JPH11354272A - 有機薄膜elパネル及びその製造方法 - Google Patents
有機薄膜elパネル及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11354272A JPH11354272A JP10159584A JP15958498A JPH11354272A JP H11354272 A JPH11354272 A JP H11354272A JP 10159584 A JP10159584 A JP 10159584A JP 15958498 A JP15958498 A JP 15958498A JP H11354272 A JPH11354272 A JP H11354272A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- panel
- organic thin
- film
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 84
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 abstract 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract 1
- 239000013528 metallic particle Substances 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 17
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 7
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- -1 α-naphthyl Chemical group 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1795—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8721—Metallic sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
に行なえ、かつ素子の劣化のない信頼性のある有機薄膜
ELパネル及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の有機薄膜ELパネルは、少なく
とも一方が透明または半透明の対向する一対の電極間に
正孔輸送層、有機発光層を積層した基板からなる有機薄
膜ELパネルにおいて、この基板を封止する封止キャッ
プの内側に導電パターンが形成され、この導電パターン
と基板上の陰極端子とが電気的に接続されており、かつ
基板と封止キャップとが光硬化性絶縁樹脂により固定さ
れていることを特徴とする。
Description
及びその製造方法に関し、特に輝度ムラが抑制され、長
寿命の有機薄膜ELパネル及びその製造方法に関する。
oluminecence)を用いた有機薄膜ELパネルにおいて
は、画面内での輝度ムラの発生や、製品寿命が十分では
ないといった問題を有していた。図6は、従来のドット
マトリクスの有機薄膜ELパネルの一例を示す概略図で
ある。この有機薄膜ELパネル1は、透明支持基板2上
に透明電極3、正孔輸送層4及び発光層5からなる有機
積層膜を有し、透明電極3と直行する方向に陰極6が設
けられた基板を封止キャップ7により封止することで構
成されている。この有機薄膜ELパネル1においては、
陰極6の配線抵抗による電圧降下が大きい為、フレキシ
ブルプリント基板10の接続部近傍のEL素子と、フレ
キシブルプリント基板10の接続部から離れた位置にあ
るEL素子とでは、素子にかかる電圧にズレが生じ、輝
度ムラが起きてしまう恐れがあった。また、この輝度ム
ラは表示画面が大きくなるほど生じやすくなる。
で配線抵抗の大きなパターンの両端を接続する技術が提
案されている(特開昭62−237484号公報)。ま
た、特開平9−219288号公報では、図7に示すよ
うに、スルーホールを介して一方の面の導電パターンと
他方の面の導電パターンとが互いに電気的に接続された
両面基板16とガラス基板12とを外周部にて接合して
封止すると共に、一方の面の導電パターンを陽極及び陰
極に接続する方法が提案されている。
法では、ガラス基板12と両面基板16とを外周部で接
続する際、あるいは陰極6の端子と導電パターン13を
接続する際に、クリーム半田や半田ボールを用いて、恒
温槽で溶融させて接続しているため、熱の影響により有
機材料が結晶化してしまい、寿命や特性を悪化させてし
まう恐れがあった。また二重に接続するために、接続が
複雑になり工数がかかるという問題があった。上記の点
に鑑み、本発明は、有機薄膜EL素子の封止と陰極の接
続を簡潔に行うことができ、かつ素子の劣化のない信頼
性の高い有機薄膜ELパネル及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
Lパネルは、少なくとも一方が透明または半透明の対向
する一対の電極間に正孔輸送層、有機発光層を積層した
基板からなる有機薄膜ELパネルにおいて、この基板を
封止する封止キャップの内側に導電パターンが形成さ
れ、この導電パターンと基板上の陰極端子とが互いの両
端に電気的に接続されており、かつ基板と封止キャップ
とが光硬化性絶縁樹脂により固定されていることを特徴
とする。このような有機薄膜ELパネルは、基板を封止
する封止キャップの内側に導電パターンを形成し、その
パターンと基板上の陰極端子の互いの両端を電気的に接
続し、かつ光硬化性絶縁樹脂により封止を行うことで製
造することができる。
は、少なくとも一方が透明または半透明の対向する一対
の電極間に正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層を積層
した基板からなる有機薄膜ELパネルにおいて、この基
板を封止する封止キャップの内側に導電パターンが形成
され、この導電パターンと基板上の陰極端子とが互いの
両端に電気的に接続されており、かつ基板と封止キャッ
プとが光硬化性絶縁樹脂により固定されていることを特
徴とする。このような有機薄膜ELパネルは、基板を封
止する封止キャップの内側に導電パターンを形成し、そ
のパターンと基板上の陰極端子の互いの両端を電気的に
接続し、かつ光硬化性絶縁樹脂により封止を行うことで
製造することができる。
は、少なくとも一方が透明または半透明の対向する一対
の電極間に正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層を積層
した基板からなる有機薄膜ELパネルにおいて、この基
板を封止する封止キャップの内側に導電パターンが形成
され、この導電パターンと基板上の陰極端子とが互いの
両端に電気的に接続されており、かつ基板と封止キャッ
プとが光硬化性絶縁樹脂により固定されていることを特
徴とする。このような有機薄膜ELパネルは、基板を封
止する封止キャップの内側に導電パターンを形成し、そ
のパターンと基板上の陰極端子の互いの両端を電気的に
接続し、かつ光硬化性絶縁樹脂により封止を行うことで
製造することができる。
は、パネル表示の輝度ムラを抑制することができる。従
来のように、陰極電極への電力の供給がEL素子の一方
の辺側だけから行われた場合、陰極の配線抵抗が高い為
に電圧降下がおき、EL素子の位置により発光輝度が異
なる恐れがあるが、配線抵抗の小さい導電パターンを基
板の両端で接続することで、駆動回路側からみたEL素
子の陰極の配線抵抗を下げることができる。また、この
ような有機薄膜ELパネルにおいては、EL素子の劣化
を抑えることができる。従来技術では封止や接続におい
て半田を用いているため、恒温槽などにより半田を溶融
させる際、EL素子にまで熱がかかり有機材料を劣化さ
せる恐れがあるが、上記有機薄膜ELパネルにおいて
は、封止や接続に光硬化性樹脂を用いているためEL素
子への熱の影響を避けることができる。さらに、このよ
うな有機薄膜ELパネルにおいては、封止と接続を一度
に行えることにより作業工数が簡潔になり、接続箇所を
減少させることができる。また配線が不活性ガス中にあ
り信頼性を向上させることができる。
詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態例のみに
限定されるものではない。図1(a)は本実施の形態の
有機薄膜ELパネルを示す断面図であり、図1(b)は
その分解斜視図である。図1に示すように、透明支持基
板21上には陽極として透明電極22が形成され、その
上に正孔輸送層23、発光層24が真空蒸着法により形
成されている。発光層24の上には、陰極25として仕
事関数の小さい金属が成膜されており、これにより有機
薄膜ELパネルの基板が構成されている。封止キャップ
26の内側には、低抵抗の導電パターン27が、陰極2
5と同じピッチでパターニングされている。この封止キ
ャップ26の周縁部と透明支持基板21とは金属粒子2
9を分散した光硬化性絶縁樹脂28により接続されてい
る。
ELパネルの製造方法について記す。ガラス等の透明支
持基板21に、陽極としてスパッタ法によりITO等の
透明電極22を形成する。その上に正孔輸送層23を真
空蒸着法により形成し、さらにその上に発光層24を真
空蒸着法により形成し有機積層膜とする。次に、マグネ
シウム:銀やリチウム:アルミニウム等の仕事関数の小
さい金属、またはそれらの合金を原料に、抵抗加熱法ま
たは電子ビーム加熱法を用いて陰極25を有機膜上に成
膜し、有機薄膜ELパネルの基板を作成する。
内側に、導電パターン27を透明支持基板21上の陰極
25と同ピッチになるように蒸着する。不活性ガス雰囲
気中で、陰極25の端子と導電パターン27の位置を合
わせて仮固定し、この状態のまま紫外線を照射して樹脂
28を硬化させることで、有機薄膜ELパネル21を得
る。
側から見ると、封止キャップ26の内側に配線された導
電パターン27により、フレキシブルプリント基板30
が陰極25の両端2箇所に接続されている事になり、E
L素子の実効的な陰極ライン抵抗が小さくなり、配線抵
抗によるEL素子の輝度ムラを抑制することができる。
また配線がキャップ26内の不活性ガス中にあるため、
信頼性が向上する。また封止に半田づけを用いていない
ため、EL素子が高温にさらされることがなく素子の劣
化を防ぐことができる。
るが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるもので
はない。 (実施例1)本発明の第1の実施例を図2ないし図4に
示す。図2に示すように、厚さ1.1mmの透明支持基
板31に、陽極としてスパッタ法によりITO膜を10
0nm形成し、フォトリソグラフィーとウエットエッチ
ングにより透明電極32を形成した。シート抵抗は15
Ω/□、配線ピッチは0.3mmであった。次に、この
透明支持基板31を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定
し、真空蒸着装置内の抵抗加熱ボートに正孔輸送層とし
て、N,N’−ジフェニル−N,N’ビス(α−ナフチ
ル)−1,1−ビフェニル−4,4’−ジアミン(以
下、α−NPDと略記する)を入れ、別の抵抗加熱ボー
トに発光層として、トリス(8−キノリライト)アルミ
ニウム錯体(以下、Alq3と略記する)を入れ、真空
ポンプで真空蒸着装置内を1×10-5Torr以下に排
気した。
角形にくり抜いた金属製のマスクを、透明支持基板31
の表面に固定するように設置した。そして、透明支持基
板31と上記マスクの下方に設置されているα−NPD
の抵抗加熱ボートに電流を流して加熱した。そしてα−
NPD層33が膜厚50nm程度になるように蒸着し
た。その後、Alq3層34を膜厚50nmまで蒸着し
た。このようにして有機EL層を形成し、図2に示す基
板を得た。なお、α−NPD層33は正孔を輸送する層
として機能し、Alq3層34は電子を輸送する層及び
発光層として機能する。ここで、α−NPD及びAlq
3の蒸着膜の厚さがより均一になるようにするには、蒸
着中に透明支持基板31を蒸着ソース源に対して水平な
面内で回転させる方法を挙げることができる。
あらかじめ真空蒸着装置内に配置しておき、シャドウマ
スクの上に有機EL層を形成した透明支持基板31を設
置した。シャドウマスクにはストライプ状遮蔽部が形成
されスリット部が設けられている。そして透明支持基板
31上のアノードラインに直交する方向にストライプ状
遮蔽部が形成されている。次に、真空蒸着装置内の抵抗
加熱ボートにマグネシウムを入れ、また別の抵抗加熱ボ
ートに銀を入れて、マグネシウムと銀の比率が10:1
となる蒸着速度で一緒に蒸着した。次に透明支持基板3
1をシャドウマスクから引き離すことによりマグネシウ
ムと銀の合金からなるストライプ状の陰極35を有機E
L層の上に形成した。
に陰極35と同じピッチで導体をパターニングする。シ
ャドウマスク43にはストライプ状遮蔽部が形成され、
スリット部が設けられており、またガラスキャップ36
の形状に合わされている。図3に示すように、シャドウ
マスク43のストライプ状遮蔽部がガラスキャップ36
上にしっかり固定されるように磁石44で引きつける。
そのためシャドウマスク43は磁性材料であることが望
ましい。次に抵抗加熱ボートに銅を入れ電流を流して加
熱し、銅を10μmの厚さに蒸着した。また導電パター
ンは、蒸着法以外にもイオンプレーティング法やスパッ
タ法などにより形成される。ガラスキャップ36をシャ
ドウマスク43から引き離すことにより陰極35と同ピ
ッチのストライプ状の導電パターン37をガラスキャッ
プ36内に形成した。
に、5μm程度の粒径の金属粒子39を分散させた光硬
化性絶縁樹脂38をディスペンサーで均一に塗布した。
光硬化性絶縁樹脂38は変性アクリレート系のものを用
いた。また金属粒子39の代わりにプラスチックビーズ
に金属メッキしたものを用いてもよい。そして窒素ガス
のような不活性ガス雰囲気中で透明支持基板31とガラ
スキャップ36の電極パターンを位置合わせし、30k
g/cm2程度で加圧した。加圧したまま、透明支持基
板31の電極の反対面から紫外光を照射し、光硬化性絶
縁樹脂38を硬化させた。図4のように陰極35と導電
パターン37は金属粒子39により導通され、隙間部分
は光硬化性絶縁樹脂38により絶縁された状態で、ガラ
スキャップ36により透明支持基板31は封止される。
硬化後、透明支持基板31の電極とガラスキャップ36
の電極は機械的に保持され電気的導通を得る。このよう
にして得られた上記パネルの片側にフレキシブルプリン
ト基板40を接続し、駆動させたところ、表示面すべて
において均一な輝度の発光を有するパネルが得られた。
に示す。厚さ1.1mmの透明支持基板51に陽極とし
てスパッタ法によりITO膜を100nm形成し、フォ
トリソグラフィーとウエットエッチングにより透明電極
52を形成した。シート抵抗は15Ω/□、配線ピッチ
は0.3mmであった。次に、この透明支持基板51を
真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空蒸着装置内
の抵抗加熱ボートに正孔輸送層としてα−NPDを入
れ、別の抵抗加熱ボートに発光層としてAlq3を入
れ、真空ポンプで真空蒸着装置内を1×10-5Torr
以下に排気した。
角形にくり抜いた金属製のマスクを、透明支持基板51
の表面に固定するように設置した。そして透明支持基板
51と上記マスクの下方に設置されているα−NPDの
抵抗加熱ボートに電流を流して加熱し、α−NPD層5
3が膜厚50nm程度になるように蒸着した。その後、
Alq3層54を膜厚50nmまで蒸着する。次に、S
US430製のシャドウマスクをあらかじめ真空蒸着装
置内に配置しておき、シャドウマスクの上に有機EL層
を形成した透明支持基板51を設置した。シャドウマス
クにはストライプ状遮蔽部が形成されスリット部が設け
られている。そして透明支持基板51上のアノードライ
ンに直交する方向にストライプ状遮蔽部が形成されてい
る。次に、真空蒸着装置内の抵抗加熱ボートにマグネシ
ウムを入れ、別の抵抗加熱ボートに銀を入れてマグネシ
ウムと銀の比率を10:1となる蒸着速度で一緒に蒸着
した。次に透明支持基板をシャドウマスクから引き離す
ことによりマグネシウムと銀の合金からなるストライプ
状の陰極55を有機EL層の上に形成した。
の内面全体にSiOなどにより絶縁層61を成膜してお
く。そのSiO層61の上に陰極55と同じピッチで導
体をパターニングする。シャドウマスクには、陰極55
と同じピッチのストライプ状遮蔽部が形成されたスリッ
ト部が設けられており、またガラスキャップ56の形状
に合わされている。そして導電パターン57として、銅
を10μmの厚さに蒸着した。ガラスキャップ56をシ
ャドウマスクから引き離すことにより陰極55と同ピッ
チのストライプ状の導電パターン57をキャップ内に形
成した。
に、5μm程度の金属粒子59を分散させた光硬化性絶
縁樹脂58をディスペンサーで均一に塗布した。光硬化
性絶縁樹脂58は変性アクリレート系のものを用いた。
また金属粒子59の代わりにプラスチックビーズに金属
メッキしたものを用いてもよい。そして窒素ガスのよう
な不活性ガス雰囲気中で透明支持基板51とガラスキャ
ップ56の電極パターンを位置合わせし、30kg/c
m2程度で加圧する。加圧したまま、パネル電極の反対
面から紫外光を照射し光硬化性絶縁樹脂58を硬化させ
る。
子59により陰極55と導通し、隙間は光硬化性絶縁樹
脂58により絶縁された状態で、透明支持基板51はガ
ラスキャップ56により封止される。樹脂58の硬化
後、透明支持基板51上の電極とガラスキャップ56の
電極は機械的に保持され、電気的導通を得る。このよう
にして得られた上記パネルの片側にフレキシブルプリン
ト基板60を接続し、駆動させたところ、表示面すべて
において均一な輝度の発光を有するパネルが得られた。
薄膜ELパネルにおいては、パネル表示の輝度ムラを抑
制することができる。配線抵抗の小さい導電パターンを
基板の両端に接続することで、駆動回路側からみたEL
素子の陰極の配線抵抗を下げることができる。また、本
発明の有機薄膜ELパネルにおいては、封止や接続に光
硬化性樹脂を用いているためEL素子への熱の影響がな
く、EL素子の劣化を抑えることができる。さらに、本
発明の有機薄膜ELパネルにおいては、封止と接続を一
度に行えることにより作業工数が簡潔になり、接続箇所
を減少させることができる。また配線が不活性ガス中に
あり信頼性を向上させることができる。
ネルを示す断面図であり、図1(b)はその分解斜視図
である。
である。
面図である。
面図である。
ルの一例を示す概略図である。
略図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 少なくとも一方が透明または半透明の対
向する一対の電極間に正孔輸送層、有機発光層を積層し
た基板からなる有機薄膜ELパネルにおいて、 前記基板を封止する封止キャップの内側に導電パターン
が形成され、該導電パターンと基板上の陰極端子とが互
いの両端に電気的に接続されており、かつ前記基板と前
記封止キャップとが光硬化性絶縁樹脂により固定されて
いることを特徴とする有機薄膜ELパネル。 - 【請求項2】 少なくとも一方が透明または半透明の対
向する一対の電極間に正孔輸送層、有機発光層を積層し
た基板からなる有機薄膜ELパネルにおいて、 前記基板を封止する封止キャップの内側に導電パターン
を形成し、該パターンと前記基板上の陰極端子の互いの
両端を電気的に接続し、かつ光硬化性絶縁樹脂により封
止を行うことを特徴とする有機薄膜ELパネルの製造方
法。 - 【請求項3】 少なくとも一方が透明または半透明の対
向する一対の電極間に正孔注入層、正孔輸送層、有機発
光層を積層した基板からなる有機薄膜ELパネルにおい
て、 前記基板を封止する封止キャップの内側に導電パターン
が形成され、該導電パターンと基板上の陰極端子とが互
いの両端に電気的に接続されており、かつ前記基板と前
記封止キャップとが光硬化性絶縁樹脂により固定されて
いることを特徴とする有機薄膜ELパネル。 - 【請求項4】 少なくとも一方が透明または半透明の対
向する一対の電極間に正孔注入層、正孔輸送層、有機発
光層を積層した基板からなる有機薄膜ELパネルにおい
て、 前記基板を封止する封止キャップの内側に導電パターン
を形成し、該パターンと前記基板上の陰極端子の互いの
両端を電気的に接続し、かつ光硬化性絶縁樹脂により封
止を行うことを特徴とする有機薄膜ELパネルの製造方
法。 - 【請求項5】 少なくとも一方が透明または半透明の対
向する一対の電極間に正孔輸送層、有機発光層、電子輸
送層を積層した基板からなる有機薄膜ELパネルにおい
て、 前記基板を封止する封止キャップの内側に導電パターン
が形成され、該導電パターンと基板上の陰極端子とが互
いの両端に電気的に接続されており、かつ前記基板と前
記封止キャップとが光硬化性絶縁樹脂により固定されて
いることを特徴とする有機薄膜ELパネル。 - 【請求項6】 少なくとも一方が透明または半透明の対
向する一対の電極間に正孔輸送層、有機発光層、電子輸
送層を積層した基板からなる有機薄膜ELパネルにおい
て、 前記基板を封止する封止キャップの内側に導電パターン
を形成し、該パターンと前記基板上の陰極端子の互いの
両端を電気的に接続し、かつ光硬化性絶縁樹脂により封
止を行うことを特徴とする有機薄膜ELパネルの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10159584A JP2900938B1 (ja) | 1998-06-08 | 1998-06-08 | 有機薄膜elパネル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10159584A JP2900938B1 (ja) | 1998-06-08 | 1998-06-08 | 有機薄膜elパネル及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2900938B1 JP2900938B1 (ja) | 1999-06-02 |
JPH11354272A true JPH11354272A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15696914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10159584A Expired - Lifetime JP2900938B1 (ja) | 1998-06-08 | 1998-06-08 | 有機薄膜elパネル及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2900938B1 (ja) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002169483A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Sony Corp | ディスプレイ装置、電子機器およびディスプレイ装置の製造方法 |
US6611098B2 (en) * | 2000-02-04 | 2003-08-26 | Nec Corporation | Hermetic encapsulation package and method of fabrication thereof |
JP2004006278A (ja) * | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
KR100423474B1 (ko) * | 2000-08-11 | 2004-03-18 | 닛본 덴끼 가부시끼가이샤 | 평면 패널 디스플레이 모듈과 그 제조 방법 |
US6717052B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-04-06 | Delta Optoelectronics, Inc. | Housing structure with multiple sealing layers |
US6850006B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-02-01 | Samsung Nec Mobile Display Co., Ltd | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
JP2005173579A (ja) * | 2003-11-21 | 2005-06-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
KR100759758B1 (ko) | 2006-04-11 | 2007-09-20 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이장치 및 그 제조방법 |
JP2007335099A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Fujikura Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
JP2008047340A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2008062645A1 (fr) * | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Panneau électroluminescent organique et élément de scellement |
CN100459216C (zh) * | 2007-03-21 | 2009-02-04 | 吉林大学 | 一种具有多发光层的有机电致白光器件 |
JP2009169376A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
US7629018B2 (en) | 2002-03-26 | 2009-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP2011100742A (ja) * | 2003-11-21 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2011165489A (ja) * | 2010-02-10 | 2011-08-25 | Lumiotec Kk | 有機el照明装置 |
JP2015002125A (ja) * | 2013-06-17 | 2015-01-05 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | フレキシブル有機el表示装置及びその製造方法 |
JP2015153581A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | パイオニア株式会社 | 発光素子 |
US9165996B2 (en) | 2012-10-19 | 2015-10-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104867960B (zh) * | 2015-04-21 | 2019-06-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其封装方法、显示装置 |
-
1998
- 1998-06-08 JP JP10159584A patent/JP2900938B1/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6611098B2 (en) * | 2000-02-04 | 2003-08-26 | Nec Corporation | Hermetic encapsulation package and method of fabrication thereof |
KR100423474B1 (ko) * | 2000-08-11 | 2004-03-18 | 닛본 덴끼 가부시끼가이샤 | 평면 패널 디스플레이 모듈과 그 제조 방법 |
JP2002169483A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Sony Corp | ディスプレイ装置、電子機器およびディスプレイ装置の製造方法 |
GB2382223B (en) * | 2001-10-26 | 2006-06-07 | Samsung Nec Mobile Display Co | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
US6850006B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-02-01 | Samsung Nec Mobile Display Co., Ltd | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
GB2420446A (en) * | 2001-10-26 | 2006-05-24 | Samsung Nec Mobile Display Co | Sealing of organic electroluminescent device |
GB2420446B (en) * | 2001-10-26 | 2006-08-02 | Samsung Sdi Co Ltd | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
US6717052B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-04-06 | Delta Optoelectronics, Inc. | Housing structure with multiple sealing layers |
US7629018B2 (en) | 2002-03-26 | 2009-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP2004006278A (ja) * | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2005173579A (ja) * | 2003-11-21 | 2005-06-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
KR101176026B1 (ko) * | 2003-11-21 | 2012-08-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 |
JP2012053475A (ja) * | 2003-11-21 | 2012-03-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2011100742A (ja) * | 2003-11-21 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
KR100759758B1 (ko) | 2006-04-11 | 2007-09-20 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이장치 및 그 제조방법 |
JP2007335099A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Fujikura Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
JP2008047340A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2008062645A1 (fr) * | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Panneau électroluminescent organique et élément de scellement |
JP5298856B2 (ja) * | 2006-11-21 | 2013-09-25 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネル |
CN100459216C (zh) * | 2007-03-21 | 2009-02-04 | 吉林大学 | 一种具有多发光层的有机电致白光器件 |
JP2009169376A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
US8098007B2 (en) | 2008-01-18 | 2012-01-17 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
JP2011165489A (ja) * | 2010-02-10 | 2011-08-25 | Lumiotec Kk | 有機el照明装置 |
US9165996B2 (en) | 2012-10-19 | 2015-10-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof |
JP2015002125A (ja) * | 2013-06-17 | 2015-01-05 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | フレキシブル有機el表示装置及びその製造方法 |
JP2015153581A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | パイオニア株式会社 | 発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2900938B1 (ja) | 1999-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2900938B1 (ja) | 有機薄膜elパネル及びその製造方法 | |
US6429585B1 (en) | Organic thin film EL panel and method of manufacturing the same | |
US7825583B2 (en) | Organic electroluminescence display and method for manufacturing the same | |
JP3641963B2 (ja) | 有機el素子とその製造方法 | |
KR100501571B1 (ko) | 디스플레이용 유기 광-방출 소자 및 그 제조방법 | |
KR101001549B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 | |
JPH1187052A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2000150147A (ja) | 有機電界発光素子の製造方法 | |
JPH09306668A (ja) | El素子とその製造方法 | |
JP2001035654A (ja) | 表示パネル及びその製造方法 | |
JP2000357585A (ja) | 有機el素子 | |
JP3904950B2 (ja) | 発光表示装置、有機el表示装置及びその製造方法 | |
JP2001052857A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
JP2000123971A (ja) | 有機elの製造方法 | |
JP3576857B2 (ja) | 有機薄膜el素子とその製造方法 | |
JPH11307268A (ja) | 有機薄膜発光素子およびその製造方法 | |
JPH10208875A (ja) | 有機el素子とその製造方法 | |
JPH11219782A (ja) | El素子とその製造方法 | |
JPH11312581A (ja) | El素子とその製造方法 | |
JP2000148090A (ja) | 有機el素子およびその製造方法 | |
JP2000243579A (ja) | 有機el素子とその製造方法 | |
JPH10149879A (ja) | 有機el素子の基板構造とその形成方法 | |
JP2001217073A (ja) | 有機電界発光装置 | |
KR100488428B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 패널 및 그 제조 방법 | |
KR100661161B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990216 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080319 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 10 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 10 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 10 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319 Year of fee payment: 11 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 14 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 14 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319 Year of fee payment: 15 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |