JPH10223375A - 有機ｅｌ素子とその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ素子とその製造方法Info
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- JPH10223375A JPH10223375A JP9033365A JP3336597A JPH10223375A JP H10223375 A JPH10223375 A JP H10223375A JP 9033365 A JP9033365 A JP 9033365A JP 3336597 A JP3336597 A JP 3336597A JP H10223375 A JPH10223375 A JP H10223375A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 背面電極と透明電極との間の短絡が生じず、
高品位な発光表示を可能にする。。 【解決手段】 ガラスや石英、樹脂等の透明な基板１０
の表面にＩＴＯ等の透明な電極材料１１が所定の間隔で
形成された透明電極１２と、この透明電極１２間の部分
に設けられ上記透明電極１２の表面とほぼ面一に形成さ
れた絶縁体１４とを設ける。透明電極１２に対向して形
成された背面電極と、透明電極１２と背面電極間に設け
られたホール輸送材料及び電子輸送材料その他発光材料
による有機ＥＬ材料からなる発光層を有する。
高品位な発光表示を可能にする。。 【解決手段】 ガラスや石英、樹脂等の透明な基板１０
の表面にＩＴＯ等の透明な電極材料１１が所定の間隔で
形成された透明電極１２と、この透明電極１２間の部分
に設けられ上記透明電極１２の表面とほぼ面一に形成さ
れた絶縁体１４とを設ける。透明電極１２に対向して形
成された背面電極と、透明電極１２と背面電極間に設け
られたホール輸送材料及び電子輸送材料その他発光材料
による有機ＥＬ材料からなる発光層を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、平面光源やディ
スプレイ、その他所定のパターンの発光表示に用いられ
る有機ＥＬ素子とその製造方法に関する。
スプレイ、その他所定のパターンの発光表示に用いられ
る有機ＥＬ素子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばドットマトリクス発光させ
る有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子は、ガラ
ス基板に透光性のＩＴＯ膜を一面に形成し、このＩＴＯ
膜をストライプ状にエッチングして透明電極を形成し、
その表面にトリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等のホ
ール輸送材料を設け、その上に発光材料であるアルミキ
レート錯体（Ａｌｑ3）等の電子輸送材料を積層してい
る。そしてその表面に、Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ
等の背面電極を、上記透明電極のパターンと直交する方
向にストライプ状に蒸着等で付着して形成している。こ
の有機有機ＥＬ素子は、透明電極と背面電極の交点に所
定の電流を流し、発光させるものである。そして、この
有機ＥＬ素子の製造は、ガラス基板上に順次上記電極材
料及びＥＬ材料を真空蒸着により形成するものである。
る有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子は、ガラ
ス基板に透光性のＩＴＯ膜を一面に形成し、このＩＴＯ
膜をストライプ状にエッチングして透明電極を形成し、
その表面にトリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等のホ
ール輸送材料を設け、その上に発光材料であるアルミキ
レート錯体（Ａｌｑ3）等の電子輸送材料を積層してい
る。そしてその表面に、Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ
等の背面電極を、上記透明電極のパターンと直交する方
向にストライプ状に蒸着等で付着して形成している。こ
の有機有機ＥＬ素子は、透明電極と背面電極の交点に所
定の電流を流し、発光させるものである。そして、この
有機ＥＬ素子の製造は、ガラス基板上に順次上記電極材
料及びＥＬ材料を真空蒸着により形成するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、有機ＥＬ素子
は電流が流れる素子であり、導体経路長の差による抵抗
値の差から、発光量が異なってしまうのをできるだけ防
止するために、導体経路の抵抗値をできるだけ抑える必
要があった。従って、そのためにはＩＴＯ膜の厚さは、
１μｍ程度必要である。一方。発光層の材料は、厚いと
電流が流れないため、上記ＴＰＤ、Ａｌｑ3ともに５０
０Å程度の薄い層に形成されている。
は電流が流れる素子であり、導体経路長の差による抵抗
値の差から、発光量が異なってしまうのをできるだけ防
止するために、導体経路の抵抗値をできるだけ抑える必
要があった。従って、そのためにはＩＴＯ膜の厚さは、
１μｍ程度必要である。一方。発光層の材料は、厚いと
電流が流れないため、上記ＴＰＤ、Ａｌｑ3ともに５０
０Å程度の薄い層に形成されている。
【０００４】従って、この透明電極と発光層の厚さの差
がきわめて大きいために、ＥＬ材料の蒸着等によっては
この段差部分を完全に覆いきれず、透明電極の角部や側
面部に、ＥＬ材料の薄い部分や存在しない部分が生じ、
背面電極と透明電極との間に短絡が生じ、発光しない部
分ができる場合があった。
がきわめて大きいために、ＥＬ材料の蒸着等によっては
この段差部分を完全に覆いきれず、透明電極の角部や側
面部に、ＥＬ材料の薄い部分や存在しない部分が生じ、
背面電極と透明電極との間に短絡が生じ、発光しない部
分ができる場合があった。
【０００５】この発明は、上記従来の技術に鑑みてなさ
れたもので、簡単な構成で、背面電極と透明電極との間
の短絡が生じず、高品位な発光表示が可能な有機ＥＬ素
子とその製造方法を提供することを目的とする。
れたもので、簡単な構成で、背面電極と透明電極との間
の短絡が生じず、高品位な発光表示が可能な有機ＥＬ素
子とその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、ガラスや石
英、樹脂等の透明な基板表面にＩＴＯ等の透明な電極材
料が所定の間隔で形成された透明電極と、この透明電極
間の部分に設けられ上記透明電極の表面とほぼ面一に形
成された絶縁体と、上記透明電極に対向して形成された
背面電極と、上記透明電極と背面電極間に設けられたホ
ール輸送材料及び電子輸送材料その他発光材料による有
機ＥＬ材料からなる発光層とからなる有機ＥＬ素子であ
る。また、上記透明電極の間の部分には、絶縁体と導電
体とが各々設けられ、この絶縁体と導電体とは上記透明
電極と面一に形成されているものである。また、上記透
明電極は、太幅部と細幅部に形成され、その間が相対的
に細い所定幅の絶縁体により絶縁されているとともに、
この透明電極の細幅部を挟んで上記絶縁体と反対側の透
明電極間の部分に導電体が設けられ、上記絶縁体と導電
体の表面は上記透明電極の表面と面一に形成されている
ものである。
英、樹脂等の透明な基板表面にＩＴＯ等の透明な電極材
料が所定の間隔で形成された透明電極と、この透明電極
間の部分に設けられ上記透明電極の表面とほぼ面一に形
成された絶縁体と、上記透明電極に対向して形成された
背面電極と、上記透明電極と背面電極間に設けられたホ
ール輸送材料及び電子輸送材料その他発光材料による有
機ＥＬ材料からなる発光層とからなる有機ＥＬ素子であ
る。また、上記透明電極の間の部分には、絶縁体と導電
体とが各々設けられ、この絶縁体と導電体とは上記透明
電極と面一に形成されているものである。また、上記透
明電極は、太幅部と細幅部に形成され、その間が相対的
に細い所定幅の絶縁体により絶縁されているとともに、
この透明電極の細幅部を挟んで上記絶縁体と反対側の透
明電極間の部分に導電体が設けられ、上記絶縁体と導電
体の表面は上記透明電極の表面と面一に形成されている
ものである。
【０００７】またこの発明は、ガラスや石英、透明樹脂
等の透明基板の表面に蒸着等の真空薄膜形成技術により
ＩＴＯ等の透明な電極材料を一面に付着させ、その表面
にフォトレジストを塗布し、フォトマスクを用いて所定
の間隔の透明電極のパターンを形成し、上記透明電極の
パターンを残して上記透明な電極材料を除去し、この
後、上記電極材料を除去した部分に絶縁体を蒸着等の真
空薄膜形成技術により付着させ、その表面を上記透明電
極及び上記絶縁体部分がほぼ面一になるように表面を研
磨等により処理し、このほぼ面一の表面にホール輸送材
料及び電子輸送材料その他発光材料による有機ＥＬ材料
からなる発光層を真空薄膜形成技術により積層し、さら
に背面電極を真空薄膜形成技術により形成する有機ＥＬ
素子の製造方法である。
等の透明基板の表面に蒸着等の真空薄膜形成技術により
ＩＴＯ等の透明な電極材料を一面に付着させ、その表面
にフォトレジストを塗布し、フォトマスクを用いて所定
の間隔の透明電極のパターンを形成し、上記透明電極の
パターンを残して上記透明な電極材料を除去し、この
後、上記電極材料を除去した部分に絶縁体を蒸着等の真
空薄膜形成技術により付着させ、その表面を上記透明電
極及び上記絶縁体部分がほぼ面一になるように表面を研
磨等により処理し、このほぼ面一の表面にホール輸送材
料及び電子輸送材料その他発光材料による有機ＥＬ材料
からなる発光層を真空薄膜形成技術により積層し、さら
に背面電極を真空薄膜形成技術により形成する有機ＥＬ
素子の製造方法である。
【０００８】またこの発明は、上記と同様の透明基板の
表面に蒸着等の真空薄膜形成技術によりＩＴＯ等の透明
な電極材料を一面に付着させ、その表面にフォトレジス
トを塗布し、フォトマスクを用いて所定の間隔の透明電
極のパターンを形成し、上記透明電極のパターンを残し
て上記透明な電極材料を除去し、この後、上記電極材料
を除去した部分に、上記透明電極に対して上記透明電極
の長手方向と直角方向成分を有した所定の斜め方向から
絶縁体を蒸着等の真空薄膜形成技術により付着させ、こ
の後、上記絶縁体の付着方向とは略反対方向の成分を有
した斜め方向から導電体を蒸着等の真空薄膜形成技術に
より付着させ、この後これらの表面を上記透明電極及び
上記絶縁体、上記導電体部分がほぼ面一になるように表
面を研磨等により処理し、このほぼ面一の表面にホール
輸送材料及び電子輸送材料その他発光材料による有機Ｅ
Ｌ材料からなる発光層を真空薄膜形成技術により積層
し、さらに背面電極を真空薄膜形成技術により形成する
有機ＥＬ素子の製造方法である。
表面に蒸着等の真空薄膜形成技術によりＩＴＯ等の透明
な電極材料を一面に付着させ、その表面にフォトレジス
トを塗布し、フォトマスクを用いて所定の間隔の透明電
極のパターンを形成し、上記透明電極のパターンを残し
て上記透明な電極材料を除去し、この後、上記電極材料
を除去した部分に、上記透明電極に対して上記透明電極
の長手方向と直角方向成分を有した所定の斜め方向から
絶縁体を蒸着等の真空薄膜形成技術により付着させ、こ
の後、上記絶縁体の付着方向とは略反対方向の成分を有
した斜め方向から導電体を蒸着等の真空薄膜形成技術に
より付着させ、この後これらの表面を上記透明電極及び
上記絶縁体、上記導電体部分がほぼ面一になるように表
面を研磨等により処理し、このほぼ面一の表面にホール
輸送材料及び電子輸送材料その他発光材料による有機Ｅ
Ｌ材料からなる発光層を真空薄膜形成技術により積層
し、さらに背面電極を真空薄膜形成技術により形成する
有機ＥＬ素子の製造方法である。
【０００９】またこの発明は、上記と同様の透明基板の
表面に蒸着等の真空薄膜形成技術によりＩＴＯ等の透明
な電極材料を一面に付着させ、その表面にフォトレジス
トを塗布し、フォトマスクを用いて、上記透明な電極材
料を所定幅の太幅部と細幅部が交互に形成された透明電
極となるように所定パターンを形成し、上記透明電極の
太幅部と細幅部の間の相対的に細い間の部分にはマスキ
ングにより絶縁体を蒸着等の真空薄膜形成技術により付
着させるとともに、この前または後に、上記透明電極の
太幅部と細幅部の間の相対的に広い間の透明電極間にも
マスキングにより導電体を蒸着等の真空薄膜形成技術に
より付着させ、この後これらの表面を上記透明電極及び
上記絶縁体、上記導電体部分がほぼ面一になるように表
面を研磨等により処理し、このほぼ面一の表面にホール
輸送材料及び電子輸送材料その他発光材料による有機Ｅ
Ｌ材料からなる発光層を真空薄膜形成技術により積層
し、さらに背面電極を真空薄膜形成技術により形成する
有機ＥＬ素子の製造方法である。
表面に蒸着等の真空薄膜形成技術によりＩＴＯ等の透明
な電極材料を一面に付着させ、その表面にフォトレジス
トを塗布し、フォトマスクを用いて、上記透明な電極材
料を所定幅の太幅部と細幅部が交互に形成された透明電
極となるように所定パターンを形成し、上記透明電極の
太幅部と細幅部の間の相対的に細い間の部分にはマスキ
ングにより絶縁体を蒸着等の真空薄膜形成技術により付
着させるとともに、この前または後に、上記透明電極の
太幅部と細幅部の間の相対的に広い間の透明電極間にも
マスキングにより導電体を蒸着等の真空薄膜形成技術に
より付着させ、この後これらの表面を上記透明電極及び
上記絶縁体、上記導電体部分がほぼ面一になるように表
面を研磨等により処理し、このほぼ面一の表面にホール
輸送材料及び電子輸送材料その他発光材料による有機Ｅ
Ｌ材料からなる発光層を真空薄膜形成技術により積層
し、さらに背面電極を真空薄膜形成技術により形成する
有機ＥＬ素子の製造方法である。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を基にして説明する。図１（Ａ）〜図１（Ｄ）
はこの発明の有機ＥＬ素子の第一実施形態を示すもの
で、この実施形態の有機ＥＬ素子は、ガラスや石英、樹
脂等の透明な基板１０の一方の側にＩＴＯ等の透明な電
極材料１１による透明電極１２が形成されている。透明
電極１２は、１μｍ程度の厚さで、所定のピッチでスト
ライプ上に形成され、例えば１．５ｍｍピッチで、１ｍ
ｍ幅の透明電極１２に形成されている。透明電極１２の
間には、ＳｉＯ2等の絶縁体１４が、１μｍ程度の厚さ
で０．５ｍｍの幅にストライプ上に形成されている。従
って、透明電極１２と絶縁体１４の表面は、同一平面上
に位置し面一に形成されている。
いて図面を基にして説明する。図１（Ａ）〜図１（Ｄ）
はこの発明の有機ＥＬ素子の第一実施形態を示すもの
で、この実施形態の有機ＥＬ素子は、ガラスや石英、樹
脂等の透明な基板１０の一方の側にＩＴＯ等の透明な電
極材料１１による透明電極１２が形成されている。透明
電極１２は、１μｍ程度の厚さで、所定のピッチでスト
ライプ上に形成され、例えば１．５ｍｍピッチで、１ｍ
ｍ幅の透明電極１２に形成されている。透明電極１２の
間には、ＳｉＯ2等の絶縁体１４が、１μｍ程度の厚さ
で０．５ｍｍの幅にストライプ上に形成されている。従
って、透明電極１２と絶縁体１４の表面は、同一平面上
に位置し面一に形成されている。
【００１１】透明電極１２、絶縁体１４の表面には、５
００Å程度のホール輸送材料、及び５００Å程度の電子
輸送材料その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる図
示しない発光層が積層される。そして、発光層の電子輸
送材料の表面には、例えばＬｉを０．０１〜０．０５％
程度含む純度９９％程度のＡｌ−Ｌｉ合金の背面電極
が、適宜の５００Å〜１０００Å程度の厚さで、透明電
極１２と対面して直交する方向に、所定ピッチのストラ
イプ状に形成されている。
００Å程度のホール輸送材料、及び５００Å程度の電子
輸送材料その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる図
示しない発光層が積層される。そして、発光層の電子輸
送材料の表面には、例えばＬｉを０．０１〜０．０５％
程度含む純度９９％程度のＡｌ−Ｌｉ合金の背面電極
が、適宜の５００Å〜１０００Å程度の厚さで、透明電
極１２と対面して直交する方向に、所定ピッチのストラ
イプ状に形成されている。
【００１２】さらに、この背面電極の表面には、適宜９
９．９９９％以上の純度のＡｌ等によるによる導電パタ
ーンが、ストライプ状に形成されている。この表面に
は、さらに、図示しない保護層が積層されている。保護
層は、Ａｇ、Ａｌ等の金属薄膜や、フェノール、エポキ
シ等の樹脂や、導電性塗料により形成され、背面電極及
び発光層を外気から遮断するものである。
９．９９９％以上の純度のＡｌ等によるによる導電パタ
ーンが、ストライプ状に形成されている。この表面に
は、さらに、図示しない保護層が積層されている。保護
層は、Ａｇ、Ａｌ等の金属薄膜や、フェノール、エポキ
シ等の樹脂や、導電性塗料により形成され、背面電極及
び発光層を外気から遮断するものである。
【００１３】発光層は、母体材料のうちホール輸送材料
としては、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ヒド
ラゾン誘導体、アリールアミン誘導体等がある。また、
電子輸送材料としては、アルミキレート錯体（Ａｌ
ｑ3）、ジスチリルビフェニル誘導体（ＤＰＶＢｉ）、
オキサジアゾール誘導体、ビスチリルアントラセン誘導
体、ベンゾオキサゾールチオフェン誘導体、ペリレン
類、チアゾール類等を用いる。さらに、適宜の発光材料
を混合しても良く、ホール輸送材料と電子輸送材料を混
合した発光層を形成しても良く、その場合、ホール輸送
材料と電子輸送材料の比は、１０：９０乃至９０：１０
の範囲で適宜変更可能である。
としては、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ヒド
ラゾン誘導体、アリールアミン誘導体等がある。また、
電子輸送材料としては、アルミキレート錯体（Ａｌ
ｑ3）、ジスチリルビフェニル誘導体（ＤＰＶＢｉ）、
オキサジアゾール誘導体、ビスチリルアントラセン誘導
体、ベンゾオキサゾールチオフェン誘導体、ペリレン
類、チアゾール類等を用いる。さらに、適宜の発光材料
を混合しても良く、ホール輸送材料と電子輸送材料を混
合した発光層を形成しても良く、その場合、ホール輸送
材料と電子輸送材料の比は、１０：９０乃至９０：１０
の範囲で適宜変更可能である。
【００１４】この実施形態のＥＬ素子の製造方法は、図
１（Ａ）に示すように、ガラスや石英、透明樹脂等の透
明基板１０の表面に、蒸着やスパッタリング等の真空薄
膜形成技術によりＩＴＯ等の透明な電極材料１１を一面
に付着させる。そして、その表面にフォトレジスト１６
を塗布し、フォトマスクを用いて所定の間隔の透明電極
１２のパターンを形成し、図１（Ｂ）に示すように、透
明電極１２のパターンを残して透明な電極材料１１を除
去する。この後、図１（Ｃ）に示すように、電極材料１
１を除去した部分及び透明電極１２が残った部分の全面
に、ＳｉＯ2等の絶縁体１４を蒸着等の真空薄膜形成技
術により付着させる。そして、その表面の透明電極１２
及び絶縁体１４が面一になるように、表面をケミカルメ
カニカルポリシング（ＣＭＰ）により研磨処理する。こ
の後、この面一の表面にホール輸送材料及び電子輸送材
料その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる発光層を
真空薄膜形成技術により全面に積層し、さらに背面電極
を真空薄膜形成技術により形成する。背面電極はマスク
蒸着により、ストライプパターンを形成する。
１（Ａ）に示すように、ガラスや石英、透明樹脂等の透
明基板１０の表面に、蒸着やスパッタリング等の真空薄
膜形成技術によりＩＴＯ等の透明な電極材料１１を一面
に付着させる。そして、その表面にフォトレジスト１６
を塗布し、フォトマスクを用いて所定の間隔の透明電極
１２のパターンを形成し、図１（Ｂ）に示すように、透
明電極１２のパターンを残して透明な電極材料１１を除
去する。この後、図１（Ｃ）に示すように、電極材料１
１を除去した部分及び透明電極１２が残った部分の全面
に、ＳｉＯ2等の絶縁体１４を蒸着等の真空薄膜形成技
術により付着させる。そして、その表面の透明電極１２
及び絶縁体１４が面一になるように、表面をケミカルメ
カニカルポリシング（ＣＭＰ）により研磨処理する。こ
の後、この面一の表面にホール輸送材料及び電子輸送材
料その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる発光層を
真空薄膜形成技術により全面に積層し、さらに背面電極
を真空薄膜形成技術により形成する。背面電極はマスク
蒸着により、ストライプパターンを形成する。
【００１５】ここで蒸着条件は、例えば、真空度が６×
１０-6Ｔｏｒｒで、ＥＬ材料の場合５０Å／ｓｅｃの蒸
着速度で成膜させる。また、発光層等をフラッシュ蒸着
により形成しても良い。フラッシュ蒸着法は、予め所定
の比率で混合した有機ＥＬ材料を、３００〜６００℃好
ましくは、４００〜５００℃に加熱した蒸着源に落下さ
せ、有機ＥＬ材料を一気に蒸発させるものである。ま
た、その有機ＥＬ材料を容器中に収容し、急速にその容
器を加熱し、一気に蒸着させるものでも良い。
１０-6Ｔｏｒｒで、ＥＬ材料の場合５０Å／ｓｅｃの蒸
着速度で成膜させる。また、発光層等をフラッシュ蒸着
により形成しても良い。フラッシュ蒸着法は、予め所定
の比率で混合した有機ＥＬ材料を、３００〜６００℃好
ましくは、４００〜５００℃に加熱した蒸着源に落下さ
せ、有機ＥＬ材料を一気に蒸発させるものである。ま
た、その有機ＥＬ材料を容器中に収容し、急速にその容
器を加熱し、一気に蒸着させるものでも良い。
【００１６】この実施形態のＬＥ素子によれば、発光層
を形成する面が、透明電極１２と絶縁体１４のストライ
プ状に形成され且つ面一に形成されているので、透明電
極１２と背面電極とが発光層により確実に絶縁され、こ
の間に短絡が生ぜず、確実なドット発光が可能となるも
のである。
を形成する面が、透明電極１２と絶縁体１４のストライ
プ状に形成され且つ面一に形成されているので、透明電
極１２と背面電極とが発光層により確実に絶縁され、こ
の間に短絡が生ぜず、確実なドット発光が可能となるも
のである。
【００１７】次にこの発明の第二実施形態について、図
２（Ａ）〜図２（Ｄ）を基にして説明する。ここで、上
記実施形態と同様の部材は同一の符号を付して説明を省
略する。この実施形態の有機ＥＬ素子は、ガラスや石
英、樹脂等の透明な基板１０の一方の側にＩＴＯ等の透
明な電極材料１１による透明電極１２が形成され、透明
電極１２は、１μｍ程度の厚さに形成され、例えば、
１．５ｍｍピッチで、１ｍｍ幅に形成されている。透明
電極１２の一方の端縁部に沿って、透明電極１２の間の
一部に、ストライプ状にＳｉＯ2等の絶縁体１８が１μ
ｍ程度の厚さに形成されている。さらに、絶縁体１８と
透明電極１２の他方の端縁部の間には、Ａｌ等の導電体
２０が１μｍ程度の厚さに形成されている。従って、透
明電極１２と絶縁体１８、導電体２０の表面は、同一平
面上に位置し面一に形成されている。
２（Ａ）〜図２（Ｄ）を基にして説明する。ここで、上
記実施形態と同様の部材は同一の符号を付して説明を省
略する。この実施形態の有機ＥＬ素子は、ガラスや石
英、樹脂等の透明な基板１０の一方の側にＩＴＯ等の透
明な電極材料１１による透明電極１２が形成され、透明
電極１２は、１μｍ程度の厚さに形成され、例えば、
１．５ｍｍピッチで、１ｍｍ幅に形成されている。透明
電極１２の一方の端縁部に沿って、透明電極１２の間の
一部に、ストライプ状にＳｉＯ2等の絶縁体１８が１μ
ｍ程度の厚さに形成されている。さらに、絶縁体１８と
透明電極１２の他方の端縁部の間には、Ａｌ等の導電体
２０が１μｍ程度の厚さに形成されている。従って、透
明電極１２と絶縁体１８、導電体２０の表面は、同一平
面上に位置し面一に形成されている。
【００１８】この実施形態のＥＬ素子の製造方法は、図
２（Ａ）に示すように、ガラスや石英、透明樹脂等の透
明基板１０の表面に、蒸着やスパッタリング等の真空薄
膜形成技術によりＩＴＯ等の透明な電極材料１１を一面
に付着させる。そして、その表面にフォトレジスト１６
を塗布し、フォトマスクを用いて所定の間隔の透明電極
１２のパターンを形成し、図２（Ｂ）に示すように、透
明電極１２のパターンを残して透明な電極材料１１を除
去する。この後、図２（Ｃ）に示すように、先ず、透明
電極１２のストライプ方向に対して直角方向成分を有し
た所定の斜め方向から、絶縁体１８を蒸着等の真空薄膜
形成技術により付着させる。これにより、フォトレジス
ト１６の表面及び透明電極１２の一方の端縁部に沿って
ストライプ状にＳｉＯ2等の絶縁体１８の層が形成され
る。次に、絶縁体１８の蒸着方向に対して、基板１０の
表面に立てた垂線を挟んで対称な方向である斜め方向か
ら導電体２０を蒸着等の真空薄膜形成技術により付着さ
せる。そして、その表面の透明電極１２及び絶縁体１
８、導電体２０が面一になるように、表面をケミカルメ
カニカルポリシング（ＣＭＰ）により研磨処理する。こ
の後、上記第一実施形態と同様に有機ＥＬ材料からなる
発光層を真空薄膜形成技術により全面に積層し、さらに
背面電極を真空薄膜形成技術により形成する。
２（Ａ）に示すように、ガラスや石英、透明樹脂等の透
明基板１０の表面に、蒸着やスパッタリング等の真空薄
膜形成技術によりＩＴＯ等の透明な電極材料１１を一面
に付着させる。そして、その表面にフォトレジスト１６
を塗布し、フォトマスクを用いて所定の間隔の透明電極
１２のパターンを形成し、図２（Ｂ）に示すように、透
明電極１２のパターンを残して透明な電極材料１１を除
去する。この後、図２（Ｃ）に示すように、先ず、透明
電極１２のストライプ方向に対して直角方向成分を有し
た所定の斜め方向から、絶縁体１８を蒸着等の真空薄膜
形成技術により付着させる。これにより、フォトレジス
ト１６の表面及び透明電極１２の一方の端縁部に沿って
ストライプ状にＳｉＯ2等の絶縁体１８の層が形成され
る。次に、絶縁体１８の蒸着方向に対して、基板１０の
表面に立てた垂線を挟んで対称な方向である斜め方向か
ら導電体２０を蒸着等の真空薄膜形成技術により付着さ
せる。そして、その表面の透明電極１２及び絶縁体１
８、導電体２０が面一になるように、表面をケミカルメ
カニカルポリシング（ＣＭＰ）により研磨処理する。こ
の後、上記第一実施形態と同様に有機ＥＬ材料からなる
発光層を真空薄膜形成技術により全面に積層し、さらに
背面電極を真空薄膜形成技術により形成する。
【００１９】この実施形態のＬＥ素子によれば、発光層
を積層する面が、面一に形成され、さらに、透明電極１
２に沿って導電体２０のパターンが形成され、透明電極
１２へ至る経路の抵抗を少なくしている。
を積層する面が、面一に形成され、さらに、透明電極１
２に沿って導電体２０のパターンが形成され、透明電極
１２へ至る経路の抵抗を少なくしている。
【００２０】次にこの発明の第三実施形態について、図
３（Ａ）〜図３（Ｄ）を基にして説明する。ここで、上
記実施形態と同様の部材は同一の符号を付して説明を省
略する。この実施形態の有機ＥＬ素子は、ガラスや石
英、樹脂等の透明な基板１０の一方の側にＩＴＯ等の透
明な電極材料１１による透明電極１２が形成され、透明
電極１２は、１μｍ程度の厚さに形成され、例えば、
１．５ｍｍピッチで、１ｍｍ幅に形成されている。透明
電極１２は、太幅部２２と細幅部２４とからなり、各々
平行にストライプ状に形成されている。透明電極１２の
太幅部２２と細幅部２４の間には、ストライプ状にＳｉ
Ｏ2等の絶縁体２６が１μｍ程度の厚さに形成されてい
る。さらに、透明電極１２同士の間、即ち細幅部２４を
挟んで絶縁体２６の反対側には、Ａｌ等の導電体２８が
１μｍ程度の厚さに形成されている。従って、透明電極
１２と絶縁体２６、導電体２８の表面は、同一平面上に
位置し面一に形成されている。
３（Ａ）〜図３（Ｄ）を基にして説明する。ここで、上
記実施形態と同様の部材は同一の符号を付して説明を省
略する。この実施形態の有機ＥＬ素子は、ガラスや石
英、樹脂等の透明な基板１０の一方の側にＩＴＯ等の透
明な電極材料１１による透明電極１２が形成され、透明
電極１２は、１μｍ程度の厚さに形成され、例えば、
１．５ｍｍピッチで、１ｍｍ幅に形成されている。透明
電極１２は、太幅部２２と細幅部２４とからなり、各々
平行にストライプ状に形成されている。透明電極１２の
太幅部２２と細幅部２４の間には、ストライプ状にＳｉ
Ｏ2等の絶縁体２６が１μｍ程度の厚さに形成されてい
る。さらに、透明電極１２同士の間、即ち細幅部２４を
挟んで絶縁体２６の反対側には、Ａｌ等の導電体２８が
１μｍ程度の厚さに形成されている。従って、透明電極
１２と絶縁体２６、導電体２８の表面は、同一平面上に
位置し面一に形成されている。
【００２１】この実施形態のＥＬ素子の製造方法は、図
３（Ａ）に示すように、ガラスや石英、透明樹脂等の透
明基板１０の表面に、蒸着やスパッタリング等の真空薄
膜形成技術によりＩＴＯ等の透明な電極材料１１を一面
に付着させる。そして、その表面にフォトレジスト１６
を塗布し、フォトマスクを用いて所定の間隔の透明電極
１２のパターンを形成する。このとき、透明電極１２は
太幅部２２と細幅部２４とに分離して形成されるように
する。そして図３（Ｂ）に示すように、透明電極１２の
パターンを残して透明な電極材料１１を除去する。この
後、図３（Ｂ）に示すように、先ず、透明電極１２の太
幅部２２と細幅部２４間の相対的に細いスリット３０が
形成されたマスク３２により絶縁体２６を、蒸着等の真
空薄膜形成技術により形成する。次に、図３（Ｃ）に示
すように、透明電極１２同士の間の相対的に広い透明電
極１２間に、相対的に広いスリット３４が形成されたマ
スク３６により導電体２８を、蒸着等の真空薄膜形成技
術により形成する。なお、絶縁体２６と導電体２８の形
成順序は逆でも良い。以下、上記実施形態と同様に、研
磨し、発光層を形成し、背面電極を形成する。
３（Ａ）に示すように、ガラスや石英、透明樹脂等の透
明基板１０の表面に、蒸着やスパッタリング等の真空薄
膜形成技術によりＩＴＯ等の透明な電極材料１１を一面
に付着させる。そして、その表面にフォトレジスト１６
を塗布し、フォトマスクを用いて所定の間隔の透明電極
１２のパターンを形成する。このとき、透明電極１２は
太幅部２２と細幅部２４とに分離して形成されるように
する。そして図３（Ｂ）に示すように、透明電極１２の
パターンを残して透明な電極材料１１を除去する。この
