JPH1029142A - 円盤状半導体ウェーハ面取部のミラー面取加工方法 - Google Patents
円盤状半導体ウェーハ面取部のミラー面取加工方法Info
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- JPH1029142A JPH1029142A JP18471496A JP18471496A JPH1029142A JP H1029142 A JPH1029142 A JP H1029142A JP 18471496 A JP18471496 A JP 18471496A JP 18471496 A JP18471496 A JP 18471496A JP H1029142 A JPH1029142 A JP H1029142A
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Abstract
欠損の可能性を低減させつつ、この面取部を極めて短時
間に鏡面加工できる方法を提供すること。 【解決手段】 研磨面に円盤状半導体ウェーハ23を押
し当てようとする力を円盤状半導体ウェーハ23の外周
部に位置する面取部のほぼ全域を使用して支えるように
したもので、鏡面加工の速度に最も必要な押し付け力を
高めても、円盤状半導体ウェーハ23に局部的な荷重が
加わらず、加工時の局部欠損を防止でき、延いては円盤
状半導体ウェーハ23の面取部の鏡面加工速度を飛躍的
に高めるものである。
Description
体ウェーハをミラー面取加工する方法に関し、より詳細
には円盤状半導体ウェーハの外周面取部または必要に応
じてその外周端についてミラー面取研磨加工を行うため
の加工方法に関する。
ロセスにおいて歩留まりの向上に関して、パーチクルが
直接影響を及ぼすレベルにまで達している。さらに同様
に大径化への移行が急速に進んでおり、このためのウェ
ーハ基盤の外周や上下面取部についても表面同様のミラ
ー面取化が望まれ、そのミラー面取化処理は現在以下の
ような方法で行われている。
概略を示す特開昭64−71657号、または特開昭6
4−71656号公報に見られるように、表面に研磨布
06を付した研磨ドラム01を所定速度で回転させつ
つ、吸着チャック02で固定した円盤状の半導体ウェー
ハ03をこの研磨ドラム01に加圧用ウェート04等を
利用して押し付け、半導体ウェーハ03の面取部07を
ミラー面取加工している。
周に例えば約22゜の面取部07が表裏両面に形成さ
れ、さらにこれら面取部07はその先端部が軽いラウン
ドで交わるような外周端に形成されている。したがって
面取部07をミラー面取加工するには図13、図15に
示されるように円盤状の半導体ウェーハ03は、研磨ド
ラム01に対して例えば22゜傾けた状態で押し付けら
れ、研磨剤05を流しつつ、加工されることになる。
15に示されるように回転ドラム01の研磨布06に対
して円盤状の半導体ウェーハ03の面取部07が上下に
線接触(厳密には研磨布06の弾力で所定の面積で接
触)状態でミラー面取加工が行われるため、円盤状の半
導体ウェーハ03の片面の面取部07をミラー面取加工
するには時間がかかってしまう。そこで例えば加圧用ウ
ェイト04を重くし半導体ウェーハ03を回転ドラム0
1に強く押し付けることにより、加圧時間は短縮できる
のであるが、半導体ウェーハ03は薄い肉厚でかつ脆性
が高いため、吸着チャック02の外周に位置する半導体
ウェーハ03端部に過度な集中荷重が加わると、一部が
欠損することになるため、ミラー面取加工速度を高める
ことには限界がある。
もので、硬脆材である円盤状の半導体ウェーハの外周欠
損の可能性を低減させつつ、この面取部を極めて短時間
にミラー面取加工できる方法を提供することを目的とし
ている。
に、本発明の円盤状半導体ウェーハ面取部のミラー面取
加工方法は、凹形状をなす研磨面に対して、円盤状半導
体ウェーハの外周の面取部をほぼ全周において押し当て
た状態で、この研磨面と円盤状半導体ウェーハとの相対
的回転を与えることにより、円盤状半導体ウェーハの外
周の面取部のミラー面取加工を行うようにしたことを特
徴としている。この発明の特徴とするところは、研磨面
に円盤状半導体ウェーハを押し当てようとする力を円盤
状半導体ウェーハの外周部に位置する面取部のほぼ全域
を使用して支えるようにしたもので、ミラー面取加工の
速度に最も必要な押し付け力を高めても、円盤状半導体
ウェーハに局部的な荷重が加わらず、加工時の局部欠損
を防止でき、延いては円盤状半導体ウェーハの面取部の
ミラー面取加工速度を飛躍的に高めるものである。この
場合、ほぼ全周とは、円盤状半導体ウェーハや研磨面に
一部の切欠きが存在していたり、それらの一部形状の変
化により100%全て当接しなければならないものでは
ないことを意味している。また面取部ほぼ全周とは、研
磨面に対して周線的にまたは周面的にの両方を含んでお
り、これは研磨面の弾性力によって決まる。
ラー面取加工方法は、凹形状をなす研磨面として、円盤
状半導体ウェーハの外周面取部をほぼ全周において押し
当て可能な曲率半径の球内面形状を用いたことが好まし
い。これは、円盤状半導体ウェーハの直径に基づき、研
磨面としての球内面形状の曲率半径を算出することによ
り、容易に球内面形状が決まり、このようにすることに
より円盤状半導体ウェーハを凹状の研磨面に当接するの
みで、理論的に常時円盤状半導体ウェーハの全周が研磨
面に当ることになり、両者の位置設定が極めて簡素化さ
れる。
ラー面取加工方法は、研磨面である球内面の中心点に円
盤状半導体ウェーハの回転軸を一致させ、かつ研磨面と
回転軸と前記円盤状半導体ウェーハの回転軸とを不一致
とさせ、少なくとも前記研磨面をその回転軸で強制的に
回転させるようにしたことが好ましい。このようにする
ことにより、円盤状半導体ウェーハの面取部が球内面形
状の研磨面に広い面積で平均化して当接するため、研磨
面の寿命が延びる。
ラー面取加工方法は、凹状をなす研磨面として、円盤状
ウェーハの外周の面取部をほぼ全周において押し当て可
能な円錐内面形状の一部を用いたことが好ましい。この
ようにすることにより、円盤状半導体ウェーハの表裏に
形成された傾斜角度(例えば22゜)の面取部に対し
て、同角度の開き角を有する円錐面を確実に当てること
が可能となり、面取部のミラー面取加工処理を高精度に
行える。
ラー面取加工方法は、円盤状半導体ウェーハの一面を加
圧プレートに固定し、他面の面取部を加圧プレートによ
って研磨面に押し当て、前記他面の面取部のミラー面取
加工を所定時間行い、その後、円盤状半導体ウェーハの
一面から加工プレートを取外し、次に円盤状半導体ウェ
ーハの他面を加圧プレートに固定し、一面の面取部を加
圧プレートに押し当て、前記一面の面取部のミラー面取
加工を前記他面のミラー面取加工時間とほぼ同時間行う
ようにしたことが好ましい。本発明の場合は、基本的に
片面の全ての面取部がミラー面取加工中に研磨面と接し
ており、仕上り精度を確認できないが、加工時間の設定
によって表裏同精度の面取部のミラー面取加工が可能と
なる。
いて説明すると、図1〜図3が第1の実施態様、図4〜
図11がそれぞれ第2〜第9の実施の態様であり、さら
に図12は第10の実施の態様である。
明すると、1はベッド台であり、このベッド台1の下方
から延びる軸受2から軸受を介して回転軸3が上方に延
設され、この回転軸3の上端には凹状をなす研磨面を構
成するボウル状の研磨台4が固定されている。さらにこ
の研磨台4の凹部内面は所定高さの点Pを中心とした球
面であり、その凹部内面には例えば不織布等の研磨パッ
ド5が固定されている。詳しくは図2に示されるように
所定間隔で溝6が上方に延びており、これは後述する研
磨剤の流通通路となるが、この溝6によらずとも研磨剤
はウェーハ23の研磨に用いられながら研磨台4の回転
による遠心力により研磨台4の縁から排出されるように
してもよい。
れる研磨剤の供給通路7が形成され、これは研磨台4及
び研磨パッド5を貫通し、研磨剤を研磨パッド5の上面
に供給できるようになっている。
定され、モータプーリ10そしてベルト9を介してモー
タ11からの回転駆動力で回転軸3そして研磨台4が回
転できるようになっている。
ており、このコラム12にはモータ14で回転する送り
ネジ15が設けられ、この送りネジ15には摺動レール
13を介して左右に摺動する移動台16が設けられてい
る。この移動台16の上部には加圧シリンダー17が設
けられ、加圧シリンダーからは昇降軸18が軸受19を
介して吊持されている。またこの昇降軸18の先端部に
は自在継手20、そして回転軸受21を介してチャック
22が設けられている。このチャック22は広い平板状
をなし、加圧用のプレートとして機能するとともに、回
転軸受21で支持され自在継手20に対して回転できる
ようになっている。なおチャック22の下面には、この
チャック22が有する吸着、貼着等の手段で円盤状半導
体ウェーハ23が固定されている。
ェーハのミラー面取研磨加工についてその操作、作用を
説明する。
ごとく、上方部に位置し、ここでチャック22に円盤状
半導体ウェーハ23が固定される。次にモータ14を駆
動させて送りネジ15を回転させ、移動台16を横移動
させて停止させた後、加圧シリンダー17を駆動させて
図1のような状態になるまで昇降軸18を送り出し、円
盤状半導体ウェーハ23を研磨面である研磨パッド5に
当接させ、さらに所定の加圧力で押し当てる。この押圧
力で不織布等の研磨パッド5は若干の弾性力を有してい
るため、研磨パッド5には円盤状半導体ウェーハ23の
面取部がほぼ全周にわたって接触することになる。この
場合、面取部の面と、球内面である研磨パッド5の球の
接線方向とを一致させるように研磨パッド5の球曲面の
半径(すなわち点Pの位置)を選択しておくとよい。
パッド5の上面に供給するとともに、モーター11を回
転させて回転軸3を介して研磨台4を回動させる。
に回転させ、研磨パッド5と円盤状半導体ウェーハ23
の面取部にはそのほぼ全周にわたり接触位置によりそれ
ぞれ異なるベクトルの摩擦力が加わる。すなわち図3に
示されるように円盤状半導体ウェーハ23の点Cには大
きなベクトルの回転力が、点Dには小さなベクトルの回
転力が発生し、中心軸Oと中心点O’とが一致しない以
上、円盤状半導体ウェーハ23には連れ回り力が矢印B
方向に発生する。
取部は研磨パッド5と押圧状態で相対移動を繰り返し、
面取部の均一なミラー面取研磨が行われる。このように
中心軸Oと中心点O’を一致させないようにすると、面
取部のミラー面取加工に供される研磨パッド5の面積は
図3の斜線部分で示されるように広がり、この研磨パッ
ド5の寿命を格段に延ばすことができる。
ハ23を押し当てようとする力が円盤状半導体ウェーハ
23の外周部に位置する面取部のほぼ全域を使用して支
えられるため、ミラー面取加工の速度に最も必要な押し
付け力を高めても、円盤状半導体ウェーハ23に局部的
な荷重が加わらず、加工時の局部欠損を防止できる。ま
た、延いては円盤状半導体ウェーハの面取部のミラー面
取加工速度を飛躍的に高めることになる。さらに、研磨
面の形状が球面であると、セット時もしくはミラー面取
研磨中に、円盤状半導体ウェーハ23の位置がずれたと
しても、面取部のミラー面取加工には影響がなく、常時
面取部の傾斜角を維持した優れたミラー面取加工が可能
となる。
点で円盤状半導体ウェーハ23をチャック22から取外
し、その裏である他面のミラー面取加工を行い、一枚の
円盤状半導体ウェーハ23のミラー面取加工が終了す
る。
8を円盤状半導体ウェーハ23の中心点O’と研磨台4
の回転軸Oとを一致させ、固定され回転しない昇降軸1
8に固定されたチャック22に円盤状半導体ウェーハ2
3が固定され、研磨台4が回転されるものであり、研磨
パッドを広範囲の面にわたって使用出来ないが昇降軸1
8の上下移動のみで加工時のセットができ、加工時間の
短縮につながる。
回転しない昇降軸18をやはりチャック22に対して回
転不能にしたものである。この場合は第1の実施の態様
同様、研磨パッド5の寿命を延ばすことができる。
3の実施の態様を組合わせたものであり、駆動部25を
利用し回転しない揺動軸181によって所定のタイミン
グで円盤状半導体ウェーハ23を研磨パッド5に対して
位置変化させるものである。この場合はセットが楽なば
かりか、研磨パッド5の寿命も延ばすことができる。
22自体を研磨パッド5に対して回転させるものであ
り、モータ26によって回転軸182とともにチャック
22を回転させ、研磨台4を支持体31で固定するもの
である。この場合、支持体31と回転軸182との軸が
一致している。
施の態様のものの両軸を不一致としたものであり、この
効果は図5のものと同じである。
6の実施の態様を組合わせたものであり、駆動部25を
利用し回転している回転軸182を所定のタイミングで
揺動させ、円盤状半導体ウェーハ23を研磨パッド5に
対して位置変化させるものであり、研磨パッド5の寿命
も延ばせることになる。
ク22と研磨台23をともに強制回転させたものであ
り、両者の相対回転速度を高めることが可能である。
としての研磨パッド5及び研磨台41を円錐面の一部形
状としたものであり、円盤状半導体ウェーハ23の表裏
に形成された傾斜角度を有する面取部に対して、同角度
になっており、面取部のミラー面取加工処理を高精度に
行えることになる。ここで面取部の傾斜角度は22゜、
11゜等種類が複数あるため、この角度に合致させる研
磨台41及び研磨パッド51を用意すればよい。
の実施の態様と相違する点は、研磨パッド5の上方周縁
部に最外周端部をミラー面取研磨するための環状凸部2
4が形成されていることである。このような環状凸部2
4を設けておけば、面取部とともに最外周端部をも同時
にミラー面取加工できることになる。
てきたが、具体的な構成はこれら実施例に限られるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における変更
や追加があっても本発明に含まれる。例えば、実施例で
は面取部を傾斜角度22゜、11゜等の平面部として表
現しているが、曲面のものも有り、例えば最外周端部と
面取部とが全てアール面になっているものも含まれる。
れる。
円盤状半導体ウェーハを押し当てようとする力を円盤状
半導体ウェーハの外周部に位置する面取部のほぼ全域を
使用して支えるようにしたもので、ミラー面取加工の速
度に最も必要な押し付け力を高めても、円盤状半導体ウ
ェーハに局部的な荷重が加わらず、加工時の局部欠損を
防止でき、延いては円盤状半導体ウェーハの面取部のミ
ラー面取加工速度を飛躍的に高めるものである。
導体ウェーハの直径に基づき、研磨面としての球内面形
状の曲率半径を算出することにより、容易に球内面形状
が決まり、このようにすることにより円盤状半導体ウェ
ーハを凹状の研磨面に当接するのみで、理論的に常時円
盤状半導体ウェーハの全周が研磨面に当ることになり、
両者の位置設定が極めて簡素化される。
導体ウェーハの面取部が球内面形状の研磨面に広い面積
で平均化して当接するため、研磨面の寿命が延びる。
導体ウェーハの表裏に形成された傾斜角度(例えば22
゜)の面取部に対して、同角度の開き角を有する円錐面
を確実に当てることが可能となり、面取部のミラー面取
加工処理を高精度に行える。
片面の全ての面取部がミラー面取加工中に研磨面と接し
ており、仕上り精度を確認できないが、加工時間の設定
によって表裏同精度の面取部のミラー面取加工が可能と
なる。
る。
である。
Claims (5)
- 【請求項1】 凹形状をなす研磨面に対して、円盤状半
導体ウェーハの外周の面取部をほぼ全周において押し当
てた状態で、この研磨面と円盤状半導体ウェーハとの相
対的回転を与えることにより、円盤状半導体ウェーハの
外周の面取部のミラー面取加工を行うようにしたことを
特徴とする円盤状半導体ウェーハ面取部のミラー面取加
工方法。 - 【請求項2】 凹形状をなす研磨面として、円盤状半導
体ウェーハの外周面取部をほぼ全周において押し当て可
能な曲率半径の球内面形状を用いた請求項1に記載の円
盤状半導体ウェーハ面取部のミラー面取加工方法。 - 【請求項3】 研磨面である球内面の中心点に円盤状半
導体ウェーハの回転軸を一致させ、かつ研磨面と回転軸
と前記円盤状半導体ウェーハの回転軸とを不一致とさ
せ、少なくとも前記研磨面をその回転軸で強制的に回転
させるようにした請求項2に記載の円盤状半導体ウェー
ハ面取部のミラー面取加工方法。 - 【請求項4】 凹状をなす研磨面として、円盤状ウェー
ハの外周の面取部をほぼ全周において押し当て可能な円
錐内面形状の一部を用いた請求項1に記載の円盤状半導
体ウェーハ面取部のミラー面取加工方法。 - 【請求項5】 円盤状半導体ウェーハの一面を加圧プレ
ートに固定し、他面の面取部を加圧プレートによって研
磨面に押し当て、前記他面の面取部のミラー面取加工を
所定時間行い、その後、円盤状半導体ウェーハの一面か
ら加工プレートを取外し、次に円盤状半導体ウェーハの
他面を加圧プレートに固定し、一面の面取部を加圧プレ
ートに押し当て、前記一面の面取部のミラー面取加工を
前記他面のミラー面取加工時間とほぼ同時間行うように
した請求項1ないし4のいずれかに記載の円盤状半導体
ウェーハ面取部のミラー面取加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18471496A JP3389014B2 (ja) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | 円盤状半導体ウェーハ面取部のミラー面取加工方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002331751A Division JP2003145399A (ja) | 2002-11-15 | 2002-11-15 | 円盤状半導体ウェーハ面取部のミラー面取加工方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1029142A true JPH1029142A (ja) | 1998-02-03 |
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Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP3389014B2 (ja) |
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- 1996-07-15 JP JP18471496A patent/JP3389014B2/ja not_active Expired - Fee Related
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