし、該保持面の周縁部及び多孔質セ
ラミック板の側面に樹脂やガラスなどの封止材を塗着せ
しめて気密にシールするとともに、少なくとも上記保持
面の周縁部に塗着した封止材に導電性を持たせたことを
特徴とするものである。
【００１０】
【作用】本発明の真空吸着保持装置は、多孔質セラミッ
ク板の側面及び吸着面の周縁部に、樹脂やガラスなどの
封止材を塗着した一体構造としてあることから、従来の
二体構造のように切断時に発生する加工熱による保持面
の変形を抑えることができる。しかも、吸着面を含む被
加工物の保持面を平坦に仕上げることができるととも
に、上記封止材は多孔質セラミック板の気孔を埋めるよ
うに被覆含浸させてあることから周囲を確実にシールす
ることができる。
ク板の側面及び吸着面の周縁部に、樹脂やガラスなどの
封止材を塗着した一体構造としてあることから、従来の
二体構造のように切断時に発生する加工熱による保持面
の変形を抑えることができる。しかも、吸着面を含む被
加工物の保持面を平坦に仕上げることができるととも
に、上記封止材は多孔質セラミック板の気孔を埋めるよ
うに被覆含浸させてあることから周囲を確実にシールす
ることができる。
【００１１】さらに、少なくとも保持面の周縁部に塗着
した封止材には導電性を持たせてあることから、ダイヤ
モンドブレードが微小に接触したことを電気的に検知す
ることができ、保持面を傷付けることなく、被加工物を
切断することができる。
した封止材には導電性を持たせてあることから、ダイヤ
モンドブレードが微小に接触したことを電気的に検知す
ることができ、保持面を傷付けることなく、被加工物を
切断することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。
説明する。
【００１３】図１は本発明の真空吸着保持装置１の一例
を示す図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ
線断面図であり、図２は図１（ｂ）のＡ部を拡大した断
面図である。
を示す図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ
線断面図であり、図２は図１（ｂ）のＡ部を拡大した断
面図である。
【００１４】図１の真空吸着保持装置は、被加工物Ｗよ
りも大きな外径を有する円盤状の多孔質セラミック板２
からなり、該多孔質セラミック板２の一主面の周縁部に
は深さｈ５０〜５００μｍ程度の段差部２ｂを設け、中
央凸部２ａの表面を吸着面３とするとともに、他方の一
主面の周縁部にも深さｈ５０〜５００μｍ程度の段差部
２ｄを設け、中央凸部２ｃの表面を吸引面４としてあ
る。なお、吸着面３の外形は被加工物Ｗと同等あるいは
若干小さくなるように形成してある。
りも大きな外径を有する円盤状の多孔質セラミック板２
からなり、該多孔質セラミック板２の一主面の周縁部に
は深さｈ５０〜５００μｍ程度の段差部２ｂを設け、中
央凸部２ａの表面を吸着面３とするとともに、他方の一
主面の周縁部にも深さｈ５０〜５００μｍ程度の段差部
２ｄを設け、中央凸部２ｃの表面を吸引面４としてあ
る。なお、吸着面３の外形は被加工物Ｗと同等あるいは
若干小さくなるように形成してある。
【００１５】また、上記多孔質セラミック体２の側面
と、上下一主面の段差部２ｂ，２ｄには、封止材５とし
て導電性を有する樹脂やガラスを多孔質セラミック体２
の気孔を埋めるように塗布含浸させるとともに、上下一
主面の段差部２ｂ，２ｄを埋めるように被覆して気密に
シールしてあり、段差部２ｂに塗着した封止材５の頂面
と吸着面３とが同一平面を構成するように平坦化し、被
加工物Ｗの保持面６としてある。
と、上下一主面の段差部２ｂ，２ｄには、封止材５とし
て導電性を有する樹脂やガラスを多孔質セラミック体２
の気孔を埋めるように塗布含浸させるとともに、上下一
主面の段差部２ｂ，２ｄを埋めるように被覆して気密に
シールしてあり、段差部２ｂに塗着した封止材５の頂面
と吸着面３とが同一平面を構成するように平坦化し、被
加工物Ｗの保持面６としてある。
【００１６】その為、真空吸着保持装置１の保持面６に
被加工物Ｗを載置し、吸引面４より真空ポンプ（不図
示）で真空吸引すれば、被加工物Ｗを均一な吸着力でも
って吸引することができるとともに、段差のない平坦な
保持面６を有することから、被加工物Ｗを精度良く吸着
保持することができる。
被加工物Ｗを載置し、吸引面４より真空ポンプ（不図
示）で真空吸引すれば、被加工物Ｗを均一な吸着力でも
って吸引することができるとともに、段差のない平坦な
保持面６を有することから、被加工物Ｗを精度良く吸着
保持することができる。
【００１７】また、保持面６に固定した被加工物Ｗを切
断分離するには、まず、保持面６の周縁部に塗着する封
止材５にダイヤモンドブレード３０を当接させて切断開
始状態とする。
断分離するには、まず、保持面６の周縁部に塗着する封
止材５にダイヤモンドブレード３０を当接させて切断開
始状態とする。
【００１８】即ち、図１（ｂ）に示すように、電源の一
方をダイヤモンドブレード３０に、他方を真空吸着保持
装置１に塗着した封止材５にそれぞれ接続しておけば、
該封止材５が導電性を有することから、ダイヤモンドブ