後、図３（Ｂ）に示すように、先ず、透明電極１２の太
幅部２２と細幅部２４間の相対的に細いスリット３０が
形成されたマスク３２により絶縁体２６を、蒸着等の真
空薄膜形成技術により形成する。次に、図３（Ｃ）に示
すように、透明電極１２同士の間の相対的に広い透明電
極１２間に、相対的に広いスリット３４が形成されたマ
スク３６により導電体２８を、蒸着等の真空薄膜形成技
術により形成する。なお、絶縁体２６と導電体２８の形
成順序は逆でも良い。以下、上記実施形態と同様に、研
磨し、発光層を形成し、背面電極を形成する。
【００２２】この実施形態のＬＥ素子によれば、発光層
を積層する面が、面一に形成され、さらに、透明電極１
２に沿って導電体２０のパターンが形成され、透明電極
１２へ至る経路の抵抗を少なくしているとともに、絶縁
体２６による絶縁が確実になされ、より信頼性の高い素
子を形成することができる。しかも、マスク蒸着により
絶縁体２６、導電体２８を形成するので、隣接部分の短
絡も生じない。
を積層する面が、面一に形成され、さらに、透明電極１
２に沿って導電体２０のパターンが形成され、透明電極
１２へ至る経路の抵抗を少なくしているとともに、絶縁
体２６による絶縁が確実になされ、より信頼性の高い素
子を形成することができる。しかも、マスク蒸着により
絶縁体２６、導電体２８を形成するので、隣接部分の短
絡も生じない。
【００２３】なお、この発明の有機ＥＬ素子の導電体の
形成は、Ａｌ以外の金（Ａｕ）または他の金属でも良
く、薄膜の形成は蒸着以外のスパッタリングやその他の
真空薄膜形成技術により形成しても良い。
形成は、Ａｌ以外の金（Ａｕ）または他の金属でも良
く、薄膜の形成は蒸着以外のスパッタリングやその他の
真空薄膜形成技術により形成しても良い。
【００２４】
【発明の効果】この発明の有機ＥＬ素子とその製造方法
は、発光層を形成する面が均一な平面に形成され、透明
電極と背面電極との短絡が生ぜず、高品質な素子を形成
することができる。
は、発光層を形成する面が均一な平面に形成され、透明
電極と背面電極との短絡が生ぜず、高品質な素子を形成
することができる。
【図１】この発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子の製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図２】この発明の第二実施形態の有機ＥＬ素子の製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図３】この発明の第三実施形態の有機ＥＬ素子の製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
１０ 基板 １２ 透明電極 １４，１８，２６ 絶縁体 ２０，２８ 導電体
フロントページの続き (72)発明者 丹保 哲也 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 透明な基板表面に透明な電極材料が所定
の間隔で形成された透明電極と、この透明電極間の部分
に設けられ上記透明電極の表面とほぼ面一に形成された
絶縁体と、上記透明電極に対向して形成された背面電極
と、上記透明電極と背面電極間に設けられた有機ＥＬ材
料の発光層とからなる有機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 上記透明電極の間の部分には、絶縁体と
導電体とが各々設けられ、この絶縁体と導電体とは上記
透明電極と面一に形成されているものである請求項１記
載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 上記透明電極は太幅部と細幅部に形成さ
れ、その間が相対的に細い所定幅の絶縁体により絶縁さ
れているとともに、この透明電極の細幅部を挟んで上記
絶縁体と反対側の透明電極間の部分に導電体が設けら
れ、上記絶縁体と導電体の表面は上記透明電極の表面と
面一に形成されているものである請求項１記載の有機Ｅ
Ｌ素子。 - 【請求項４】 透明基板の表面に蒸着等の真空薄膜形成
技術により透明な電極材料を一面に付着させ、その表面
にフォトレジストを塗布し、フォトマスクを用いて所定
の間隔の透明電極のパターンを形成し、上記透明電極の
パターンを残して上記透明な電極材料を除去し、この
後、上記電極材料を除去した部分に絶縁体を真空薄膜形
成技術により付着させ、その表面を上記透明電極及び上
記絶縁体部分がほぼ面一になるように表面を研磨処理
し、このほぼ面一の表面に有機ＥＬ材料からなる発光層
を真空薄膜形成技術により積層し、さらに背面電極を真
空薄膜形成技術により形成する有機ＥＬ素子の製造方
法。 - 【請求項５】 透明基板の表面に真空薄膜形成技術によ
り透明な電極材料を一面に付着させ、その表面にフォト
レジストを塗布し、フォトマスクを用いて所定の間隔の
透明電極のパターンを形成し、上記透明電極のパターン
を残して上記透明な電極材料を除去し、この後、上記電
極材料を除去した部分に、上記透明電極に対して上記透
明電極の長手方向と直角方向成分を有した所定の斜め方
向から絶縁体を真空薄膜形成技術により付着させ、この
後、上記絶縁体の付着方向とは略反対方向成分を有した
方向から導電体を蒸着等の真空薄膜形成技術により付着
させ、この後これらの表面を上記透明電極及び上記絶縁
体、上記導電体部分がほぼ面一になるように表面を研磨
処理し、このほぼ面一の表面に有機ＥＬ材料からなる発
光層を真空薄膜形成技術により積層し、さらに背面電極
を真空薄膜形成技術により形成する有機ＥＬ素子の製造
方法。 - 【請求項６】 透明基板の表面に蒸着等の真空薄膜形成
技術により透明な電極材料を一面に付着させ、その表面
にフォトレジストを塗布し、フォトマスクを用いて、上
記透明な電極材料を所定幅の太幅部と細幅部が交互に形
成された透明電極となるように所定パターンを形成し、
上記透明電極の太幅部と細幅部の間の相対的に細い間の
部分にはマスキングにより絶縁体を真空薄膜形成技術に
より付着させるとともに、この前または後に、上記透明
電極の太幅部と細幅部の間の相対的に広い間の部分にも
マスキングにより導電体を真空薄膜形成技術により付着
させ、この後これらの表面を上記透明電極及び上記絶縁
体、上記導電体部分がほぼ面一になるように表面を研磨
処理し、このほぼ面一の表面に有機ＥＬ材料からなる発
光層を真空薄膜形成技術により積層し、さらに背面電極
を真空薄膜形成技術により形成する有機ＥＬ素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9033365A JPH10223375A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9033365A JPH10223375A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223375A true JPH10223375A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12384565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9033365A Pending JPH10223375A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10223375A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000060907A1 (fr) * | 1999-04-02 | 2000-10-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Ecran electroluminescent organique et son procede de fabrication |
| KR100437769B1 (ko) * | 2001-09-13 | 2004-06-30 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 제조방법 |
| WO2009049395A1 (en) * | 2007-10-16 | 2009-04-23 | Nanolumens Acquisition, Inc. | Glass-supported electroluminescent nixels and elements with single-sided electrical contacts |
-
1997
- 1997-01-31 JP JP9033365A patent/JPH10223375A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000060907A1 (fr) * | 1999-04-02 | 2000-10-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Ecran electroluminescent organique et son procede de fabrication |
| US6525467B1 (en) | 1999-04-02 | 2003-02-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of producing the same |
| KR100437769B1 (ko) * | 2001-09-13 | 2004-06-30 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 제조방법 |
| WO2009049395A1 (en) * | 2007-10-16 | 2009-04-23 | Nanolumens Acquisition, Inc. | Glass-supported electroluminescent nixels and elements with single-sided electrical contacts |
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