JPH10291899A - 炭化ケイ素単結晶の製造方法及びその製造装置 - Google Patents
炭化ケイ素単結晶の製造方法及びその製造装置Info
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- JPH10291899A JPH10291899A JP11881797A JP11881797A JPH10291899A JP H10291899 A JPH10291899 A JP H10291899A JP 11881797 A JP11881797 A JP 11881797A JP 11881797 A JP11881797 A JP 11881797A JP H10291899 A JPH10291899 A JP H10291899A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 結晶欠陥等がない高品質の炭化ケイ素単結晶
を容易に製造する方法を提供すること。 【解決手段】 炭化ケイ素原料を昇華させ、種結晶上に
導いて単結晶を析出させる際、昇華ガスを賦活化した黒
鉛体に接触させた後か、又は原料より高温に保持されて
いる黒鉛体に接触させた後に、昇華ガスを種結晶に導く
ことからなる。製造装置は、黒鉛ルツボ内に原料を収納
する黒鉛カプセルが装填され、カプセルの蓋板又は底板
を多孔質黒鉛体とし、蓋板の上方又は底板の下方に種結
晶が配置され、そして黒鉛ルツボは減圧可能な反応管内
に収められ、該反応管に加熱装置を備えた構成からな
る。
を容易に製造する方法を提供すること。 【解決手段】 炭化ケイ素原料を昇華させ、種結晶上に
導いて単結晶を析出させる際、昇華ガスを賦活化した黒
鉛体に接触させた後か、又は原料より高温に保持されて
いる黒鉛体に接触させた後に、昇華ガスを種結晶に導く
ことからなる。製造装置は、黒鉛ルツボ内に原料を収納
する黒鉛カプセルが装填され、カプセルの蓋板又は底板
を多孔質黒鉛体とし、蓋板の上方又は底板の下方に種結
晶が配置され、そして黒鉛ルツボは減圧可能な反応管内
に収められ、該反応管に加熱装置を備えた構成からな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は炭化ケイ素原料を昇
華させ炭化ケイ素単結晶を製造する方法に係わり、結晶
欠陥の少ない品質安定性に優れた炭化ケイ素単結晶を高
い歩留まりで製造する方法及びその製造装置に関する。
炭化ケイ素（ＳｉＣ）は熱的、化学的に非常に安定であ
り且つ電子エネルギーバンドギャップが広い特徴があ
り、高温高圧下でも使用可能な耐環境素子材料、耐放射
線素子材料、パワー素子材料や短波長発光素子材料とし
て期待されている。
華させ炭化ケイ素単結晶を製造する方法に係わり、結晶
欠陥の少ない品質安定性に優れた炭化ケイ素単結晶を高
い歩留まりで製造する方法及びその製造装置に関する。
炭化ケイ素（ＳｉＣ）は熱的、化学的に非常に安定であ
り且つ電子エネルギーバンドギャップが広い特徴があ
り、高温高圧下でも使用可能な耐環境素子材料、耐放射
線素子材料、パワー素子材料や短波長発光素子材料とし
て期待されている。
【０００２】
【従来の技術】半導体材料として期待されている炭化ケ
イ素単結晶は炭化ケイ素粉末を原料とする昇華法で通常
作製される。昇華法においては原料炭化ケイ素粉末と単
結晶の種結晶を対向させて黒鉛製ルツボ内に配置し、不
活性雰囲気中で２０００〜２４００℃に加熱する。加熱
により炭化ケイ素原料粉末の分解、昇華により発生した
昇華蒸気は搬送され成長温度域に保持された種結晶表面
に結晶方位を揃えて析出し、単結晶としてエピタキシャ
ル成長する。炭化ケイ素原料が加熱され昇華する際、昇
華ガスの組成は変動が生じ易い。成分が変動すると炭化
ケイ素単結晶の結晶欠陥、転位等が生じる原因となる。
そのため昇華ガス成分の変動を抑制、補正する種々の方
法が提案されている。例えば炭化ケイ素原料粉末に窒化
ケイ素を添加する方法（特開平６−５６５９６）、昇華
初期にプロパン等の炭素成分ガスを導入し、後期にシラ
ン等のケイ素成分ガスを導入する方法（特開平６−１２