レード３０を封止材５と接触させることにより導通をは
かることができ、流れる電流を電流計で測定することに
よりダイヤモンドブレード３０が真空吸着保持装置１の
保持面６と微小に当接し、切断開始状態となったことを
確認することができる。
方をダイヤモンドブレード３０に、他方を真空吸着保持
装置１に塗着した封止材５にそれぞれ接続しておけば、
該封止材５が導電性を有することから、ダイヤモンドブ
レード３０を封止材５と接触させることにより導通をは
かることができ、流れる電流を電流計で測定することに
よりダイヤモンドブレード３０が真空吸着保持装置１の
保持面６と微小に当接し、切断開始状態となったことを
確認することができる。
【００１９】かくして、ダイヤモンドブレード３０を水
平方向に移動させるか、あるいは真空吸着保持装置１を
水平方向に移動させることで被加工物Ｗを所定の形状に
切断分離することができる。
平方向に移動させるか、あるいは真空吸着保持装置１を
水平方向に移動させることで被加工物Ｗを所定の形状に
切断分離することができる。
【００２０】また、図１に示す真空吸着保持装置１は、
多孔質セラミック体２からなる一体構造であることか
ら、被加工物Ｗの保持面６を段差のない平坦面とするこ
とができるとともに、切断時に発生する加工熱による保
持面６の変形を抑えることができ、被加工物Ｗを所定の
寸法精度に切断することができるため、例えば、半導体
ウエハや薄膜磁気ヘッド用基板のように一枚の基板から
多数の製品を切り出し、かつ一つ一つの製品に高い寸法
精度が要求される被加工物Ｗを切断する時でも、全ての
製品を所定の寸法通りに切り出すことができ、生産性を
大幅に高めることができる。
多孔質セラミック体２からなる一体構造であることか
ら、被加工物Ｗの保持面６を段差のない平坦面とするこ
とができるとともに、切断時に発生する加工熱による保
持面６の変形を抑えることができ、被加工物Ｗを所定の
寸法精度に切断することができるため、例えば、半導体
ウエハや薄膜磁気ヘッド用基板のように一枚の基板から
多数の製品を切り出し、かつ一つ一つの製品に高い寸法
精度が要求される被加工物Ｗを切断する時でも、全ての
製品を所定の寸法通りに切り出すことができ、生産性を
大幅に高めることができる。
【００２１】また、多孔質セラミック体２の側面及び保
持面６の周縁部には、封止材５として導電性を有する樹
脂やガラスを塗着し、気密にシールしてあることから、
吸引面４より真空吸引すれば、所望の吸着力でもって吸
着面３に被加工物Ｗを吸着保持することができるととも
に、保持面６の周縁部に塗着した封止材５にダイヤモン
ドブレード３０を接触させれば、確実に導通をはかるこ
とができるため、微小に当接したことを電気的に検知す
ることができ、保持面６を傷付けることなく被加工物Ｗ
を切断分離することができる。
持面６の周縁部には、封止材５として導電性を有する樹
脂やガラスを塗着し、気密にシールしてあることから、
吸引面４より真空吸引すれば、所望の吸着力でもって吸
着面３に被加工物Ｗを吸着保持することができるととも
に、保持面６の周縁部に塗着した封止材５にダイヤモン
ドブレード３０を接触させれば、確実に導通をはかるこ
とができるため、微小に当接したことを電気的に検知す
ることができ、保持面６を傷付けることなく被加工物Ｗ
を切断分離することができる。
【００２２】ところで、このような一体構造の真空吸着
保持装置１を構成する多孔質セラミック体２としては、
保持面６の変形を抑えるために８０００ｋｇ／ｍｍ2 以
上の剛性（ヤング率）を有するものが良く、例えば、ア
ルミナ、ジルコニア、窒化珪素、炭化珪素、窒化アルミ
ニウムなどのセラミックスを使用することができる。
保持装置１を構成する多孔質セラミック体２としては、
保持面６の変形を抑えるために８０００ｋｇ／ｍｍ2 以
上の剛性（ヤング率）を有するものが良く、例えば、ア
ルミナ、ジルコニア、窒化珪素、炭化珪素、窒化アルミ
ニウムなどのセラミックスを使用することができる。
【００２３】また、被加工物Ｗを均一な吸着力で保持す
るには多孔質セラミック体２の平均気孔径が５〜５０μ
ｍでかつ気孔率が５〜４０％のものが良く、より好まし
くは平均気孔径が５〜１０μｍでかつ気孔率が２５〜３
５％のものが良い。これは、多孔質セラミック体２の平
均気孔径が５μｍ未満であると、多孔質セラミック体２
内を通過する気体の通気抵抗が大きすぎるために吸引力
を高めたとしても大きな吸着力が得られないからであ
り、逆に、平均気孔径が５０μｍより大きくなると、厚
みの薄い被加工物Ｗを吸着させた時に気孔部が凹に窪
み、被加工物Ｗの平坦精度が阻害され、所定の寸法精度
に切断することができなくなるからである。
るには多孔質セラミック体２の平均気孔径が５〜５０μ
ｍでかつ気孔率が５〜４０％のものが良く、より好まし
くは平均気孔径が５〜１０μｍでかつ気孔率が２５〜３
５％のものが良い。これは、多孔質セラミック体２の平
均気孔径が５μｍ未満であると、多孔質セラミック体２
内を通過する気体の通気抵抗が大きすぎるために吸引力
を高めたとしても大きな吸着力が得られないからであ
り、逆に、平均気孔径が５０μｍより大きくなると、厚
みの薄い被加工物Ｗを吸着させた時に気孔部が凹に窪
み、被加工物Ｗの平坦精度が阻害され、所定の寸法精度
に切断することができなくなるからである。
【００２４】また、多孔質セラミック体２の気孔率が５
未満では、吸着面３と吸引面４とを連通する開気孔が少
ないために均一な吸着力が得られず、逆に、気孔率が４
０％より大きくなると多孔質セラミック板２の剛性が大
きく低下し、保持面６が変形する恐れがあるからであ
る。
未満では、吸着面３と吸引面４とを連通する開気孔が少
ないために均一な吸着力が得られず、逆に、気孔率が４
０％より大きくなると多孔質セラミック板２の剛性が大
きく低下し、保持面６が変形する恐れがあるからであ
る。
【００２５】なお、本発明の多孔質セラミック板２とし
ては、各種原料を造粒した顆粒を一軸加圧成形法や等加
圧成形法など一般的に公知のセラミック成形手段により
所定の形状に成形したあと、各種原料を完全に焼結させ
ることができる温度より若干低い温度で焼成することに
より得られる多孔質セラミックスを使用すれば良く、顆
粒の粒子径や焼成温度を適宜調整することで、所定の平
均気孔径及び気孔率に設定することができる。また、こ
の他に、予め各種原料からなるセラミック球状体を形成
しておき、これらをガラス等の接着成分で接合した多孔
質セラミックスや、球状のセラミック仮焼体をバインダ
ー等で接着したものを本焼成することで各セラミック仮
焼体の接触部を焼結させて形成した多孔質セラミックス
を用いることもでき、このような多孔質セラミックスを
用いれば、セラミック球状体やセラミック仮焼体の粒子
径を調整することで簡単に所定の平均気孔径及び気孔率
に設定することができるとともに、より均一な吸着力を
得ることができる。
ては、各種原料を造粒した顆粒を一軸加圧成形法や等加
圧成形法など一般的に公知のセラミック成形手段により
所定の形状に成形したあと、各種原料を完全に焼結させ
ることができる温度より若干低い温度で焼成することに
より得られる多孔質セラミックスを使用すれば良く、顆
粒の粒子径や焼成温度を適宜調整することで、所定の平
均気孔径及び気孔率に設定することができる。また、こ
の他に、予め各種原料からなるセラミック球状体を形成
しておき、これらをガラス等の接着成分で接合した多孔
質セラミックスや、球状のセラミック仮焼体をバインダ
ー等で接着したものを本焼成することで各セラミック仮
焼体の接触部を焼結させて形成した多孔質セラミックス
を用いることもでき、このような多孔質セラミックスを
用いれば、セラミック球状体やセラミック仮焼体の粒子
径を調整することで簡単に所定の平均気孔径及び気孔率
に設定することができるとともに、より均一な吸着力を
得ることができる。
【００２６】一方、多孔質セラミック体２の周囲を気密
にシールする封止材５としては、各種樹脂やガラスに導
電性付与剤を混ぜたものを用いれば良い。
にシールする封止材５としては、各種樹脂やガラスに導
電性付与剤を混ぜたものを用いれば良い。
【００２７】例えば、導電性を有する樹脂としては、樹
脂材に、アクリル系、エポキシ系、シリコン系、ウレタ
ン系、フェノール系等の樹脂を用いることができ、導電
性付与剤としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃ
ｕ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属を用いれば良い。これ
らの導電性付与剤は上記樹脂材に対して６０〜９０重量
％、好ましくは８０〜８５重量％の割合で均質に混合分
散させることで樹脂の体積固有抵抗値を１０Ω・ｃｍ以
下とすることができる。その為、微少な電流も流すこと
ができるため、ダイヤモンドブレード３０が微小に当接
したことを確実に検出することができる。
脂材に、アクリル系、エポキシ系、シリコン系、ウレタ
ン系、フェノール系等の樹脂を用いることができ、導電
性付与剤としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃ
ｕ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属を用いれば良い。これ
らの導電性付与剤は上記樹脂材に対して６０〜９０重量
％、好ましくは８０〜８５重量％の割合で均質に混合分
散させることで樹脂の体積固有抵抗値を１０Ω・ｃｍ以
下とすることができる。その為、微少な電流も流すこと
ができるため、ダイヤモンドブレード３０が微小に当接
したことを確実に検出することができる。
【００２８】また、導電性を有するガラスとしては、Ｌ
ｉ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスに導電性付与剤
としてＦｅ2 Ｏ3 、Ｎｉ2 Ｏ3 、Ｃｕ2 Ｏのうち一種以
上を含有させた表面抵抗が１０3 Ω未満の結晶化ガラ
ス、あるいは、Ｎａ2 Ｏ−ＷＯ3 −Ｐ2 Ｏ5 系ガラスや
Ｎａ2 Ｏ−ＷＯ3 −Ｂ2 Ｏ5 系ガラスからなり、その表
層部にＮａ0.7 ＷＯ3 結晶を析出させた表面抵抗が１Ω
程度の結晶化ガラス等を用いることができる。
ｉ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスに導電性付与剤
としてＦｅ2 Ｏ3 、Ｎｉ2 Ｏ3 、Ｃｕ2 Ｏのうち一種以
上を含有させた表面抵抗が１０3 Ω未満の結晶化ガラ
ス、あるいは、Ｎａ2 Ｏ−ＷＯ3 −Ｐ2 Ｏ5 系ガラスや
Ｎａ2 Ｏ−ＷＯ3 −Ｂ2 Ｏ5 系ガラスからなり、その表
層部にＮａ0.7 ＷＯ3 結晶を析出させた表面抵抗が１Ω
程度の結晶化ガラス等を用いることができる。
【００２９】また、これらの封止材５はペースト状とす
ることができるため、多孔質セラミック板２に塗布した
あと硬化させることで、気孔内にも適度に含浸させるこ
とができ、アンカー効果による確実な密着強度が得ら
れ、気密にシールすることができる。
ることができるため、多孔質セラミック板２に塗布した
あと硬化させることで、気孔内にも適度に含浸させるこ
とができ、アンカー効果による確実な密着強度が得ら
れ、気密にシールすることができる。
【００３０】なお、封止材５の厚み幅が薄すぎると、多
孔質セラミック体２の外表面に存在する気孔を確実に塞
ぐことが難しく、気密にシールできない恐れがあるた
め、多孔質セラミック体２中に含浸している部分も含
め、封止材５の最も薄い部分の厚み幅は７μｍ以上、よ
り好ましくは１０μｍ以上とすることが良い。
孔質セラミック体２の外表面に存在する気孔を確実に塞
ぐことが難しく、気密にシールできない恐れがあるた
め、多孔質セラミック体２中に含浸している部分も含
め、封止材５の最も薄い部分の厚み幅は７μｍ以上、よ
り好ましくは１０μｍ以上とすることが良い。
【００３１】また、本実施形態では、吸着面の外形を円
形としたものを示したが、被加工物Ｗの形状に合わせて
適宜設計すれば良く、例えば、楕円形や多角形をしたも
の、あるいは星形をしたものなどでも構わない。
形としたものを示したが、被加工物Ｗの形状に合わせて
適宜設計すれば良く、例えば、楕円形や多角形をしたも
の、あるいは星形をしたものなどでも構わない。
【００３２】ところで、図１に示す真空吸着保持装置１
では、多孔質セタミック板２の側面及び保持面６の周縁
部を共に導電性を有する封止材５で気密にシールした例
を示したが、本発明では少なくとも保持面６の周縁部を
構成する封止材５が導電性を有していれば良く、例え
ば、多孔質セタミック板２の側面に導電性付与剤を含ま
ない前記樹脂やガラス、あるいはそれ以外の周知の樹脂
やガラスを塗着するとともに、保持面６の周縁部を構成
する封止材５に導電性付与剤を含有した前記樹脂やガラ
スを塗着した構造とすることもできる。
では、多孔質セタミック板２の側面及び保持面６の周縁
部を共に導電性を有する封止材５で気密にシールした例
を示したが、本発明では少なくとも保持面６の周縁部を
構成する封止材５が導電性を有していれば良く、例え
ば、多孔質セタミック板２の側面に導電性付与剤を含ま
ない前記樹脂やガラス、あるいはそれ以外の周知の樹脂
やガラスを塗着するとともに、保持面６の周縁部を構成
する封止材５に導電性付与剤を含有した前記樹脂やガラ
スを塗着した構造とすることもできる。
【００３３】また、図１に示す真空吸着保持装置１で
は、多孔質セラミック板２の上下一主面に段差部２ｂ，
２ｄを設けた例を示したが、図３に示す真空吸着保持装
置１１ように、多孔質セラミック板１２の上下一主面に
は段差部を設けず、吸着面１３及び吸引面１４を除く多
孔質セラミック板１２の周縁部に気孔を埋めるよう封止
材１５を十分に含浸させても良く、このような構造とす
れば、被加工物Ｗの保持面１６をより一層平坦化するこ
とができ、さらに被加工物Ｗの加工精度を高めることが
できる。
は、多孔質セラミック板２の上下一主面に段差部２ｂ，
２ｄを設けた例を示したが、図３に示す真空吸着保持装
置１１ように、多孔質セラミック板１２の上下一主面に
は段差部を設けず、吸着面１３及び吸引面１４を除く多
孔質セラミック板１２の周縁部に気孔を埋めるよう封止
材１５を十分に含浸させても良く、このような構造とす
れば、被加工物Ｗの保持面１６をより一層平坦化するこ
とができ、さらに被加工物Ｗの加工精度を高めることが
できる。
【００３４】（実施例）以下、本発明の実施例を図１の
真空吸着保持装置１を例にとって具体的に説明する。
真空吸着保持装置１を例にとって具体的に説明する。
【００３５】まず、真空吸着保持装置１の多孔質セラミ
ック板２を形成するために、出発原料としてＡｌ2 Ｏ3
粉末を９９重量％に対し、焼結助剤としてＳｉＯ2 、Ｍ
ｇＯを合計１重量％の範囲でバインダー及び溶媒ととも
に添加混合し、スプレードライヤーにより造粒して顆粒
を製作した。そして、この顆粒を金型内に充填して円盤
状に成形したあと、金型から取り出し、１７００℃程度
の温度で焼成することにより気孔率３０％、平均気孔径
１０μｍのアルミナセラミックスからなる多孔質セラミ
ック板２を形成した。
ック板２を形成するために、出発原料としてＡｌ2 Ｏ3
粉末を９９重量％に対し、焼結助剤としてＳｉＯ2 、Ｍ
ｇＯを合計１重量％の範囲でバインダー及び溶媒ととも
に添加混合し、スプレードライヤーにより造粒して顆粒
を製作した。そして、この顆粒を金型内に充填して円盤
状に成形したあと、金型から取り出し、１７００℃程度
の温度で焼成することにより気孔率３０％、平均気孔径
１０μｍのアルミナセラミックスからなる多孔質セラミ
ック板２を形成した。
【００３６】次に、多孔質セラミック板２の上下一主面
の周縁部に研削加工を施して２００μｍ程度の段差部２
ｂ，２ｄを形成するとともに、上側の中央凸部２ａの頂
面に研磨加工を施して吸着面３を形成し、さらに、下側
の中央凸部２ｃの頂面に研磨加工を施して吸引面４を形
成した。そして、導電性付与剤として銀（Ａｇ）を８０
重量％混合分散したアクリル樹脂のスラリーを、上記多
孔質セラミック板２の側面及び上下一主面の段差部２
ｂ，２ｄに塗布したあと硬化させ、導電性を有する封止
材５でもって気密にシールし、しかるのち、上側の一主
面に研磨加工を施して被加工物Ｗの保持面６を形成する
ことにより図１に示す真空吸着保持装置１を形成した。
の周縁部に研削加工を施して２００μｍ程度の段差部２
ｂ，２ｄを形成するとともに、上側の中央凸部２ａの頂
面に研磨加工を施して吸着面３を形成し、さらに、下側
の中央凸部２ｃの頂面に研磨加工を施して吸引面４を形
成した。そして、導電性付与剤として銀（Ａｇ）を８０
重量％混合分散したアクリル樹脂のスラリーを、上記多
孔質セラミック板２の側面及び上下一主面の段差部２
ｂ，２ｄに塗布したあと硬化させ、導電性を有する封止
材５でもって気密にシールし、しかるのち、上側の一主
面に研磨加工を施して被加工物Ｗの保持面６を形成する
ことにより図１に示す真空吸着保持装置１を形成した。
【００３７】そして、この真空吸着保持装置１を用いて
８インチのシリコンウエハから５０×５０ｍｍの寸法を
有する製品の切り出し作業を行ったところ、全ての製品
を切り出すことができ、また、これらの製品の寸法を測
定したところ、寸法誤差を±０．００５ｍｍに抑えるこ
とができた。
８インチのシリコンウエハから５０×５０ｍｍの寸法を
有する製品の切り出し作業を行ったところ、全ての製品
を切り出すことができ、また、これらの製品の寸法を測
定したところ、寸法誤差を±０．００５ｍｍに抑えるこ
とができた。
【００３８】
【発明の効果】以上のように、本発明の真空吸着保持装
置によれば、多孔質セラミック板の一主面を保持面と
し、該保持面の周縁部及び多孔質セラミック板の側面に
樹脂やガラスなどの封止材を塗着せしめて気密にシール
するとともに、少なくとも上記保持面の周縁部に塗着し
た封止材に導電性を持たせたことにより、保持面を高精
度に平坦化することができ、均一な吸着力でもって被加
工物を精度良く保持することができる。しかも、ダイヤ
モンドブレードによる被加工物の切断工程において、保
持面の周縁部を構成する封止材にダイヤモンドブレード
を接触させれば、確実に導通をはかることができるた
め、微小に当接したことを電気的に検知することがで
き、保持面を傷付けることなく被加工物を切断分離する
ことができる。
置によれば、多孔質セラミック板の一主面を保持面と
し、該保持面の周縁部及び多孔質セラミック板の側面に
樹脂やガラスなどの封止材を塗着せしめて気密にシール
するとともに、少なくとも上記保持面の周縁部に塗着し
た封止材に導電性を持たせたことにより、保持面を高精
度に平坦化することができ、均一な吸着力でもって被加
工物を精度良く保持することができる。しかも、ダイヤ
モンドブレードによる被加工物の切断工程において、保
持面の周縁部を構成する封止材にダイヤモンドブレード
を接触させれば、確実に導通をはかることができるた
め、微小に当接したことを電気的に検知することがで
き、保持面を傷付けることなく被加工物を切断分離する
ことができる。
【００３９】その上、多孔質セラミック体からなる一体
構造品であることから、切断時に発生する加工熱による
保持面の変形を大幅に抑えることができるとともに、構
造上部品点数が少なくてすみ、かつ製造が容易であるた
めに製造コストを大幅に抑えることができる。
構造品であることから、切断時に発生する加工熱による
保持面の変形を大幅に抑えることができるとともに、構
造上部品点数が少なくてすみ、かつ製造が容易であるた
めに製造コストを大幅に抑えることができる。
【００４０】かくして、本発明の真空吸着保持装置を半
導体ウエハや薄膜磁気ヘッド用基板のダイシング加工や
スライシング加工に用いれば、全ての製品を所定の寸法
通りに切断分離することができ、生産性を高めることが
できる。
導体ウエハや薄膜磁気ヘッド用基板のダイシング加工や
スライシング加工に用いれば、全ての製品を所定の寸法
通りに切断分離することができ、生産性を高めることが
できる。
【図１】（ａ）は本発明の真空吸着保持装置の一実施形
態を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断面
図である。
態を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断面
図である。
【図２】図１（ｂ）のＡ部を拡大した断面図である。
【図３】本発明の真空吸着保持装置の他の実施形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】従来の真空吸着保持装置を示す断面図である。
１・・・真空吸着保持装置 ２・・・多孔質セラミック板 ２ａ・・・凸部 ２ｂ・・・段差部 ２ｃ・・・凸部 ２ｄ・・・段差部 ３・・・吸着面 ４・・・吸引面 ５・・・封止材 ６・・・保持面 Ｗ・・・被加工物
Claims (1)
- 【請求項１】多孔質セラミック板の一主面を保持面と
し、該保持面の周縁部及び多孔質セラミック板の側面に
樹脂やガラスなどの封止材を塗着せしめて気密にシール
するとともに、少なくとも上記保持面の周縁部に塗着し
た封止材が導電性を有することを特徴とする真空吸着保
持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17015397A JP3865872B2 (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 真空吸着保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17015397A JP3865872B2 (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 真空吸着保持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1110472A true JPH1110472A (ja) | 1999-01-19 |
| JP3865872B2 JP3865872B2 (ja) | 2007-01-10 |
Family
ID=15899675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17015397A Expired - Fee Related JP3865872B2 (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 真空吸着保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3865872B2 (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11226833A (ja) * | 1998-02-13 | 1999-08-24 | Ckd Corp | 真空チャックの吸着板及びその製造方法 |
| WO2002103780A1 (fr) * | 2001-05-25 | 2002-12-27 | Tokyo Electron Limited | Table a substrat, procede de fabrication et dispositif de traitement au plasma |
| WO2005092564A1 (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Ibiden Co., Ltd. | 真空チャックおよび吸着板 |
| JP2007149856A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
| JP2009253247A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-10-29 | Ariake Materials Co Ltd | 真空吸着装置用吸着体及び真空吸着装置 |
| JP2010021567A (ja) * | 2009-10-02 | 2010-01-28 | Tanken Seal Seiko Co Ltd | 吸着体 |
| JP2010172967A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Nitto Denko Corp | 吸着固定用シートおよびその製造方法 |
| JP2010274378A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Kyocera Corp | 真空吸着部材、真空吸着装置及び真空吸着部材の製造方法 |
| JP2011009423A (ja) * | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保持テーブルアセンブリ及び保持テーブルの製造方法 |
| JP2011009424A (ja) * | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保持テーブルアセンブリ及び保持テーブルの製造方法 |
| JP2011023606A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護テープ剥離装置 |
| JP2014090105A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工装置 |
| JP2014128849A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Taiheiyo Cement Corp | 真空吸着装置およびその製造方法 |
| JP2017019054A (ja) * | 2015-07-10 | 2017-01-26 | 株式会社ディスコ | チャックテーブルおよびチャックテーブルの製造方法 |
| JP2018041776A (ja) * | 2016-09-06 | 2018-03-15 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル及び搬送パッド |
| CN110052424A (zh) * | 2019-05-20 | 2019-07-26 | 苏州富强科技有限公司 | 一种同步转移式检测及分装流水线 |
| JP2020151842A (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-24 | 株式会社ナノテム | パッドユニット、真空チャック装置及び工作機械 |
-
1997
- 1997-06-26 JP JP17015397A patent/JP3865872B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11226833A (ja) * | 1998-02-13 | 1999-08-24 | Ckd Corp | 真空チャックの吸着板及びその製造方法 |
| WO2002103780A1 (fr) * | 2001-05-25 | 2002-12-27 | Tokyo Electron Limited | Table a substrat, procede de fabrication et dispositif de traitement au plasma |
| US7067178B2 (en) | 2001-05-25 | 2006-06-27 | Tokyo Electron Limited | Substrate table, production method therefor and plasma treating device |
| CN1294636C (zh) * | 2001-05-25 | 2007-01-10 | 东京毅力科创株式会社 | 基板台及其制造方法以及等离子体处理装置 |
| US7544393B2 (en) | 2001-05-25 | 2009-06-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate table, production method therefor and plasma treating device |
| WO2005092564A1 (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Ibiden Co., Ltd. | 真空チャックおよび吸着板 |
| US7654887B2 (en) | 2004-03-25 | 2010-02-02 | Ibiden Co., Ltd. | Vacuum chuck and suction board |
| JP2007149856A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
| US9102005B2 (en) | 2005-11-25 | 2015-08-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
| JP2009253247A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-10-29 | Ariake Materials Co Ltd | 真空吸着装置用吸着体及び真空吸着装置 |
| JP2010172967A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Nitto Denko Corp | 吸着固定用シートおよびその製造方法 |
| JP2010274378A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Kyocera Corp | 真空吸着部材、真空吸着装置及び真空吸着部材の製造方法 |
| JP2011009423A (ja) * | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保持テーブルアセンブリ及び保持テーブルの製造方法 |
| JP2011009424A (ja) * | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保持テーブルアセンブリ及び保持テーブルの製造方法 |
| JP2011023606A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護テープ剥離装置 |
| JP4724770B2 (ja) * | 2009-10-02 | 2011-07-13 | 株式会社タンケンシールセーコウ | 吸着体 |
| JP2010021567A (ja) * | 2009-10-02 | 2010-01-28 | Tanken Seal Seiko Co Ltd | 吸着体 |
| JP2014090105A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工装置 |
| JP2014128849A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Taiheiyo Cement Corp | 真空吸着装置およびその製造方法 |
| JP2017019054A (ja) * | 2015-07-10 | 2017-01-26 | 株式会社ディスコ | チャックテーブルおよびチャックテーブルの製造方法 |
| JP2018041776A (ja) * | 2016-09-06 | 2018-03-15 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル及び搬送パッド |
| JP2020151842A (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-24 | 株式会社ナノテム | パッドユニット、真空チャック装置及び工作機械 |
| CN110052424A (zh) * | 2019-05-20 | 2019-07-26 | 苏州富强科技有限公司 | 一种同步转移式检测及分装流水线 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3865872B2 (ja) | 2007-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1110472A (ja) | 真空吸着保持装置 | |
| US7654887B2 (en) | Vacuum chuck and suction board | |
| JP2005343733A (ja) | 電極内蔵焼結体の製造方法 | |
| JP2010109106A (ja) | 吸着盤および真空吸着装置 | |
| JP2004510334A5 (ja) | ||
| JP3880977B2 (ja) | 真空チャック | |
| JP4718397B2 (ja) | 真空吸着装置の製造方法 | |
| JPH10128634A (ja) | 吸着盤及びその製造方法 | |
| JPH11309638A (ja) | 真空吸着盤 | |
| CN109786314A (zh) | 用于夹持塑封晶圆的固定装置及真空溅射金属薄膜工艺 | |
| JP2003282688A (ja) | 静電チャック | |
| JP5261057B2 (ja) | 吸着盤および真空吸着装置 | |
| JPH068086A (ja) | 真空吸着装置 | |
| JP4703590B2 (ja) | 真空吸着装置及びそれを用いた吸着方法 | |
| JP4545536B2 (ja) | 真空吸着用治具 | |
| JP3325441B2 (ja) | 真空吸着装置 | |
| JP5143607B2 (ja) | 真空吸着装置 | |
| US20170263490A1 (en) | Method for providing a planarizable workpiece support, a workpiece planarization arrangement, and a chuck | |
| JPH0751221Y2 (ja) | 真空チャック | |
| JP2002151580A (ja) | ウエハー保持具の製造方法及びウエハー保持具 | |
| JP4519457B2 (ja) | 加工用基板固定装置およびその製造方法 | |
| JPH08330401A (ja) | ウエハチャック | |
| JP3810341B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP2002373873A (ja) | ウェハ保持用真空チャック | |
| JP2005118979A (ja) | 研削・研磨用真空チャックおよび吸着板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040531 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040622 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040823 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041214 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050420 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061004 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101013 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101013 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111013 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121013 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131013 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |