JP2004140179A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体チップ21の側面21−1〜21−4と裏面21Aとが交わる部分の所定の位置に、曲率半径が0.5μm〜50μmの曲面22−1〜22−4を備えることを特徴としている。半導体チップの裏面側のエッジを曲面にしたので、クラックの起点となるチッピングを除去するとともに、応力が集中するのを抑制でき、抗折強度(曲げ強度)を向上できる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関するもので、特にチップの抗折強度を向上できる半導体チップの形状とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体チップ11の側面11−1〜11−4と裏面11Aとのエッジには、図8に示す如く、ダイシング時のチッピング(カケ)12等により多数の凸凹が形成されている。図9(a),(b),(c)は、実際の半導体チップ11のSEM(Scanning Electron Microscope)写真であり、(a)図及び(b)図は半導体チップ11を裏面11A側から見た1つの角部のSEM写真、(c)図は半導体チップ11を側面から見たSEM写真である。
【0003】
このように、従来の半導体チップ11のエッジには、ダイシング工程等においてチッピングによる多数のダメージが形成されている。
【0004】
このため、図10(a)に示すように、例えばリードフレームやTABテープへのマウント工程におけるピックアップ時の圧力、あるいはパッケージ材料と半導体チップ11との熱膨張特性の違いによる圧力Fが素子形成面11B側に加わると、図10(b)に示すように、チッピング12への応力集中等によって、このチッピング12を起点として半導体チップ11が割れ易い。
【0005】
上記半導体チップ11の裏面11Aのエッジに発生するチッピングを低減するために、先ダイシング(DBGとも呼ぶ、Dicing Before Grindingの略)法と呼ばれる技術が提案されている(例えば特許文献1参照)。この技術を用いることによって、図11に示すように、半導体チップ11の側面11−1〜11−4と裏面11Aとのエッジに発生するチッピング12を大幅に抑制できる。図12(a),(b),(c)は、先ダイシング法を用いて形成した実際の半導体チップ11のSEM写真であり、(a)図及び(b)図は半導体チップ11を裏面11A側から見た1つの角部のSEM写真、(c)図は半導体チップ11を側面から見たSEM写真である。
【0006】
しかし、半導体チップ11を薄型化(100μm以下)した場合や細長い形状の半導体チップ11においては、たとえチッピング12が無い状態でも半導体チップ11の裏面11Aのエッジそのものに応力が集中してしまい、半導体チップ11の強度が著しく低くなる。
【0007】
このため、半導体チップ11をパッケージングするまでの組み立て工程や信頼性試験等で半導体チップ11が割れてしまい、不良品が発生する、という問題を抱えている。
【0008】
【特許文献1】
特開昭61−112345号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように従来の半導体装置及びその製造方法は、半導体チップを薄型化した場合や細長い形状の半導体チップにおいて、組み立て工程や信頼性試験等で半導体チップが割れてしまう、という問題があった。
【0010】
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、抗折強度を向上できる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、半導体基板の主表面上に半導体素子が形成され、前記半導体基板において、その側面と前記主表面に対応する位置にある裏面とが交わる部分の所定の位置に、曲率半径が0.5μm〜50μmの曲面を備えることを特徴としている。
【0012】
上記のような構成によれば、半導体基板の裏面のエッジに応力が集中するのを抑制でき、抗折強度(曲げ強度)を高くできる。
【0013】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、素子が形成された半導体ウェーハのダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、前記半導体ウェーハの主表面側から裏面に達しない深さの溝を形成する工程と、前記半導体ウェーハの素子形成面に、表面保護テープを貼り付ける工程と、前記半導体ウェーハの裏面研削を行うことにより、半導体ウェーハの薄厚化と個々の半導体基板への分割とを同時に行う工程と、前記半導体基板の側面と裏面とが交わる部分の所定の位置に、曲率半径が0.5μm〜50μmの曲面を形成する工程とを具備することを特徴としている。
【0014】
上記のような方法によれば、半導体基板の裏面のエッジに形成されたダメージ層を除去するのでチッピング等に応力が集中するのを抑制でき、且つ半導体基板の裏面のエッジに応力が集中するのを抑制できるので、抗折強度を高くできる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図1及び図2(a),(b)はそれぞれ、本発明の実施の形態に係る半導体装置について説明するためのもので、図1は半導体チップ(半導体基板)21を素子形成面21Bの裏面21A側から見た斜視図、図2(a)は半導体チップ21を裏面21A側から見た1つの角部のSEM写真、(b)図は半導体チップ21を側面から拡大して見たSEM写真である。
【0016】
尚、半導体チップ21は、基板に相当する個片化されたシリコンウェーハの主表面上に、半導体素子が形成された状態で構成されている。
【0017】
本実施の形態では、図1に示す如く、半導体チップ21の側面21−1〜21−4と裏面21Aとが交わる全ての部分(エッジ)に、曲率半径(R)が0.5μm〜50μmの範囲の曲面22−1〜22−4を形成している。この曲面22−1〜22−4は、半導体チップ21の主表面21B側に形成されている素子や配線に影響を与えないように形成されている。例えば、半導体チップ21の主表面21Bに形成されるボンディングパッドより外側の領域に形成する。これによって、ボンディング時に印加される圧力によって半導体チップ21にクラックが発生するのを抑制できる。あるいはガードリングが形成されている半導体チップ21の場合には、ガードリングより外側の領域に形成することにより、素子の電気的特性に影響を与えるのを防止できる。
【0018】
実験によると、上記曲率半径(R)は、0.5μm程度から抗折強度を向上する効果が現れる。これは、図3に示すように、ダイシングによる切削やBSGによる研削によって半導体チップ21に入る傷の深さ(破砕層)ΔD1,ΔD2は0.5μm程度であり、エッジの破砕層を除去することによって抗折強度が向上するものと推察される。特に、上記半導体チップ21の側面21−1〜21−4と裏面21Aとが交わる部分とその角部23に形成される破砕層(ダメージ)の抗折強度に対する影響が大きい。そこで、上記側面21−1〜21−4と裏面21Aとが交わる部分とその角部23を、少なくとも0.5μmの曲率半径を有する形状に加工することにより、ダメージの影響を抑制できる。
【0019】
また、上記曲面22−1〜22−4によって、例えばリードフレームやTABテープへのマウント工程におけるピックアップ時、あるいは封止後にパッケージ材料と半導体チップ21との熱膨張特性の違いによる応力が半導体チップ21のエッジに集中するのを抑制できるので、この点からも抗折強度(曲げ強度)を高くできる。
【0020】
上記曲面22−1〜22−4の曲率は、半導体チップ21の厚さが20〜40μmの時に20μm程度が好適であり、シリコン自体の強度に近い1GPaの抗折強度が得られることを実験により確認した。半導体チップ21の厚さにもよるが、曲率半径が50μmを超えると、ワイヤボンディング等において、半導体チップ21の主表面21B側に形成されたボンディングパッド25へ圧力が印加されたときに、クラックが発生する可能性がある。よって、このような半導体チップ21の強度の低下を抑制するためには、曲率半径は50μmを超えないことが好ましい。
【0021】
なお、この曲面22−1〜22−4には、応力の集中をより抑制するために、変曲点がないことが好ましい。
【0022】
図4は、本発明と従来(裏面エッジにチッピングがある場合とない場合)の形状の半導体チップにおける抗折強度と不良発生率(累積)との関係を示す特性図である。図示する如く、裏面のエッジにチッピングがない場合は、チッピングがある場合に比べて抗折強度は高くなるが、本発明の場合には更に抗折強度を高くできる。
【0023】
図5は、曲率半径(R)の相違に対する半導体チップの抗折強度と不良発生率(累積)との関係を示す特性図である。曲率半径が小さい場合よりも中位の場合の方が抗折強度は高くなる。
【0024】
なお、上記実施の形態では、半導体チップ21の側面21−1〜21−4と裏面21Aとが交わる全ての部分に曲面22−1〜22−4を形成したが、更に側面21−1と21−2、21−2と21−3、21−3と21−4、及び21−4と21−1が交わる部分にもそれぞれ曲面を形成しても良い。
【0025】
次に、上記構成の半導体チップ21の製造方法について、図6の工程図により説明する。
【0026】
まず、周知の製造工程により、半導体ウェーハの主表面に種々の素子を形成する(STEP1)。
【0027】
次に、上記素子形成が終了した半導体ウェーハの主表面をダイシングし、ダイシングラインやチップ分割ラインに沿って、前記ウェーハの主表面側から裏面に達しない深さの溝、いわゆるハーフカット溝を形成する(STEP2)。このハーフカット溝の形成には、例えばダイヤモンドスクライバー、ダイヤモンドブレード、及びレーザースクライバー等を用いる。切り込みの深さは、チップの最終仕上げ厚さよりも、およそ10〜30μm(少なくとも5μm)だけ深くする。どれだけ多めにするかは、ダイサーとグラインダーの精度により決まる。
【0028】
その後、上記ハーフカット・ダイシング済みの半導体ウェーハの素子形成面に表面保護テープを貼り付け、ウェーハリングに装着する(STEP3)。この表面保護テープは、ウェーハの裏面を削り取り、薄くする過程で素子にダメージを与えないようにするものである。
【0029】
次に、上記ウェーハの裏面研削(STEP4)を行う。裏面研削工程では、砥石のついたホイールを4000〜7000rpmの高速で回転させながらウェーハの裏面を所定の厚さに削って行く。上記砥石は、人工ダイヤモンドをフェノール樹脂で固めて成形したものである。この裏面研削工程は、2軸で行うことが多い。また、予め1軸で320〜600番の砥石で荒削りした後、2軸で1500〜2000番の砥石で仕上げる方法もある。さらには、3軸で研削する方法でも良い。そして、研削が溝に達すると、半導体ウェーハは個々の半導体チップに個片化される。半導体ウェーハが個片化されてからも裏面研削を続けて所定の厚さにすることにより、半導体チップの側面と裏面とが交わる位置に形成されたチッピングを除去することができる。
【0030】
引き続き、ウェットエッチング、プラズマエッチング、ポリッシング、バフ研磨、あるいはCMP(Chemical Mechanical Polishing)等により半導体チップの裏面に鏡面加工を施す。これによって、裏面研削の条痕を除去できるので、より抗折強度を高めることができる。
【0031】
上記裏面研削によって半導体ウェーハを個片化した後、図7(a),(b)に矢印で示すように、表面保護テープ24を伸張(エキスパンド)させて半導体チップ21−1,21−2間を広げ、カーフ幅ΔD3を30μm程度にする。勿論、表面保護テープ24を伸張させるのではなく、ハーフカット溝を形成する際に、切断幅(溝の幅)を広くしても良い。いずれの場合でも、カーフ幅ΔD3は、10μm以上が好ましい。
【0032】
この状態で、機械的な加工、化学的な加工、もしくは化学的な加工と機械的な加工を組み合わせた加工のいずれか、例えばCMP、ウェットエッチング、ドライエッチング等を行って曲面22−1〜22−4を形成する。上記のようにカーフ幅ΔD3を広げることにより、CMPの時に回り込んだ研削ができ、半導体チップの側面と裏面とが交わる部分の全てに曲面を形成できる。また、ウェットエッチングで曲面を形成する際には、エッチング液が回り込み易くなる。これによって、曲率半径が0.5μm〜50μmの曲面22−1〜22−4を形成できる。この曲率半径は、上記カーフ幅ΔD3によって制御でき、カーフ幅ΔD3を広げると曲率半径が大きくなる。
【0033】
上記曲面22−1〜22−4は、例えば、半導体チップ21−1,21−2の主表面に形成されるボンディングパッド25より外側の領域に形成する。これによって、後のボンディング工程で印加される圧力によって半導体チップ21−1,21−2にクラックが発生するのを抑制できる。あるいはガードリング26が形成されている半導体チップ21−1,21−2の場合には、ガードリング26より外側の領域に形成することにより、曲面22−1〜22−4が半導体チップ21−1,21−2の主表面側に形成されている素子や配線に影響を与えることはない。
【0034】
以降は、周知の半導体装置の製造方法と同様であり、半導体チップのピックアップ工程、リードフレームやTABテープへのマウント工程、パッケージへの封止工程等の実装工程を経て半導体装置が完成される(STEP7)。
【0035】
このような製造方法によれば、先ダイシングをした後にCMPを行うので、より簡単なプロセス(少ない製造工程)で、裏面エッジに所期の曲率半径の曲面を有する半導体チップを形成できる。
【0036】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【0037】
[変形例1]
上記実施の形態では、先ダイシング技術を用いて半導体ウェーハを個々の半導体チップに分離する場合を例にとって説明したが、フルカットダイシングで分割する場合にも適用できるのは勿論である。
【0038】
[変形例2]
表面保護テープを貼り付けた後、裏面研削の前に、劈開によって半導体ウェーハを分離し、その後裏面研削を行うようにしても良い。例えばウェーハの裏面側にジグを押当て、上記ウェーハ周辺部に形成した溝を起点として、ウェーハを結晶方位に沿って劈開する。あるいはウェーハの裏面からチップ分割ラインに沿って荷重を加えることにより、上記ウェーハ周辺部に形成した溝を起点として、ウェーハを結晶方位に沿って劈開する。そして、上記ジグまたはウェーハを順次移動させながら、溝を起点としてウェーハを結晶方位に沿って劈開する。
【0039】
[変形例3]
上記実施の形態では、半導体ウェーハが個々の半導体チップに分離された後でエッチングして曲面を形成したが、裏面研削の前にエッチングして溝の開口部を広げることにより曲面を形成しても良い。その後、裏面研削を行って個々の半導体チップに分離すれば、上記実施の形態と同様に、半導体チップの側面と裏面とが交わる部分の全てに曲面を形成できる。
【0040】
[変形例4]
上記実施の形態では、曲面の形成をエッチングで行う場合を例にとって説明したが、機械的な加工もしくは化学的な加工(ウェットエッチング/ドライエッチング(プラズマ/レーザー等))もしくは、化学的並びに機械的な加工性を持ったCMPで行う。また化学的な加工において、裏面のエッジを丸くするためにエッジ以外の部分にマスクを形成し、化学的エッチングを施しても構わない。
【0041】
[変形例5]
半導体チップの裏面を鏡面加工する場合を例にとって説明したが、必ずしも必須の工程ではなく、半導体チップの側面及び裏面に条痕等の微小な凹凸(機械的な加工による凹凸)が残存している状態でも抗折強度を高める効果は得られる。
【0042】
[変形例6]
上記実施の形態では、表面保護テープを、ウェーハリングに装着する場合を例にとって説明したが、ウェーハリングは必ずしも用いなくても良い。
【0043】
尚、本実施の形態では、前述の如く、半導体チップにおいて、その側面と裏面とが交わる全ての部分に、前述の曲率半径を有する曲面を形成している。しかしながら、半導体チップの形状等に応じては、全ての部分にこのような曲面を形成する必要は無い。例えば、半導体チップの形状が長方形である場合、長辺の2辺だけに形成する等、必要な部分にだけ、前述の曲率を有する曲面を形成しても同様の効果を得ることができる。
【0044】
以上実施の形態とその変形例を用いて本発明の説明を行ったが、本発明は上記実施の形態とその変形例に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記実施の形態及びその変形例には種々の段階の発明が含まれており、各工程を実施する順序等を含め、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば実施の形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【0045】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、抗折強度を向上できる半導体装置及びその製造方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る半導体装置について説明するためのもので、半導体チップを素子形成面の裏面側から見た斜視図。
【図2】本発明の実施の形態に係る半導体装置について説明するためのもので、(a)図は半導体チップを裏面側から見た1つの角部のSEM写真、(b)図は半導体チップを側面から拡大して見たSEM写真。
【図3】本発明と従来(裏面エッジにチッピングがある場合とない場合)の形状の半導体チップにおける抗折強度と不良発生率(累積)との関係を示す特性図。
【図4】曲率半径の相違に対する半導体チップの抗折強度と不良発生率(累積)との関係を示す特性図。
【図5】曲率半径(R)の相違に対する半導体チップの抗折強度と不良発生率(累積)との関係を示す特性図。
【図6】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための工程図。
【図7】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法における一部の工程について詳しく説明するためのもので、(a)図は表面保護テープを透視して示す平面図、(b)図は(a)図の7B−7B線に沿った断面図。
【図8】従来の半導体装置について説明するためのもので、半導体チップを裏面側から見た斜視図。
【図9】従来の半導体装置について説明するためのもので、(a)図及び(b)図は半導体チップを裏面側から見た1つの角部のSEM写真、(c)図は半導体チップを側面から見たSEM写真。
【図10】従来の半導体装置について説明するためのもので、(a)図は半導体チップに加わる応力について説明するための図、(b)図はクラックの発生について説明するための図。
【図11】従来の改良された半導体装置について説明するためのもので、半導体チップを裏面側から見た斜視図。
【図12】従来の改良された半導体装置について説明するためのもので、(a)図及び(b)図は半導体チップを裏面側から見た1つの角部のSEM写真、(c)図は半導体チップを側面から見たSEM写真。
【符号の説明】
21…半導体チップ(半導体基板)
21−1〜21−4…半導体チップの側面
21A…半導体チップの裏面
21B…半導体チップの主表面
22−1〜22−4…曲面
23…角部
24…表面保護テープ
25…ボンディングパッド
26…ガードリング
Claims (17)
- 半導体基板の主表面上に半導体素子が形成され、前記半導体基板において、その側面と前記主表面に対応する位置にある裏面とが交わる部分の所定の位置に、曲率半径が0.5μm〜50μmの曲面を備えることを特徴とする半導体装置。
- 前記曲面は、前記半導体基板の側面と前記裏面とが交わる部分の全てに形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子が形成された半導体基板の厚さは、20〜40μmであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板において、前記曲面は、前記半導体基板の主表面側に形成されるボンディングパッドより外側の領域に形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1つの項に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板において、前記曲面は、前記半導体基板の主表面側に形成されるガードリングより外側の領域に形成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1つの項に記載の半導体装置。
- 前記曲面は、変曲点を持たないことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1つの項に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板の裏面側は鏡面化されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1つの項に記載の半導体装置。
- 素子が形成された半導体ウェーハのダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、前記半導体ウェーハの主表面側から裏面に達しない深さの溝を形成する工程と、
前記半導体ウェーハの素子形成面に、表面保護テープを貼り付ける工程と、
前記半導体ウェーハの裏面研削を行うことにより、半導体ウェーハの薄厚化と個々の半導体基板への分割とを同時に行う工程と、
前記半導体基板の側面と裏面とが交わる部分の所定の位置に、曲率半径が0.5μm〜50μmの曲面を形成する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記曲面は、前記半導体基板の側面と前記裏面とが交わる部分の全てに形成されていることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記裏面側を鏡面加工する工程を更に具備することを特徴とする請求項8または9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記溝を形成する工程は、ダイヤモンドスクライバー、ダイヤモンドブレード、及びレーザースクライバーのいずれかで行うことを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1つの項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記溝を形成した後、前記溝を起点にして前記半導体ウェーハを劈開する工程を更に具備することを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1つの項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記表面保護テープを、ウェーハリングに装着する工程を更に具備することを特徴とする請求項8乃至12のいずれか1つの項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板の各々の間は、10μm以上であることを特徴とする請求項8乃至13のいずれか1つの項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記曲面を形成する工程は、機械的な加工、化学的な加工、もしくは化学的な加工と機械的な加工を組み合わせた加工のいずれか1つを含むことを特徴とする請求項8乃至14のいずれか1つの項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記曲面を形成する工程は、CMP、ウェットエッチング、ドライエッチングの少なくともいずれか1つを含むことを特徴とする請求項8乃至15のいずれか1つの項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板の各々の間は、カーフ幅に相当することを特徴とする請求項8乃至16のいずれか1つの項に記載の半導体装置の製造方法。
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