JPH1062802A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH1062802A JPH1062802A JP27279296A JP27279296A JPH1062802A JP H1062802 A JPH1062802 A JP H1062802A JP 27279296 A JP27279296 A JP 27279296A JP 27279296 A JP27279296 A JP 27279296A JP H1062802 A JPH1062802 A JP H1062802A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 横電界方式のアクティブマトリックス型液晶
表示装置で、視野角特性が良行で、残像や階調反転がな
く、フリッカーやクロストークのない、高表示品質の画
像を実現する。 【構成】 表示画素が走査信号線、映像信号配線、画素
電極及び、アクティブ素子により基板上に構成され、該
基板上には、液晶の配向膜が直接または、絶縁層を介し
て形成されており、液晶の配向膜を形成したもう一方の
カラーフィルター基板と対向して配置され、前記両基板
により、液晶層が、挾持され、前記各電極と前記アクテ
ィブ素子は、前記液晶層に対し、実質的に、前記基板と
平行な電界が印加できるよう構成され、前記各電極と前
記アクティブ素子は、表示パターンに応じ印加電界を任
意に制御できる外部の制御手段と接続されており、前記
液晶層の配向状態により、光学特性を変化させる偏光手
段を備えたアクティブマトリックス型表示装置であっ
て、前記画素電極を構成している液晶駆動電極と共通電
極の距離を不均一にした構造配置になっているアクティ
ブマトリックス型液晶表示装置
表示装置で、視野角特性が良行で、残像や階調反転がな
く、フリッカーやクロストークのない、高表示品質の画
像を実現する。 【構成】 表示画素が走査信号線、映像信号配線、画素
電極及び、アクティブ素子により基板上に構成され、該
基板上には、液晶の配向膜が直接または、絶縁層を介し
て形成されており、液晶の配向膜を形成したもう一方の
カラーフィルター基板と対向して配置され、前記両基板
により、液晶層が、挾持され、前記各電極と前記アクテ
ィブ素子は、前記液晶層に対し、実質的に、前記基板と
平行な電界が印加できるよう構成され、前記各電極と前
記アクティブ素子は、表示パターンに応じ印加電界を任
意に制御できる外部の制御手段と接続されており、前記
液晶層の配向状態により、光学特性を変化させる偏光手
段を備えたアクティブマトリックス型表示装置であっ
て、前記画素電極を構成している液晶駆動電極と共通電
極の距離を不均一にした構造配置になっているアクティ
ブマトリックス型液晶表示装置
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、広視野角・高画質の大
画面アクティブマトリックス型液晶表示装置に関する。
画面アクティブマトリックス型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のアクティブマトリックス型液晶表
示装置の一方の基板上に形成した櫛歯状電極対を用いて
液晶組成物層に電界を印加する方式が、例えば特開平７
−３６０５８号や特開平７−１５９７８６号、特開平６
−１６０８７８号公報により提案されている。以下液晶
組成物層に印加する主たる電界方向が、基板界面にほぼ
平行な方向である表示方式を、横電界方式と称する。図
１、図２が従来の横電界方式の例である。櫛歯状の画素
電極である液晶駆動電極と共通電極とは、直線状で
平行に配置されており、との電極間距離ａは、すべ
て同じである。
示装置の一方の基板上に形成した櫛歯状電極対を用いて
液晶組成物層に電界を印加する方式が、例えば特開平７
−３６０５８号や特開平７−１５９７８６号、特開平６
−１６０８７８号公報により提案されている。以下液晶
組成物層に印加する主たる電界方向が、基板界面にほぼ
平行な方向である表示方式を、横電界方式と称する。図
１、図２が従来の横電界方式の例である。櫛歯状の画素
電極である液晶駆動電極と共通電極とは、直線状で
平行に配置されており、との電極間距離ａは、すべ
て同じである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】横電界方式の液晶セル
の駆動電圧に対する透過率特性は、図３にあるようにあ
る電圧以上の電圧を印加すると輝度が低下してしまう。
映像信号電圧が、すこし高すぎるような場合には、画像
の階調が反転してしまうことになる。階調表示特性にお
いて、この階調反転は、非常に大きな問題であり、きわ
めて不自然な画像表示となってしまう。
の駆動電圧に対する透過率特性は、図３にあるようにあ
る電圧以上の電圧を印加すると輝度が低下してしまう。
映像信号電圧が、すこし高すぎるような場合には、画像
の階調が反転してしまうことになる。階調表示特性にお
いて、この階調反転は、非常に大きな問題であり、きわ
めて不自然な画像表示となってしまう。
【０００４】横電界方式の液晶表示装置では、液晶駆動
電圧が従来の縦電界方式のＴＮ液晶表示装置よりも高く
なる傾向があり、駆動するドライバーＩＣも高電圧出力
のものが要求され、コスト高になる問題があった。
電圧が従来の縦電界方式のＴＮ液晶表示装置よりも高く
なる傾向があり、駆動するドライバーＩＣも高電圧出力
のものが要求され、コスト高になる問題があった。
【０００５】さらに横電界方式の液晶表示装置で用いら
れる配向膜と液晶にはプレチルト角が１度以下の組み合
せが要求され、従来のＴＮ液晶表示装置で用いられてい
た４度〜７度付近の配向膜が使用できない。そのため
に、横電界方式の液晶表示装置を従来のＴＮ液晶表示装
置の製造ラインで作る場合、配向膜の材料や液晶材料の
変更が必要となり、生産効率が低下するという問題が発
生する。
れる配向膜と液晶にはプレチルト角が１度以下の組み合
せが要求され、従来のＴＮ液晶表示装置で用いられてい
た４度〜７度付近の配向膜が使用できない。そのため
に、横電界方式の液晶表示装置を従来のＴＮ液晶表示装
置の製造ラインで作る場合、配向膜の材料や液晶材料の
変更が必要となり、生産効率が低下するという問題が発
生する。
【０００６】またカラーフィルター基板には、従来のＴ
Ｎ液晶表示装置のように表面全体に透明導電性膜がない
ために静電気の影響をうけやすく、チャージアップした
場合、配向不良をおこす問題がある。
Ｎ液晶表示装置のように表面全体に透明導電性膜がない
ために静電気の影響をうけやすく、チャージアップした
場合、配向不良をおこす問題がある。
【０００７】横電界方式の液晶表示装置で用いられる画
素電極の加工は、ウェットエッチング加工によるものが
多く、電極間距離を非常に小さくすることができない。
そのために液晶の応答速度は従来のＴＮ液晶よりもおそ
く、動画対応が困難であった。
素電極の加工は、ウェットエッチング加工によるものが
多く、電極間距離を非常に小さくすることができない。
そのために液晶の応答速度は従来のＴＮ液晶よりもおそ
く、動画対応が困難であった。
【０００８】本発明は、これらの課題を解決するもので
あり、その目的とするところは、階調反転のない、視角
特性が良好で、低電圧駆動ＩＣが利用でき、応答速度の
速い横電界液晶表示装置を提供することにある。さら
に、使用可能な液晶組成物及び配向膜材料の選択の自由
度を上げ、液晶プロセスの歩留りを向上し、コストを安
くすることである。
あり、その目的とするところは、階調反転のない、視角
特性が良好で、低電圧駆動ＩＣが利用でき、応答速度の
速い横電界液晶表示装置を提供することにある。さら
に、使用可能な液晶組成物及び配向膜材料の選択の自由
度を上げ、液晶プロセスの歩留りを向上し、コストを安
くすることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決し、上記
目的を達成するために本発明では、以下の手段を用い
る。基板上に走査信号配線と映像信号配線と前記走査信
号配線と映像信号配線との各交差部に形成された薄膜ト
ランジスターと、前記薄膜トランジスタに接続された液
晶駆動電極と、少なくとも一部が前記液晶駆動電極と対
向して形成された共通電極とを有するアクティブマトリ
ックス基板と、前記アクティブマトリックス基板に対向
する対向基板と、前記アクティブマトリックス基板と前
記対向基板に挾持された液晶層とからなる液晶表示装置
において、 〔手段１〕前記液晶駆動電極と前記共通電極との電極間
距離が、１画素内で、すべて均一でなく、２種類以上の
電極間距離の組み合せとした。
目的を達成するために本発明では、以下の手段を用い
る。基板上に走査信号配線と映像信号配線と前記走査信
号配線と映像信号配線との各交差部に形成された薄膜ト
ランジスターと、前記薄膜トランジスタに接続された液
晶駆動電極と、少なくとも一部が前記液晶駆動電極と対
向して形成された共通電極とを有するアクティブマトリ
ックス基板と、前記アクティブマトリックス基板に対向
する対向基板と、前記アクティブマトリックス基板と前
記対向基板に挾持された液晶層とからなる液晶表示装置
において、 〔手段１〕前記液晶駆動電極と前記共通電極との電極間
距離が、１画素内で、すべて均一でなく、２種類以上の
電極間距離の組み合せとした。
【００１０】〔手段２〕手段１において、液晶駆動電極
と共通電極との電極間距離が、１画素内で、２種類以上
存在し、画素の中央を境にして異なる電極間距離を、左
右対称または、上下対称に配置した。
と共通電極との電極間距離が、１画素内で、２種類以上
存在し、画素の中央を境にして異なる電極間距離を、左
右対称または、上下対称に配置した。
【００１１】〔手段３〕共通電極を映像信号配線の伸び
ている方向に連結し、有効表示画面内部では、共通電極
が映像信号配線を横ぎって互いに連結しない構造とし
た。
ている方向に連結し、有効表示画面内部では、共通電極
が映像信号配線を横ぎって互いに連結しない構造とし
た。
【００１２】〔手段４〕手段３において、映像信号配線
の伸びている方向に連結された共通電極を、奇数群と偶
数群に分離し、走査信号の周期にあわせて奇数群と偶数
群の共通電極にそれぞれ逆相の電圧波形を印加させ、か
つ奇数群と偶数群の共通電極に対向している液晶駆動電
極に、共通電極とは逆相の映像信号波形をそれぞれ印加
する駆動方式を特徴とする液晶表示装置。
の伸びている方向に連結された共通電極を、奇数群と偶
数群に分離し、走査信号の周期にあわせて奇数群と偶数
群の共通電極にそれぞれ逆相の電圧波形を印加させ、か
つ奇数群と偶数群の共通電極に対向している液晶駆動電
極に、共通電極とは逆相の映像信号波形をそれぞれ印加
する駆動方式を特徴とする液晶表示装置。
【００１３】〔手段５〕横電界方式の液晶駆動電極にお
いて、液晶駆動電極と共通電極とが絶縁膜を介して重畳
されることで形成された付加容量よりも、液晶駆動電極
と走査信号配線とが、絶縁膜を介して重畳されることで
形成された付加容量の方が大きくなるような構造とし
た。
いて、液晶駆動電極と共通電極とが絶縁膜を介して重畳
されることで形成された付加容量よりも、液晶駆動電極
と走査信号配線とが、絶縁膜を介して重畳されることで
形成された付加容量の方が大きくなるような構造とし
た。
【００１４】〔手段６〕手段５において、共通電極の電
位は固定しておき、液晶駆動電極には、走査信号の周期
にあわせて、共通電極電位に対して正負の映像信号電圧
を交互に書きこみ、かつ前記液晶組成物層に印加される
電圧がより高まるように、絶縁膜を介して液晶駆動電極
と重畳されている走査信号配線にも電圧信号波形を印加
する容量結合駆動方式を用いた液晶表示装置。
位は固定しておき、液晶駆動電極には、走査信号の周期
にあわせて、共通電極電位に対して正負の映像信号電圧
を交互に書きこみ、かつ前記液晶組成物層に印加される
電圧がより高まるように、絶縁膜を介して液晶駆動電極
と重畳されている走査信号配線にも電圧信号波形を印加
する容量結合駆動方式を用いた液晶表示装置。
【００１５】〔手段７〕横電界方式の液晶表示装置にお
いて、薄膜半導体層に不純物をドーピングし、活性化し
て低抵抗化して液晶駆動電極とした。
いて、薄膜半導体層に不純物をドーピングし、活性化し
て低抵抗化して液晶駆動電極とした。
【００１６】〔手段８〕手段７において、前記映像信号
配線と画素電極が、液晶配向方向に対して±１度から±
４５度の角度の範囲で、屈曲している構造配置にした。
配線と画素電極が、液晶配向方向に対して±１度から±
４５度の角度の範囲で、屈曲している構造配置にした。
【００１７】〔手段９〕手段７において、前記走査信号
配線と画素電極が、液晶配向方向に対し、±１度から±
４５度の角度の範囲で、屈曲している構造配置にした。
配線と画素電極が、液晶配向方向に対し、±１度から±
４５度の角度の範囲で、屈曲している構造配置にした。
【００１８】〔手段１０〕手段７において、前記映像信
号配線と、画素電極が、液晶配向方向に対し、９０度を
のぞく４５度から１３５度の範囲で屈曲している構造配
置にした。
号配線と、画素電極が、液晶配向方向に対し、９０度を
のぞく４５度から１３５度の範囲で屈曲している構造配
置にした。
【００１９】〔手段１１〕手段７において、前記走査信
号配線と画素電極が、液晶配向方向に対し、９０度をの
ぞく４５度から１３５度の範囲で屈曲している構造配置
にした。
号配線と画素電極が、液晶配向方向に対し、９０度をの
ぞく４５度から１３５度の範囲で屈曲している構造配置
にした。
【００２０】〔手段１２〕横電界方式の液晶表示装置に
おいて、対向基板に形成されたカラーフィルター層の上
をおおうオーバーコート層に、高抵抗材（１０９Ω・ｃ
ｍ〜１０１１Ω・ｃｍ）を用いた。
おいて、対向基板に形成されたカラーフィルター層の上
をおおうオーバーコート層に、高抵抗材（１０９Ω・ｃ
ｍ〜１０１１Ω・ｃｍ）を用いた。
【００２１】〔手段１３〕手段１２において、カラーフ
ィルター層とオーバーコート層と、液晶層の厚みを合計
したものが、液晶駆動電極と共通電極との電極間距離の
２倍以上あることを特徴とする液晶表示装置。
ィルター層とオーバーコート層と、液晶層の厚みを合計
したものが、液晶駆動電極と共通電極との電極間距離の
２倍以上あることを特徴とする液晶表示装置。
【００２２】〔手段１４〕横電界方式の液晶表示装置に
おいて、対向基板に形成されたカラーフィルター層の上
をおおうオーバーコート層に絶縁膜を用い、Ｒ，Ｇ，Ｂ
カラーフィルターの境界のオーバーコート絶縁膜上に導
電性、または半導体の電極をブラックマスクとして形成
した。
おいて、対向基板に形成されたカラーフィルター層の上
をおおうオーバーコート層に絶縁膜を用い、Ｒ，Ｇ，Ｂ
カラーフィルターの境界のオーバーコート絶縁膜上に導
電性、または半導体の電極をブラックマスクとして形成
した。
【００２３】〔手段１５〕横電界方式の液晶表示装置の
製造工程において、液晶を配向させるための配向膜を塗
布し、焼成後、配向膜にＵＶ照射処理または、Ｈｅ，Ｎ
ｅ，Ａｒ，Ｎ２，Ｏ２などのイオンインプランテーショ
ン処理やプラズマ処理をした後、ラビング処理すること
で、液晶プレチルト角を１度以下に低下させた。
製造工程において、液晶を配向させるための配向膜を塗
布し、焼成後、配向膜にＵＶ照射処理または、Ｈｅ，Ｎ
ｅ，Ａｒ，Ｎ２，Ｏ２などのイオンインプランテーショ
ン処理やプラズマ処理をした後、ラビング処理すること
で、液晶プレチルト角を１度以下に低下させた。
【００２４】〔手段１６〕手段３において、映像信号配
線の伸びている方向に連結された共通電極を、奇数群と
偶数群に分離し、かつ映像信号配線を画面の中央で上下
に２分割した。
線の伸びている方向に連結された共通電極を、奇数群と
偶数群に分離し、かつ映像信号配線を画面の中央で上下
に２分割した。
【００２５】〔手段１７〕手段１６において、画面の中
央で上下の群に２分割された走査信号配線を同時に上群
と下群とで駆動し、上下の映像信号配線には、奇数群と
偶数群とで逆相の映像信号電圧波形を印加し、共通電極
の奇数群と偶数群には、それぞれの映像信号配線の電圧
波形と逆相の共通電極駆動波形を印加することで、同時
に画面の上下の２本の水平ラインに異なる映像信号を書
きこむ駆動方式を特徴とする液晶表示装置。
央で上下の群に２分割された走査信号配線を同時に上群
と下群とで駆動し、上下の映像信号配線には、奇数群と
偶数群とで逆相の映像信号電圧波形を印加し、共通電極
の奇数群と偶数群には、それぞれの映像信号配線の電圧
波形と逆相の共通電極駆動波形を印加することで、同時
に画面の上下の２本の水平ラインに異なる映像信号を書
きこむ駆動方式を特徴とする液晶表示装置。
【００２６】
【作用】上記手段１，２の如く、前記液晶駆動電極と、
前記共通電極との電極間距離が、１画素内ですべて均一
でなく、２種類以上の電極間距離の組み合せて構成され
ている場合、図３にあるように、一番短かい電極間距離
の所が階調反転しても、電極間距離の広い所では、反転
が生じていないので、画素全体では、階調反転がくいと
められる。図５，図６，図８，図１０，にあるように画
素の中央を境にして、異なる電極間距離が、左右対称ま
たは、上下対称に配置されている場合には、走査信号配
線や映像信号配線に一番近接している電極の電極間距離
を大きくすることで、クロストークの少ない均一な画像
を得ることができる。
前記共通電極との電極間距離が、１画素内ですべて均一
でなく、２種類以上の電極間距離の組み合せて構成され
ている場合、図３にあるように、一番短かい電極間距離
の所が階調反転しても、電極間距離の広い所では、反転
が生じていないので、画素全体では、階調反転がくいと
められる。図５，図６，図８，図１０，にあるように画
素の中央を境にして、異なる電極間距離が、左右対称ま
たは、上下対称に配置されている場合には、走査信号配
線や映像信号配線に一番近接している電極の電極間距離
を大きくすることで、クロストークの少ない均一な画像
を得ることができる。
【００２７】上記手段３，４により、横電界方式の液晶
表示装置でも、ドット反転駆動方式の映像信号駆動電圧
を半分以下に低減することが可能となる。５Ｖ駆動の映
像信号駆動ＩＣを使用することができるので、コストを
安くすることができる。図１６，図１７にあるようにド
ット反転駆動では、水平クロストークと水直クロストー
クが発生しにくいので、良好な画質を得ることができ
る。さらに図１３にあるように、共通電極の連結部でＴ
ＦＴ部分を完全におおうことで、ＴＦＴに光が進入する
ことを防止できるので、カラーフィルター側のブラック
マスクを省略することができ、カラーフィルターのコス
トをさげることが可能となる。ＣＦ側ブラックマスクが
なくなることで、開口率が上昇し輝度の明るい液晶パネ
ルを作ることができる。
表示装置でも、ドット反転駆動方式の映像信号駆動電圧
を半分以下に低減することが可能となる。５Ｖ駆動の映
像信号駆動ＩＣを使用することができるので、コストを
安くすることができる。図１６，図１７にあるようにド
ット反転駆動では、水平クロストークと水直クロストー
クが発生しにくいので、良好な画質を得ることができ
る。さらに図１３にあるように、共通電極の連結部でＴ
ＦＴ部分を完全におおうことで、ＴＦＴに光が進入する
ことを防止できるので、カラーフィルター側のブラック
マスクを省略することができ、カラーフィルターのコス
トをさげることが可能となる。ＣＦ側ブラックマスクが
なくなることで、開口率が上昇し輝度の明るい液晶パネ
ルを作ることができる。
【００２８】上記手段５，６により、横電界方式の液晶
表示装置でも、水平ライン反転駆動方式の映像信号駆動
電圧を半分以下に低減することが可能となる。図２４，
図２７，図２９にあるように、絶縁膜を介して液晶駆動
電極と走査信号配線に大きな容量を形成し、この容量を
用いて液晶駆動電極の電位をコントロールするために、
共通電極に特別な駆動信号波形を印加する必要はない。
つまり共通電極電位は、映像信号電圧の中央値に近い電
位に固定しておけばよい。従来の水平ライン反転駆動方
式では、共通電極全体を、走査信号配線の周期にあわせ
て映像信号波形と逆相の電圧波形で駆動するため、共通
電極の抵抗値を小さくしなければならず材料の自由度が
なかった。共通電極全体では、映像信号配線と重畳する
面積が大きく全体の容量が大きくなるために、駆動する
場合、消費電力が大きくなるという問題があった。これ
をさけるために図６０，図６１のような駆動方式もある
が、共通電極を個別に駆動するための引き出し端子が増
加するという問題があった。引き出し端子の増加は、駆
動ＩＣの数の増加、ＩＣコストの増加、接続不良の増加
の原因になる。本発明のように共通電極電位を固定し
て、容量結合水平ライン反転駆動により横電界方式液晶
を駆動することで、超大型液晶表示装置を、コスト安
く、しかも消費電力の増加を最小におさえて実現するこ
とができる。横電界方式の場合には、従来の縦電界方式
と異なり、走査信号配線と液晶駆動電極とが形成する容
量にくらべて大きく形成できる。このために図４１、に
あるように、走査信号配線の駆動電圧振幅Ｖ＊を小さく
できるので、ＴＦＴにかかるバイアス電圧も小さくなり
ＴＦＴの特性シフトを小さくおさえることができる。こ
のことで、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート絶縁膜
の形成温度をさげることが可能となり、大型基板製造時
のタクトタイムの短縮と基板の熱歪曲や、熱収縮の低減
につながり製造コストの低減が可能となる。
表示装置でも、水平ライン反転駆動方式の映像信号駆動
電圧を半分以下に低減することが可能となる。図２４，
図２７，図２９にあるように、絶縁膜を介して液晶駆動
電極と走査信号配線に大きな容量を形成し、この容量を
用いて液晶駆動電極の電位をコントロールするために、
共通電極に特別な駆動信号波形を印加する必要はない。
つまり共通電極電位は、映像信号電圧の中央値に近い電
位に固定しておけばよい。従来の水平ライン反転駆動方
式では、共通電極全体を、走査信号配線の周期にあわせ
て映像信号波形と逆相の電圧波形で駆動するため、共通
電極の抵抗値を小さくしなければならず材料の自由度が
なかった。共通電極全体では、映像信号配線と重畳する
面積が大きく全体の容量が大きくなるために、駆動する
場合、消費電力が大きくなるという問題があった。これ
をさけるために図６０，図６１のような駆動方式もある
が、共通電極を個別に駆動するための引き出し端子が増
加するという問題があった。引き出し端子の増加は、駆
動ＩＣの数の増加、ＩＣコストの増加、接続不良の増加
の原因になる。本発明のように共通電極電位を固定し
て、容量結合水平ライン反転駆動により横電界方式液晶
を駆動することで、超大型液晶表示装置を、コスト安
く、しかも消費電力の増加を最小におさえて実現するこ
とができる。横電界方式の場合には、従来の縦電界方式
と異なり、走査信号配線と液晶駆動電極とが形成する容
量にくらべて大きく形成できる。このために図４１、に
あるように、走査信号配線の駆動電圧振幅Ｖ＊を小さく
できるので、ＴＦＴにかかるバイアス電圧も小さくなり
ＴＦＴの特性シフトを小さくおさえることができる。こ
のことで、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート絶縁膜
の形成温度をさげることが可能となり、大型基板製造時
のタクトタイムの短縮と基板の熱歪曲や、熱収縮の低減
につながり製造コストの低減が可能となる。
【００２９】上記手段７により、液晶駆動電極を、薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）のドレイン電極形成時に同時に
形成することができるようになる。薄膜シリコン層の加
工には、ドライエッチングの方法が用いられるので、従
来のウェットエッチングを用いた加工方法よりも、微細
化と加工精度をはるかに向上することができる。図４
２，図４３，図４４，図５７にあるように、液晶駆動電
極をドレイン電極と同時に形成することで、ドレイン電
極と液晶駆動電極とのコンタクト不良問題が発生しなく
なり、液晶駆動電極と共通電極との電極間距離の加工精
度もあがるので、画面全体で輝度ムラの発生が減少す
る。液晶駆動電極と共通電極の両方をドライエッチング
で加工することにより電極間距離を小さくすることがで
きるので、液晶駆動電圧をさげることができ、液晶の応
答速度をあげることも同時に可能となる。
トランジスタ（ＴＦＴ）のドレイン電極形成時に同時に
形成することができるようになる。薄膜シリコン層の加
工には、ドライエッチングの方法が用いられるので、従
来のウェットエッチングを用いた加工方法よりも、微細
化と加工精度をはるかに向上することができる。図４
２，図４３，図４４，図５７にあるように、液晶駆動電
極をドレイン電極と同時に形成することで、ドレイン電
極と液晶駆動電極とのコンタクト不良問題が発生しなく
なり、液晶駆動電極と共通電極との電極間距離の加工精
度もあがるので、画面全体で輝度ムラの発生が減少す
る。液晶駆動電極と共通電極の両方をドライエッチング
で加工することにより電極間距離を小さくすることがで
きるので、液晶駆動電圧をさげることができ、液晶の応
答速度をあげることも同時に可能となる。
【００３０】上記手段７，８，９，１０，１１を用いる
ことで、図５２，図５３にあるように、画素電極（液晶
駆動電極と、共通電極の一部）内で、横電界が印加され
た場合、液晶分子は、画素電極内部で左回転と右回転の
２通りの回転運動が、発生する。図５１の従来の横電界
方式では、一方向の回転運動だけなので、プレチルト角
が大きい場合、図５０のように、視野角の特性に片より
が発生する。ひとつの画素内部で、左回転と右回転の２
通りの液晶分子の回転運動が発生する場合には、プレチ
ルト角が大きくても、視野角の特性の片よりが発生しな
い。このことより、本発明の構造を用いた横電界方式の
液晶表示装置では、プレチルト角の制限をうけないの
で、配向膜と液晶の選択の自由度が大きくなる。液晶プ
ロセスで使用するシール材と配向膜、注入口封止材など
従来の縦界方式の液晶セルプロセスで使用していたもの
を使用することができるので、生産効率、投資効率を上
げることができる。偏光板の有効利用率もあがるのでコ
ストｄｏｗｎができる。階調反転も防止できる。
ことで、図５２，図５３にあるように、画素電極（液晶
駆動電極と、共通電極の一部）内で、横電界が印加され
た場合、液晶分子は、画素電極内部で左回転と右回転の
２通りの回転運動が、発生する。図５１の従来の横電界
方式では、一方向の回転運動だけなので、プレチルト角
が大きい場合、図５０のように、視野角の特性に片より
が発生する。ひとつの画素内部で、左回転と右回転の２
通りの液晶分子の回転運動が発生する場合には、プレチ
ルト角が大きくても、視野角の特性の片よりが発生しな
い。このことより、本発明の構造を用いた横電界方式の
液晶表示装置では、プレチルト角の制限をうけないの
で、配向膜と液晶の選択の自由度が大きくなる。液晶プ
ロセスで使用するシール材と配向膜、注入口封止材など
従来の縦界方式の液晶セルプロセスで使用していたもの
を使用することができるので、生産効率、投資効率を上
げることができる。偏光板の有効利用率もあがるのでコ
ストｄｏｗｎができる。階調反転も防止できる。
【００３１】上記手段１２，１３，１４を用いること
で、カラーフィルター全面に透明導電体膜（ＩＴＯ）が
なくても液晶セルプロセスでの静電気のチャージアップ
がなくなりパーティクルの付着が減少する。配向膜にも
本発明と同程度（１０９Ω・ｃｍ〜１０１１Ω・ｃｍ）
の抵抗性を持たせることで、その効果は増大する。図４
５，図４６，図４７，図４８，図４９にあるように、▲
３５▼，▲３６▼，▲４２▼，▲４０▼は、ＩＴＯや金
属または金属酸化物と金属の積層物か、金属シリサイ
ド、不純物ドーピング活性した半導体層を用いることで
液晶セル完成後に、外部からの静電気ダメージを完全に
防止することができる。高抵抗層のオーバーコート層を
用いることで安価な電着カラーフィルターを横電界方式
液晶に用いることができるので平面度の良い、セルギャ
ップのムラのない、コントラストの良好な液晶パネルを
コスト安く作ることが可能となる。
で、カラーフィルター全面に透明導電体膜（ＩＴＯ）が
なくても液晶セルプロセスでの静電気のチャージアップ
がなくなりパーティクルの付着が減少する。配向膜にも
本発明と同程度（１０９Ω・ｃｍ〜１０１１Ω・ｃｍ）
の抵抗性を持たせることで、その効果は増大する。図４
５，図４６，図４７，図４８，図４９にあるように、▲
３５▼，▲３６▼，▲４２▼，▲４０▼は、ＩＴＯや金
属または金属酸化物と金属の積層物か、金属シリサイ
ド、不純物ドーピング活性した半導体層を用いることで
液晶セル完成後に、外部からの静電気ダメージを完全に
防止することができる。高抵抗層のオーバーコート層を
用いることで安価な電着カラーフィルターを横電界方式
液晶に用いることができるので平面度の良い、セルギャ
ップのムラのない、コントラストの良好な液晶パネルを
コスト安く作ることが可能となる。
【００３２】上記手段１５により、従来縦電界方式の液
晶表示装置に用いていたプレチルト角３〜６度程度の配
向膜の特性を変化させプレチルト角１度以下にすること
ができる。図５０にあるように、プレチルト角を１度以
下にさげることで、横電界方式の液晶セルの視角特性を
大幅に改善できる。本発明の製造方法を用いれば、従来
縦電界方式の液晶セルプロセスで使用していた配向膜を
変更せずに使用できるので、ＵＶ照射装置、イオンイン
プランテーション装置、プラズマ表面処理装置のどれか
一台を従来の液晶セル製造ラインに導入するだけで横電
界方式の液晶表示装置を作ることが可能となる。生産効
率、投資効率を上げることができる。また図５４，図５
５にあるように、マスキング処理を用いることで、１画
素内で、プレチルト角を２種類以上設定できるようにな
るので視角特性のコントロールが自由になる。階調反転
も防止できる。
晶表示装置に用いていたプレチルト角３〜６度程度の配
向膜の特性を変化させプレチルト角１度以下にすること
ができる。図５０にあるように、プレチルト角を１度以
下にさげることで、横電界方式の液晶セルの視角特性を
大幅に改善できる。本発明の製造方法を用いれば、従来
縦電界方式の液晶セルプロセスで使用していた配向膜を
変更せずに使用できるので、ＵＶ照射装置、イオンイン
プランテーション装置、プラズマ表面処理装置のどれか
一台を従来の液晶セル製造ラインに導入するだけで横電
界方式の液晶表示装置を作ることが可能となる。生産効
率、投資効率を上げることができる。また図５４，図５
５にあるように、マスキング処理を用いることで、１画
素内で、プレチルト角を２種類以上設定できるようにな
るので視角特性のコントロールが自由になる。階調反転
も防止できる。
【００３３】上記手段１６，１７にある、フレーム周波
数と走査信号配線が増加する超高精細表示（ＳＸＧＡや
ＵＸＧＡ）の場合でも走査信号配線アドレス時間を２倍
に長くできるので電子移動の遅いアモルファス薄膜トラ
ンジスタでも十分に対応が可能となる。さらに大画化し
た場合でも映像信号配線の長さが１／２になるのと、走
査信号配線と映像信号配線の交差する数も１／２になる
ので映像信号配線の抵抗の問題が解消する。つまり従来
用いていた金属材料を用いることができるので、プロセ
ス変更の必要がなくなる。従来のＶＧＡ，ＳＶＧＡ表示
装置と同じプロセスで作ることができるので生産効率、
投資効率があがる。本発明によれば、超高精細表示に、
ドット反転駆動を導入でき、低電圧駆動ＩＣを利用でき
るので、コストの安い、表示ムラのない高品位画像をア
モルファスシリコン薄膜トランジスタを用いて実現でき
る
数と走査信号配線が増加する超高精細表示（ＳＸＧＡや
ＵＸＧＡ）の場合でも走査信号配線アドレス時間を２倍
に長くできるので電子移動の遅いアモルファス薄膜トラ
ンジスタでも十分に対応が可能となる。さらに大画化し
た場合でも映像信号配線の長さが１／２になるのと、走
査信号配線と映像信号配線の交差する数も１／２になる
ので映像信号配線の抵抗の問題が解消する。つまり従来
用いていた金属材料を用いることができるので、プロセ
ス変更の必要がなくなる。従来のＶＧＡ，ＳＶＧＡ表示
装置と同じプロセスで作ることができるので生産効率、
投資効率があがる。本発明によれば、超高精細表示に、
ドット反転駆動を導入でき、低電圧駆動ＩＣを利用でき
るので、コストの安い、表示ムラのない高品位画像をア
モルファスシリコン薄膜トランジスタを用いて実現でき
る
【００３４】
〔実施例１〕図４，図５は本発明の単位画素の断面図及
び平面図である。ガラス基板▲１０▼上に、走査信号配
線（ゲート電極）を形成した。走査信号配線は、Ａｌ
などの陽性酸化処理可能な金属が良いが、Ｇ，Ｍｏ，Ｔ
ｉ，Ｗ，Ｔａ Ｎｂなどの純金属や合金でもよい。電気
抵抗値の低いＣｕと前記高融点金属との二層構造、三層
構造などが、超大型液晶表示装置では用いられる。走査
信号配線の上に、ゲート絶縁膜を形成してから、非
晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜▲Ｔ▼を形成しトランジス
タの活性能動層とする。非晶質シリコンの一部に重畳す
るように映像信号配線とドレイン電極▲Ｄ▼を形成す
る。図４の場合には、ドレイン電極▲Ｄ▼と液晶駆動電
極は同じ金属材料で同時に形成される。これらすべて
を被覆するようにＳ：Ｎ膜やＳ：Ｏ２膜よりなる保護絶
縁膜を形成する。次に共通電極を形成する。以上の
単位画素をマトリックス状に配置したアクティブマトリ
ックス基板の表面にポリイミドよりなる配向膜を形成
し、表面にラビング処理を施した。同じく表面にラビン
グ処理を施した配向膜を表面に形成した対向基板▲１
１▼と、前記アクティブマトリックス基板の間に棒状の
液晶分子を含む、液晶組成物を封入し、二枚の基板の
外表面に、偏光板▲１２▼，▲１３▼を配置した。図５
にあるように、共通電極と液晶駆動電極との電極間
距離は、ａ，ｂ２種類あり、図５では電極間距離ａとｂ
は、左右対称に配置されている。図６，図８，図１０で
は、電極の数が増加しており、電極間距離もａとｂの組
み合せと、ａとｂとｃの組み合せとがあり、図７，図
９，図１１に整理した。図５と同様に左右対称配置にな
るように、組み合せを考えてあるが、対称性が必ず必要
というわけではない。図５８にあるように、共通電極
と液晶駆動電極との電極間距離の種類も、ａ，ｂ，ｃ
の３種類だけではなく、それ以上の種類を導入すること
も可能である。
び平面図である。ガラス基板▲１０▼上に、走査信号配
線（ゲート電極）を形成した。走査信号配線は、Ａｌ
などの陽性酸化処理可能な金属が良いが、Ｇ，Ｍｏ，Ｔ
ｉ，Ｗ，Ｔａ Ｎｂなどの純金属や合金でもよい。電気
抵抗値の低いＣｕと前記高融点金属との二層構造、三層
構造などが、超大型液晶表示装置では用いられる。走査
信号配線の上に、ゲート絶縁膜を形成してから、非
晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜▲Ｔ▼を形成しトランジス
タの活性能動層とする。非晶質シリコンの一部に重畳す
るように映像信号配線とドレイン電極▲Ｄ▼を形成す
る。図４の場合には、ドレイン電極▲Ｄ▼と液晶駆動電
極は同じ金属材料で同時に形成される。これらすべて
を被覆するようにＳ：Ｎ膜やＳ：Ｏ２膜よりなる保護絶
縁膜を形成する。次に共通電極を形成する。以上の
単位画素をマトリックス状に配置したアクティブマトリ
ックス基板の表面にポリイミドよりなる配向膜を形成
し、表面にラビング処理を施した。同じく表面にラビン
グ処理を施した配向膜を表面に形成した対向基板▲１
１▼と、前記アクティブマトリックス基板の間に棒状の
液晶分子を含む、液晶組成物を封入し、二枚の基板の
外表面に、偏光板▲１２▼，▲１３▼を配置した。図５
にあるように、共通電極と液晶駆動電極との電極間
距離は、ａ，ｂ２種類あり、図５では電極間距離ａとｂ
は、左右対称に配置されている。図６，図８，図１０で
は、電極の数が増加しており、電極間距離もａとｂの組
み合せと、ａとｂとｃの組み合せとがあり、図７，図
９，図１１に整理した。図５と同様に左右対称配置にな
るように、組み合せを考えてあるが、対称性が必ず必要
というわけではない。図５８にあるように、共通電極
と液晶駆動電極との電極間距離の種類も、ａ，ｂ，ｃ
の３種類だけではなく、それ以上の種類を導入すること
も可能である。
【００３５】図５，図６，図８，図１０の場合には、映
像信号配線からの電界の影響を液晶分子が受けやすい
ので、共通電極でをはさみこむように配置すること
で映像信号配線にそった方向のクロストークを低減で
きることは、従来から知られている。その効果をさらに
向上するためには、映像信号配線に一番近い電極間距
離ａを一番大きな値に設定すると良い。つまりａ＞ｂ≧
ｃかａ＞ｃ≧ｂの条件で電極間距離を配置するとクロス
トークはさらに低減できる。
像信号配線からの電界の影響を液晶分子が受けやすい
ので、共通電極でをはさみこむように配置すること
で映像信号配線にそった方向のクロストークを低減で
きることは、従来から知られている。その効果をさらに
向上するためには、映像信号配線に一番近い電極間距
離ａを一番大きな値に設定すると良い。つまりａ＞ｂ≧
ｃかａ＞ｃ≧ｂの条件で電極間距離を配置するとクロス
トークはさらに低減できる。
【００３６】階調反転の問題は、映像信号電圧が大きす
ぎる時に発生するが、特に液晶プレチルト角が大きい場
合には、正面方向よりも液晶の配向方向の傾めからみた
時により階調反転しやすくなる。これを改善するには、
配向方向に対するプレチルト角を２種類以上もたせたり
正と負のプレチルト角をもたせたりする方法もあるが、
一番簡単なのはプレチルト角を０（ゼロ）度にすること
である。しかし量産で用いられているラビング処理によ
る配向方法では、完全にプレチルト角はゼロ度にするこ
とができずどうしても０．５度前後のプレチルト角は発
生してしまう。正面と傾めから見た時の階調反転を防止
する方法としては、横電界方式の液晶表示装置において
は、本発明のように一画素内での電極間距離の値を２種
類以上設定することが、特に有効である。通常の５Ｖ駆
動で液晶を駆動する場合、５Ｖ以下で透過率が最大にな
る電極間距離と、５Ｖ以上で透過率が最大になる電極間
距離の組み合せで電極を配置すると良い。図３の特性で
は、５Ｖ駆動では、電極間距離を５μｍと７．５μｍの
２種類で設定すると良い。
ぎる時に発生するが、特に液晶プレチルト角が大きい場
合には、正面方向よりも液晶の配向方向の傾めからみた
時により階調反転しやすくなる。これを改善するには、
配向方向に対するプレチルト角を２種類以上もたせたり
正と負のプレチルト角をもたせたりする方法もあるが、
一番簡単なのはプレチルト角を０（ゼロ）度にすること
である。しかし量産で用いられているラビング処理によ
る配向方法では、完全にプレチルト角はゼロ度にするこ
とができずどうしても０．５度前後のプレチルト角は発
生してしまう。正面と傾めから見た時の階調反転を防止
する方法としては、横電界方式の液晶表示装置において
は、本発明のように一画素内での電極間距離の値を２種
類以上設定することが、特に有効である。通常の５Ｖ駆
動で液晶を駆動する場合、５Ｖ以下で透過率が最大にな
る電極間距離と、５Ｖ以上で透過率が最大になる電極間
距離の組み合せで電極を配置すると良い。図３の特性で
は、５Ｖ駆動では、電極間距離を５μｍと７．５μｍの
２種類で設定すると良い。
【００３７】〔実施例２〕図１３，図６４は、共通電極
が映像信号配線にそう方向で連結され、有効表示画面内
部では、共通電極が、映像信号配線を横ぎって互いに連
結されていない場合の単位画素の平面図である。図１３
では、共通電極の連結部が薄膜トランジスタの上部をお
おっており、この場合には、対向基板のカラーフィルタ
ーにはブラックマスク（ＢＭ）がなくても薄膜トランジ
スタの半導体層▲Ｔ▼には、光が侵入しないので、薄膜
トランジスタのＯＦＦ時のリーク電流の増大はない。図
１８，図１９，図２０，図２１，図２２，図２３は、こ
れらの単位画素をストライプ配列や、デルタ配列に配置
した平面図である。図２０，図２２，図２３は、画素電
極が走査信号配線と平行になっているが、共通電極の連
結方向は映像信号配線にそう方向に、なっている。この
ような平面配列を実現するためには、図１にあるような
従来の断面構造では、走査信号配線と共通電極とが
ショートしてしまうため、図４，図１２，図４２，図４
４，図５７にあるような断面構造が必要となる。これら
の断面構造では、共通電極が基板の上部に形成されてお
り、共通電極の下の保護絶縁膜や上層絶縁膜▲１４▼
に誘電率の小さな酸化物系の絶縁膜や有機絶縁膜が使用
できる。そのために走査信号配線の駆動時の負荷の増大
を最小におさえることができる。
が映像信号配線にそう方向で連結され、有効表示画面内
部では、共通電極が、映像信号配線を横ぎって互いに連
結されていない場合の単位画素の平面図である。図１３
では、共通電極の連結部が薄膜トランジスタの上部をお
おっており、この場合には、対向基板のカラーフィルタ
ーにはブラックマスク（ＢＭ）がなくても薄膜トランジ
スタの半導体層▲Ｔ▼には、光が侵入しないので、薄膜
トランジスタのＯＦＦ時のリーク電流の増大はない。図
１８，図１９，図２０，図２１，図２２，図２３は、こ
れらの単位画素をストライプ配列や、デルタ配列に配置
した平面図である。図２０，図２２，図２３は、画素電
極が走査信号配線と平行になっているが、共通電極の連
結方向は映像信号配線にそう方向に、なっている。この
ような平面配列を実現するためには、図１にあるような
従来の断面構造では、走査信号配線と共通電極とが
ショートしてしまうため、図４，図１２，図４２，図４
４，図５７にあるような断面構造が必要となる。これら
の断面構造では、共通電極が基板の上部に形成されてお
り、共通電極の下の保護絶縁膜や上層絶縁膜▲１４▼
に誘電率の小さな酸化物系の絶縁膜や有機絶縁膜が使用
できる。そのために走査信号配線の駆動時の負荷の増大
を最小におさえることができる。
【００３８】〔実施例３〕図１４，図１５は、実施例２
でのべた映像信号配線にそう方向で連結された共通電極
を、有効表示画面外で奇数群と偶数群とに連結分離した
平面図である。図１５は、共通電極２本を１組としてい
る。３本を１組として考えて奇数群と偶数群に連結分離
することも可能である。図５９は、奇数群連結電極▲４
４▼と偶数群連結電極▲４５▼とで有効表示画面全体を
囲んだ構造配置の平面図である。それぞれの共通連結電
極と、走査信号配線、映像信号配線とは静電気対策用の
非線形抵抗素子で連結されている。この構造により、液
晶セルプロセスでの静電気不良問題をいちじるしく低減
することが可能である。図４０は、奇数群と偶数群に分
離した共通電極に、走査信号の周期にあわせて、それぞ
れ逆相の電圧信号波形を印加し、かつ奇数群、偶数群の
共通電極に対向している液晶駆動電極に、共通電極とは
逆相の映像信号波形をそれぞれ印加する駆動電圧波形図
である。図１６，図１７は、本発明の図１４，図１５の
構造配列の画素に映像信号電圧がどのように書きこまれ
たかを示す極性図である。共通電極電位を基準にしてプ
ラスと、マイナスとに分けています。このような書きこ
み駆動方式は、ドット反転駆動方式と呼ばれています。
この駆動方式では、水平クロストークが発生しなくなり
良好な画像が得られます。映像信号波形と逆相の電圧を
共通電極に印加することで、液晶相に大きな電圧を印加
できるので、共通電極電位を固定していた従来のドット
反転駆動の場合の映像信号駆動振幅よりも１／２以下に
低減が可能となります。これにより、安価な５Ｖ駆動の
ＩＣを使用することができるのでコストｄｏｗｎが可能
となる。
でのべた映像信号配線にそう方向で連結された共通電極
を、有効表示画面外で奇数群と偶数群とに連結分離した
平面図である。図１５は、共通電極２本を１組としてい
る。３本を１組として考えて奇数群と偶数群に連結分離
することも可能である。図５９は、奇数群連結電極▲４
４▼と偶数群連結電極▲４５▼とで有効表示画面全体を
囲んだ構造配置の平面図である。それぞれの共通連結電
極と、走査信号配線、映像信号配線とは静電気対策用の
非線形抵抗素子で連結されている。この構造により、液
晶セルプロセスでの静電気不良問題をいちじるしく低減
することが可能である。図４０は、奇数群と偶数群に分
離した共通電極に、走査信号の周期にあわせて、それぞ
れ逆相の電圧信号波形を印加し、かつ奇数群、偶数群の
共通電極に対向している液晶駆動電極に、共通電極とは
逆相の映像信号波形をそれぞれ印加する駆動電圧波形図
である。図１６，図１７は、本発明の図１４，図１５の
構造配列の画素に映像信号電圧がどのように書きこまれ
たかを示す極性図である。共通電極電位を基準にしてプ
ラスと、マイナスとに分けています。このような書きこ
み駆動方式は、ドット反転駆動方式と呼ばれています。
この駆動方式では、水平クロストークが発生しなくなり
良好な画像が得られます。映像信号波形と逆相の電圧を
共通電極に印加することで、液晶相に大きな電圧を印加
できるので、共通電極電位を固定していた従来のドット
反転駆動の場合の映像信号駆動振幅よりも１／２以下に
低減が可能となります。これにより、安価な５Ｖ駆動の
ＩＣを使用することができるのでコストｄｏｗｎが可能
となる。
【００３９】〔実施例４〕図２４，図２７，図２９は、
液晶駆動電極と共通電極とが絶縁膜を介して重畳さ
れることで形成された付加容量よりも、液晶駆動電極
と走査信号配線とが絶縁膜を介して重畳されることで
形成された付加容量▲１６▼の方が大きい場合の、単位
画素の平面図である。図３０，図３１，図３２，図３
３，図３４，図３５は、これらの単位画素をストライプ
配列やデルタ配列に配置した平面図である。これらの平
面構造を歩留りよく実現するためには、図１２，図２
６，図２８，図４２，図４４，図５７，図６５のような
断面構造が望ましい。液晶駆動電極と走査信号配線とで
形成される付加容量をさらに大きくする場合には、図６
６にあるような断面構造を用いると良い。液晶駆動電極
と共通電極との重畳面積は可能なかぎり小さくすると良
い。
液晶駆動電極と共通電極とが絶縁膜を介して重畳さ
れることで形成された付加容量よりも、液晶駆動電極
と走査信号配線とが絶縁膜を介して重畳されることで
形成された付加容量▲１６▼の方が大きい場合の、単位
画素の平面図である。図３０，図３１，図３２，図３
３，図３４，図３５は、これらの単位画素をストライプ
配列やデルタ配列に配置した平面図である。これらの平
面構造を歩留りよく実現するためには、図１２，図２
６，図２８，図４２，図４４，図５７，図６５のような
断面構造が望ましい。液晶駆動電極と走査信号配線とで
形成される付加容量をさらに大きくする場合には、図６
６にあるような断面構造を用いると良い。液晶駆動電極
と共通電極との重畳面積は可能なかぎり小さくすると良
い。
【００４０】〔実施例５〕図４１は実施例４の横電界方
式液晶表示パネルを駆動する走査信号電圧波形と映像信
号電圧波形のタイミング図である。走査信号は４値波形
となっている。共通電極電位は映像信号波形の中央値に
近い電位に固定してある。液晶駆動電極と走査信号配線
とが、絶縁膜を介して重畳されることで形成された付加
容量を通して走査信号電圧のＶｒ（−）やＶｒ（＋）を
液晶組成物に印加する容量結合駆動方式を用いている。
横電界方式の液晶表示装置では、液晶駆動電極と共通電
極とで液晶組成物を介して形成される画素電極間容量
は、従来の縦電極方式とくらべて非常に小さくなるの
で、走査信号配線上の付加容量の効果が大きくなり、Ｖ
ｒ（−）やＶｒ（＋）の電圧振幅が小さくてすむ。この
ため薄膜トランジスタの走査信号配線（ゲート電極）と
ドレイン電極に印加されるバイアス電圧も小さくなるの
で薄膜トランジスタの特性シフトも小さくなる。横電界
方式では、液晶駆動電極と共通電極との交差面積を小さ
くできるので、本発明のような水平ライン反転駆動方式
でも、水平方向のストロークを低減できる利点がある。
映像信号配線駆動ＩＣも信号振幅を小さくできるので安
価な５Ｖ電源のＩＣが使用できる。コストｄｏｗｎに効
果がある。
式液晶表示パネルを駆動する走査信号電圧波形と映像信
号電圧波形のタイミング図である。走査信号は４値波形
となっている。共通電極電位は映像信号波形の中央値に
近い電位に固定してある。液晶駆動電極と走査信号配線
とが、絶縁膜を介して重畳されることで形成された付加
容量を通して走査信号電圧のＶｒ（−）やＶｒ（＋）を
液晶組成物に印加する容量結合駆動方式を用いている。
横電界方式の液晶表示装置では、液晶駆動電極と共通電
極とで液晶組成物を介して形成される画素電極間容量
は、従来の縦電極方式とくらべて非常に小さくなるの
で、走査信号配線上の付加容量の効果が大きくなり、Ｖ
ｒ（−）やＶｒ（＋）の電圧振幅が小さくてすむ。この
ため薄膜トランジスタの走査信号配線（ゲート電極）と
ドレイン電極に印加されるバイアス電圧も小さくなるの
で薄膜トランジスタの特性シフトも小さくなる。横電界
方式では、液晶駆動電極と共通電極との交差面積を小さ
くできるので、本発明のような水平ライン反転駆動方式
でも、水平方向のストロークを低減できる利点がある。
映像信号配線駆動ＩＣも信号振幅を小さくできるので安
価な５Ｖ電源のＩＣが使用できる。コストｄｏｗｎに効
果がある。
【００４１】〔実施例６〕図４２，図４３，図４４，図
５７，図６４，図６５，図２４は薄膜半導体層に不純物
をドーピングし、活性化して低抵抗化し、液晶駆動電極
として用いる実施例の単位画素の断面図及び平面図であ
る。ガラス基板▲１０▼上に、走査信号配線（ゲート電
極）を形成しこれを覆うようにゲート絶縁膜を形成
してから、非晶質シリコン膜を形成し真空をやぶらずに
バックチャネル側保護絶縁膜▲ＢＰ▼を連続形成する。
この時の非晶質シリコン膜は３００Å〜７００Å程度の
膜厚が良い。バックチャネル保護縁縁膜は２０００Å程
度で十分である。バックチャネル保護絶縁膜▲ＢＰ▼を
残してそれ以外はフッ酸系のエッチング液でエッチング
した非晶質シリコン膜の表面を出す。ポジレジストをは
くりせずにＰＨ３ガスをもとにしたイオンシャワードー
ピングで１０１５個／ｃｍ２程度非晶質シリコンにリン
をドーピングする。そのあとエキシマレーザーにより活
性化処理をおこなう。イオンシャワードーピングのかわ
りに、ＰＨ３ガスを用いたプラズマ放電処理により非晶
質シリコン層の表面にリンを吸着させ、その後エキシマ
レーザーによりシリコン層を溶融させる時にリンを溶融
拡散活性化することでも良い。これらの処理によりレー
ザー照射を受けた領域は、抵抗の低いポリシリコン層に
なる。ポジレジストをはくりした後、次は薄膜トランジ
スタのソース電極とドレイン電極▲３２▼と液晶駆動電
極▲Ｓ▼を同時にドライエッチングによって形成しま
す。液晶駆動電極を抵抵抗のシリコン膜で形成する利点
は、このドライエッチングによる微細パターン加工が可
能な点にあります。横電界方式の液晶表示装置は、応答
速度が遅いという指摘がなされているが、液晶駆動電極
と、共通電極との電極間距離を３μ程度にまで微細化し
てくると応答速度も速くなり、動画にも十分対応可能で
ある。３μ程度までならば従来のウェットエッチングで
加工可能であるがウェットエッチングでは線幅のコント
ロール精度が十分ではない。その点ドライエッチングで
は、加工精度の再現性は、すでにＩＣで証明済みであ
る。不純物をドープしたポリシリコンは、ドライエッチ
ング加工しやすい材質なので、大画面液晶表示装置には
最も適した電極材料である。次に映像信号配線を形成
した後、保護絶縁膜で完全におおう。共通電極を最
後に形成するが、この共通電極もドライエッチングで加
工可能な材料（Ｍｏ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａなどの高融点金
属とこれらの合金または、これらのシリサイド化合物な
ど）を用いることで高速応答可能な横電界方式液晶表示
を作ることができる。
５７，図６４，図６５，図２４は薄膜半導体層に不純物
をドーピングし、活性化して低抵抗化し、液晶駆動電極
として用いる実施例の単位画素の断面図及び平面図であ
る。ガラス基板▲１０▼上に、走査信号配線（ゲート電
極）を形成しこれを覆うようにゲート絶縁膜を形成
してから、非晶質シリコン膜を形成し真空をやぶらずに
バックチャネル側保護絶縁膜▲ＢＰ▼を連続形成する。
この時の非晶質シリコン膜は３００Å〜７００Å程度の
膜厚が良い。バックチャネル保護縁縁膜は２０００Å程
度で十分である。バックチャネル保護絶縁膜▲ＢＰ▼を
残してそれ以外はフッ酸系のエッチング液でエッチング
した非晶質シリコン膜の表面を出す。ポジレジストをは
くりせずにＰＨ３ガスをもとにしたイオンシャワードー
ピングで１０１５個／ｃｍ２程度非晶質シリコンにリン
をドーピングする。そのあとエキシマレーザーにより活
性化処理をおこなう。イオンシャワードーピングのかわ
りに、ＰＨ３ガスを用いたプラズマ放電処理により非晶
質シリコン層の表面にリンを吸着させ、その後エキシマ
レーザーによりシリコン層を溶融させる時にリンを溶融
拡散活性化することでも良い。これらの処理によりレー
ザー照射を受けた領域は、抵抗の低いポリシリコン層に
なる。ポジレジストをはくりした後、次は薄膜トランジ
スタのソース電極とドレイン電極▲３２▼と液晶駆動電
極▲Ｓ▼を同時にドライエッチングによって形成しま
す。液晶駆動電極を抵抵抗のシリコン膜で形成する利点
は、このドライエッチングによる微細パターン加工が可
能な点にあります。横電界方式の液晶表示装置は、応答
速度が遅いという指摘がなされているが、液晶駆動電極
と、共通電極との電極間距離を３μ程度にまで微細化し
てくると応答速度も速くなり、動画にも十分対応可能で
ある。３μ程度までならば従来のウェットエッチングで
加工可能であるがウェットエッチングでは線幅のコント
ロール精度が十分ではない。その点ドライエッチングで
は、加工精度の再現性は、すでにＩＣで証明済みであ
る。不純物をドープしたポリシリコンは、ドライエッチ
ング加工しやすい材質なので、大画面液晶表示装置には
最も適した電極材料である。次に映像信号配線を形成
した後、保護絶縁膜で完全におおう。共通電極を最
後に形成するが、この共通電極もドライエッチングで加
工可能な材料（Ｍｏ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａなどの高融点金
属とこれらの合金または、これらのシリサイド化合物な
ど）を用いることで高速応答可能な横電界方式液晶表示
を作ることができる。
【００４２】図４４では、不純物をドーピングしてレー
ザー活性化したドレイン電極の上に、さらに抵抗をさげ
るために、Ｍｏをスパッタリングやイオンブレーティン
グ法を用いて、うすく形成し、表面反応により、ＭｏＳ
ｉｘ（モリブデンシリサイド）を作った場合の断面図で
ある。図５７では、非晶質シリコン膜の上に、プラズマ
ＣＶＤ法を用いて不純物をドープしたアモルファスシリ
コン膜を形成した後、エキシマレーザーにより、不純物
アモルファスシリコン層を抵抗の低い不純物ポリシリコ
ン層にかえた場合の断面図である。モリブデンシリサイ
ドもドライエッチングしやすい材料のひとつである。Ｍ
ｏだけでなく他の高融点金属をスパッタリングしても同
様のシリサイドは形成される。
ザー活性化したドレイン電極の上に、さらに抵抗をさげ
るために、Ｍｏをスパッタリングやイオンブレーティン
グ法を用いて、うすく形成し、表面反応により、ＭｏＳ
ｉｘ（モリブデンシリサイド）を作った場合の断面図で
ある。図５７では、非晶質シリコン膜の上に、プラズマ
ＣＶＤ法を用いて不純物をドープしたアモルファスシリ
コン膜を形成した後、エキシマレーザーにより、不純物
アモルファスシリコン層を抵抗の低い不純物ポリシリコ
ン層にかえた場合の断面図である。モリブデンシリサイ
ドもドライエッチングしやすい材料のひとつである。Ｍ
ｏだけでなく他の高融点金属をスパッタリングしても同
様のシリサイドは形成される。
【００４３】〔実施例７〕図５２，図１９，図２１，図
３１，図３３，は、映像信号配線と画素電極（液晶駆動
電極と液晶駆動電極に対向している共通電極の一部）が
液晶配向方向に対し、±１度から±４５度の角度の範囲
で屈曲している構造の場合の平面図である。液晶分子の
誘電率異方性は、正である。図５２にあるように共通電
極と液晶駆動電極▲Ｓ▼に電圧が印加され電極間に電
界が発生した時に、液晶分子は、屈曲部を境にして左
回転と右回転の２通りの回転運動をする。単位画素内部
で２通りの回転運動が可能になることでプレチルト角の
大きさによらず視野角特性のかたよりが発生しなくな
る。
３１，図３３，は、映像信号配線と画素電極（液晶駆動
電極と液晶駆動電極に対向している共通電極の一部）が
液晶配向方向に対し、±１度から±４５度の角度の範囲
で屈曲している構造の場合の平面図である。液晶分子の
誘電率異方性は、正である。図５２にあるように共通電
極と液晶駆動電極▲Ｓ▼に電圧が印加され電極間に電
界が発生した時に、液晶分子は、屈曲部を境にして左
回転と右回転の２通りの回転運動をする。単位画素内部
で２通りの回転運動が可能になることでプレチルト角の
大きさによらず視野角特性のかたよりが発生しなくな
る。
【００４４】〔実施例８〕図５２，図２０，図２２，図
２３，図３２，図３４，図３５は、走査信号配線と画素
電極とが、液晶配向方向に対して、±１度から±４５度
の角度の範囲で屈曲している構造の場合の平面図であ
る。液晶分子の誘電率異方性は正である。実施例７と同
様に単位画素内部で左回転と右回転の２通りの液晶分子
回転運動が発生する。プレチルト角の大きさによらず視
野角特性のかたよりが発生しなくなる。
２３，図３２，図３４，図３５は、走査信号配線と画素
電極とが、液晶配向方向に対して、±１度から±４５度
の角度の範囲で屈曲している構造の場合の平面図であ
る。液晶分子の誘電率異方性は正である。実施例７と同
様に単位画素内部で左回転と右回転の２通りの液晶分子
回転運動が発生する。プレチルト角の大きさによらず視
野角特性のかたよりが発生しなくなる。
【００４５】〔実施例９〕図５３，図１９，図２１，図
３１，図３３は、映像信号配線と画素電極が、液晶配向
方向に対し、９０度をのぞく４５度から１３５度の範囲
で屈曲している構造の場合の平面図である。液晶分子の
誘電率異方性は負である。図５３にあるように、共通電
極と液晶駆動電極▲Ｓ▼に電圧が印加され電極間に電
界が発生すると、液晶分子▲２２▼は、屈曲部を境にし
て左回転と、右回転の２通りの回転運動をする。単位画
素内部で２通りの回転運動が可能になることで、プレチ
ルト角の大きさによらず視野角特性のかたよりが発生し
なくなる。
３１，図３３は、映像信号配線と画素電極が、液晶配向
方向に対し、９０度をのぞく４５度から１３５度の範囲
で屈曲している構造の場合の平面図である。液晶分子の
誘電率異方性は負である。図５３にあるように、共通電
極と液晶駆動電極▲Ｓ▼に電圧が印加され電極間に電
界が発生すると、液晶分子▲２２▼は、屈曲部を境にし
て左回転と、右回転の２通りの回転運動をする。単位画
素内部で２通りの回転運動が可能になることで、プレチ
ルト角の大きさによらず視野角特性のかたよりが発生し
なくなる。
【００４６】〔実施例１０〕図５３，図２０，図２２，
図２３，図３２，図３４図３５は、走査信号配線と画素
電極とが、液晶配向方向に対して、９０度をのぞく４５
度から１３５度の範囲で屈曲している構造の場合の平面
図である。液晶分子の誘電率異方性は負である。実施例
９と同様に単位画素内部で、左回転と右回転の２通りの
液晶分子回転運動が、発生する。プレチルト角の大きさ
によらず、視野角特性のかたよりが発生しなくなる。
図２３，図３２，図３４図３５は、走査信号配線と画素
電極とが、液晶配向方向に対して、９０度をのぞく４５
度から１３５度の範囲で屈曲している構造の場合の平面
図である。液晶分子の誘電率異方性は負である。実施例
９と同様に単位画素内部で、左回転と右回転の２通りの
液晶分子回転運動が、発生する。プレチルト角の大きさ
によらず、視野角特性のかたよりが発生しなくなる。
【００４７】実施例７，実施例８，実施例９，実施例１
０ともに、上下基板との界面での液晶分子の配向は、互
いに、ほぼ平行になるようにラビング処理してある。偏
光板の偏光軸（光学軸）は、上下ともに、ほぼ直交配置
になるようにしてあり、無電界時には、画素から光が通
過しないノーマリーブラックモードを用いている。これ
らのカラーフィルターに用いるブラックマスクは、図３
６図３７，図３８，図３９にあるように映像信号配線
や、走査信号配線が屈曲している角度と同じ角度で、Ｂ
Ｍの一部が屈曲しているところに特徴がある。
０ともに、上下基板との界面での液晶分子の配向は、互
いに、ほぼ平行になるようにラビング処理してある。偏
光板の偏光軸（光学軸）は、上下ともに、ほぼ直交配置
になるようにしてあり、無電界時には、画素から光が通
過しないノーマリーブラックモードを用いている。これ
らのカラーフィルターに用いるブラックマスクは、図３
６図３７，図３８，図３９にあるように映像信号配線
や、走査信号配線が屈曲している角度と同じ角度で、Ｂ
Ｍの一部が屈曲しているところに特徴がある。
【００４８】〔実施例１１〕図４５，図４６，図４７は
横電界方式の液晶表示装置のカラーフィルター基板の断
面図である。ガラス基板▲１１▼の上にＲ，Ｇ，Ｂのカ
ラーフィルターを形成する。次に平坦化と液晶プロセス
中での静電気帯電防止のために有機や無機の高抵抗材
（１０９Ω・ｃｍ〜１０１１Ω・ｃｍ）を形成する。図
５６にあるように、横電界方式では、液晶比抵抗が１０
９Ω・ｃｍ程度まで低下しても電圧保持率がほとんど低
下しないという実験結果がある。図４５，図４６では、
透明ＩＴＯを全面形成してから電着法によりＲ，Ｇ，Ｂ
のカラーフィルター層を形成している。この場合には、
上記高抵抗材の膜厚とカラーフィルター層の膜厚と液晶
層の厚みを合計したものが、液晶駆動電極と共通電極と
の電極間距離の２倍以上必要となる。電極間距離の２倍
以上これらの総合計厚みがあれば液晶駆動電極と共通電
極の間に発生する電界はカラーフィルター側に全面形成
された透明導電膜（ＩＴＯ）▲３６▼の影響をあまりう
けず、基板と平行な方向に横電界を発生させることがで
きる。
横電界方式の液晶表示装置のカラーフィルター基板の断
面図である。ガラス基板▲１１▼の上にＲ，Ｇ，Ｂのカ
ラーフィルターを形成する。次に平坦化と液晶プロセス
中での静電気帯電防止のために有機や無機の高抵抗材
（１０９Ω・ｃｍ〜１０１１Ω・ｃｍ）を形成する。図
５６にあるように、横電界方式では、液晶比抵抗が１０
９Ω・ｃｍ程度まで低下しても電圧保持率がほとんど低
下しないという実験結果がある。図４５，図４６では、
透明ＩＴＯを全面形成してから電着法によりＲ，Ｇ，Ｂ
のカラーフィルター層を形成している。この場合には、
上記高抵抗材の膜厚とカラーフィルター層の膜厚と液晶
層の厚みを合計したものが、液晶駆動電極と共通電極と
の電極間距離の２倍以上必要となる。電極間距離の２倍
以上これらの総合計厚みがあれば液晶駆動電極と共通電
極の間に発生する電界はカラーフィルター側に全面形成
された透明導電膜（ＩＴＯ）▲３６▼の影響をあまりう
けず、基板と平行な方向に横電界を発生させることがで
きる。
【００４９】〔実施例１２〕図４８，図４９は、横電界
方式の液晶表示装置のカラーフィルター基板の断面図で
ある。ガラス基板▲１１▼の上にＲ，Ｇ，Ｂのカラーフ
ィルターを形成する。このままでは液晶プロセスで発生
する静電気のためにいろいろな問題が発生するので、絶
縁膜▲４１▼の上にさらに静電気をにがすためのブラッ
クマスク▲４２▼を形成する。図４９にあるようにすで
に樹脂ブラックマスクが形成されてある場合には、ブラ
ックマスクと同じパターンで透明導電電極▲４０▼を形
成してもよい。
方式の液晶表示装置のカラーフィルター基板の断面図で
ある。ガラス基板▲１１▼の上にＲ，Ｇ，Ｂのカラーフ
ィルターを形成する。このままでは液晶プロセスで発生
する静電気のためにいろいろな問題が発生するので、絶
縁膜▲４１▼の上にさらに静電気をにがすためのブラッ
クマスク▲４２▼を形成する。図４９にあるようにすで
に樹脂ブラックマスクが形成されてある場合には、ブラ
ックマスクと同じパターンで透明導電電極▲４０▼を形
成してもよい。
【００５０】実施例１１，実施例１２にあるようにカラ
ーフィルター基板側になんらかの導電性電極が形成され
ていないと横電界方式の液晶表示装置では外部からの静
電気による電界の影響を受けるので実用化することがで
きないという大問題が発生する。図６７のように、カラ
ーフィルター側ガラス基板の外界側に透明導電膜▲３６
▼を形成する方法もあるがこの場合には、絶縁性の高い
カラーフィルター層や平坦化膜に液晶プロセス中で発生
した静電気がトラップされたまま除却できない場合があ
り、配向不良の原因となるので、よくない。
ーフィルター基板側になんらかの導電性電極が形成され
ていないと横電界方式の液晶表示装置では外部からの静
電気による電界の影響を受けるので実用化することがで
きないという大問題が発生する。図６７のように、カラ
ーフィルター側ガラス基板の外界側に透明導電膜▲３６
▼を形成する方法もあるがこの場合には、絶縁性の高い
カラーフィルター層や平坦化膜に液晶プロセス中で発生
した静電気がトラップされたまま除却できない場合があ
り、配向不良の原因となるので、よくない。
【００５１】〔実施例１３〕図５０，図５１にあるよう
に液晶駆動電極と共通電極がただたんに平行に配置され
ているだけでは、液晶のプレチルト角が大きい場合に視
角特性に片よりが生じてしまう。従来の縦電界方式の液
晶表示装置に用いられていた配向膜のプレチルト角は３
°〜７°とプレチルト角が大きいので視角特性にどうし
ても片よりが発生してしまう。同じ配向膜を使用してプ
レチルト角を１度以下に低下させる方法としてポリイミ
ド配向膜焼成後、ＵＶ照射処理や、Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，
Ｎ２，Ｏ２などのガスをイオン化してイオンプランテー
ション処理する方法が開発されている。リアクティブイ
オンエッチング装置を用いたＯ２ガスを用いたプラズマ
処理でも同じ効果がある。これらの処理をした後ラビン
グ配向処理することで、プレチルト角を１度以下にし
て、液晶分子を一軸方向に配向させることが可能であ
る。図５４，図５５にあるように上記のＵＶ処理やイオ
ンプランテーション処理、プラズマ処理を、ホトマスク
やホトレジストを用いたマスクにより１画素内の半分に
限定することも可能である。本実施例を用いることで、
従来用いていた配向膜を横電界方式の液晶表示装置に使
用しても視角特性の片よりは発生しなくなる。
に液晶駆動電極と共通電極がただたんに平行に配置され
ているだけでは、液晶のプレチルト角が大きい場合に視
角特性に片よりが生じてしまう。従来の縦電界方式の液
晶表示装置に用いられていた配向膜のプレチルト角は３
°〜７°とプレチルト角が大きいので視角特性にどうし
ても片よりが発生してしまう。同じ配向膜を使用してプ
レチルト角を１度以下に低下させる方法としてポリイミ
ド配向膜焼成後、ＵＶ照射処理や、Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，
Ｎ２，Ｏ２などのガスをイオン化してイオンプランテー
ション処理する方法が開発されている。リアクティブイ
オンエッチング装置を用いたＯ２ガスを用いたプラズマ
処理でも同じ効果がある。これらの処理をした後ラビン
グ配向処理することで、プレチルト角を１度以下にし
て、液晶分子を一軸方向に配向させることが可能であ
る。図５４，図５５にあるように上記のＵＶ処理やイオ
ンプランテーション処理、プラズマ処理を、ホトマスク
やホトレジストを用いたマスクにより１画素内の半分に
限定することも可能である。本実施例を用いることで、
従来用いていた配向膜を横電界方式の液晶表示装置に使
用しても視角特性の片よりは発生しなくなる。
【００５２】〔実施例１４〕図６２は、実施例２にある
ように、共通電極が映像信号配線に、そう方向で連結さ
れており、有効表示画面内部では、共通電極が映像信号
配線を横ぎって互いに連結されていない。共通電極は、
奇数群と偶数群にわかれており奇数群どうし、偶数群ど
うしは、有効表示画面外で互いに連結されている。実施
例２と異なるのは、映像信号配線が中央で上下に２分割
されている点である。映像信号配線を駆動するためのＩ
Ｃと接合される端子もそれぞれ上下２ケ所にわかれてお
り、端子の数も２倍に増加している。ＯＡ用のＳＸＧＡ
やＵＸＧＡのように、走査信号線の数が大幅に増加する
場合、本実施例の構造では、映像信号配線の抵抗が小さ
くなることと、走査信号線と交差する数が半分に低下す
るために、結合容量が低減するので映像信号配線の駆動
負荷が大幅に低減する。
ように、共通電極が映像信号配線に、そう方向で連結さ
れており、有効表示画面内部では、共通電極が映像信号
配線を横ぎって互いに連結されていない。共通電極は、
奇数群と偶数群にわかれており奇数群どうし、偶数群ど
うしは、有効表示画面外で互いに連結されている。実施
例２と異なるのは、映像信号配線が中央で上下に２分割
されている点である。映像信号配線を駆動するためのＩ
Ｃと接合される端子もそれぞれ上下２ケ所にわかれてお
り、端子の数も２倍に増加している。ＯＡ用のＳＸＧＡ
やＵＸＧＡのように、走査信号線の数が大幅に増加する
場合、本実施例の構造では、映像信号配線の抵抗が小さ
くなることと、走査信号線と交差する数が半分に低下す
るために、結合容量が低減するので映像信号配線の駆動
負荷が大幅に低減する。
【００５３】〔実施例１５〕図６３は、実施例１４にあ
る構造の横電界方式の液晶表示装置を駆動するための駆
動電圧波形である。走査信号配線は、同時に２本、上半
分領域と下半分領域で動作するようになっている。共通
電極は、上半分領域と下半分領域で連結されているの
で、走査信号配線の駆動周期にあわせて極性を反転させ
る方式で駆動される。共通電極は奇数群と偶数群に分離
されそれぞれ共通連結電極▲４４▼と▲４５▼に連結さ
れている。奇数群と偶数群には極性の異なる逆相の電圧
が走査信号配線の周期にあわせて反転印加される。映像
信号配線は奇数群と偶数群にわかれており、それぞれが
対応している奇数群と偶数群の共通電極と極性の異なる
逆相の信号電圧が印加される。奇数群と偶数群の映像信
号配線は上半分と下半分に２分割され、それぞれ同相の
異なる映像信号が印加される。２走査線同時アクセスド
ット反転駆動方式である。コンピューターなどのＯＡ用
表示装置の場合、フレームメモリーが用意されているの
でこのフレームメモリーから同時に２本の走査信号配線
分の画像データをとり出せるようにすればよい。ＳＸＧ
ＡやＵＸＧＡのように走査信号配線の数やフレーム周波
数が大幅に増加する場合、走査信号配線の選択時間が従
来の１走査信号配線アクセス方式のままでは１０μｓｅ
ｃ以下になってしまう。１０μｓｅｃ以下になってしま
うとアモルファスシリコン薄膜トランジスタの駆動能力
の限界にちかくなり、映像信号電圧を正確に液晶駆動電
極に伝達できなくなる。本発明の２走査線同時アクセス
ドット反転駆動方式ならば選択時間が従来の２倍にのび
るので、アモルファスシリコン薄膜トランジスタでも十
分な映像信号書き込み時間がかくほできる。映像信号配
線の材料の自由度も大幅に広くなる。
る構造の横電界方式の液晶表示装置を駆動するための駆
動電圧波形である。走査信号配線は、同時に２本、上半
分領域と下半分領域で動作するようになっている。共通
電極は、上半分領域と下半分領域で連結されているの
で、走査信号配線の駆動周期にあわせて極性を反転させ
る方式で駆動される。共通電極は奇数群と偶数群に分離
されそれぞれ共通連結電極▲４４▼と▲４５▼に連結さ
れている。奇数群と偶数群には極性の異なる逆相の電圧
が走査信号配線の周期にあわせて反転印加される。映像
信号配線は奇数群と偶数群にわかれており、それぞれが
対応している奇数群と偶数群の共通電極と極性の異なる
逆相の信号電圧が印加される。奇数群と偶数群の映像信
号配線は上半分と下半分に２分割され、それぞれ同相の
異なる映像信号が印加される。２走査線同時アクセスド
ット反転駆動方式である。コンピューターなどのＯＡ用
表示装置の場合、フレームメモリーが用意されているの
でこのフレームメモリーから同時に２本の走査信号配線
分の画像データをとり出せるようにすればよい。ＳＸＧ
ＡやＵＸＧＡのように走査信号配線の数やフレーム周波
数が大幅に増加する場合、走査信号配線の選択時間が従
来の１走査信号配線アクセス方式のままでは１０μｓｅ
ｃ以下になってしまう。１０μｓｅｃ以下になってしま
うとアモルファスシリコン薄膜トランジスタの駆動能力
の限界にちかくなり、映像信号電圧を正確に液晶駆動電
極に伝達できなくなる。本発明の２走査線同時アクセス
ドット反転駆動方式ならば選択時間が従来の２倍にのび
るので、アモルファスシリコン薄膜トランジスタでも十
分な映像信号書き込み時間がかくほできる。映像信号配
線の材料の自由度も大幅に広くなる。
【００５４】
【発明の効果】本発明によれば第１に、画像の階調反転
のない視角特性の良好な画像を、得ることができる。第
２に映像信号駆動ＩＣに安価な５ＶＩＣを利用でき、従
来の液晶部材を使用できるのでコストの安い信頼性の高
い画像表示装置を提供できる。第３に、外部からの静電
気の影響を受けない動画対応の高速動作可能な横電界液
晶表示装置を作れる。第４に、超高精細・大画面液晶表
示装置をアモルファスシリコン薄膜トランジスタを用い
て実現できる。
のない視角特性の良好な画像を、得ることができる。第
２に映像信号駆動ＩＣに安価な５ＶＩＣを利用でき、従
来の液晶部材を使用できるのでコストの安い信頼性の高
い画像表示装置を提供できる。第３に、外部からの静電
気の影響を受けない動画対応の高速動作可能な横電界液
晶表示装置を作れる。第４に、超高精細・大画面液晶表
示装置をアモルファスシリコン薄膜トランジスタを用い
て実現できる。
【図１】 従来の横電界方式液晶表示装置の単位画素の
断面図
断面図
【図２】 従来の横電界方式液晶表示装置の単位画素の
平面図
平面図
【図３】 横電界液晶表示装置の電極間距離による透過
率と駆動電圧特性図
率と駆動電圧特性図
【図４】 本発明の横電界方式液晶表示装置の単位画素
の断面図
の断面図
【図５】 本発明の横電界方式液晶表示装置の単位画素
の平面図
の平面図
【図６】 本発明の横電界方式液晶表示装置の単位画素
の平面図
の平面図
【図７】 本発明の横電界方式電極間距離の配置組み合
せ図
せ図
【図８】 本発明の横電界方式液晶表示装置の単位画素
の平面図
の平面図
【図９】 本発明の横電界方式電極間距離の配置組み合
せ図
せ図
【図１０】 本発明の横電界方式液晶表示装置の単位画
素の平面図
素の平面図
【図１１】 本発明の横電界方式電極間距離の配置組み
合せ図
合せ図
【図１２】 本発明の横電界方式液晶表示装置の単位画
素の断面図
素の断面図
【図１３】 本発明の横電界方式液晶表示装置の単位画
素の平面図
素の平面図
【図１４】 本発明の横電界方式液晶表示装置の画素配
列の平面図
列の平面図
【図１５】 本発明の横電界方式液晶表示装置の画素配
列の平面図
列の平面図
【図１６】 本発明横電界方式表示装置の画素の映像信
号データ極性配列平面図
号データ極性配列平面図
【図１７】 本発明横電界方式表示装置の画素の映像信
号データ極性配列平面図
号データ極性配列平面図
【図１８】 本発明の横電界方式画素配列の平面図
【図１９】 本発明の横電界方式画素配列の平面図
【図２０】 本発明の横電界方式画素配列の平面図
【図２１】 本発明の横電界方式画素配列の平面図
【図２２】 本発明の横電界方式画素配列の平面図
【図２３】 本発明の横電界方式画素配列の平面図
【図２４】 本発明の横電界方式液晶表示装置の単位画
素の平面図
素の平面図
【図２５】 本発明横電界方式表示装置の画素の映像信
号データ極性配列平面図
号データ極性配列平面図
【図２６】 本発明の横電界方式液晶表示装置の単位画
素の断面図
素の断面図
【図２７】 本発明の横電界方式液晶表示装置の単位画
素の平面図
素の平面図
【図２８】 本発明の横電界方式液晶表示装置の単位画
素の断面図
素の断面図
【図２９】 本発明の横電界方式液晶表示装置の単位画
素の平面図
素の平面図
【図３０】 本発明の横電界方式画素配列の平面図
【図３１】 本発明の横電界方式画素配列の平面図
【図３２】 本発明の横電界方式画素配列の平面図
【図３３】 本発明の横電界方式画素配列の平面図
【図３４】 本発明の横電界方式画素配列の平面図
【図３５】 本発明の横電界方式画素配列の平面図
【図３６】 本発明の横電界方式液晶表示装置のカラー
フィルターブラックマスク（ＢＭ）の配列平面図
フィルターブラックマスク（ＢＭ）の配列平面図
【図３７】 本発明の横電界方式液晶表示装置のカラー
フィルターブラックマスク（ＢＭ）の配列平面図
フィルターブラックマスク（ＢＭ）の配列平面図
【図３８】 本発明の横電界方式液晶表示装置のカラー
フィルターブラックマスク（ＢＭ）の配列平面図
フィルターブラックマスク（ＢＭ）の配列平面図
【図３９】 本発明の横電界方式液晶表示装置のカラー
フィルターブラックマスク（ＢＭ）の配列平面図
フィルターブラックマスク（ＢＭ）の配列平面図
【図４０】 本発明の横電界方式液晶表示装置の駆動電
圧波形
圧波形
【図４１】 本発明の横電界方式液晶表示装置の駆動電
圧波形
圧波形
【図４２】 本発明の横電界方式液晶表示装置の単位画
素の断面図
素の断面図
【図４３】 本発明の横電界方式液晶表示装置の単位画
素の平面図
素の平面図
【図４４】 本発明の横電界方式液晶表示装置の単位画
素の断面図
素の断面図
【図４５】 本発明の横電界方式液晶表示装置用カラー
フィルターの断面図
フィルターの断面図
【図４６】 本発明の横電界方式液晶表示装置用カラー
フィルターの断面図
フィルターの断面図
【図４７】 本発明の横電界方式液晶表示装置用カラー
フィルターの断面図
フィルターの断面図
【図４８】 本発明の横電界方式液晶表示装置用カラー
フィルターの断面図
フィルターの断面図
【図４９】 本発明の横電界方式液晶表示装置用カラー
フィルターの断面図
フィルターの断面図
【図５０】 横電界方式液晶表示装置の液晶分子のプレ
チルト角と視角特性分布図
チルト角と視角特性分布図
【図５１】 横電界方式画素電極内の正の誘電率異方性
液晶の配向方向図
液晶の配向方向図
【図５２】 本発明の横電界方式屈曲画素電極内の正の
誘電率異方性液晶の配向方向図
誘電率異方性液晶の配向方向図
【図５３】 本発明の横電界方式屈曲画素電極内の負の
誘電率異方性液晶の配向方向図
誘電率異方性液晶の配向方向図
【図５４】 本発明横電界方式表示装置のポリイミド配
向膜に局部的ＵＶ照射処理をほどこした画素配列の平面
図
向膜に局部的ＵＶ照射処理をほどこした画素配列の平面
図
【図５５】 本発明横電界方式表示装置のポリイミド配
向膜に局部的ＵＶ照射処理をほどこした画素配列の平面
図
向膜に局部的ＵＶ照射処理をほどこした画素配列の平面
図
【図５６】 横電界方式液晶表示装置の液晶比抵抗値と
電圧保持率の特性図
電圧保持率の特性図
【図５７】 本発明の横電界方式液晶表示装置の単位画
素の断面図
素の断面図
【図５８】 本発明の横電界方式液晶表示装置の単位画
素の平面図
素の平面図
【図５９】 本発明の横電界方式液晶表示装置の画素配
列と共通電極駆動用連結電極の配置平面図
列と共通電極駆動用連結電極の配置平面図
【図６０】 横電界方式液晶表示装置の画素配列と共通
電極駆動用端子部の配置平面図
電極駆動用端子部の配置平面図
【図６１】 横電界方式液晶表示装置の駆動電圧波形
【図６２】 本発明の横電界方式液晶表示装置の画素配
列と共通電極駆動用連結電極の配置平面図
列と共通電極駆動用連結電極の配置平面図
【図６３】 本発明の横電界方式液晶表示装置の駆動電
圧波形
圧波形
【図６４】 本発明の横電界方式液晶表示装置の単位画
素の平面図
素の平面図
【図６５】 本発明の横電界方式液晶表示装置の単位画
素の断面図
素の断面図
【図６６】 本発明の横電界方式液晶表示装置の単位画
素保持容量形成部の断面図
素保持容量形成部の断面図
【図６７】 従来の横電界方式液晶表示装置用カラーフ
ィルターの断面図
ィルターの断面図
１―走査信号配線 ２―映像信号配線 ３―共通電極 ４―液晶駆動電極 ５―ゲート絶縁膜 ６―保護絶縁膜 ７―液晶配向膜（ＴＦＴ基板側） ８―液晶配向膜（対向基板側…カラーフィルター基板
側） ９―液晶分子（正の誘電率異方性液晶） １０―ＴＦＴ側ガラス基板 １１―対向ガラス基板 １２―ＴＦＴ基板側偏光板 １３―対向基板側偏光板 １４―上層絶縁膜 １５―ドレインスルーホール １６―保持容量形成領域 １７―陽極酸化膜 １８―走査信号配線と同じ材料で同時に形成された共通
電極（中央線） １９―共通電極スルーホール ２０―共通電極スルーホールで共通電極（中央線）と、
コンタクトしている画素電極 ２１―カラーフィルターのブラックマスク ２２―液晶分子（負の誘電率異方性液晶） ２３―走査信号配線駆動波形 ２４―奇数番映像信号波形 ２５―偶数番映像信号波形 ２６―奇数番共通電極駆動波形 ２７―偶数番共通電極駆動波形 ２８―（ｎ−１）番走査信号配線駆動波形 ２９−ｎ番走査信号配線駆動波形 ３０−映像信号波形 ３１―共通電極電位 ３２―不純物イオン打ち込み後活性化させ低抵抗化した
ｐｏｌｙｓｉドレイン電極 ３３―不純物イオン打ち込み後活性化させたｐｏｌｙｓ
ｉ半導体層の上にメタルシリサイドを形成したドレイン
電極 ３４―ノンドープアモルファスシリコン層の上に不純物
ドープした半導体ドレイン電極 ３５―反射防止膜をつけたブラックマスク ３６―透明導電膜層 ３７−カラーフィルター層 ３８―高抵抗平坦化膜 ３９―樹脂ブラックマスク ４０―帯電防止用反射防止膜付ブラックマスク電極 ４１―平坦化絶縁膜 ４２―帯電防止用ブラックマスク電極 ４３―静電気対策用素子 ４４―奇数番共通電極駆動用連結電極 ４５―偶数番共通電極駆動用連結電極 ４６―静電気対策用連結電極 ４７―ｎ番共通電極駆動波形 ４８―上半分領域ｎ番走査信号配線駆動波形 ４９―下半分領域ｎ番走査信号配線駆動波形 ５０―上半分領域Ｍ番映像信号波形 ５１―下半分領域Ｍ番映像信号波形 ５２―Ｍ番共通電極駆動波形 ５３―上半分領域映像信号配線 ５４―下半分領域映像信号配線 ５５―上半分領域走査信号配線 ５６―下半分領域走査信号配線 ５７―付加容量コンタクトスルーホール Ａ―Ｐ型液晶分子の配向方向と画素電極（共通電極と液
晶駆動電極）の交差する角度 Ｂ―Ｎ型液晶分子の配向方向と画素電極（共通電極と液
晶駆動電極）の交差する角度 ＢＰ―バックチャネル側保護絶縁膜 Ｐ―液晶分子の配向方向と偏光板の偏光軸方向（光学
軸） Ｑ―偏光板の偏光軸方向（光学軸） Ｄ―映像信号配線と同時に形成されたトランジスタ・ド
レイン電極 Ｓ―不純物をイオン打ち込み後レーザーアニールによっ
て活性化させ低抵抗になったｐｏｌｙ−ｓｉ液晶駆動電
極 Ｔ―半導体層 Ｕ―配向膜にＵＶ照射してラビング処理した低プレチル
ト化領域 Ｊ―不純物をイオン打ち込み後レーザーアニール処理に
てｐｏｌｙ−ｓｉ化した不純物半導体層の上にメタルシ
リサイドを形成した液晶駆動電極 Ｋ―ノンドープアモルファスシリコン層の上に不純物ド
ープした半導体液晶駆動電極 ａ―共通電極と液晶駆動電極の電極間距離 ｂ―共通電極と液晶駆動電極の電極間距離 ｃ―共通電極と液晶駆動電極の電極間距離 ｓｃ―映像信号配線と同時に形成された液晶駆動用付加
容量電極
側） ９―液晶分子（正の誘電率異方性液晶） １０―ＴＦＴ側ガラス基板 １１―対向ガラス基板 １２―ＴＦＴ基板側偏光板 １３―対向基板側偏光板 １４―上層絶縁膜 １５―ドレインスルーホール １６―保持容量形成領域 １７―陽極酸化膜 １８―走査信号配線と同じ材料で同時に形成された共通
電極（中央線） １９―共通電極スルーホール ２０―共通電極スルーホールで共通電極（中央線）と、
コンタクトしている画素電極 ２１―カラーフィルターのブラックマスク ２２―液晶分子（負の誘電率異方性液晶） ２３―走査信号配線駆動波形 ２４―奇数番映像信号波形 ２５―偶数番映像信号波形 ２６―奇数番共通電極駆動波形 ２７―偶数番共通電極駆動波形 ２８―（ｎ−１）番走査信号配線駆動波形 ２９−ｎ番走査信号配線駆動波形 ３０−映像信号波形 ３１―共通電極電位 ３２―不純物イオン打ち込み後活性化させ低抵抗化した
ｐｏｌｙｓｉドレイン電極 ３３―不純物イオン打ち込み後活性化させたｐｏｌｙｓ
ｉ半導体層の上にメタルシリサイドを形成したドレイン
電極 ３４―ノンドープアモルファスシリコン層の上に不純物
ドープした半導体ドレイン電極 ３５―反射防止膜をつけたブラックマスク ３６―透明導電膜層 ３７−カラーフィルター層 ３８―高抵抗平坦化膜 ３９―樹脂ブラックマスク ４０―帯電防止用反射防止膜付ブラックマスク電極 ４１―平坦化絶縁膜 ４２―帯電防止用ブラックマスク電極 ４３―静電気対策用素子 ４４―奇数番共通電極駆動用連結電極 ４５―偶数番共通電極駆動用連結電極 ４６―静電気対策用連結電極 ４７―ｎ番共通電極駆動波形 ４８―上半分領域ｎ番走査信号配線駆動波形 ４９―下半分領域ｎ番走査信号配線駆動波形 ５０―上半分領域Ｍ番映像信号波形 ５１―下半分領域Ｍ番映像信号波形 ５２―Ｍ番共通電極駆動波形 ５３―上半分領域映像信号配線 ５４―下半分領域映像信号配線 ５５―上半分領域走査信号配線 ５６―下半分領域走査信号配線 ５７―付加容量コンタクトスルーホール Ａ―Ｐ型液晶分子の配向方向と画素電極（共通電極と液
晶駆動電極）の交差する角度 Ｂ―Ｎ型液晶分子の配向方向と画素電極（共通電極と液
晶駆動電極）の交差する角度 ＢＰ―バックチャネル側保護絶縁膜 Ｐ―液晶分子の配向方向と偏光板の偏光軸方向（光学
軸） Ｑ―偏光板の偏光軸方向（光学軸） Ｄ―映像信号配線と同時に形成されたトランジスタ・ド
レイン電極 Ｓ―不純物をイオン打ち込み後レーザーアニールによっ
て活性化させ低抵抗になったｐｏｌｙ−ｓｉ液晶駆動電
極 Ｔ―半導体層 Ｕ―配向膜にＵＶ照射してラビング処理した低プレチル
ト化領域 Ｊ―不純物をイオン打ち込み後レーザーアニール処理に
てｐｏｌｙ−ｓｉ化した不純物半導体層の上にメタルシ
リサイドを形成した液晶駆動電極 Ｋ―ノンドープアモルファスシリコン層の上に不純物ド
ープした半導体液晶駆動電極 ａ―共通電極と液晶駆動電極の電極間距離 ｂ―共通電極と液晶駆動電極の電極間距離 ｃ―共通電極と液晶駆動電極の電極間距離 ｓｃ―映像信号配線と同時に形成された液晶駆動用付加
容量電極
Claims (17)
- 【請求項１】 基板上に走査信号配線と映像信号配線と
前記走査信号配線と映像信号配線との各交差部に形成さ
れた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続
された液晶駆動電極と、少なくとも一部が、前記液晶駆
動電極と対向して形成された共通電極とを有するアクテ
ィブマトリックス基板と、前記アクティブマトリックス
基板に対向する対向基板と、前記アクティブマトリック
ス基板と前記対向基板に挾持された液晶層とからなる液
晶表示装置において、前記液晶駆動電極と、前記共通電
極との電極間距離が、１画素内ですべて均一でなく２種
類以上の電極間距離の組み合せで形成されていることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 特許請求の範囲第１項において液晶駆動
電極と共通電極との電極間距離が、１画素内で２種類以
存在し、画素の中央を境にして異なる電極間距離が左右
対称または、上下対称に配置されていることを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項３】 基板上に走査信号配線と映像信号配線
と、前記走査信号配線と映像信号配線との各交差部に形
成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに
接続された液晶駆動電極と、少なくとも一部が前記液晶
駆動電極と対向して形成された共通電極とを有する、ア
クティブマトリックス基板と前記アクティブマトリック
ス基板に対向する対向基板と、前記アクティブマトリッ
クス基板と前記対向基板に挾持された液晶層とからなる
液晶表示装置において、共通電極が映像信号配線にそう
方向で連結され、有効表示画面内部では、共通電極が映
像信号配線を横ぎって互いに連結されていないことを特
徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】 特許請求の範囲第３項において、映像信
号配線に、そう方向で連結された共通電極を、奇数群と
偶数群に分離し、走査信号の周期にあわせて奇数群、偶
数群の共通電極に、それぞれ逆相の電圧波形を印加さ
せ、かつ奇数群、偶数群の共通電極に対向している液晶
駆動電極に、共通電極とは、逆相の映像信号波形をそれ
ぞれ印加することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】 基板上に走査信号配線と映像信号配線
と、前記走査信号配線と映像信号配線との各交差部に形
成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに
接続された液晶駆動電極と、少なくとも一部が、前記液
晶駆動電極と対向して形成された共通電極とを有するア
クティブマトリックス基板と、前記アクティブマトリッ
クス基板に対向する対向基板と、前記アクティブマトリ
ックス基板と前記対向基板に挾持された液晶層とからな
る液晶表示装置において、前記液晶駆動電極と前記共通
電極とが絶縁膜を介して重畳されることで形成された付
加容量よりも、前記液晶駆動電極と前記走査信号配線と
が絶縁膜を介して重畳されることで形成された付加容量
の方が大きいことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】 特許請求の範囲第５項において、共通電
極電位は、固定しておき、液晶駆動電極には、走査信号
の周期にあわせて共通電極電位に対して正、負の映像信
号電圧を交互に書きこみ、かつ前記液晶組成物層に印加
される電圧がより高まるように、絶縁膜を介して液晶駆
動電極と重畳されている走査信号配線にも電圧信号波形
を印加する容量結合駆動方式を用いた液晶表示装置。 - 【請求項７】 基板上に、走査信号配線と映像信号配線
と前記走査信号配線と映像信号配線との各交差部に形成
された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接
続された液晶駆動電極と、少なくとも一部が、前記液晶
駆動電極と対向して形成された共通電極とを有するアク
ティブマトリックス基板と前記アクティブマトリックス
基板に対向する対向基板と、前記アクティブマトリック
ス基板と、前記対向基板に挾持された液晶層とからなる
液晶表示装置において、薄膜半導体層に不純物をドーピ
ングし、活性化して低抵抗化して、液晶駆動電極に用い
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項８】 特許請求の範囲第７項において、前記映
像信号配線と画素電極（液晶駆動電極と、液晶駆動電極
に対向している共通電極の一部）が、液晶配向方向に対
し、±１度から±４５度の角度の範囲で、屈曲している
構造配置を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項９】 特許請求の範囲第７項において、前記走
査信号配線と画素電極が、液晶配向方向に対し±１度か
ら±４５度の角度の範囲で、屈曲している構造配置を特
徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１０】 特許請求の範囲第７項において、前記
映像信号配線と画素電極が、液晶配向方向に対し、９０
度をのぞく４５度から１３５度の範囲で、屈曲している
構造配置を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１１】 特許請求の範囲第７項において、前記
走査信号配線と、画素電極が、液晶配向方向に対し、９
０度をのぞく４５度から１３５度の範囲で、屈曲してい
る構造配置を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１２】 基板上に走査信号配線と映像信号配線
と前記走査信号配線と、映像信号配線との各交差部に形
成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに
接続された液晶駆動電極と、少なくとも一部が前記液晶
駆動電極と対向して形成された共通電極とを有するアク
ティブマトリックス基板と、前記アクティブマトリック
ス基板に対向する対向基板と、前記アクティブマトリッ
クス基板と前記対向基板に挾持された液晶層とからなる
液晶表示装置において、前記対向基板に形成されたカラ
ーフィルター層の上をおおうオーバーコート層に、高抵
抗材（１０９Ω・ｃｍ〜１０１１Ω・ｃｍ）を用いたこ
とを特徴とくる液晶表示装置。 - 【請求項１３】 特許請求の範囲第１２項において、カ
ラーフィルター層と、オーバーコート層と、液晶層の厚
みを合計したものが液晶駆動電極と共通電極との電極間
距離の２倍以上であることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１４】 前記対向基板に形成されたカラーフィ
ルター層の上をおおうオーバーコート層に絶縁膜を用
い、Ｒ，Ｇ，Ｂカラーフィルターの境界のオーバーコー
ト絶縁膜上に、導電性、または半導体の電極をブラック
マスクとして形成したことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１５】 基板上に走査信号配線と映像信号配線
と前記走査信号配線と映像信号配線との各交差部に形成
された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接
続された液晶駆動電極と、少なくとも一部が前記液晶駆
動電極と対向して形成された共通電極とを有するアクテ
ィブマトリックス基板と前記アクティブマトリックス基
板に対向する対向基板と前記アクティブマトリックス基
板と前記対向基板に挾持された液晶層とからなる液晶表
示装置を作る工程において、液晶を配向させるための配
向膜を塗布し、焼成後、配向膜にＵＶ照射処理またはＨ
ｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｎ２，Ｏ２などのイオンインプラテー
ション処理やプラズマ処理をした後、ラビング処理する
ことで、液晶プレチルト角を１度以下に低下させること
を特徴とする製造工程。 - 【請求項１６】 特許請求の範囲第３項において、映像
信号配線にそう方向で連結された共通電極を、奇数群と
偶数群に分離し、かつ映像信号配線を画面の中央で上下
に２分割したことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１７】 特許請求の範囲第１６項において、画
面の中央で上下の群に２分割された走査信号配線を同時
に上群と下群とで駆動し上下の映像信号配線には、奇数
群と偶数群とで逆相の映像信号電圧波形を印加し、共通
電極の奇数群と偶数群にはそれぞれの映像信号配線の電
圧波形と逆相の共通電極駆動波形を印加することで、同
時に画面の上下の２本の水平ラインに異なる映像信号を
書きこむ駆動方式を特徴とする液晶表示装置。
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