JPH10321366A - 有機ｅｌ素子とその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ素子とその製造方法Info
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- JPH10321366A JPH10321366A JP9147142A JP14714297A JPH10321366A JP H10321366 A JPH10321366 A JP H10321366A JP 9147142 A JP9147142 A JP 9147142A JP 14714297 A JP14714297 A JP 14714297A JP H10321366 A JPH10321366 A JP H10321366A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構成で、微細なパターンの背面電極を
形成する。 【解決手段】 ガラスや石英、樹脂等の透明な基板１０
の表面にＩＴＯ等の透明な電極材料が所定のパターンで
形成された透明電極１２と、透明電極１２上に他の所定
パターン形成された絶縁体１４とを有する。透明電極１
２および絶縁体１４上に形成されホール輸送材料及び電
子輸送材料その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる
発光層１６を有する。発光層１６に積層され透明電極１
２に対向して形成されるとともに、絶縁体１４上で互い
に分離されて所定のパターンに絶縁された背面電極１８
を備える。
形成する。 【解決手段】 ガラスや石英、樹脂等の透明な基板１０
の表面にＩＴＯ等の透明な電極材料が所定のパターンで
形成された透明電極１２と、透明電極１２上に他の所定
パターン形成された絶縁体１４とを有する。透明電極１
２および絶縁体１４上に形成されホール輸送材料及び電
子輸送材料その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる
発光層１６を有する。発光層１６に積層され透明電極１
２に対向して形成されるとともに、絶縁体１４上で互い
に分離されて所定のパターンに絶縁された背面電極１８
を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、平面光源やディ
スプレイ、その他所定のパターン等の発光表示に用いら
れる有機ＥＬ素子とその製造方法に関する。
スプレイ、その他所定のパターン等の発光表示に用いら
れる有機ＥＬ素子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばドットマトリクス発光させ
る有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子は、ガラ
ス基板に透光性のＩＴＯ膜を一面に形成し、このＩＴＯ
膜をストライプ状にエッチングして透明電極を形成し、
その表面に発光層を全面蒸着またはマスク蒸着により形
成している。この発光層は、トリフェニルアミン誘導体
（ＴＰＤ）等のホール輸送材料を設け、その上に発光材
料であるアルミキレート錯体（Ａｌｑ3）等の電子輸送
材料を積層したものや、これらの混合層からなる。そし
てその表面に、Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等の背面
電極を、上記透明電極のパターンと直交する方向にスト
ライプ状にマスク蒸着等で付着して形成している。この
有機ＥＬ素子は、陽極である透明電極と陰極の背面電極
の交点に所定の電流を流し、発光させるものである。
る有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子は、ガラ
ス基板に透光性のＩＴＯ膜を一面に形成し、このＩＴＯ
膜をストライプ状にエッチングして透明電極を形成し、
その表面に発光層を全面蒸着またはマスク蒸着により形
成している。この発光層は、トリフェニルアミン誘導体
（ＴＰＤ）等のホール輸送材料を設け、その上に発光材
料であるアルミキレート錯体（Ａｌｑ3）等の電子輸送
材料を積層したものや、これらの混合層からなる。そし
てその表面に、Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等の背面
電極を、上記透明電極のパターンと直交する方向にスト
ライプ状にマスク蒸着等で付着して形成している。この
有機ＥＬ素子は、陽極である透明電極と陰極の背面電極
の交点に所定の電流を流し、発光させるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、有機ＥＬ素子
の形成は高い純度が要求され、不純物による汚染を避け
なければならず、しかも有機ＥＬ素子の発光層は熱に弱
いという問題があった。従って、背面電極のパターン形
成は、発光層の蒸着工程の後に、続けてマスク蒸着によ
り行なうのが望ましいものであった。
の形成は高い純度が要求され、不純物による汚染を避け
なければならず、しかも有機ＥＬ素子の発光層は熱に弱
いという問題があった。従って、背面電極のパターン形