８０９４）などがある。
イ素単結晶は炭化ケイ素粉末を原料とする昇華法で通常
作製される。昇華法においては原料炭化ケイ素粉末と単
結晶の種結晶を対向させて黒鉛製ルツボ内に配置し、不
活性雰囲気中で２０００〜２４００℃に加熱する。加熱
により炭化ケイ素原料粉末の分解、昇華により発生した
昇華蒸気は搬送され成長温度域に保持された種結晶表面
に結晶方位を揃えて析出し、単結晶としてエピタキシャ
ル成長する。炭化ケイ素原料が加熱され昇華する際、昇
華ガスの組成は変動が生じ易い。成分が変動すると炭化
ケイ素単結晶の結晶欠陥、転位等が生じる原因となる。
そのため昇華ガス成分の変動を抑制、補正する種々の方
法が提案されている。例えば炭化ケイ素原料粉末に窒化
ケイ素を添加する方法（特開平６−５６５９６）、昇華
初期にプロパン等の炭素成分ガスを導入し、後期にシラ
ン等のケイ素成分ガスを導入する方法（特開平６−１２
８０９４）などがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】炭化ケイ素原料からの
昇華ガスとしてはＳｉＣの外ＳｉＣの分解、複反応等に
よりＳｉ、Ｓｉ2 Ｃ、ＳｉＣ2 等のガスが含まれてい
る。これらのガス成分は昇華初期から後期になるにつれ
て変動する。その一般的な傾向としては初期はＳｉの濃
度が高く、後期になるにつれて低くなる。しかしいずれ
の場合も全体のＳｉとＣの原子比はＳｉＣの化学量論比
である１：１よりＳｉが過剰になる傾向がある。これは
ＳｉＣの分解により生成する炭素はＳｉより蒸気圧が低
いためと考えられる。昇華ガス中のＳｉ原子の含有量が
ＳｉＣのＳｉとＣの原子比より多いと生成するＳｉＣの
単結晶に結晶欠陥等が生じる原因になる。
昇華ガスとしてはＳｉＣの外ＳｉＣの分解、複反応等に
よりＳｉ、Ｓｉ2 Ｃ、ＳｉＣ2 等のガスが含まれてい
る。これらのガス成分は昇華初期から後期になるにつれ
て変動する。その一般的な傾向としては初期はＳｉの濃
度が高く、後期になるにつれて低くなる。しかしいずれ
の場合も全体のＳｉとＣの原子比はＳｉＣの化学量論比
である１：１よりＳｉが過剰になる傾向がある。これは
ＳｉＣの分解により生成する炭素はＳｉより蒸気圧が低
いためと考えられる。昇華ガス中のＳｉ原子の含有量が
ＳｉＣのＳｉとＣの原子比より多いと生成するＳｉＣの
単結晶に結晶欠陥等が生じる原因になる。
【０００４】昇華ガスの成分変動を抑制する上記特許の
方法において、窒化ケイ素を添加する方法は、昇華ガス
中に炭素が過剰に存在する場合でないと効果がない。ま
た昇華の初期と後期で添加ガスを分ける方法は、切換え
時の把握や昇華ガスの変動に合せて添加するガス量を抑
制するのが難しいなどの問題がある。本発明は昇華ガス
中のＳｉとＣの成分変動をできるだけ少なくする新規な
方法により、品質のよい炭化ケイ素単結晶を得る方法を
提供することを目的とする。
方法において、窒化ケイ素を添加する方法は、昇華ガス
中に炭素が過剰に存在する場合でないと効果がない。ま
た昇華の初期と後期で添加ガスを分ける方法は、切換え
時の把握や昇華ガスの変動に合せて添加するガス量を抑
制するのが難しいなどの問題がある。本発明は昇華ガス
中のＳｉとＣの成分変動をできるだけ少なくする新規な
方法により、品質のよい炭化ケイ素単結晶を得る方法を
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は昇華ガスを特
定の条件下の黒鉛体に接触させることにより、昇華ガス
の成分変動、特にＳｉ成分が過剰になるのを抑制できる
ことを知見し、本発明に到達した。即ち本発明の第１
は、炭化ケイ素原料を昇華させ種結晶上に炭化ケイ素単
結晶を成長させる際、炭化ケイ素原料からの昇華ガスを
賦活化した多孔質黒鉛体に接触させた後、前記種結晶上
に到達させることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造
方法である。
定の条件下の黒鉛体に接触させることにより、昇華ガス
の成分変動、特にＳｉ成分が過剰になるのを抑制できる
ことを知見し、本発明に到達した。即ち本発明の第１
は、炭化ケイ素原料を昇華させ種結晶上に炭化ケイ素単
結晶を成長させる際、炭化ケイ素原料からの昇華ガスを
賦活化した多孔質黒鉛体に接触させた後、前記種結晶上
に到達させることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造
方法である。
【０００６】本発明の第２は、炭化ケイ素原料を昇華さ
せ種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる際、炭化ケ
イ素原料からの昇華ガスを、炭化ケイ素原料の温度より
も高い温度の多孔質黒鉛体に接触させた後、前記種結晶
上に到達させることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製
造方法である。
せ種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる際、炭化ケ
イ素原料からの昇華ガスを、炭化ケイ素原料の温度より
も高い温度の多孔質黒鉛体に接触させた後、前記種結晶
上に到達させることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製
造方法である。
【０００７】製造装置の発明は、不活性ガス導入口及び
内部を減圧にする排気口を有し、かつ加熱装置を備えた
反応管内に、黒鉛ルツボが設置され、該黒鉛ルツボ内に
炭化ケイ素原料を収納する黒鉛カプセルが装填され、黒
鉛カプセルの蓋板又は底板は多孔質黒鉛体からなり、該
黒鉛カプセルの蓋板の上方又は底板の下方に炭化ケイ素
種結晶を配置してなる炭化ケイ素単結晶の製造装置であ
る。上記の装置において、黒鉛カプセルの蓋板又は底板
は多孔質黒鉛体であることが好ましい。
内部を減圧にする排気口を有し、かつ加熱装置を備えた
反応管内に、黒鉛ルツボが設置され、該黒鉛ルツボ内に
炭化ケイ素原料を収納する黒鉛カプセルが装填され、黒
鉛カプセルの蓋板又は底板は多孔質黒鉛体からなり、該
黒鉛カプセルの蓋板の上方又は底板の下方に炭化ケイ素
種結晶を配置してなる炭化ケイ素単結晶の製造装置であ
る。上記の装置において、黒鉛カプセルの蓋板又は底板
は多孔質黒鉛体であることが好ましい。
【０００８】昇華ガスを多孔質黒鉛体を通した後、炭化
ケイ素単結晶上に導く方法は、上記した特開平６−１２
８０９４にも図示されている。しかしこの特許では黒鉛
体は本発明のような目的で使用するものではなく、した
がって黒鉛体も通常のものが使用されている。またその
黒鉛体の温度は原料の温度より高くはない。
ケイ素単結晶上に導く方法は、上記した特開平６−１２
８０９４にも図示されている。しかしこの特許では黒鉛
体は本発明のような目的で使用するものではなく、した
がって黒鉛体も通常のものが使用されている。またその
黒鉛体の温度は原料の温度より高くはない。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明は上記したように炭化ケイ
素昇華ガスを賦活した多孔質黒鉛体に接触させた後、あ
るいは原料の加熱温度より高い温度にある多孔質黒鉛体
に炭化ケイ素昇華ガスを接触させた後、炭化ケイ素単結
晶上に到達させ、炭化ケイ素単結晶を析出させることを
特徴とする。後者の場合は通常の多孔質黒鉛体も使用可
能であるが、望ましくは賦活した多孔質黒鉛体を用い
る。炭化ケイ素原料は高純度の微粉あるいはその成形体
を用いる。微粉の粒度は昇華反応面積を大きくするため
の２４０メッシュ以下が好ましい。その微粉を用いた圧
粉体あるいは焼結体のような成形体とすれば、原料粉末
の飛散防止等取扱いが容易となり、また原料充填密度が
高まり装置の効率的運転が可能となる。圧粉体や焼結体
でもあまり緻密にしなければ表面積が大きい微粉の作用
機能は失われない。
素昇華ガスを賦活した多孔質黒鉛体に接触させた後、あ
るいは原料の加熱温度より高い温度にある多孔質黒鉛体
に炭化ケイ素昇華ガスを接触させた後、炭化ケイ素単結
晶上に到達させ、炭化ケイ素単結晶を析出させることを
特徴とする。後者の場合は通常の多孔質黒鉛体も使用可
能であるが、望ましくは賦活した多孔質黒鉛体を用い
る。炭化ケイ素原料は高純度の微粉あるいはその成形体
を用いる。微粉の粒度は昇華反応面積を大きくするため
の２４０メッシュ以下が好ましい。その微粉を用いた圧
粉体あるいは焼結体のような成形体とすれば、原料粉末
の飛散防止等取扱いが容易となり、また原料充填密度が
高まり装置の効率的運転が可能となる。圧粉体や焼結体
でもあまり緻密にしなければ表面積が大きい微粉の作用
機能は失われない。
【００１０】炭化ケイ素は高純度であればその結晶形の
制限はないが、高純度で細かいものが、例えばシランガ
スと炭化水素ガスを用いたＣＶＤ法で容易に得られるβ
−ＳｉＣが好ましい。炭化ケイ素原料は加熱して昇華さ
せ、そのガスが原料と対向して設けられている炭化ケイ
素種結晶上に到達する。上記の対向させる方法としては
原料が下部に配置され種結晶が上部に配置されても、ま
たその逆であってもよい。原料から種結晶までは所定の
温度勾配があり、種結晶領域は原料領域より低温になっ
ている。通常種結晶の領域は１８００〜２３００℃に保
持される。
制限はないが、高純度で細かいものが、例えばシランガ
スと炭化水素ガスを用いたＣＶＤ法で容易に得られるβ
−ＳｉＣが好ましい。炭化ケイ素原料は加熱して昇華さ
せ、そのガスが原料と対向して設けられている炭化ケイ
素種結晶上に到達する。上記の対向させる方法としては
原料が下部に配置され種結晶が上部に配置されても、ま
たその逆であってもよい。原料から種結晶までは所定の
温度勾配があり、種結晶領域は原料領域より低温になっ
ている。通常種結晶の領域は１８００〜２３００℃に保
持される。
【００１１】本発明は炭化ケイ素昇華ガスが種結晶上に
到達させる前に特定の条件下にある黒鉛体に接触させる
ことが重要である。その条件として本発明の第１は、黒
鉛体に賦活化した黒鉛を用いるものである。賦活化する
のはＳｉガスとの反応性を高めるためである。賦活方法
は特に限定されるものではないが、黒鉛を酸素又は水蒸
気含有雰囲気中で７００〜９５０℃の温度で熱処理し、
酸化及びエロージョンを行なうのが代表的な方法であ
る。黒鉛体の形態は黒鉛粉粒体を賦活化し、これを成
形、焼結したブロック状とするか、粉粒体をそのまま堆
積させた層状でもよい。また多孔質の黒鉛成形体を賦活
して用いることもできる。粉粒体の堆積層はそのままで
通気性を有するが、成形体の場合は気孔率１０〜７０％
程度にして通気性とする。
到達させる前に特定の条件下にある黒鉛体に接触させる
ことが重要である。その条件として本発明の第１は、黒
鉛体に賦活化した黒鉛を用いるものである。賦活化する
のはＳｉガスとの反応性を高めるためである。賦活方法
は特に限定されるものではないが、黒鉛を酸素又は水蒸
気含有雰囲気中で７００〜９５０℃の温度で熱処理し、
酸化及びエロージョンを行なうのが代表的な方法であ
る。黒鉛体の形態は黒鉛粉粒体を賦活化し、これを成
形、焼結したブロック状とするか、粉粒体をそのまま堆
積させた層状でもよい。また多孔質の黒鉛成形体を賦活
して用いることもできる。粉粒体の堆積層はそのままで
通気性を有するが、成形体の場合は気孔率１０〜７０％
程度にして通気性とする。
【００１２】黒鉛体を特定の条件におく第２の方法は、
黒鉛体の温度を原料の温度よりも高くすることである。
黒鉛体の温度が原料より低いか、あるいは同等だと昇華
ガスの沈積が起ったり、また昇華ガス中の過剰なＳｉガ
スを抑制する作用が劣る。またあまり高過ぎると昇華ガ
ス中の成分が炭素リッチ側に偏り、その結果結晶欠陥が
生じるなどの問題がある。これらのことから黒鉛体の温
度は原料温度よりも３０〜８０℃高いことが望ましい。
この第２の方法では多孔質黒鉛をそのまま用いることも
できるが、望ましくは前記した賦活化多孔質黒鉛体を用
いる。
黒鉛体の温度を原料の温度よりも高くすることである。
黒鉛体の温度が原料より低いか、あるいは同等だと昇華
ガスの沈積が起ったり、また昇華ガス中の過剰なＳｉガ
スを抑制する作用が劣る。またあまり高過ぎると昇華ガ
ス中の成分が炭素リッチ側に偏り、その結果結晶欠陥が
生じるなどの問題がある。これらのことから黒鉛体の温
度は原料温度よりも３０〜８０℃高いことが望ましい。
この第２の方法では多孔質黒鉛をそのまま用いることも
できるが、望ましくは前記した賦活化多孔質黒鉛体を用
いる。
【００１３】昇華ガスを黒鉛体に接触させる方法は、昇
華ガスを多孔質黒鉛体に通すのが最も接触が効率的であ
り望ましい方法である。黒鉛体の層の厚さは装置の大き
さによるが、一般的には５〜３０ｍｍ程度あればよい。
種結晶となる炭化ケイ素の形態は特に制限はないが、一
般的には板状（基板）である。そして基板の成長面方位
を例えば＜０００１＞方向にして配置する。また傾斜基
板を用いる場合はその傾斜面の方向に配置する。
華ガスを多孔質黒鉛体に通すのが最も接触が効率的であ
り望ましい方法である。黒鉛体の層の厚さは装置の大き
さによるが、一般的には５〜３０ｍｍ程度あればよい。
種結晶となる炭化ケイ素の形態は特に制限はないが、一
般的には板状（基板）である。そして基板の成長面方位
を例えば＜０００１＞方向にして配置する。また傾斜基
板を用いる場合はその傾斜面の方向に配置する。
【００１４】黒鉛体と接触させることにより昇華ガス中
の過剰なＳｉ成分が抑制され、ＳｉＣとしての化学量論
比のずれの発生頻度が低減し、その結果結晶欠陥が少な
く表面が平滑な単結晶をより安定して得ることができ
る。本発明は昇華ガスに他の成分を添加するなどの方法
に比べて成長系の制御が極めて容易である。昇華ガス中
にＳｉガスが多く含まれる成長初期の段階では黒鉛との
反応がそれだけ多くなり、Ｓｉガスが少なくなれば反応
も少なくなる。即ち、Ｓｉガス量に応じた反応が自動的
に行なわれ、いわば黒鉛は昇華ガスを適正に保つ自己制
御的な作用をしており、難しい操作を必要としない。
の過剰なＳｉ成分が抑制され、ＳｉＣとしての化学量論
比のずれの発生頻度が低減し、その結果結晶欠陥が少な
く表面が平滑な単結晶をより安定して得ることができ
る。本発明は昇華ガスに他の成分を添加するなどの方法
に比べて成長系の制御が極めて容易である。昇華ガス中
にＳｉガスが多く含まれる成長初期の段階では黒鉛との
反応がそれだけ多くなり、Ｓｉガスが少なくなれば反応
も少なくなる。即ち、Ｓｉガス量に応じた反応が自動的
に行なわれ、いわば黒鉛は昇華ガスを適正に保つ自己制
御的な作用をしており、難しい操作を必要としない。
【００１５】次に図面を参考に製造装置の発明を説明す
る。図１において１が黒鉛ルツボで蓋板１１、底板１２
を有する。黒鉛ルツボ内に炭化ケイ素原料４を充填した
黒鉛カプセル３が装填される。３１は黒鉛カプセルの蓋
板であり、同時に昇華ガスが通り、反応を行なうための
多孔質黒鉛体となる。この多孔質黒鉛体は賦活化したも
のが好ましい。黒鉛ルツボの中に黒鉛カプセルを装填す
ることにより原料の補充をカプセル毎交換して行なうこ
とができ、原料補充に際して黒鉛ルツボを損傷すること
がない。
る。図１において１が黒鉛ルツボで蓋板１１、底板１２
を有する。黒鉛ルツボ内に炭化ケイ素原料４を充填した
黒鉛カプセル３が装填される。３１は黒鉛カプセルの蓋
板であり、同時に昇華ガスが通り、反応を行なうための
多孔質黒鉛体となる。この多孔質黒鉛体は賦活化したも
のが好ましい。黒鉛ルツボの中に黒鉛カプセルを装填す
ることにより原料の補充をカプセル毎交換して行なうこ
とができ、原料補充に際して黒鉛ルツボを損傷すること
がない。
【００１６】黒鉛カプセルの蓋板３１の上方の黒鉛ルツ
ボの蓋板下面に炭化ケイ素種結晶基板２を装着する。５
は基板上に成長した炭化ケイ素単結晶である。反応管７
の外側に高周波等の加熱炉６が装備される。加熱炉にお
いて黒鉛カプセルの蓋体の温度を原料温度より高くする
場合は、例えば高周波炉では蓋体の側面部分に当る高周
波のコイルの巻回し密度を上げるか、あるいは図１のよ
うに高周波コイルを原料加熱部分、蓋体の部分、種結晶
の部分に分割して設け、全体の温度勾配を所望の値にな
るように制御することもできる。
ボの蓋板下面に炭化ケイ素種結晶基板２を装着する。５
は基板上に成長した炭化ケイ素単結晶である。反応管７
の外側に高周波等の加熱炉６が装備される。加熱炉にお
いて黒鉛カプセルの蓋体の温度を原料温度より高くする
場合は、例えば高周波炉では蓋体の側面部分に当る高周
波のコイルの巻回し密度を上げるか、あるいは図１のよ
うに高周波コイルを原料加熱部分、蓋体の部分、種結晶
の部分に分割して設け、全体の温度勾配を所望の値にな
るように制御することもできる。
【００１７】加熱装置を装備した黒鉛ルツボは石英等の
反応管７内に装入されている。８は熱を遮断するための
黒鉛フェルト等の断熱材である。反応管７は、排気口７
１より吸引され、それに伴なって黒鉛ルツボ内が減圧状
態になる。７２はアルゴン等の不活性ガスの導入口であ
る。図１は原料が下部に、種結晶が上部に配置されてい
るが、両者の配置は逆であってもよい。この場合は黒鉛
カプセルの底板を多孔質黒鉛体とする。要は原料と種結
晶が黒鉛体を挟んで対向して配置されていればよい。
反応管７内に装入されている。８は熱を遮断するための
黒鉛フェルト等の断熱材である。反応管７は、排気口７
１より吸引され、それに伴なって黒鉛ルツボ内が減圧状
態になる。７２はアルゴン等の不活性ガスの導入口であ
る。図１は原料が下部に、種結晶が上部に配置されてい
るが、両者の配置は逆であってもよい。この場合は黒鉛
カプセルの底板を多孔質黒鉛体とする。要は原料と種結
晶が黒鉛体を挟んで対向して配置されていればよい。
【００１８】
【実施例】以下実施例により具体的に説明するが、本発
明は実施例に限定されるものではない。 （実施例１）６Ｈ−ＳｉＣ単結晶（０００１）面の炭素
面を成長面とした種結晶（径２５ｍｍ、厚さ１．５ｍ
ｍ）を図１の黒鉛ルツボ蓋板の下面に装着した。黒鉛ル
ツボ内に工業用グリーンＳｉＣ（４００メッシュ下）を
王水処理した高純度のＳｉＣの多孔質焼結体を収納した
黒鉛カプセルを装填した。カプセルの蓋板黒鉛体（径８
０ｍｍ、厚さ１５ｍｍ）は賦活してないもので気孔率は
約２７％である。この黒鉛ルツボを図１に示す３分割高
周波炉を外側に有する石英製の反応管内にセットした。
高周波炉により温度を調節し、原料温度を２３００℃、
黒鉛体（カプセルの上蓋）の温度を２３５０℃、種結晶
の温度を２０００℃に調整した。装置内をアルゴン雰囲
気の５０ｔｏｒｒとし、１２時間運転した。
明は実施例に限定されるものではない。 （実施例１）６Ｈ−ＳｉＣ単結晶（０００１）面の炭素
面を成長面とした種結晶（径２５ｍｍ、厚さ１．５ｍ
ｍ）を図１の黒鉛ルツボ蓋板の下面に装着した。黒鉛ル
ツボ内に工業用グリーンＳｉＣ（４００メッシュ下）を
王水処理した高純度のＳｉＣの多孔質焼結体を収納した
黒鉛カプセルを装填した。カプセルの蓋板黒鉛体（径８
０ｍｍ、厚さ１５ｍｍ）は賦活してないもので気孔率は
約２７％である。この黒鉛ルツボを図１に示す３分割高
周波炉を外側に有する石英製の反応管内にセットした。
高周波炉により温度を調節し、原料温度を２３００℃、
黒鉛体（カプセルの上蓋）の温度を２３５０℃、種結晶
の温度を２０００℃に調整した。装置内をアルゴン雰囲
気の５０ｔｏｒｒとし、１２時間運転した。
【００１９】その結果、種結晶上に図１に示すような先
端部が円形に近い形状でその径が４５．３ｍｍ、種結晶
からの高さが１１．４ｍｍの単結晶が得られた。この結
晶の成長方向の断面を切断、研磨により磨き出し、顕微
鏡観察を行なった結果、成長面は平坦であり、結晶欠陥
は２．２×１０2 ／ｃｍ2 あった。またイオンエッチン
グにより電子顕微鏡試料を作製し、高分解能観察の結
果、種結晶との界面、先端近傍とも６Ｈ−ＳｉＣの格子
間隔を有することが確認されエピタキシャル成長が保た
れていることが分かった。
端部が円形に近い形状でその径が４５．３ｍｍ、種結晶
からの高さが１１．４ｍｍの単結晶が得られた。この結
晶の成長方向の断面を切断、研磨により磨き出し、顕微
鏡観察を行なった結果、成長面は平坦であり、結晶欠陥
は２．２×１０2 ／ｃｍ2 あった。またイオンエッチン
グにより電子顕微鏡試料を作製し、高分解能観察の結
果、種結晶との界面、先端近傍とも６Ｈ−ＳｉＣの格子
間隔を有することが確認されエピタキシャル成長が保た
れていることが分かった。
【００２０】（実施例２）カプセル上蓋の黒鉛体として
賦活した黒鉛を用いた。実施例１の黒鉛体を空気中、８
５０℃で３０分間加熱し、その後水蒸気で８００℃、１
０分間処理して賦活した。この黒鉛体を用い、黒鉛体の
温度を２２５０℃とした以外は実施例１と同様にして単
結晶を析出させた。その単結晶を実施例１と同様に観察
した結果、成長面は平坦であり、結晶欠陥は２．０×１
０2 ／ｃｍ2 あった。単結晶は種結晶との界面、先端近
傍とも６Ｈ−ＳｉＣの格子間隔を有することが確認され
エピタキシャル成長が保たれていることが分かった。
賦活した黒鉛を用いた。実施例１の黒鉛体を空気中、８
５０℃で３０分間加熱し、その後水蒸気で８００℃、１
０分間処理して賦活した。この黒鉛体を用い、黒鉛体の
温度を２２５０℃とした以外は実施例１と同様にして単
結晶を析出させた。その単結晶を実施例１と同様に観察
した結果、成長面は平坦であり、結晶欠陥は２．０×１
０2 ／ｃｍ2 あった。単結晶は種結晶との界面、先端近
傍とも６Ｈ−ＳｉＣの格子間隔を有することが確認され
エピタキシャル成長が保たれていることが分かった。
【００２１】（実施例３）実施例２と同じ賦活黒鉛体を
用いた以外は実施例１と同様にして単結晶を析出させ
た。その単結晶を上記と同様に観察した結果、成長面は
平坦であり、また結晶は６Ｈ−ＳｉＣの格子間隔を有
し、エピタキシャル成長が保たれていた。そして結晶欠
陥は１．５×１０2 ／ｃｍ2 と上記実施例１，２よりさ
らに少なく極めて良好な単結晶であった。
用いた以外は実施例１と同様にして単結晶を析出させ
た。その単結晶を上記と同様に観察した結果、成長面は
平坦であり、また結晶は６Ｈ−ＳｉＣの格子間隔を有
し、エピタキシャル成長が保たれていた。そして結晶欠
陥は１．５×１０2 ／ｃｍ2 と上記実施例１，２よりさ
らに少なく極めて良好な単結晶であった。
【００２２】（比較例）実施例２において、賦活黒鉛体
の代わりに実施例１の黒鉛体を用いた以外は実施例２と
同様にして単結晶を析出させた。実施例と同様に観察し
た結果、成長面の凹凸が大きく、結晶欠陥は５．１×１
０2 ／ｃｍ2 であった。
の代わりに実施例１の黒鉛体を用いた以外は実施例２と
同様にして単結晶を析出させた。実施例と同様に観察し
た結果、成長面の凹凸が大きく、結晶欠陥は５．１×１
０2 ／ｃｍ2 であった。
【００２３】
【発明の効果】本発明により、面倒な操作や昇華ガスの
制御等を必要とせず、成長面は平坦で結晶欠陥の少ない
炭化ケイ素単結晶を容易に製造することができる。また
本発明においては繰り返し運転する場合に黒鉛カプセル
を交換するだけでよく、操作が容易であるばかりでな
く、黒鉛ルツボを長期間使用できる。
制御等を必要とせず、成長面は平坦で結晶欠陥の少ない
炭化ケイ素単結晶を容易に製造することができる。また
本発明においては繰り返し運転する場合に黒鉛カプセル
を交換するだけでよく、操作が容易であるばかりでな
く、黒鉛ルツボを長期間使用できる。
【図１】本発明の炭化ケイ素単結晶の製造装置の断面図
である。
である。
１ 黒鉛ルツボ ２ 種結晶 ３ 黒鉛カプセル ４ 炭化ケイ素原料 ５ 炭化ケイ素単結晶 ６ 高周波加熱炉 ７ 石英製反応管 ８ 黒鉛フェルト １１ 蓋板 １２ 底板 ３１ 蓋板（多孔質黒鉛体）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西野 茂弘 京都市伏見区深草関屋敷町32 ルネ墨染２ 番館307号
Claims (7)
- 【請求項１】 炭化ケイ素原料を昇華させ種結晶上に炭
化ケイ素単結晶を成長させる際、炭化ケイ素原料からの
昇華ガスを賦活化した多孔質黒鉛体に接触させた後、前
記種結晶上に到達させることを特徴とする炭化ケイ素単
結晶の製造方法。 - 【請求項２】 炭化ケイ素原料を昇華させ種結晶上に炭
化ケイ素単結晶を成長させる際、炭化ケイ素原料からの
昇華ガスを、炭化ケイ素原料の温度よりも高い温度の多
孔質黒鉛体に接触させた後、前記種結晶上に到達させる
ことを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。 - 【請求項３】 多孔質黒鉛体が賦活したものである請求
項２記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。 - 【請求項４】 炭化ケイ素原料が２４０メッシュ以下の
細粒又は該細粒の成形体である請求項１〜３記載の炭化
ケイ素単結晶の製造方法。 - 【請求項５】 炭化ケイ素原料がβ−ＳｉＣである請求
項１〜４記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。 - 【請求項６】 不活性ガス導入口及び内部を減圧にする
排気口を有し、かつ加熱装置を備えた反応管内に、黒鉛
ルツボが設置され、該黒鉛ルツボ内に炭化ケイ素原料を
収納する黒鉛カプセルが装填され、黒鉛カプセルの蓋板
又は底板は多孔質黒鉛体からなり、該黒鉛カプセルの蓋
板の上方又は底板の下方に炭化ケイ素種結晶を配置して
なる炭化ケイ素単結晶の製造装置。 - 【請求項７】 黒鉛カプセルの蓋板又は底板が賦活化し
た多孔質黒鉛体である請求項６記載の炭化ケイ素単結晶
の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11881797A JP3898278B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 炭化ケイ素単結晶の製造方法及びその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11881797A JP3898278B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 炭化ケイ素単結晶の製造方法及びその製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10291899A true JPH10291899A (ja) | 1998-11-04 |
| JP3898278B2 JP3898278B2 (ja) | 2007-03-28 |
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ID=14745882
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11881797A Expired - Fee Related JP3898278B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 炭化ケイ素単結晶の製造方法及びその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3898278B2 (ja) |
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| Date | Code | Title | Description |
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| RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20050510 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060714 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061221 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100105 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130105 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160105 Year of fee payment: 9 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |