JP2828141B1 - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2828141B1 JP2828141B1 JP9225336A JP22533697A JP2828141B1 JP 2828141 B1 JP2828141 B1 JP 2828141B1 JP 9225336 A JP9225336 A JP 9225336A JP 22533697 A JP22533697 A JP 22533697A JP 2828141 B1 JP2828141 B1 JP 2828141B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- partition
- electrode
- display device
- organic layer
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 156
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010019133 Hangover Diseases 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- -1 α-naphthyl Chemical group 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【要約】
【課題】 カソード電極として形成される電極間の短絡
現象を確実に防止できると共に、素子領域を分離する隔
壁の機械的強度を向上させることができる有機エレクト
ロルミネッセンス表示装置及びその製造方法を提供する
ことである。 【解決手段】 基板上に、一方向に形成される第１の電
極と交叉するように形成された隔壁、有機層、及び、第
２の電極を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装
置において、隔壁の両側面は、実質上基板に対して直立
しており、且つ、隔壁の両側面は、その上面の一部と共
に、有機層及び第２の電極で覆われており、隔壁の上面
において、隣接する第２の電極は電気的に分離されてい
る。このような電気的な分離を実現するために、隔壁の
上面には、有機層及び第２の電極の形成前に、隔壁より
も幅の狭い狹幅隔壁が形成され、その後、有機層及び第
２の電極が形成され、続いて、狹幅隔壁は、その上面に
形成された有機層及び第２の電極と共に除去される。
現象を確実に防止できると共に、素子領域を分離する隔
壁の機械的強度を向上させることができる有機エレクト
ロルミネッセンス表示装置及びその製造方法を提供する
ことである。 【解決手段】 基板上に、一方向に形成される第１の電
極と交叉するように形成された隔壁、有機層、及び、第
２の電極を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装
置において、隔壁の両側面は、実質上基板に対して直立
しており、且つ、隔壁の両側面は、その上面の一部と共
に、有機層及び第２の電極で覆われており、隔壁の上面
において、隣接する第２の電極は電気的に分離されてい
る。このような電気的な分離を実現するために、隔壁の
上面には、有機層及び第２の電極の形成前に、隔壁より
も幅の狭い狹幅隔壁が形成され、その後、有機層及び第
２の電極が形成され、続いて、狹幅隔壁は、その上面に
形成された有機層及び第２の電極と共に除去される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物材料の
エレクトロルミネッセンスを利用した有機エレクトロル
ミネッセンス表示装置及びその製造方法に関する。
エレクトロルミネッセンスを利用した有機エレクトロル
ミネッセンス表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の有機エレクトロルミネ
ッセンス表示装置は、光を透過する透明基板表面上に、
一方向に延在するＩＴＯ等によって形成されたストライ
プ状の複数の透明電極と、この透明電極上に形成された
有機層と、透明電極の延在方向に対して交差する方向に
延在するストライプ状の上部電極とを備えた構成を有し
ている。この構造では、透明電極と上部電極との交差す
る部分が、マトリックス状に配置され、画素が形成され
るから、精細な画像を表示するために、透明電極及び上
部電極とを微細に加工、形成する必要がある。
ッセンス表示装置は、光を透過する透明基板表面上に、
一方向に延在するＩＴＯ等によって形成されたストライ
プ状の複数の透明電極と、この透明電極上に形成された
有機層と、透明電極の延在方向に対して交差する方向に
延在するストライプ状の上部電極とを備えた構成を有し
ている。この構造では、透明電極と上部電極との交差す
る部分が、マトリックス状に配置され、画素が形成され
るから、精細な画像を表示するために、透明電極及び上
部電極とを微細に加工、形成する必要がある。
【０００３】ここで、相互に隣接する上部電極間には、
通常、隔壁と呼ばれる絶縁体が配置され、この隔壁によ
って、上部電極は相互に電気的に絶縁されている。
通常、隔壁と呼ばれる絶縁体が配置され、この隔壁によ
って、上部電極は相互に電気的に絶縁されている。
【０００４】また、特開平８−３１５９８１号には、透
明な基板表面に、ストライプ状の透明電極（以下、第１
の電極と呼ぶ）を形成した後、当該第１の電極を部分的
に覆うように、電気絶縁性の隔壁を設け、続いて、有機
層及び上部電極（以下、第２の電極と呼ぶ）層を形成し
た有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造
方法が開示されている。この場合、第２の電極は、隣接
する隔壁間だけでなく、各隔壁の周囲をも覆うように形
成されている。このように、隔壁の周囲を第２の電極層
で覆う構成では、隣接する第２の電極との間を電気的に
絶縁する必要がある。
明な基板表面に、ストライプ状の透明電極（以下、第１
の電極と呼ぶ）を形成した後、当該第１の電極を部分的
に覆うように、電気絶縁性の隔壁を設け、続いて、有機
層及び上部電極（以下、第２の電極と呼ぶ）層を形成し
た有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造
方法が開示されている。この場合、第２の電極は、隣接
する隔壁間だけでなく、各隔壁の周囲をも覆うように形
成されている。このように、隔壁の周囲を第２の電極層
で覆う構成では、隣接する第２の電極との間を電気的に
絶縁する必要がある。
【０００５】このため、上記した公報では、各隔壁の上
部に、オーバーハング部を形成し、この状態で、有機層
及び第２の電極層を形成する方法が明らかにされてい
る。この方法では、隔壁のオーバーハング部でカバーさ
れた第１の電極の領域及び隔壁の側面には、有機層及び
第２の電極層が形成されない。このことは、有機層及び
第２の電極層は、オーバーハング部を有する隔壁によっ
て、電気的及び機械的に、分離されることを意味してい
る。したがって、この構成では、隣接する第２の電極を
相互に電気的に分離することができる。
部に、オーバーハング部を形成し、この状態で、有機層
及び第２の電極層を形成する方法が明らかにされてい
る。この方法では、隔壁のオーバーハング部でカバーさ
れた第１の電極の領域及び隔壁の側面には、有機層及び
第２の電極層が形成されない。このことは、有機層及び
第２の電極層は、オーバーハング部を有する隔壁によっ
て、電気的及び機械的に、分離されることを意味してい
る。したがって、この構成では、隣接する第２の電極を
相互に電気的に分離することができる。
【０００６】また、上記した公報では、化学増幅型レジ
ストのようなネガフォトレジストをスピンコートし、コ
ートされたネガフォトレジストをフォトリソグラフィ技
術を用いて、選択エッチングすることにより、或いは、
スピンコートされたポジフォトレジストをＣ６Ｈ５Ｃｌ
溶液に浸した後、露光、現像等のフォトリソグラフィ技
術を使用することにより、上部の幅が下部の幅に比較し
て大きなオーバーハング部を備えた隔壁を形成してい
る。
ストのようなネガフォトレジストをスピンコートし、コ
ートされたネガフォトレジストをフォトリソグラフィ技
術を用いて、選択エッチングすることにより、或いは、
スピンコートされたポジフォトレジストをＣ６Ｈ５Ｃｌ
溶液に浸した後、露光、現像等のフォトリソグラフィ技
術を使用することにより、上部の幅が下部の幅に比較し
て大きなオーバーハング部を備えた隔壁を形成してい
る。
【０００７】このように、オーバーハング部を有する隔
壁を設ける方法は、隔壁に対して斜めの方向から有機発
光材及び第２の電極材料を蒸着する特開平５−２７５１
７２号公報等に開示されたような方法に比較して、安定
に第２の電極及び有機層を形成できると言う利点を有し
ている。
壁を設ける方法は、隔壁に対して斜めの方向から有機発
光材及び第２の電極材料を蒸着する特開平５−２７５１
７２号公報等に開示されたような方法に比較して、安定
に第２の電極及び有機層を形成できると言う利点を有し
ている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、隔壁に
オーバーハング部を設ける特開平８−３１５９８１号公
報に記載された方法は、各隔壁の上部の幅が下部の幅よ
りも広いため、機械的な衝撃によって隔壁が倒れ易いと
言う欠点、即ち、機械的衝撃に弱いと言う欠点がある。
オーバーハング部を設ける特開平８−３１５９８１号公
報に記載された方法は、各隔壁の上部の幅が下部の幅よ
りも広いため、機械的な衝撃によって隔壁が倒れ易いと
言う欠点、即ち、機械的衝撃に弱いと言う欠点がある。
【０００９】更に、上記した方法では、隔壁を形成する
際、オーバーハング部に相当するだけの幅を見込んで、
レジスト等を形成する必要があり、隔壁の微細化にも限
界がある。
際、オーバーハング部に相当するだけの幅を見込んで、
レジスト等を形成する必要があり、隔壁の微細化にも限
界がある。
【００１０】本発明の目的は、機械的強度が高く、且
つ、微細なパターンを備えた有機エレクトロルミネッセ
ンス表示装置を提供することである。
つ、微細なパターンを備えた有機エレクトロルミネッセ
ンス表示装置を提供することである。
【００１１】本発明の他の目的は、高い機械的強度を有
し、微細なパターンを備えた有機エレトロルミネッセン
ス表示装置の製造方法を提供することである。
し、微細なパターンを備えた有機エレトロルミネッセン
ス表示装置の製造方法を提供することである。
【００１２】本発明の更に他の目的は、オーバーハング
部を形成することなく、第２の電極材料を確実に電気的
に分離できる有機エレトロルミネッセンス表示装置の製
造方法を提供することである。
部を形成することなく、第２の電極材料を確実に電気的
に分離できる有機エレトロルミネッセンス表示装置の製
造方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の一実施の形態に
よれば、基板表面上に、予め定められた方向に延在する
複数の第１電極と、当該電極と交差する方向に、前記基
板表面上に、互いに間隔を置いて配置された複数の隔壁
と、前記隔壁間に、配置された有機層と、各有機層上に
形成された第２の電極とを備え、前記隔壁は、断面にお
いて、前記基板表面から直立し、且つ、互いに対向する
一対の側面と、前記基板表面と実質上平行で、且つ、前
記一対の側面に接続された上面からなる矩形形状を有
し、互いに隣接した２つの前記第２の電極は、前記隔壁
の両側面及び前記上面の一部を覆い、前記隔壁の上面
で、互いに電気的に分離されていることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス表示装置が得られる。
よれば、基板表面上に、予め定められた方向に延在する
複数の第１電極と、当該電極と交差する方向に、前記基
板表面上に、互いに間隔を置いて配置された複数の隔壁
と、前記隔壁間に、配置された有機層と、各有機層上に
形成された第２の電極とを備え、前記隔壁は、断面にお
いて、前記基板表面から直立し、且つ、互いに対向する
一対の側面と、前記基板表面と実質上平行で、且つ、前
記一対の側面に接続された上面からなる矩形形状を有
し、互いに隣接した２つの前記第２の電極は、前記隔壁
の両側面及び前記上面の一部を覆い、前記隔壁の上面
で、互いに電気的に分離されていることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス表示装置が得られる。
【００１４】本発明の他の実施の形態によれば、基板表
面上に、予め定められた方向に延在する複数の第１電極
と、当該電極と交差する方向に、前記基板表面上に、互
いに間隔を置いて配置された複数の隔壁と、前記隔壁間
に、配置された有機層と、各有機層上に形成された第２
の電極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装
置の製造方法において、前記複数の第１の電極を前記基
板表面に形成する工程と、前記第１の電極と交差する方
向に互いに間隔を置いて前記複数の隔壁を形成する工程
と、前記各隔壁の上面に、前記隔壁よりも幅の狭い狭幅
の隔壁を形成する工程と、前記隔壁上に狭幅隔壁を形成
した後、有機層及び第２の電極層を形成し、前記隔壁及
び前記狭幅隔壁の露出した表面を覆う工程と、前記狭幅
隔壁の少なくとも前記有機層及び前記第２の電極で覆わ
れた部分を除去し、互いに分離した前記有機層及び第２
の電極を形成する除去工程とを有することを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法が得
られる。
面上に、予め定められた方向に延在する複数の第１電極
と、当該電極と交差する方向に、前記基板表面上に、互
いに間隔を置いて配置された複数の隔壁と、前記隔壁間
に、配置された有機層と、各有機層上に形成された第２
の電極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装
置の製造方法において、前記複数の第１の電極を前記基
板表面に形成する工程と、前記第１の電極と交差する方