成は、発光層の蒸着工程の後に、続けてマスク蒸着によ
り行なうのが望ましいものであった。
【０００４】しかし、マスク蒸着は、微細なパターン形
成が難しく、特に背面電極のマスク蒸着は、背面電極の
導体部分を明けたマスクが用いられ、この導体部分は発
光部分となるので、極力広い方が好ましく、絶縁部分と
なるマスクはできる限り細い線にしたい。しかし、この
細い線を基板の発光層の表面に正確に位置せることが難
しく、製造上はこのマスク部分の線は太い方が工程上お
よび歩留上好ましいものであるという、相反する問題点
があった。
成が難しく、特に背面電極のマスク蒸着は、背面電極の
導体部分を明けたマスクが用いられ、この導体部分は発
光部分となるので、極力広い方が好ましく、絶縁部分と
なるマスクはできる限り細い線にしたい。しかし、この
細い線を基板の発光層の表面に正確に位置せることが難
しく、製造上はこのマスク部分の線は太い方が工程上お
よび歩留上好ましいものであるという、相反する問題点
があった。
【０００５】この発明は、上記従来の技術に鑑みてなさ
れたもので、簡単な構成で、微細なパターンの背面電極
を形成することができる有機ＥＬ素子とその製造方法を
提供することを目的とする。
れたもので、簡単な構成で、微細なパターンの背面電極
を形成することができる有機ＥＬ素子とその製造方法を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、ガラスや石
英、樹脂等の透明な基板表面にＩＴＯ等の透明な電極材
料が所定のパターンで形成された透明電極と、この透明
電極上に他の所定パターン形成された絶縁体と、上記透
明電極および絶縁体上に形成されホール輸送材料及び電
子輸送材料その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる
発光層と、上記発光層に積層され上記透明電極に対向し
て形成されるとともに上記絶縁体上で互いに分離されて
所定のパターンに絶縁された背面電極とからなる有機Ｅ
Ｌ素子である。また、上記絶縁体はＳｉＯ2やフォトレ
ジストである。
英、樹脂等の透明な基板表面にＩＴＯ等の透明な電極材
料が所定のパターンで形成された透明電極と、この透明
電極上に他の所定パターン形成された絶縁体と、上記透
明電極および絶縁体上に形成されホール輸送材料及び電
子輸送材料その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる
発光層と、上記発光層に積層され上記透明電極に対向し
て形成されるとともに上記絶縁体上で互いに分離されて
所定のパターンに絶縁された背面電極とからなる有機Ｅ
Ｌ素子である。また、上記絶縁体はＳｉＯ2やフォトレ
ジストである。
【０００７】またこの発明は、ガラスや石英、樹脂等の
透明な基板表面にＩＴＯ等の透明電極を所定のパターン
で形成し、この透明電極上に所定のパターンで絶縁体を
形成し、この絶縁体上に形成されホール輸送材料及び電
子輸送材料その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる
発光層を形成し、上記発光層に導電体の背面電極を積層
し、上記透明電極に対向して形成されるとともに上記絶
縁体に沿って互いに上記背面電極を除去することにより
所定のパターンに絶縁する有機ＥＬ素子の製造方法であ
る。
透明な基板表面にＩＴＯ等の透明電極を所定のパターン
で形成し、この透明電極上に所定のパターンで絶縁体を
形成し、この絶縁体上に形成されホール輸送材料及び電
子輸送材料その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる
発光層を形成し、上記発光層に導電体の背面電極を積層
し、上記透明電極に対向して形成されるとともに上記絶
縁体に沿って互いに上記背面電極を除去することにより
所定のパターンに絶縁する有機ＥＬ素子の製造方法であ
る。
【０００８】上記背面電極は、上記発光層に蒸着等の真
空薄膜形成技術により一面に積層し、その上から、上記
絶縁層に沿ってレーザにより上記背面電極を除去し所定
のパターンを形成するものである。または、上記背面電
極は、上記発光層に蒸着等の真空薄膜形成技術により一
面に積層した後、上記絶縁層に沿った所定のパターンの
レジストを設け、エッチングにより上記絶縁層に沿って
上記背面電極を除去するものである。
空薄膜形成技術により一面に積層し、その上から、上記
絶縁層に沿ってレーザにより上記背面電極を除去し所定
のパターンを形成するものである。または、上記背面電
極は、上記発光層に蒸着等の真空薄膜形成技術により一
面に積層した後、上記絶縁層に沿った所定のパターンの
レジストを設け、エッチングにより上記絶縁層に沿って
上記背面電極を除去するものである。
【０００９】上記絶縁層は、ＳｉＯ2等の絶縁体をマス
クを用いて蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成技術
により形成するものである。または、フォトマスクとフ
ォトレジストにより所定パターンを形成し、そのフォト
レジストを上記絶縁層として残し、その上に上記背面電
極を形成するものである。
クを用いて蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成技術
により形成するものである。または、フォトマスクとフ
ォトレジストにより所定パターンを形成し、そのフォト
レジストを上記絶縁層として残し、その上に上記背面電
極を形成するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を基にして説明する。図１（Ａ）〜図１（Ｄ）
はこの発明の有機ＥＬ素子の第一実施形態を示すもの
で、この実施形態の有機ＥＬ素子は、ガラスや石英、樹
脂等の透明な基板１０の一方の側にＩＴＯ等の透明な電
極材料による透明電極１２が形成されている。透明電極
１２は、１μｍ程度の厚さで、所定のピッチでストライ
プ状、例えば１．５ｍｍピッチで、１ｍｍ幅の透明電極
１２に形成されている。透明電極１２の表面には、Ｓｉ
Ｏ2等の絶縁体１４が、透明電極と直交する方向に１μ
ｍ程度の厚さで０．５ｍｍの幅にストライプ状に形成さ
れている。絶縁体１４は比較的黒色または暗色となるよ
うに形成されている。
いて図面を基にして説明する。図１（Ａ）〜図１（Ｄ）
はこの発明の有機ＥＬ素子の第一実施形態を示すもの
で、この実施形態の有機ＥＬ素子は、ガラスや石英、樹
脂等の透明な基板１０の一方の側にＩＴＯ等の透明な電
極材料による透明電極１２が形成されている。透明電極
１２は、１μｍ程度の厚さで、所定のピッチでストライ
プ状、例えば１．５ｍｍピッチで、１ｍｍ幅の透明電極
１２に形成されている。透明電極１２の表面には、Ｓｉ
Ｏ2等の絶縁体１４が、透明電極と直交する方向に１μ
ｍ程度の厚さで０．５ｍｍの幅にストライプ状に形成さ
れている。絶縁体１４は比較的黒色または暗色となるよ
うに形成されている。
【００１１】透明電極１２、絶縁体１４の表面には、５
００Å程度のホール輸送材料、及び５００Å程度の電子
輸送材料その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる発
光層１６が積層される。そして、発光層の１６電子輸送
材料の表面には、例えばＬｉを０．０１〜０．０５％程
度含む純度９９％程度のＡｌ−Ｌｉ合金の背面電極１８
が、適宜の５００Å〜１０００Å程度の厚さで、透明電
極１２と対面し絶縁体１４に沿って透明電極１２と直交
する方向に、所定ピッチのストライプ状に形成されてい
る。
００Å程度のホール輸送材料、及び５００Å程度の電子
輸送材料その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる発
光層１６が積層される。そして、発光層の１６電子輸送
材料の表面には、例えばＬｉを０．０１〜０．０５％程
度含む純度９９％程度のＡｌ−Ｌｉ合金の背面電極１８
が、適宜の５００Å〜１０００Å程度の厚さで、透明電
極１２と対面し絶縁体１４に沿って透明電極１２と直交
する方向に、所定ピッチのストライプ状に形成されてい
る。
【００１２】さらに、この背面電極１８の表面には、適
宜９９．９９９％以上の純度のＡｌ等によるによる図示
しない導電パターンが、ストライプ状に形成されてい
る。この表面には、さらに、図示しない保護層が積層さ
れている。保護層は、Ａｇ、Ａｌ等の金属薄膜や、フェ
ノール、エポキシ等の樹脂や、導電性塗料により形成さ
れ、背面電極及び発光層を外気から遮断するものであ
る。
宜９９．９９９％以上の純度のＡｌ等によるによる図示
しない導電パターンが、ストライプ状に形成されてい
る。この表面には、さらに、図示しない保護層が積層さ
れている。保護層は、Ａｇ、Ａｌ等の金属薄膜や、フェ
ノール、エポキシ等の樹脂や、導電性塗料により形成さ
れ、背面電極及び発光層を外気から遮断するものであ
る。
【００１３】発光層は、母体材料のうちホール輸送材料
としては、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ヒド
ラゾン誘導体、アリールアミン誘導体等がある。また、
電子輸送材料としては、アルミキレート錯体（Ａｌ
ｑ3）、ジスチリルビフェニル誘導体（ＤＰＶＢｉ）、
オキサジアゾール誘導体、ビスチリルアントラセン誘導
体、ベンゾオキサゾールチオフェン誘導体、ペリレン
類、チアゾール類等を用いる。さらに、適宜の発光材料
を混合しても良く、ホール輸送材料と電子輸送材料を混
合した発光層１６を形成しても良く、その場合、ホール
輸送材料と電子輸送材料の比は、１０：９０乃至９０：
１０の範囲で適宜変更可能である。
としては、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ヒド
ラゾン誘導体、アリールアミン誘導体等がある。また、
電子輸送材料としては、アルミキレート錯体（Ａｌ
ｑ3）、ジスチリルビフェニル誘導体（ＤＰＶＢｉ）、
オキサジアゾール誘導体、ビスチリルアントラセン誘導
体、ベンゾオキサゾールチオフェン誘導体、ペリレン
類、チアゾール類等を用いる。さらに、適宜の発光材料
を混合しても良く、ホール輸送材料と電子輸送材料を混
合した発光層１６を形成しても良く、その場合、ホール
輸送材料と電子輸送材料の比は、１０：９０乃至９０：
１０の範囲で適宜変更可能である。
【００１４】この実施形態のＥＬ素子の製造方法は、図
１（Ａ）に示すように、ガラスや石英、透明樹脂等の透
明基板１０の表面に、蒸着やスパッタリング等の真空薄
膜形成技術によりＩＴＯ等の透明な電極材料を一面に付
着させる。そして、その表面にフォトレジストを塗布
し、フォトマスクを用いて所定の間隔の透明電極１２の
パターンを形成する。この後、図１（Ｂ）に示すよう
に、透明電極１２と直交する方向にスリット２０が形成
されたマスク２２により、透明電極１２が形成された基
板１０を覆い、ＳｉＯ2等の絶縁体１４を蒸着等の真空
薄膜形成技術により付着させる。そして、マスク２２を
除去する。この後、図１（Ｃ）に示すように、この表面
にホール輸送材料及び電子輸送材料その他発光材料によ
る有機ＥＬ材料からなる発光層１６を真空薄膜形成技術
により全面に積層し、さらに背面電極１８を真空薄膜形
成技術により形成する。
１（Ａ）に示すように、ガラスや石英、透明樹脂等の透
明基板１０の表面に、蒸着やスパッタリング等の真空薄
膜形成技術によりＩＴＯ等の透明な電極材料を一面に付
着させる。そして、その表面にフォトレジストを塗布
し、フォトマスクを用いて所定の間隔の透明電極１２の
パターンを形成する。この後、図１（Ｂ）に示すよう
に、透明電極１２と直交する方向にスリット２０が形成
されたマスク２２により、透明電極１２が形成された基
板１０を覆い、ＳｉＯ2等の絶縁体１４を蒸着等の真空
薄膜形成技術により付着させる。そして、マスク２２を
除去する。この後、図１（Ｃ）に示すように、この表面
にホール輸送材料及び電子輸送材料その他発光材料によ
る有機ＥＬ材料からなる発光層１６を真空薄膜形成技術
により全面に積層し、さらに背面電極１８を真空薄膜形
成技術により形成する。
【００１５】背面電極１８は蒸着により一面に形成した
後、図１（Ｄ）に示すように、絶縁体１４に沿って所定
のパターンに絶縁体１４より狭い幅にレーザ光２４によ
り除去する。このとき、絶縁体１４は黒色または暗色で
あるので、レーザ光２４の吸収が良く容易に発光層１
６、背面電極１８が加熱され、蒸発する。これにより背
面電極１８の分離絶縁部２６が形成される。
後、図１（Ｄ）に示すように、絶縁体１４に沿って所定
のパターンに絶縁体１４より狭い幅にレーザ光２４によ
り除去する。このとき、絶縁体１４は黒色または暗色で
あるので、レーザ光２４の吸収が良く容易に発光層１
６、背面電極１８が加熱され、蒸発する。これにより背
面電極１８の分離絶縁部２６が形成される。
【００１６】ここで蒸着条件は、例えば、真空度が６×
１０-6Ｔｏｒｒで、有機ＥＬ材料の場合５０Å／ｓｅｃ
の蒸着速度で成膜させる。また、発光層１６等は、フラ
ッシュ蒸着により形成しても良い。フラッシュ蒸着法
は、予め所定の比率で混合した有機ＥＬ材料を、３００
〜６００℃好ましくは、４００〜５００℃に加熱した蒸
着源に落下させ、有機ＥＬ材料を一気に蒸発させるもの
である。また、その有機ＥＬ材料を容器中に収容し、急
速にその容器を加熱し、一気に蒸着させるものでも良
い。
１０-6Ｔｏｒｒで、有機ＥＬ材料の場合５０Å／ｓｅｃ
の蒸着速度で成膜させる。また、発光層１６等は、フラ
ッシュ蒸着により形成しても良い。フラッシュ蒸着法
は、予め所定の比率で混合した有機ＥＬ材料を、３００
〜６００℃好ましくは、４００〜５００℃に加熱した蒸
着源に落下させ、有機ＥＬ材料を一気に蒸発させるもの
である。また、その有機ＥＬ材料を容器中に収容し、急
速にその容器を加熱し、一気に蒸着させるものでも良
い。
【００１７】この実施形態のＥＬ素子によれば、マスク
２２は、できるだけ狭くすることが望まれる分離絶縁部
２６に対応してスリット２０が形成されていれば良く、
スリット２０以外の部分が相対的に太く、マスク２２位
置合わせ等のセッティングが容易に可能となる。しかも
レーザ光２４により分離絶縁部２６を形成しているの
で、パターンの形成が任意に可能である。
２２は、できるだけ狭くすることが望まれる分離絶縁部
２６に対応してスリット２０が形成されていれば良く、
スリット２０以外の部分が相対的に太く、マスク２２位
置合わせ等のセッティングが容易に可能となる。しかも
レーザ光２４により分離絶縁部２６を形成しているの
で、パターンの形成が任意に可能である。
【００１８】次にこの発明の第二実施形態について、図
２（Ａ）〜図２（Ｄ）を基にして説明する。ここで、上
記実施形態と同様の部材は同一の符号を付して説明を省
略する。この実施形態の有機ＥＬ素子は、ガラスや石
英、樹脂等の透明な基板１０の一方の側にＩＴＯ等の透
明な電極材料による透明電極１２が所定のパターンで形
成されている。透明電極１２の表面側には、ドライフィ
ルムフォトマスク３０を用いて透明電極と直角方向に所
定のピッチで、発光層の開口部を除くパターンをフォト
レジスト３２により形成する。このフォトレジスト３２
は絶縁体として用いる。そして、この上に上記と同様に
発光層１６を形成し、その上に背面電極１８が形成され
ている。
２（Ａ）〜図２（Ｄ）を基にして説明する。ここで、上
記実施形態と同様の部材は同一の符号を付して説明を省
略する。この実施形態の有機ＥＬ素子は、ガラスや石
英、樹脂等の透明な基板１０の一方の側にＩＴＯ等の透
