JPH1070094A - 半導体センサウェハの切断方法 - Google Patents
半導体センサウェハの切断方法Info
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- JPH1070094A JPH1070094A JP22397496A JP22397496A JPH1070094A JP H1070094 A JPH1070094 A JP H1070094A JP 22397496 A JP22397496 A JP 22397496A JP 22397496 A JP22397496 A JP 22397496A JP H1070094 A JPH1070094 A JP H1070094A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】スクライブライン上に配線がある場合にも円滑
に切断を行うことができる半導体センサウェハの切断方
法を提供する。 【解決手段】半導体圧力センサ形成用ウェハ１における
スクライブライン上に配置したアルミ配線３を通電して
電気化学エッチングによりダイヤフラム５を形成し、ウ
ェハ１とガラスウェハ８とを接合する。ブレード１０を
用いたカッティングによりアルミ配線３を除去する。ア
ルミ配線除去用ブレード１０は、その幅がアルミ配線３
の幅とは若干大きい。その後、ブレードを用いてウェハ
１のスクライブライン上をカッティングして複数のセン
サチップに分割する。
に切断を行うことができる半導体センサウェハの切断方
法を提供する。 【解決手段】半導体圧力センサ形成用ウェハ１における
スクライブライン上に配置したアルミ配線３を通電して
電気化学エッチングによりダイヤフラム５を形成し、ウ
ェハ１とガラスウェハ８とを接合する。ブレード１０を
用いたカッティングによりアルミ配線３を除去する。ア
ルミ配線除去用ブレード１０は、その幅がアルミ配線３
の幅とは若干大きい。その後、ブレードを用いてウェハ
１のスクライブライン上をカッティングして複数のセン
サチップに分割する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体センサウ
ェハの切断方法に関するものである。
ェハの切断方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高精度半導体圧力センサの製造の際に
は、図１０に示すように、シリコンウェハ２０に対し電
気化学エッチングによるダイヤフラム２１の形成のため
にスクライブライン上にアルミ配線２２が延設される。
そして、スクライブライン上をブレード２３により切断
して各チップに分割する。ここで、ブレード２３は、チ
ッピング（基板の欠け）を防止するためにシリコン切削
用ブレード（例えば２０００〜３０００＃のダイヤモン
ドブレード）を使用している。
は、図１０に示すように、シリコンウェハ２０に対し電
気化学エッチングによるダイヤフラム２１の形成のため
にスクライブライン上にアルミ配線２２が延設される。
そして、スクライブライン上をブレード２３により切断
して各チップに分割する。ここで、ブレード２３は、チ
ッピング（基板の欠け）を防止するためにシリコン切削
用ブレード（例えば２０００〜３０００＃のダイヤモン
ドブレード）を使用している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、スクライブ
ライン上のアルミ配線２２を切削するブレード部位の摩
耗が激しくアルミ配線２２がない部位との摩耗量の差か
らブレード２３の先端部が異形化してしまいカーフ幅
（切り溝幅）が拡大してしまったりチッピングが増大し
たり、更にはブレード寿命が短くなりコストアップ（取
り替え頻度の増大）を招いてしまう等の不具合が発生し
ている。
ライン上のアルミ配線２２を切削するブレード部位の摩
耗が激しくアルミ配線２２がない部位との摩耗量の差か
らブレード２３の先端部が異形化してしまいカーフ幅
（切り溝幅）が拡大してしまったりチッピングが増大し
たり、更にはブレード寿命が短くなりコストアップ（取
り替え頻度の増大）を招いてしまう等の不具合が発生し
ている。
【０００４】そこで、この発明の目的は、スクライブラ
イン上に配線がある場合にも円滑に切断を行うことがで
きる半導体センサウェハの切断方法を提供することにあ
る。
イン上に配線がある場合にも円滑に切断を行うことがで
きる半導体センサウェハの切断方法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、センサチップ分割のためのカッティングに先立ち、
ブレードを用いたカッティングにより金属配線を除去す
るようにしたことを特徴としている。よって、ブレード
を用いたカッティングにより金属配線が除去された後に
おいてブレードを用いて半導体センサ形成用ウェハのス
クライブライン上がカッティングされて複数のセンサチ
ップに分割され、このカッティングの際には、金属配線
が無いので同種材料をブレードによりカットすることに
なりブレード先端の異形化を抑制して円滑なる切断を行
うことができる。
は、センサチップ分割のためのカッティングに先立ち、
ブレードを用いたカッティングにより金属配線を除去す
るようにしたことを特徴としている。よって、ブレード
を用いたカッティングにより金属配線が除去された後に
おいてブレードを用いて半導体センサ形成用ウェハのス
クライブライン上がカッティングされて複数のセンサチ
ップに分割され、このカッティングの際には、金属配線
が無いので同種材料をブレードによりカットすることに
なりブレード先端の異形化を抑制して円滑なる切断を行
うことができる。
【０００６】又、請求項２に記載のように、金属配線除
去用ブレードを、その幅が金属配線の幅とは若干大きい
ものとすると、金属配線のみを選択的に除去できる。請
求項３に記載の発明は、金属配線としてブレードの幅よ
り若干小さな幅の金属配線を用いたことを特徴としてい
る。よって、半導体センサ形成用ウェハにおけるスクラ
イブライン上にブレードの幅より若干小さな幅の金属配
線が配置された状態からブレードを用いてスクライブラ
イン上がカッティングされて複数のセンサチップに分割
されるが、このカッティング時にブレードの先端（カッ
ト面）においては切り粉を排出できる形状を保持でき
る。即ち、目詰まりが抑制されることからカッティング
を続行できる。その結果、ブレード先端の異形化を抑制
して円滑なる切断を行うことができることとなる。
去用ブレードを、その幅が金属配線の幅とは若干大きい
ものとすると、金属配線のみを選択的に除去できる。請
求項３に記載の発明は、金属配線としてブレードの幅よ
り若干小さな幅の金属配線を用いたことを特徴としてい
る。よって、半導体センサ形成用ウェハにおけるスクラ
イブライン上にブレードの幅より若干小さな幅の金属配
線が配置された状態からブレードを用いてスクライブラ
イン上がカッティングされて複数のセンサチップに分割
されるが、このカッティング時にブレードの先端（カッ
ト面）においては切り粉を排出できる形状を保持でき
る。即ち、目詰まりが抑制されることからカッティング
を続行できる。その結果、ブレード先端の異形化を抑制
して円滑なる切断を行うことができることとなる。
【０００７】
（第１の実施の形態）以下、この発明の第１の実施の形
態を図面に従って説明する。
態を図面に従って説明する。
【０００８】本実施の形態においては半導体圧力センサ
に適用しており、その製造方法を以下に詳細に説明す
る。図１に示すように、半導体圧力センサ形成用ウェハ
としてのシリコンウェハ１は、ｐ型基板１ａの上にｎ型
エピタキシャル層１ｂが形成されている。シリコンウェ
ハ１の上面におけるセンサ素子形成領域には酸化膜２が
形成されるとともに、スクライブライン上には金属配線
としてのアルミ配線３が延設されている。アルミ配線３
の線幅は６０〜７０μｍ程度である。さらに、シリコン
ウェハ１の裏面の所定領域には窒化膜等よりなるマスク
材４が配置されている。このような状態から電気化学エ
ッチングを行いダイヤフラム（薄肉部）５を形成する。
つまり、ＫＯＨ等のアルカリ水溶液にシリコンウェハ１
を浸すとともに同液中にシリコンウェハ１に対向するよ
うに対向電極（図示略）を配置し、アルミ配線３と対向
電極との間に電圧を印加してｐ型基板１ａの露出部分を
エッチングする。このエッチング工程においてＰＮ接合
界面にてエッチングが停止し、シリコンウェハ１に凹部
６が形成され、凹部６の底部にはｎ型エピタキシャル層
１ｂよりなるダイヤフラム（薄肉部）５が形成される。
に適用しており、その製造方法を以下に詳細に説明す
る。図１に示すように、半導体圧力センサ形成用ウェハ
としてのシリコンウェハ１は、ｐ型基板１ａの上にｎ型
エピタキシャル層１ｂが形成されている。シリコンウェ
ハ１の上面におけるセンサ素子形成領域には酸化膜２が
形成されるとともに、スクライブライン上には金属配線
としてのアルミ配線３が延設されている。アルミ配線３
の線幅は６０〜７０μｍ程度である。さらに、シリコン
ウェハ１の裏面の所定領域には窒化膜等よりなるマスク
材４が配置されている。このような状態から電気化学エ
ッチングを行いダイヤフラム（薄肉部）５を形成する。
つまり、ＫＯＨ等のアルカリ水溶液にシリコンウェハ１
を浸すとともに同液中にシリコンウェハ１に対向するよ
うに対向電極（図示略）を配置し、アルミ配線３と対向
電極との間に電圧を印加してｐ型基板１ａの露出部分を
エッチングする。このエッチング工程においてＰＮ接合
界面にてエッチングが停止し、シリコンウェハ１に凹部
６が形成され、凹部６の底部にはｎ型エピタキシャル層
１ｂよりなるダイヤフラム（薄肉部）５が形成される。
【０００９】その後、マスク材４を除去する。そして、
図２に示すように、圧力導入孔７を有するガラスウェハ
８の上にシリコンウェハ１を接合する。
図２に示すように、圧力導入孔７を有するガラスウェハ
８の上にシリコンウェハ１を接合する。
【００１０】引き続き、図３に示すように、ガラスウェ
ハ８の裏面に粘着シート（テープ）９を貼り付ける。そ
して、ガラス切削用のブレード（例えば１０００＃のダ
イヤモンドブレード）１０を用いたカッティングを行
い、アルミ配線３を除去する。このとき、シリコンウェ
ハ１に深さ約２０μｍ程度の第１の溝１１が形成され
る。このときのカッティングスピードは３０〜６０ｍｍ
／ｓｅｃであり、これは通常のシリコンウェハのカッテ
ィングと同レベルである。ブレード１０は、その幅が１
００μｍであり、アルミ配線３の線幅（６０〜７０μ
ｍ）よりも若干大きくなっている。又、第１の溝１１の
幅は１２０μｍ程度になる。この際、第１の溝１１のエ
ッジ部において横方向（幅方向）に２０μｍ程度延びる
チッピングが発生することもある。つまり、横方向（図
中左右方向）において１６０μｍの欠陥領域が発生する
可能性がある。
ハ８の裏面に粘着シート（テープ）９を貼り付ける。そ
して、ガラス切削用のブレード（例えば１０００＃のダ
イヤモンドブレード）１０を用いたカッティングを行
い、アルミ配線３を除去する。このとき、シリコンウェ
ハ１に深さ約２０μｍ程度の第１の溝１１が形成され
る。このときのカッティングスピードは３０〜６０ｍｍ
／ｓｅｃであり、これは通常のシリコンウェハのカッテ
ィングと同レベルである。ブレード１０は、その幅が１
００μｍであり、アルミ配線３の線幅（６０〜７０μ
ｍ）よりも若干大きくなっている。又、第１の溝１１の
幅は１２０μｍ程度になる。この際、第１の溝１１のエ
ッジ部において横方向（幅方向）に２０μｍ程度延びる
チッピングが発生することもある。つまり、横方向（図
中左右方向）において１６０μｍの欠陥領域が発生する
可能性がある。
【００１１】尚、ブレード１０は電鋳ボンドブレードを
用いてもよい。次に、図４に示すように、ブレード幅が
１４０μｍのシリコン切削用ブレード（例えば３０００
＃のダイヤモンドブレード）１２を用いたカッティング
を行い、第１の溝１１の形成領域を含むシリコンウェハ
１に第２の溝（ウェハ１に対する貫通孔）１３を形成す
る。このときのカッティングスピードは最大２０ｍｍ／
ｓｅｃ程度である。第２の溝１３の幅は１６０μｍ程度
となり、前述の欠陥領域が除去される。つまり、図３で
のカッティングの際に第１の溝１１のエッジ部に横方向
に延びるチッピング（欠け）が発生することもあるが、
この図４のカッティングによりそのチッピング（欠け）
を含めてシリコンウェハ１の所定領域が除去される。
用いてもよい。次に、図４に示すように、ブレード幅が
１４０μｍのシリコン切削用ブレード（例えば３０００
＃のダイヤモンドブレード）１２を用いたカッティング
を行い、第１の溝１１の形成領域を含むシリコンウェハ
１に第２の溝（ウェハ１に対する貫通孔）１３を形成す
る。このときのカッティングスピードは最大２０ｍｍ／
ｓｅｃ程度である。第２の溝１３の幅は１６０μｍ程度
となり、前述の欠陥領域が除去される。つまり、図３で
のカッティングの際に第１の溝１１のエッジ部に横方向
に延びるチッピング（欠け）が発生することもあるが、
この図４のカッティングによりそのチッピング（欠け）
を含めてシリコンウェハ１の所定領域が除去される。
【００１２】又、図４のカッティングは、シリコン切削
用ブレードを使用するため１０μｍを超えるようなチッ
ピングは発生しない。引き続き、図５に示すように、ガ
ラス切削用のブレード（例えば１０００＃のダイヤモン
ドブレード）１４を用いたカッティングを行い、第２の
溝１３の底面におけるガラスウェハ８に第３の溝１５を
形成する。さらに、シリコンウェハ１を真空チャックテ
ーブルに真空チャックし、ブレードを用いて第３の溝１
５の底面のガラスウェハ８をフルカットして各チップ毎
に分割する。
用ブレードを使用するため１０μｍを超えるようなチッ
ピングは発生しない。引き続き、図５に示すように、ガ
ラス切削用のブレード（例えば１０００＃のダイヤモン
ドブレード）１４を用いたカッティングを行い、第２の
溝１３の底面におけるガラスウェハ８に第３の溝１５を
形成する。さらに、シリコンウェハ１を真空チャックテ
ーブルに真空チャックし、ブレードを用いて第３の溝１
５の底面のガラスウェハ８をフルカットして各チップ毎
に分割する。
【００１３】その結果、半導体圧力センサチップが製造
される。次に、図３に示したようにアルミ配線３の線幅
に比べ若干大きな幅をもつブレード１０を用いてアルミ
配線３を除去した後にシリコンのカッティングを行うこ
との有用性を説明する。
される。次に、図３に示したようにアルミ配線３の線幅
に比べ若干大きな幅をもつブレード１０を用いてアルミ
配線３を除去した後にシリコンのカッティングを行うこ
との有用性を説明する。
【００１４】図６には、ブレード１０を用いてアルミ配
線３の除去を行った場合（実施の形態）と、これを行わ
なかった場合（比較例）とにおけるブレード摩耗量の測
定結果を示す。つまり、横軸にはウェハ処理枚数をと
り、縦軸にはブレード摩耗量をとり、さらにブレード摩
耗量は比較例においては図１０に示すようにアルミ配線
２２に対応する部位でのブレード摩耗量ｔA とシリコン
に対応する部位でのブレード摩耗量ｔS とで表し、実施
の形態においてはアルミ配線の無い状態でカッティング
を行っているのでｔA ＝ｔS として表している。
線３の除去を行った場合（実施の形態）と、これを行わ
なかった場合（比較例）とにおけるブレード摩耗量の測
定結果を示す。つまり、横軸にはウェハ処理枚数をと
り、縦軸にはブレード摩耗量をとり、さらにブレード摩
耗量は比較例においては図１０に示すようにアルミ配線
２２に対応する部位でのブレード摩耗量ｔA とシリコン
に対応する部位でのブレード摩耗量ｔS とで表し、実施
の形態においてはアルミ配線の無い状態でカッティング
を行っているのでｔA ＝ｔS として表している。
【００１５】この図６からアルミ配線が有る場合（比較
例）においては、切削するウェハの枚数とともにブレー
ドの摩耗量が急激に増加するがアルミ配線が無い場合
（実施の形態）においては僅かしか増加していないこと
が分かる。つまり、ブレードの摩耗量は比較例の約１／
１０（図６でのＬ１／Ｌ３）まで低減でき、取り替え頻
度を抑えて大幅なブレードのコストダウンが可能とな
る。
例）においては、切削するウェハの枚数とともにブレー
ドの摩耗量が急激に増加するがアルミ配線が無い場合
（実施の形態）においては僅かしか増加していないこと
が分かる。つまり、ブレードの摩耗量は比較例の約１／
１０（図６でのＬ１／Ｌ３）まで低減でき、取り替え頻
度を抑えて大幅なブレードのコストダウンが可能とな
る。
【００１６】さらに、アルミ配線とシリコンとではブレ
ードの摩耗量が約２倍（図６でのＬ３／Ｌ２）異なり、
そのため、図１０に示すように、ブレードの先端部が異
形化する。これに対し、実施の形態ではアルミ配線３が
無い状態でカッティングが行われるので、ウェハの枚数
とともにブレード異形が発生しない。
ードの摩耗量が約２倍（図６でのＬ３／Ｌ２）異なり、
そのため、図１０に示すように、ブレードの先端部が異
形化する。これに対し、実施の形態ではアルミ配線３が
無い状態でカッティングが行われるので、ウェハの枚数
とともにブレード異形が発生しない。
【００１７】さらには、カッティングスピードも従来で
は１０ｍｍ／ｓｅｃが限度であったのに対し本形態では
欠け対策が不要であるため最大２０ｍｍ／ｓｅｃ程度ま
でスピードアップする。このため、カット工程が１工程
増加するもののカッティング設備能力の低下はない。
は１０ｍｍ／ｓｅｃが限度であったのに対し本形態では
欠け対策が不要であるため最大２０ｍｍ／ｓｅｃ程度ま
でスピードアップする。このため、カット工程が１工程
増加するもののカッティング設備能力の低下はない。
【００１８】尚、本例の製造工程においてはシリコンウ
ェハ１にはガラスウェハ８が接合され、スクライブライ
ン上のガラスウェハ８に図５の溝１５を形成した後、真
空チャックテーブルに真空チャックしてスクライブライ
ン上でガラスウェハ８を完全に分割しているので、ガラ
スウェハ８に溝１５を形成することなくチャックテーブ
ルに真空チャックしてダイシングカットした場合に比
べ、チャック解放後におけるシリコンウェハ１とガラス
ウェハ８との間の残留応力が小さくなり接合歪みによる
感度誤差低減を図ることができる。
ェハ１にはガラスウェハ８が接合され、スクライブライ
ン上のガラスウェハ８に図５の溝１５を形成した後、真
空チャックテーブルに真空チャックしてスクライブライ
ン上でガラスウェハ８を完全に分割しているので、ガラ
スウェハ８に溝１５を形成することなくチャックテーブ
ルに真空チャックしてダイシングカットした場合に比
べ、チャック解放後におけるシリコンウェハ１とガラス
ウェハ８との間の残留応力が小さくなり接合歪みによる
感度誤差低減を図ることができる。
【００１９】このように、本実施の形態は、下記の特徴
を有する。 （イ）半導体圧力センサ形成用ウェハ１におけるスクラ
イブライン上にアルミ配線（金属配線）３が配置された
状態からブレード１２を用いてスクライブライン上をカ
ッティングして複数のセンサチップに分割するに際し、
当該センサチップ分割のためのカッティングに先立ち、
ブレード１０を用いたカッティングによりアルミ配線３
を除去するようにした。よって、ブレード１２を用いた
カッティングの際には、アルミ配線３が無いので同種材
料をブレード１２によりカットすることになりブレード
先端の異形化を抑制して円滑なる切断を行うことができ
る。即ち、カーフ幅（切り溝幅）の拡大やチッピングの
増大が防止でき、更にブレード寿命を長くしてコストダ
ウンを図ることができる。 （ロ）アルミ配線除去用ブレード１０は、その幅がアル
ミ配線３の幅とは若干大きいものとなっているので、ア
ルミ配線３のみを選択的に除去できる。 （第２の実施の形態）次に、この発明の第２の実施の形
態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
を有する。 （イ）半導体圧力センサ形成用ウェハ１におけるスクラ
イブライン上にアルミ配線（金属配線）３が配置された
状態からブレード１２を用いてスクライブライン上をカ
ッティングして複数のセンサチップに分割するに際し、
当該センサチップ分割のためのカッティングに先立ち、
ブレード１０を用いたカッティングによりアルミ配線３
を除去するようにした。よって、ブレード１２を用いた
カッティングの際には、アルミ配線３が無いので同種材
料をブレード１２によりカットすることになりブレード
先端の異形化を抑制して円滑なる切断を行うことができ
る。即ち、カーフ幅（切り溝幅）の拡大やチッピングの
増大が防止でき、更にブレード寿命を長くしてコストダ
ウンを図ることができる。 （ロ）アルミ配線除去用ブレード１０は、その幅がアル
ミ配線３の幅とは若干大きいものとなっているので、ア
ルミ配線３のみを選択的に除去できる。 （第２の実施の形態）次に、この発明の第２の実施の形
態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００２０】図７に示すように、シリコンウェハ１の上
面におけるスクライブライン上には線幅が１１０〜１２
０μｍの金属配線としてのアルミ配線１６を延設してい
る。つまり、シリコンウェハ１のカッティングには幅１
４０μｍのブレード１２（図９参照）を用いるが、その
ブレード幅よりも若干小さな幅のアルミ配線１６を形成
する。そして、このアルミ配線１６を用いた電気化学エ
ッチングによりダイヤフラム５を形成する。
面におけるスクライブライン上には線幅が１１０〜１２
０μｍの金属配線としてのアルミ配線１６を延設してい
る。つまり、シリコンウェハ１のカッティングには幅１
４０μｍのブレード１２（図９参照）を用いるが、その
ブレード幅よりも若干小さな幅のアルミ配線１６を形成
する。そして、このアルミ配線１６を用いた電気化学エ
ッチングによりダイヤフラム５を形成する。
【００２１】その後、図８に示すように、ガラスウェハ
８の上にシリコンウェハ１を接合する。引き続き、図９
に示すように、ブレード幅が１４０μｍのシリコン切削
用ブレード（例えば３０００＃のダイヤモンドブレー
ド）１２を用いて、シリコンウェハ１に溝（ウェハ１に
対する貫通孔）１７を形成する。溝１７の幅は１６０μ
ｍ程度となる。このとき、ブレード幅１４０μｍに対し
アルミ配線幅が１１０〜１２０μｍとなっており、カッ
ティング時のブレード１２の先端形状は図１０のような
凹状（谷に対し両側に山がある形状）とならず、谷に対
し少なくともいずれかの側面が開口した形状をなし、こ
の開口部が切り粉の排出領域となり目詰まりが抑制され
る。
８の上にシリコンウェハ１を接合する。引き続き、図９
に示すように、ブレード幅が１４０μｍのシリコン切削
用ブレード（例えば３０００＃のダイヤモンドブレー
ド）１２を用いて、シリコンウェハ１に溝（ウェハ１に
対する貫通孔）１７を形成する。溝１７の幅は１６０μ
ｍ程度となる。このとき、ブレード幅１４０μｍに対し
アルミ配線幅が１１０〜１２０μｍとなっており、カッ
ティング時のブレード１２の先端形状は図１０のような
凹状（谷に対し両側に山がある形状）とならず、谷に対
し少なくともいずれかの側面が開口した形状をなし、こ
の開口部が切り粉の排出領域となり目詰まりが抑制され
る。
【００２２】引き続き、図５に示した工程を経て各チッ
プ毎に分割され、半導体圧力センサチップが製造され
る。このように本実施の形態は、下記の特徴を有する。 （イ）半導体圧力センサ形成用ウェハ１におけるスクラ
イブライン上にアルミ配線（金属配線）１６が配置され
た状態からブレード１２を用いてスクライブライン上を
カッティングして複数のセンサチップに分割するに際
し、アルミ金属１６としてブレード１２の幅より若干小
さな幅のアルミ金属を用いた（ブレード１２としてアル
ミ金属１６の幅より若干大きな幅のブレードを用いる場
合も同様）。よって、カッティング時にブレード１２の
先端（カット面）においては切り粉を排出できる形状を
保持できる。即ち、目詰まりが抑制されることからカッ
ティングを続行できる。その結果、ブレード先端の異形
化を抑制して円滑なる切断を行うことができることとな
る。
プ毎に分割され、半導体圧力センサチップが製造され
る。このように本実施の形態は、下記の特徴を有する。 （イ）半導体圧力センサ形成用ウェハ１におけるスクラ
イブライン上にアルミ配線（金属配線）１６が配置され
た状態からブレード１２を用いてスクライブライン上を
カッティングして複数のセンサチップに分割するに際
し、アルミ金属１６としてブレード１２の幅より若干小
さな幅のアルミ金属を用いた（ブレード１２としてアル
ミ金属１６の幅より若干大きな幅のブレードを用いる場
合も同様）。よって、カッティング時にブレード１２の
先端（カット面）においては切り粉を排出できる形状を
保持できる。即ち、目詰まりが抑制されることからカッ
ティングを続行できる。その結果、ブレード先端の異形
化を抑制して円滑なる切断を行うことができることとな
る。
【００２３】これまでの説明においては半導体圧力セン
サを製造する場合について述べたが、半導体加速度セン
サ等を製造する場合にも適用できる。つまり、電気化学
エッチングにより薄肉部（ダイヤフラム）が形成される
半導体センサに適用できる。
サを製造する場合について述べたが、半導体加速度セン
サ等を製造する場合にも適用できる。つまり、電気化学
エッチングにより薄肉部（ダイヤフラム）が形成される
半導体センサに適用できる。
【図１】 第１の実施の形態における半導体圧力センサ
の製造工程を示す断面図。
の製造工程を示す断面図。
【図２】 第１の実施の形態における半導体圧力センサ
の製造工程を示す断面図。
の製造工程を示す断面図。
【図３】 第１の実施の形態における半導体圧力センサ
の製造工程を示す断面図。
の製造工程を示す断面図。
【図４】 第１の実施の形態における半導体圧力センサ
の製造工程を示す断面図。
の製造工程を示す断面図。
【図５】 第１の実施の形態における半導体圧力センサ
の製造工程を示す断面図。
の製造工程を示す断面図。
【図６】 ブレード摩耗量の測定結果を示す図。
【図７】 第２の実施の形態における半導体圧力センサ
の製造工程を示す断面図。
の製造工程を示す断面図。
【図８】 第２の実施の形態における半導体圧力センサ
の製造工程を示す断面図。
の製造工程を示す断面図。
【図９】 第２の実施の形態における半導体圧力センサ
の製造工程を示す断面図。
の製造工程を示す断面図。
【図１０】 従来の半導体圧力センサの製造工程を示す
断面図。
断面図。
１…半導体圧力センサ形成用ウェハとしてのシリコンウ
ェハ、３…金属配線としてのアルミ配線、１０…ブレー
ド、１２…ブレード、１６…金属配線としてのアルミ配
線。
ェハ、３…金属配線としてのアルミ配線、１０…ブレー
ド、１２…ブレード、１６…金属配線としてのアルミ配
線。
フロントページの続き (72)発明者 富田 正弘 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体センサ形成用ウェハにおけるスク
ライブライン上に金属配線が配置された状態からブレー
ドを用いてスクライブライン上をカッティングして複数
のセンサチップに分割するに際し、当該センサチップ分
割のためのカッティングに先立ち、ブレードを用いたカ
ッティングにより前記金属配線を除去するようにしたこ
とを特徴とする半導体センサウェハの切断方法。 - 【請求項２】 金属配線除去用ブレードは、その幅が金
属配線の幅とは若干大きいものである請求項１に記載の
半導体センサウェハの切断方法。 - 【請求項３】 半導体センサ形成用ウェハにおけるスク
ライブライン上に金属配線が配置された状態からブレー
ドを用いてスクライブライン上をカッティングして複数
のセンサチップに分割するに際し、前記金属配線として
前記ブレードの幅より若干小さな幅の金属配線を用いた
ことを特徴とする半導体センサウェハの切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22397496A JPH1070094A (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 半導体センサウェハの切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22397496A JPH1070094A (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 半導体センサウェハの切断方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1070094A true JPH1070094A (ja) | 1998-03-10 |
Family
ID=16806602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22397496A Pending JPH1070094A (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 半導体センサウェハの切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1070094A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6747329B2 (en) * | 2000-12-22 | 2004-06-08 | Denso Corporation | Semiconductor sensor chip having diaphragm and method of manufacturing the same |
| JP2007294585A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの切削方法及び切削装置 |
| JP2007294729A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Fujikura Ltd | 半導体パッケージの製造方法 |
| JP2009004540A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｍｅｍｓ等のチップおよびその作製方法 |
| JP2010034515A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-02-12 | Canon Inc | ダイシング方法、該ダイシング方法のプログラム及び記憶媒体 |
| JP2013143500A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法及び加工装置 |
| JP2020043141A (ja) * | 2018-09-06 | 2020-03-19 | 三菱電機株式会社 | 物理量検出センサの製造方法、物理量検出センサ |
-
1996
- 1996-08-26 JP JP22397496A patent/JPH1070094A/ja active Pending
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| JP2020043141A (ja) * | 2018-09-06 | 2020-03-19 | 三菱電機株式会社 | 物理量検出センサの製造方法、物理量検出センサ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050405 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050802 |