向に互いに間隔を置いて前記複数の隔壁を形成する工程
と、前記各隔壁の上面に、前記隔壁よりも幅の狭い狭幅
の隔壁を形成する工程と、前記隔壁上に狭幅隔壁を形成
した後、有機層及び第２の電極層を形成し、前記隔壁及
び前記狭幅隔壁の露出した表面を覆う工程と、前記狭幅
隔壁の少なくとも前記有機層及び前記第２の電極で覆わ
れた部分を除去し、互いに分離した前記有機層及び第２
の電極を形成する除去工程とを有することを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法が得
られる。
【００１５】上記したように、本発明では、隔壁の両側
面にも、第２の電極が形成されると共に、第２の電極は
隔壁の上面上においてのみ、電気的に絶縁されている。
このように、隔壁の両側面は、第２の電極で覆われてい
るため、隔壁の機械的強度を向上させることができ、更
に、隔壁にオーバーハング部を設ける必要がないため、
隔壁の微細化も可能である。
面にも、第２の電極が形成されると共に、第２の電極は
隔壁の上面上においてのみ、電気的に絶縁されている。
このように、隔壁の両側面は、第２の電極で覆われてい
るため、隔壁の機械的強度を向上させることができ、更
に、隔壁にオーバーハング部を設ける必要がないため、
隔壁の微細化も可能である。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１を参照すると、本発明の一実
施の形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置
は、透明なガラス基板１０、及び、当該ガラス基板の一
表面上に形成されたＩＴＯ等の第１の電極１１を備えて
いる。ここで、第１の電極１１は、図の左右方向（所定
方向）に延在する複数のストライプ状の電極構成を有し
ており、アノード電極として動作し、下部電極と呼ばれ
ることもある。
施の形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置
は、透明なガラス基板１０、及び、当該ガラス基板の一
表面上に形成されたＩＴＯ等の第１の電極１１を備えて
いる。ここで、第１の電極１１は、図の左右方向（所定
方向）に延在する複数のストライプ状の電極構成を有し
ており、アノード電極として動作し、下部電極と呼ばれ
ることもある。
【００１７】第１の電極１１上には、第１の電極１１の
延在方向（所定方向）と交叉する方向に、フォトレジス
トによって形成された絶縁性隔壁１２が互いに所定の間
隔を置いて配置されている。図からも明らかなとおり、
各隔壁１２は、所定方向と直交する方向にストライプ状
に配列されており、ガラス基板１０及び第１の電極１１
の表面に対して、実質上直立し、且つ、互いに対向した
一対の側面、及び、両側面に連結された上面とを備えた
矩形形状の断面を有している。
延在方向（所定方向）と交叉する方向に、フォトレジス
トによって形成された絶縁性隔壁１２が互いに所定の間
隔を置いて配置されている。図からも明らかなとおり、
各隔壁１２は、所定方向と直交する方向にストライプ状
に配列されており、ガラス基板１０及び第１の電極１１
の表面に対して、実質上直立し、且つ、互いに対向した
一対の側面、及び、両側面に連結された上面とを備えた
矩形形状の断面を有している。
【００１８】図示されているように、隔壁１２の間の第
１の電極１１、隔壁１２の側面及び隔壁１２の上面の一
部を覆うように、有機層１３及び第２の電極１４が順次
積層されている。ここで、有機層１３及び第２の電極１
４は、各隔壁１２の上面において、隣接する有機層１３
及び第２の電極１４と機械的に分離されており、これに
よって、隣接する第２の電極１４は電気的に互いに絶縁
された状態にある。
１の電極１１、隔壁１２の側面及び隔壁１２の上面の一
部を覆うように、有機層１３及び第２の電極１４が順次
積層されている。ここで、有機層１３及び第２の電極１
４は、各隔壁１２の上面において、隣接する有機層１３
及び第２の電極１４と機械的に分離されており、これに
よって、隣接する第２の電極１４は電気的に互いに絶縁
された状態にある。
【００１９】有機層１３は、実際には、有機正孔輸送
層、有機層、及び、有機電子輸送層とによって構成され
ており、第１の電極１１及び第２の電極１４に電圧が印
加されると発光する。この関係で、有機層１３上に配置
された第２の電極１４は、カソード電極として動作し、
第１の電極１１と第２の電極１４との交点は、画素に対
応している。
層、有機層、及び、有機電子輸送層とによって構成され
ており、第１の電極１１及び第２の電極１４に電圧が印
加されると発光する。この関係で、有機層１３上に配置
された第２の電極１４は、カソード電極として動作し、
第１の電極１１と第２の電極１４との交点は、画素に対
応している。
【００２０】更に、図示された例の場合、第２の電極１
４の表面、及び、露出した隔壁１２の上面が、ＳｉＯ２
によって形成された保護膜１５によって覆われている。
４の表面、及び、露出した隔壁１２の上面が、ＳｉＯ２
によって形成された保護膜１５によって覆われている。
【００２１】このように、隔壁１２の断面形状を実質上
矩形形状にし、且つ、隔壁１２の両側面を有機層１３及
び第２の電極１４に覆うことにより、隔壁１３の機械的
強度を著しく改善でき、また、隔壁１２自体にハングオ
ーバー部を設ける必要がないため、隔壁１２間の間隔を
狭くすることができる。したがって、図示された例で
は、隔壁１２を微細に形成できる。
矩形形状にし、且つ、隔壁１２の両側面を有機層１３及
び第２の電極１４に覆うことにより、隔壁１３の機械的
強度を著しく改善でき、また、隔壁１２自体にハングオ
ーバー部を設ける必要がないため、隔壁１２間の間隔を
狭くすることができる。したがって、図示された例で
は、隔壁１２を微細に形成できる。
【００２２】図２を参照して、本発明の一実施の形態に
係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
を工程順に説明する。尚、図２では、図１と対応する部
分には同一の参照番号が付されている。図２（Ａ）で
は、図１の場合と同様に、透明なガラス基板１０の一表
面上に、ＩＴＯ膜によって形成されたストライプ状の第
１の電極１１が図の左右方向に形成されている。また、
第１の電極１１と直交するように、当該第１の電極１１
上には、互いに間隔を置いて配置された隔壁１２が設け
られおり、隔壁１２の間の領域には、発光を行うための
素子領域が形成されている。
係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
を工程順に説明する。尚、図２では、図１と対応する部
分には同一の参照番号が付されている。図２（Ａ）で
は、図１の場合と同様に、透明なガラス基板１０の一表
面上に、ＩＴＯ膜によって形成されたストライプ状の第
１の電極１１が図の左右方向に形成されている。また、
第１の電極１１と直交するように、当該第１の電極１１
上には、互いに間隔を置いて配置された隔壁１２が設け
られおり、隔壁１２の間の領域には、発光を行うための
素子領域が形成されている。
【００２３】図示された隔壁１２は、ポジ型フォトレジ
ストによって形成されており、２〜５μｍの厚さ及び３
０μｍの幅を有している。
ストによって形成されており、２〜５μｍの厚さ及び３
０μｍの幅を有している。
【００２４】また、図２（Ａ）に示された例では、隔壁
１２の上面には、隔壁１２の幅より狭い幅の狹幅隔壁１
２´が形成されている。図示された狹幅隔壁１２´は、
断面逆テーパ状を有しており、隔壁１１と接触する下部
において狭い幅を持ち、且つ、上部において、下部に比
較して広い幅を備えている。図示された狹幅隔壁１２´
は、１５μｍの厚さ及び１５μｍの幅を有している。ま
た、図示されたような逆テーパ状の狹幅隔壁１２´は、
ネガ型ドライフィルムレジストを選択的にエッチングす
ることによって形成できる。
１２の上面には、隔壁１２の幅より狭い幅の狹幅隔壁１
２´が形成されている。図示された狹幅隔壁１２´は、
断面逆テーパ状を有しており、隔壁１１と接触する下部
において狭い幅を持ち、且つ、上部において、下部に比
較して広い幅を備えている。図示された狹幅隔壁１２´
は、１５μｍの厚さ及び１５μｍの幅を有している。ま
た、図示されたような逆テーパ状の狹幅隔壁１２´は、
ネガ型ドライフィルムレジストを選択的にエッチングす
ることによって形成できる。
【００２５】図２（Ｂ）を参照すると、隔壁１２に挟ま
れた素子領域、各隔壁１２の両側面、隔壁１２の上面の
一部、並びに、狹幅隔壁１２´の上面には、有機層１３
及び第２の電極１４を形成する層が蒸着によって形成さ
れている。このように、隔壁１２の上面に、狹幅隔壁１
２´を搭載することにより、狹幅隔壁１２´が設けられ
た隔壁１２の上面には、有機層１３及び第２の電極１４
は形成されず、これら有機層１３及び第２の電極１４
は、狹幅隔壁１２´に設けられる。
れた素子領域、各隔壁１２の両側面、隔壁１２の上面の
一部、並びに、狹幅隔壁１２´の上面には、有機層１３
及び第２の電極１４を形成する層が蒸着によって形成さ
れている。このように、隔壁１２の上面に、狹幅隔壁１
２´を搭載することにより、狹幅隔壁１２´が設けられ
た隔壁１２の上面には、有機層１３及び第２の電極１４
は形成されず、これら有機層１３及び第２の電極１４
は、狹幅隔壁１２´に設けられる。
【００２６】この状態で、図２（Ｃ）に示すように、隔
壁１２の延在方向に、粘着ローラ１６を移動させること
により、狹幅隔壁１２´は、当該狹幅隔壁１２´上の有
機層１３及び第２の電極１４層と共にリフトオフにより
除去される。このように、狹幅隔壁１２´を除去した状
態では、互いに隣接した第２の電極１４は隔壁１２の上
面において電気的に完全に絶縁されている。
壁１２の延在方向に、粘着ローラ１６を移動させること
により、狹幅隔壁１２´は、当該狹幅隔壁１２´上の有
機層１３及び第２の電極１４層と共にリフトオフにより
除去される。このように、狹幅隔壁１２´を除去した状
態では、互いに隣接した第２の電極１４は隔壁１２の上
面において電気的に完全に絶縁されている。
【００２７】続いて、図２（Ｄ）に示すように、露出し
た第２の電極１４及び隔壁１２の上面には、ＳｉＯ２に
よる保護膜１５が形成され、この保護膜１５は、隔壁１
２の上面の露出部を覆っている。
た第２の電極１４及び隔壁１２の上面には、ＳｉＯ２に
よる保護膜１５が形成され、この保護膜１５は、隔壁１
２の上面の露出部を覆っている。
【００２８】この構成では、隔壁１２の両側面を覆うよ
うに、有機層１３及び第２の電極層１４を設け、隔壁１
２の上面だけで、第２の電極１４間の電気的絶縁を行う
ことができる。また、この構成を採用した場合、隔壁１
２の断面形状を逆テーパ状に構成したり、或いは、オー
バーハング部を持つように構成する必要はなくなるた
め、隔壁１２自体の機械的強度を改善できると言う利点
がある。
うに、有機層１３及び第２の電極層１４を設け、隔壁１
２の上面だけで、第２の電極１４間の電気的絶縁を行う
ことができる。また、この構成を採用した場合、隔壁１
２の断面形状を逆テーパ状に構成したり、或いは、オー
バーハング部を持つように構成する必要はなくなるた
め、隔壁１２自体の機械的強度を改善できると言う利点
がある。
【００２９】図３を参照して、本発明の他の実施の形態
に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方
法を工程順に説明する。図３（Ａ）においても、図２
（Ａ）と同様に、ガラス基板１０の一表面上に、第１の
電極１１が設けられており、更に、第１の電極１１と交
叉するように、隔壁１２が設置され、且つ隔壁１２の上
面には、狹幅隔壁１２´が搭載されている。この例にお
いても、狹幅隔壁１２´は、断面逆テーパ状を有してい
る。
に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方
法を工程順に説明する。図３（Ａ）においても、図２
（Ａ）と同様に、ガラス基板１０の一表面上に、第１の
電極１１が設けられており、更に、第１の電極１１と交
叉するように、隔壁１２が設置され、且つ隔壁１２の上
面には、狹幅隔壁１２´が搭載されている。この例にお
いても、狹幅隔壁１２´は、断面逆テーパ状を有してい
る。
【００３０】図３（Ａ）の状態で、有機層１３及び第２
の電極１４層が順次形成され、図３（Ｂ）に示すよう
に、隔壁１２間の素子領域に、有機層１３及び第２の電
極１４が被着されると共に、両層は狹幅隔壁１２´の上
面にも被着される。
の電極１４層が順次形成され、図３（Ｂ）に示すよう
に、隔壁１２間の素子領域に、有機層１３及び第２の電
極１４が被着されると共に、両層は狹幅隔壁１２´の上
面にも被着される。
【００３１】続いて、図３（Ｃ）に示すように、研削ロ
ーラ２０を狹幅隔壁１２´の長手方向に移動させること
により、狹幅隔壁１２´上面に被着された第２の電極層
１４及び有機層１３が狹幅隔壁１２´の一部と共に、研
削除去される。この状態では、狹幅隔壁１２´が部分的
に、隔壁１２上に残存しており、結果的に、狹幅隔壁１
２´の上面が露出した状態にある。
ーラ２０を狹幅隔壁１２´の長手方向に移動させること
により、狹幅隔壁１２´上面に被着された第２の電極層
１４及び有機層１３が狹幅隔壁１２´の一部と共に、研
削除去される。この状態では、狹幅隔壁１２´が部分的
に、隔壁１２上に残存しており、結果的に、狹幅隔壁１
２´の上面が露出した状態にある。
【００３２】図３（Ｄ）では、露出した第２の電極１４
及び狹幅隔壁１２´の上面に、ＳｉＯ２によって形成さ
れた保護膜１５が形成されている。
及び狹幅隔壁１２´の上面に、ＳｉＯ２によって形成さ
れた保護膜１５が形成されている。
【００３３】この実施の形態によっても、図２の場合と
同様に、隔壁１２の機械的強度を向上させることができ
ると共に、狹幅隔壁１２´も、保護膜１５によって覆う
ことにより、狹幅隔壁１２´の剥離等による影響を防止
できる。
同様に、隔壁１２の機械的強度を向上させることができ
ると共に、狹幅隔壁１２´も、保護膜１５によって覆う
ことにより、狹幅隔壁１２´の剥離等による影響を防止
できる。
【００３４】図４を参照すると、本発明の他の実施の形