明な電極材料による透明電極１２が所定のパターンで形
成されている。透明電極１２の表面側には、ドライフィ
ルムフォトマスク３０を用いて透明電極と直角方向に所
定のピッチで、発光層の開口部を除くパターンをフォト
レジスト３２により形成する。このフォトレジスト３２
は絶縁体として用いる。そして、この上に上記と同様に
発光層１６を形成し、その上に背面電極１８が形成され
ている。
【００１９】この実施形態のＥＬ素子の製造方法は、図
２（Ａ）に示すように、ガラスや石英、透明樹脂等の透
明基板１０の表面に、蒸着やスパッタリング等の真空薄
膜形成技術によりＩＴＯ等の透明な電極材料を一面に付
着させる。そして、その表面にフォトレジストを塗布し
てフォトマスクにより所定のパターンに透明電極１２を
形成する。さらに、その表面にフォトレジストを塗布し
てフォトマスク３０により、図２（Ｂ）に示すように、
所定のパターンにフォトレジスト３２を形成する。この
後上記実施形態と同様に、図２（Ｃ）に示すように表面
に発光層１６を形成し、その上に背面電極１８を一面に
形成する。この後上記実施形態と同様に図２（Ｄ）に示
すように、絶縁体１４に沿って所定のパターンに絶縁体
１４より狭い幅にレーザ光２４により除去する。このと
き、フォトレジスト３２は黒色または暗色にすることに
より、レーザ光２４の吸収が良く容易に発光層１６、背
面電極１８が加熱され、蒸発する。これにより背面電極
１８の分離絶縁部２６が形成される。
２（Ａ）に示すように、ガラスや石英、透明樹脂等の透
明基板１０の表面に、蒸着やスパッタリング等の真空薄
膜形成技術によりＩＴＯ等の透明な電極材料を一面に付
着させる。そして、その表面にフォトレジストを塗布し
てフォトマスクにより所定のパターンに透明電極１２を
形成する。さらに、その表面にフォトレジストを塗布し
てフォトマスク３０により、図２（Ｂ）に示すように、
所定のパターンにフォトレジスト３２を形成する。この
後上記実施形態と同様に、図２（Ｃ）に示すように表面
に発光層１６を形成し、その上に背面電極１８を一面に
形成する。この後上記実施形態と同様に図２（Ｄ）に示
すように、絶縁体１４に沿って所定のパターンに絶縁体
１４より狭い幅にレーザ光２４により除去する。このと
き、フォトレジスト３２は黒色または暗色にすることに
より、レーザ光２４の吸収が良く容易に発光層１６、背
面電極１８が加熱され、蒸発する。これにより背面電極
１８の分離絶縁部２６が形成される。
【００２０】この実施形態の有機ＥＬ素子によれば、絶
縁体のパターンをレジスト３２により形成しているの
で、より細密なパターンを形成することができ、製造工
程も容易なものである。
縁体のパターンをレジスト３２により形成しているの
で、より細密なパターンを形成することができ、製造工
程も容易なものである。
【００２１】次にこの発明の第三実施形態について、図
３（Ａ）〜図３（Ｄ）を基にして説明する。ここで、上
記実施形態と同様の部材は同一の符号を付して説明を省
略する。この実施形態の有機ＥＬ素子も上記実施形態と
同様に、ガラスや石英、樹脂等の透明な基板１０の一方
の側にＩＴＯ等の透明な電極材料による透明電極１２が
形成されている。透明電極１２は、１μｍ程度の厚さ
で、所定のピッチでストライプ状、例えば１．５ｍｍピ
ッチで、１ｍｍ幅の透明電極１２に形成されている。透
明電極１２の表面には、ＳｉＯ2等の絶縁体１４が、透
明電極と直交する方向に１μｍ程度の厚さで０．５ｍｍ
の幅にストライプ状に形成されている。絶縁体１４は比
較的黒色または暗色となるように形成されている。
３（Ａ）〜図３（Ｄ）を基にして説明する。ここで、上
記実施形態と同様の部材は同一の符号を付して説明を省
略する。この実施形態の有機ＥＬ素子も上記実施形態と
同様に、ガラスや石英、樹脂等の透明な基板１０の一方
の側にＩＴＯ等の透明な電極材料による透明電極１２が
形成されている。透明電極１２は、１μｍ程度の厚さ
で、所定のピッチでストライプ状、例えば１．５ｍｍピ
ッチで、１ｍｍ幅の透明電極１２に形成されている。透
明電極１２の表面には、ＳｉＯ2等の絶縁体１４が、透
明電極と直交する方向に１μｍ程度の厚さで０．５ｍｍ
の幅にストライプ状に形成されている。絶縁体１４は比
較的黒色または暗色となるように形成されている。
【００２２】透明電極１２、絶縁体１４の表面には、５
００Å程度のホール輸送材料、及び５００Å程度の電子
輸送材料その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる発
光層１６が積層される。そして、発光層の１６電子輸送
材料の表面には、例えばＬｉを０．０１〜０．０５％程
度含む純度９９％程度のＡｌ−Ｌｉ合金の背面電極１８
が、適宜の５００Å〜１０００Å程度の厚さで、透明電
極１２と対面し絶縁体１４に沿って透明電極１２と直交
する方向に、所定ピッチのストライプ状に形成されてい
る。
００Å程度のホール輸送材料、及び５００Å程度の電子
輸送材料その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる発
光層１６が積層される。そして、発光層の１６電子輸送
材料の表面には、例えばＬｉを０．０１〜０．０５％程
度含む純度９９％程度のＡｌ−Ｌｉ合金の背面電極１８
が、適宜の５００Å〜１０００Å程度の厚さで、透明電
極１２と対面し絶縁体１４に沿って透明電極１２と直交
する方向に、所定ピッチのストライプ状に形成されてい
る。
【００２３】この実施形態のＥＬ素子の製造方法は、上
記実施形態と同様に、ガラスや石英、透明樹脂等の透明
基板１０の表面に、蒸着やスパッタリング等の真空薄膜
形成技術によりＩＴＯ等の透明な電極材料を一面に付着
させる。そして、その表面にフォトレジストを塗布して
フォトマスクにより、所定のパターンに透明電極１２を
形成する。さらに、図３（Ａ）に示すように、その表面
にフォトレジスト３４により所定のパターンに形成する
フォトレジスト３４は透明電極１２と直交方向に開口部
３５を有したストライプ状のパターンに形成される。そ
して、図３（Ｂ）に示すように、ＳｉＯ2等の絶縁体１
４を蒸着等の真空薄膜形成技術により付着させる。これ
により、フォトレジスト３４を除去し、上記パターンに
絶縁体１４を形成する。この後上記実施形態と同様に、
図３（Ｃ）に示すように表面に発光層１６を形成し、そ
の上に背面電極１８を一面に形成する。この後上記実施
形態と同様に図３（Ｄ）に示すように、絶縁体１４に沿
って所定のパターンに絶縁体１４より狭い幅にレーザ光
２４により除去する。このとき、絶縁体１４を黒色また
は暗色にすることにより、レーザ光２４の吸収が良く容
易に発光層１６、背面電極１８が加熱され、蒸発する。
これにより背面電極１８の分離絶縁部２６が形成され
る。
記実施形態と同様に、ガラスや石英、透明樹脂等の透明
基板１０の表面に、蒸着やスパッタリング等の真空薄膜
形成技術によりＩＴＯ等の透明な電極材料を一面に付着
させる。そして、その表面にフォトレジストを塗布して
フォトマスクにより、所定のパターンに透明電極１２を
形成する。さらに、図３（Ａ）に示すように、その表面
にフォトレジスト３４により所定のパターンに形成する
フォトレジスト３４は透明電極１２と直交方向に開口部
３５を有したストライプ状のパターンに形成される。そ
して、図３（Ｂ）に示すように、ＳｉＯ2等の絶縁体１
４を蒸着等の真空薄膜形成技術により付着させる。これ
により、フォトレジスト３４を除去し、上記パターンに
絶縁体１４を形成する。この後上記実施形態と同様に、
図３（Ｃ）に示すように表面に発光層１６を形成し、そ
の上に背面電極１８を一面に形成する。この後上記実施
形態と同様に図３（Ｄ）に示すように、絶縁体１４に沿
って所定のパターンに絶縁体１４より狭い幅にレーザ光
２４により除去する。このとき、絶縁体１４を黒色また
は暗色にすることにより、レーザ光２４の吸収が良く容
易に発光層１６、背面電極１８が加熱され、蒸発する。
これにより背面電極１８の分離絶縁部２６が形成され
る。
【００２４】この実施形態の有機ＥＬ素子によれば、絶
縁体１４のパターンをフォトレジスト３４により形成し
ているので、より細密なパターンを形成することができ
るものである。
縁体１４のパターンをフォトレジスト３４により形成し
ているので、より細密なパターンを形成することができ
るものである。
【００２５】次にこの発明の第四実施形態について、図
４（Ａ）〜図４（Ｄ）を基にして説明する。ここで、上
記実施形態と同様の部材は同一の符号を付して説明を省
略する。この実施形態の有機ＥＬ素子も上記実施形態と
同様に、ガラスや石英、樹脂等の透明な基板１０の一方
の側にＩＴＯ等の透明な電極材料による透明電極１２が
形成されている。透明電極１２は、１μｍ程度の厚さ
で、所定のピッチでストライプ状、例えば１．５ｍｍピ
ッチで、１ｍｍ幅の透明電極１２に形成されている。透
明電極１２の表面には、ＳｉＯ2等の絶縁体１４が、透
明電極と直交する方向に１μｍ程度の厚さで０．５ｍｍ
の幅にストライプ状に形成されている。絶縁体１４は比
較的黒色または暗色となるように形成されている。
４（Ａ）〜図４（Ｄ）を基にして説明する。ここで、上
記実施形態と同様の部材は同一の符号を付して説明を省
略する。この実施形態の有機ＥＬ素子も上記実施形態と
同様に、ガラスや石英、樹脂等の透明な基板１０の一方
の側にＩＴＯ等の透明な電極材料による透明電極１２が
形成されている。透明電極１２は、１μｍ程度の厚さ
で、所定のピッチでストライプ状、例えば１．５ｍｍピ
ッチで、１ｍｍ幅の透明電極１２に形成されている。透
明電極１２の表面には、ＳｉＯ2等の絶縁体１４が、透
明電極と直交する方向に１μｍ程度の厚さで０．５ｍｍ
の幅にストライプ状に形成されている。絶縁体１４は比
較的黒色または暗色となるように形成されている。
【００２６】透明電極１２、絶縁体１４の表面には、５
００Å程度のホール輸送材料、及び５００Å程度の電子
輸送材料その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる発
光層１６が積層される。そして、発光層の１６電子輸送
材料の表面には、例えばＬｉを０．０１〜０．０５％程
度含む純度９９％程度のＡｌ−Ｌｉ合金の背面電極１８
が、適宜の５００Å〜１０００Å程度の厚さで、透明電
極１２と対面し絶縁体１４に沿って透明電極１２と直交
する方向に、所定ピッチのストライプ状に形成されてい
る。
００Å程度のホール輸送材料、及び５００Å程度の電子
輸送材料その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる発
光層１６が積層される。そして、発光層の１６電子輸送
材料の表面には、例えばＬｉを０．０１〜０．０５％程
度含む純度９９％程度のＡｌ−Ｌｉ合金の背面電極１８
が、適宜の５００Å〜１０００Å程度の厚さで、透明電
極１２と対面し絶縁体１４に沿って透明電極１２と直交
する方向に、所定ピッチのストライプ状に形成されてい
る。
【００２７】この実施形態のＥＬ素子の製造方法は、上
記実施形態と同様に、ガラスや石英、透明樹脂等の透明
基板１０の表面に、蒸着やスパッタリング等の真空薄膜
形成技術によりＩＴＯ等の透明な電極材料を一面に付着
させる。そして、その表面にフォトレジストを塗布して
フォトマスクにより、所定のパターンに透明電極１２を
形成する。さらに、図４（Ａ）に示すように、その表面
にフォトレジスト３４を所定のパターンに形成する。そ
して、図４（Ｂ）に示すように、ＳｉＯ2等の絶縁体１
４を蒸着等の真空薄膜形成技術により、上記実施形態と
同様のストライプ状に付着させる。そして、フォトレジ
スト３４を除去し、所定のパターンに絶縁体１４を形成
する。この後上記実施形態と同様に、図４（Ｃ）に示す
ように表面に発光層１６を形成し、その上に背面電極１
８を一面に形成する。
記実施形態と同様に、ガラスや石英、透明樹脂等の透明
基板１０の表面に、蒸着やスパッタリング等の真空薄膜
形成技術によりＩＴＯ等の透明な電極材料を一面に付着
させる。そして、その表面にフォトレジストを塗布して
フォトマスクにより、所定のパターンに透明電極１２を
形成する。さらに、図４（Ａ）に示すように、その表面
にフォトレジスト３４を所定のパターンに形成する。そ
して、図４（Ｂ）に示すように、ＳｉＯ2等の絶縁体１
４を蒸着等の真空薄膜形成技術により、上記実施形態と
同様のストライプ状に付着させる。そして、フォトレジ
スト３４を除去し、所定のパターンに絶縁体１４を形成
する。この後上記実施形態と同様に、図４（Ｃ）に示す
ように表面に発光層１６を形成し、その上に背面電極１
８を一面に形成する。
【００２８】この後上記実施形態と同様に図４（Ｄ）に
示すように、フォトレジスト３６を塗布し、絶縁体１４
に沿ってＥＬ素子の開口部に残すようにエッチングす
る。これにより背面電極１８の分離絶縁部２６が形成さ
れる。
示すように、フォトレジスト３６を塗布し、絶縁体１４
に沿ってＥＬ素子の開口部に残すようにエッチングす
る。これにより背面電極１８の分離絶縁部２６が形成さ
れる。
【００２９】この実施形態の有機ＥＬ素子によれば、分
離絶縁部２６の形成がエッチングにより行なわれるの
で、より細密なパターンを容易に形成可能である。
離絶縁部２６の形成がエッチングにより行なわれるの
で、より細密なパターンを容易に形成可能である。
【００３０】なお、この発明の有機ＥＬ素子は、レーザ
光で背面電極の分離絶縁部を形成する以外に、マスク蒸
着により所定のパターンの背面電極に形成し、その後レ
ーザ光により絶縁不良部分等のトリミングを行なっても
良い。薄膜の形成は蒸着以外のスパッタリングやその他
の真空薄膜形成技術により形成しても良い。
光で背面電極の分離絶縁部を形成する以外に、マスク蒸
着により所定のパターンの背面電極に形成し、その後レ
ーザ光により絶縁不良部分等のトリミングを行なっても
良い。薄膜の形成は蒸着以外のスパッタリングやその他
の真空薄膜形成技術により形成しても良い。
【００３１】
【発明の効果】この発明の有機ＥＬ素子とその製造方法
は、ＥＬ素子の背面電極の分離絶縁部の形成を、レーザ
やエッチングにより形成するようにし、効率よく細いパ
ターンを形成することができ、製造も容易なものであ
る。
は、ＥＬ素子の背面電極の分離絶縁部の形成を、レーザ
やエッチングにより形成するようにし、効率よく細いパ
ターンを形成することができ、製造も容易なものであ
る。
【図１】この発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子の製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図２】この発明の第二実施形態の有機ＥＬ素子の製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図３】この発明の第三実施形態の有機ＥＬ素子の製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図４】この発明の第四実施形態の有機ＥＬ素子の製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
１０ 基板 １２ 透明電極 １４ 絶縁体 １６ 発光層 １８ 背面電極 ２４ レーザ光 ２６ 分離絶縁部
Claims (8)
- 【請求項１】 透明な基板表面に透明な電極材料が所定
のパターンで形成された透明電極と、この透明電極上に
他の所定パターン形成された絶縁体と、有機ＥＬ材料か
らなる発光層と、上記発光層に積層され上記透明電極に
対向して形成されるとともに上記絶縁体上で互いに分離
されて所定のパターンに絶縁された背面電極とからなる
有機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 上記絶縁体は、ＳｉＯ2である請求項１
記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 上記絶縁体は、フォトレジストである請
求項１記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項４】 透明な基板表面に透明電極を所定のパタ
ーンで形成し、この透明電極上に所定のパターンで絶縁
体を形成し、この絶縁体上に形成され有機ＥＬ材料から
なる発光層を形成し、上記発光層に導電体の背面電極を
積層し、上記透明電極に対向して形成されるとともに上
記絶縁体に沿って上記背面電極を除去することによりこ
の背面電極を所定のパターンに絶縁する有機ＥＬ素子の
製造方法。 - 【請求項５】 上記背面電極は、上記発光層に真空薄膜
形成技術により一面に積層し、その上から、上記絶縁層
に沿ってレーザにより上記背面電極を除去し所定のパタ
ーンを形成する請求項４記載の有機ＥＬ素子の製造方
法。 - 【請求項６】 上記背面電極は、上記発光層に蒸着等の
真空薄膜形成技術により一面に積層した後、上記絶縁層
に沿った所定のパターンのレジストを設け、エッチング
により上記上記絶縁層に沿って上記背面電極を除去する
ものである請求項４記載の有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項７】 上記絶縁層は、絶縁体をマスクを用いて
真空薄膜形成技術により形成するものである請求項４記
載の有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項８】 上記絶縁層は、フォトレジストにより所
定パターンを形成し、そのフォトレジストをそのまま上
記絶縁層として残し、その上に上記背面電極を形成する
ものである請求項４記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9147142A JPH10321366A (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9147142A JPH10321366A (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321366A true JPH10321366A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=15423539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9147142A Pending JPH10321366A (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10321366A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009218181A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| US9293483B2 (en) | 1999-04-27 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Electronic device and electronic apparatus |
| CN109671873A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-23 | 上海晶合光电科技有限公司 | 一种可分立控制的底电极图案化有机电致发光器件及其制备方法 |
-
1997
- 1997-05-20 JP JP9147142A patent/JPH10321366A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9293483B2 (en) | 1999-04-27 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Electronic device and electronic apparatus |
| US9837451B2 (en) | 1999-04-27 | 2017-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and electronic apparatus |
| JP2009218181A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| CN109671873A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-23 | 上海晶合光电科技有限公司 | 一种可分立控制的底电极图案化有机电致发光器件及其制备方法 |
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