態に係る隔壁１２及び狹幅隔壁１２´の断面構造を示し
ている。図示された隔壁１２は、断面矩形形状を備える
と共に、隔壁１２の上面に設けられた狹幅隔壁１２´
も、矩形形状の断面を備えている。
態に係る隔壁１２及び狹幅隔壁１２´の断面構造を示し
ている。図示された隔壁１２は、断面矩形形状を備える
と共に、隔壁１２の上面に設けられた狹幅隔壁１２´
も、矩形形状の断面を備えている。
【００３５】この例では、隔壁１２及び狹幅隔壁１２´
を共に同一の材料、例えば、ポジ型フォトレジストによ
って形成することができる。また、有機層１３及び第２
の電極１４層を形成後、狹幅隔壁１２´、当該狹幅隔壁
１２´上の有機層１３及び第２の電極１４層を機械研
磨、或いは、吸着方式により除去することにより、図２
及び図３に示した構造と同様な構造を有する有機エレク
トロルミネッセンス表示装置を製造することができる。
を共に同一の材料、例えば、ポジ型フォトレジストによ
って形成することができる。また、有機層１３及び第２
の電極１４層を形成後、狹幅隔壁１２´、当該狹幅隔壁
１２´上の有機層１３及び第２の電極１４層を機械研
磨、或いは、吸着方式により除去することにより、図２
及び図３に示した構造と同様な構造を有する有機エレク
トロルミネッセンス表示装置を製造することができる。
【００３６】
【実施例】ここで、図２を再度参照して、本発明のより
具体的な実施例を説明する。まず、ガラス基板１０とし
て、１．１ｍｍの厚さを有するガラス基板を使用した。
この場合、ガラス基板１０を形成するガラスとしては、
水分の吸着の少ない無アルカリガラスが望ましいが、基
板乾燥を十分行うのであれば、安価な低アルカリガラス
基板、或いは、ソーダライムガラスであっても良いこと
が確認された。次に、ガラス基板１０の一表面に、スパ
ッタ法により、厚さ１００ｎｍのＩＴＯ膜を形成した。
続いて、フォトリソグラフィ技術を用いて、ＩＴＯ膜を
図２（Ａ）の左右方向に、ストライプ状にパターニング
して、第１の電極１１を作成した。この場合、第１の電
極１１を形成するＩＴＯ膜は、アノード電極として動作
すると共に、有機層１３で発光した光を透過させて、ガ
ラス基板１０の外部に取り出すものであるから、低抵抗
で、より光透過率の高いものであることが望ましい。
具体的な実施例を説明する。まず、ガラス基板１０とし
て、１．１ｍｍの厚さを有するガラス基板を使用した。
この場合、ガラス基板１０を形成するガラスとしては、
水分の吸着の少ない無アルカリガラスが望ましいが、基
板乾燥を十分行うのであれば、安価な低アルカリガラス
基板、或いは、ソーダライムガラスであっても良いこと
が確認された。次に、ガラス基板１０の一表面に、スパ
ッタ法により、厚さ１００ｎｍのＩＴＯ膜を形成した。
続いて、フォトリソグラフィ技術を用いて、ＩＴＯ膜を
図２（Ａ）の左右方向に、ストライプ状にパターニング
して、第１の電極１１を作成した。この場合、第１の電
極１１を形成するＩＴＯ膜は、アノード電極として動作
すると共に、有機層１３で発光した光を透過させて、ガ
ラス基板１０の外部に取り出すものであるから、低抵抗
で、より光透過率の高いものであることが望ましい。
【００３７】図示された第１の電極１１としてのＩＴＯ
パターンは、ラインピッチ０．３３ｍｍ、ライン幅０．
３ｍｍ、長さ２８ｍｍを有しており、ガラス基板１０上
に１２８本、形成された。
パターンは、ラインピッチ０．３３ｍｍ、ライン幅０．
３ｍｍ、長さ２８ｍｍを有しており、ガラス基板１０上
に１２８本、形成された。
【００３８】次に、第１の電極１１を構成するＩＴＯ膜
パターンと交叉するように、隔壁１２が形成された。こ
の実施例では、商品名「ＯＦＰＲ８００」で、東京応化
工業（株）から販売されているポジ型フォトレジストを
スピンコートすることにより、厚さ５μｍのレジスト膜
を形成した。ここで、上記したポジ型フォトレジスト
は、１５０℃の屈伏点を有していた。続いて、当該ポジ
型フォトレジストを９０℃で３０分、熱処理した後、４
３６ｎｍの波長を有する光を用いて、６０ｍＪの露光量
で露光し、２．３８％のＴＭＡＨ溶液で７０秒間、現像
及び水洗し、次に、１３０℃の温度で３０分間ベーキン
グを行うことによって、第１の電極１１に直交する幅３
０μｍのレジスト隔壁１２を形成した。この時、隔壁１
２のパターンは０．３３ｍｍのピッチ及び２〜５μｍの
高さを有しており、その両側面は、基板に対して実質上
直立した状態を有していた。
パターンと交叉するように、隔壁１２が形成された。こ
の実施例では、商品名「ＯＦＰＲ８００」で、東京応化
工業（株）から販売されているポジ型フォトレジストを
スピンコートすることにより、厚さ５μｍのレジスト膜
を形成した。ここで、上記したポジ型フォトレジスト
は、１５０℃の屈伏点を有していた。続いて、当該ポジ
型フォトレジストを９０℃で３０分、熱処理した後、４
３６ｎｍの波長を有する光を用いて、６０ｍＪの露光量
で露光し、２．３８％のＴＭＡＨ溶液で７０秒間、現像
及び水洗し、次に、１３０℃の温度で３０分間ベーキン
グを行うことによって、第１の電極１１に直交する幅３
０μｍのレジスト隔壁１２を形成した。この時、隔壁１
２のパターンは０．３３ｍｍのピッチ及び２〜５μｍの
高さを有しており、その両側面は、基板に対して実質上
直立した状態を有していた。
【００３９】隔壁１２の形成後、商品名「ＮＩＴ−３２
５」で日本合成化学（株）によって製造、販売されてい
る膜厚１５μｍタイプのネガ型ドライフィルムレジスト
をガラス基板１０上に、８５〜１１５℃の温度、２〜４
ｋｇ／ｃｍ２の圧力で、毎分１〜３ｍの速さでラミネー
トした。次に、隔壁１２上に、ネガ型ドライフィルムレ
ジストのパターンがくるように、フォトマスクの位置合
わせを行った後、３００〜４００ｎｍの波長の光で、３
００ｍＪの露光量で露光する。更に、レジストの塗布さ
れた面を下にして、Ｎａ２ＣＯ３の０．８〜１．２％水
溶液を使用して、３０秒間現像、水洗した後、１２０℃
で３０分のベーキングを行い、幅１５μｍの狹幅隔壁１
２´を形成した。
５」で日本合成化学（株）によって製造、販売されてい
る膜厚１５μｍタイプのネガ型ドライフィルムレジスト
をガラス基板１０上に、８５〜１１５℃の温度、２〜４
ｋｇ／ｃｍ２の圧力で、毎分１〜３ｍの速さでラミネー
トした。次に、隔壁１２上に、ネガ型ドライフィルムレ
ジストのパターンがくるように、フォトマスクの位置合
わせを行った後、３００〜４００ｎｍの波長の光で、３
００ｍＪの露光量で露光する。更に、レジストの塗布さ
れた面を下にして、Ｎａ２ＣＯ３の０．８〜１．２％水
溶液を使用して、３０秒間現像、水洗した後、１２０℃
で３０分のベーキングを行い、幅１５μｍの狹幅隔壁１
２´を形成した。
【００４０】続いて、隔壁１２を下方に向けた状態にし
て、上記処理を受けた基板を真空蒸着装置の基板ホルダ
ーに固定し、抵抗加熱ボートに、Ｎ，Ｎ´−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ´−ビス（α−ナフチル）−１，１´−ビフェ
ニル−４，４´−ジアミン（α−ＮＰＤと略称する）を
入れる。別の抵抗加熱ボートにトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム錯体（以下、Ａｌｑ３と呼ぶ）を入
れ、真空蒸着装置内を１ｘ１０−６Ｔｏｒｒ以下程度に
排気し、基板ホルダーを回転させながら、α−ＮＰＤの
抵抗加熱ボートに電流を流して加熱し、厚さ５０μｍの
α−ＮＰＤ層を蒸着する。その後、基板ホルダーの回転
を継続しつつ、Ａｌｑ３を入れた抵抗加熱ボートに電流
を流し、α−ＮＰＤ層の表面に、５０ｎｍの厚さのＡｌ
ｑ３層を蒸着する。このようにして、有機発光層及び電
子輸送層を含む有機層１３が蒸着によって形成された。
て、上記処理を受けた基板を真空蒸着装置の基板ホルダ
ーに固定し、抵抗加熱ボートに、Ｎ，Ｎ´−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ´−ビス（α−ナフチル）−１，１´−ビフェ
ニル−４，４´−ジアミン（α−ＮＰＤと略称する）を
入れる。別の抵抗加熱ボートにトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム錯体（以下、Ａｌｑ３と呼ぶ）を入
れ、真空蒸着装置内を１ｘ１０−６Ｔｏｒｒ以下程度に
排気し、基板ホルダーを回転させながら、α−ＮＰＤの
抵抗加熱ボートに電流を流して加熱し、厚さ５０μｍの
α−ＮＰＤ層を蒸着する。その後、基板ホルダーの回転
を継続しつつ、Ａｌｑ３を入れた抵抗加熱ボートに電流
を流し、α−ＮＰＤ層の表面に、５０ｎｍの厚さのＡｌ
ｑ３層を蒸着する。このようにして、有機発光層及び電
子輸送層を含む有機層１３が蒸着によって形成された。
【００４１】更に、真空蒸着装置内に、上記処理された
基板と、マグネシウムを入れた抵抗加熱ボートを搬入す
る一方、別の抵抗加熱ボートに銀を入れ、マグネシウ
ム：銀の比率を１０：１となる蒸着速度で一緒に蒸着
し、第２の電極材料を被着した。次に、図２（Ｃ）に示
すように、狹幅隔壁１２´を粘着性物質が付いているロ
ーラを狹幅隔壁１２´と接触させながら、図２（Ｃ）に
示された狹幅隔壁１２´の長手方向に回転させながら移
動させ、これにより、狹幅隔壁１２´を狹幅隔壁１２´
上の有機層並びに第２の電極層と共に除去する。
基板と、マグネシウムを入れた抵抗加熱ボートを搬入す
る一方、別の抵抗加熱ボートに銀を入れ、マグネシウ
ム：銀の比率を１０：１となる蒸着速度で一緒に蒸着
し、第２の電極材料を被着した。次に、図２（Ｃ）に示
すように、狹幅隔壁１２´を粘着性物質が付いているロ
ーラを狹幅隔壁１２´と接触させながら、図２（Ｃ）に
示された狹幅隔壁１２´の長手方向に回転させながら移
動させ、これにより、狹幅隔壁１２´を狹幅隔壁１２´
上の有機層並びに第２の電極層と共に除去する。
【００４２】次に、図２（Ｄ）に示すように、抵抗加熱
ボート中に、ＳｉＯ２を入れ、８００ｎｍの厚さを有す
るＳｉＯ２の保護膜を形成した。
ボート中に、ＳｉＯ２を入れ、８００ｎｍの厚さを有す
るＳｉＯ２の保護膜を形成した。
【００４３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明では、第１の
電極上に、当該第１の電極と交叉するように、互いに間
隔を置いて形成される隔壁の側面をも覆うことにより、
隔壁の機械的強度を向上させることができると共に、隔
壁の上面における隣接する第２の電極間の電気的な絶縁
を確実に行うことができると言う利点がある。また、隔
壁には、オーバーハング部を形成する必要がないため、
隔壁の微細加工も可能である。
電極上に、当該第１の電極と交叉するように、互いに間
隔を置いて形成される隔壁の側面をも覆うことにより、
隔壁の機械的強度を向上させることができると共に、隔
壁の上面における隣接する第２の電極間の電気的な絶縁
を確実に行うことができると言う利点がある。また、隔
壁には、オーバーハング部を形成する必要がないため、
隔壁の微細加工も可能である。
【図１】本発明の一実施の形態に係る有機エレクトロル
ミネッセンス表示装置の断面を示す図である。
ミネッセンス表示装置の断面を示す図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は図１に示されたの製造方法を
工程順に説明するための図である。
工程順に説明するための図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の他の実施の形態に
係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
を工程順に説明するための図である。
係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
を工程順に説明するための図である。
【図４】本発明の更に他の実施の形態に係る有機エレク
トロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するため
の図である。
トロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するため
の図である。
１０ ガラス基板 １１ 第１の電極 １２ 隔壁 １２´ 狹幅隔壁 １３ 有機層 １４ 第２の電極 １５ 保護膜 １６ 粘着ローラ ２０ 研削ローラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05B 33/10 H05B 33/26
Claims (12)
- 【請求項１】基板表面上に、予め定められた方向に延在
する複数の第１電極と、当該電極と交差する方向に、前
記基板表面上に、互いに間隔を置いて配置された複数の
隔壁と、前記隔壁間に、配置された有機層と、各有機層
上に形成された第２の電極とを備え、前記隔壁は、断面
において、前記基板表面から直立し、且つ、互いに対向
する一対の側面と、前記基板表面と実質上平行で、且
つ、前記一対の側面に接続された上面からなる矩形形状
を有し、互いに隣接した２つの前記第２の電極は、前記
隔壁の両側面及び前記上面の一部を覆い、前記隔壁の上
面で、互いに電気的に分離されていることを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記第２の電極表面及
び前記第２の電極で覆われていない前記隔壁の上面は、
保護膜によって被覆されていることを特徴とする有機エ
レクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項３】請求項２において、前記第２の電極の下部
に位置する前記有機層は、前記隔壁の両側面及び前記隔
壁の上面の一部を覆っていることを特徴とする有機エレ
クトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項４】請求項３において、前記有機層は、有機発
光膜と、電子輸送膜とによって構成されていることを特
徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項５】請求項１において、前記隔壁は、ポジ型フ
ォトレジストによって形成されていることを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項６】請求項１において、前記基板及び前記第１
の電極は、透明であり、且つ、第２の電極は、不透明で
あることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表
示装置。 - 【請求項７】請求項１において、前記隔壁の上面の前記
第２の電極で覆われない部分には、前記隔壁の幅よりも
狭い狭幅隔壁が残されていることを特徴とする有機エレ
クトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項８】基板表面上に、予め定められた方向に延在
する複数の第１電極と、当該電極と交差する方向に、前
記基板表面上に、互いに間隔を置いて配置された複数の
隔壁と、前記隔壁間に、配置された有機層と、各有機層
上に形成された第２の電極とを備えた有機エレクトロル
ミネッセンス表示装置の製造方法において、前記複数の
第１の電極を前記基板表面に形成する工程と、前記第１
の電極と交差する方向に互いに間隔を置いて前記複数の
隔壁を形成する工程と、前記各隔壁の上面に、前記隔壁
よりも幅の狭い狭幅の隔壁を形成する工程と、前記隔壁
上に狭幅隔壁を形成した後、有機層及び第２の電極層を
形成し、前記隔壁及び前記狭幅隔壁の露出した表面を覆
う工程と、前記狭幅隔壁の少なくとも前記有機層及び前
記第２の電極で覆われた部分を除去し、互いに分離した
前記有機層及び第２の電極を形成する除去工程とを有す
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示
装置の製造方法。 - 【請求項９】請求項８において、前記除去工程は、前記
狭幅隔壁を全て除去することにより、前記第２の電極層
を互いに電気的に絶縁された第２の電極を形成する電極
形成工程であることを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンス表示装置の製造方法。 - 【請求項１０】請求項８において、前記隔壁形成工程で
形成される隔壁は、前記基板表面に対して実質上、直立
し、且つ、互いに対向する側面を備えていることを特徴
とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方
法。 - 【請求項１１】請求項８において、前記狭幅隔壁を形成
する工程で形成される狭幅隔壁は、断面形状において、
オーバーハング部を形成していることを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 【請求項１２】請求項８において、前記隔壁は、ポジ型
フォトレジストによって形成されると共に、前記狭幅隔
壁は、ネガ型フォトレジストによって形成されているこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9225336A JP2828141B1 (ja) | 1997-08-21 | 1997-08-21 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9225336A JP2828141B1 (ja) | 1997-08-21 | 1997-08-21 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2828141B1 true JP2828141B1 (ja) | 1998-11-25 |
| JPH1167455A JPH1167455A (ja) | 1999-03-09 |
Family
ID=16827761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9225336A Expired - Fee Related JP2828141B1 (ja) | 1997-08-21 | 1997-08-21 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2828141B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112310332A (zh) * | 2020-10-22 | 2021-02-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板制备方法和oled显示面板 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3807114B2 (ja) * | 1998-08-25 | 2006-08-09 | カシオ計算機株式会社 | 発光素子の製造方法 |
| JP2001076871A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-03-23 | Nitto Denko Corp | 有機エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 |
| KR100388271B1 (ko) * | 2000-10-14 | 2003-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
| JP2002367774A (ja) * | 2001-06-04 | 2002-12-20 | Sony Corp | 薄膜パターン形成方法および薄膜パターン形成装置 |
| US20040124421A1 (en) * | 2002-09-20 | 2004-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| JP2006216858A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Institute Of Physical & Chemical Research | 有機ｅｌ素子 |
| JP4747868B2 (ja) * | 2006-02-10 | 2011-08-17 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
| KR100768710B1 (ko) | 2006-02-15 | 2007-10-19 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 유기 발광 소자의 제조 방법 |
| US7674712B2 (en) | 2007-10-22 | 2010-03-09 | Cok Ronald S | Patterning method for light-emitting devices |
| JP4770896B2 (ja) * | 2008-09-08 | 2011-09-14 | カシオ計算機株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-08-21 JP JP9225336A patent/JP2828141B1/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112310332A (zh) * | 2020-10-22 | 2021-02-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板制备方法和oled显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1167455A (ja) | 1999-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2815004B2 (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
| JP3948082B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JP4142117B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| JP3369616B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP3208638B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセント表示装置およびその製造方法 | |
| JP3813217B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法 | |
| JP4566910B2 (ja) | 有機半導体素子及びその製造方法 | |
| JPH10241859A (ja) | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 | |
| JPH1197182A (ja) | 発光ディスプレイパネル | |
| JP2828141B1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 | |
| JP3744766B2 (ja) | 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置およびその製造方法 | |
| US6249084B1 (en) | Electroluminescence display panel and production method of the same | |
| JP3736179B2 (ja) | 有機薄膜発光素子 | |
| JP3663876B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 | |
| JP2001085167A (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| KR19990079603A (ko) | 다색 유기 이엘(el) 소자 제조방법 | |
| JP3568890B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 | |
| JP3901719B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 | |
| JPH11312583A (ja) | Ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP2000133460A (ja) | Ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| JP3926314B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 | |
| KR100612118B1 (ko) | 다층 구조의 격벽 구조물을 포함하는 유기 전계발광소자및 그의 제조 방법 | |
| JP3870591B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板と有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法 | |
| JP3901675B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 | |
| JPH056318B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980819 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080918 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080918 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090918 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090918 Year of fee payment: 11 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090918 Year of fee payment: 11 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090918 Year of fee payment: 11 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090918 Year of fee payment: 11 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100918 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100918 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110918 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110918 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120918 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120918 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130918 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130918 Year of fee payment: 15 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130918 Year of fee payment: 15 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |