JPH1022492A - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH1022492A JPH1022492A JP9013236A JP1323697A JPH1022492A JP H1022492 A JPH1022492 A JP H1022492A JP 9013236 A JP9013236 A JP 9013236A JP 1323697 A JP1323697 A JP 1323697A JP H1022492 A JPH1022492 A JP H1022492A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- gate electrode
- vertical
- width
- impurity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
することにより、電荷転送効率の向上に適した固体撮像
素子の製造方法を提供すること。 【解決手段】 第1、第2垂直ポリゲートのパターン幅
に応じてドーピング濃度を互いに異ならせてそれらの抵
抗値を同一にしたことを特徴とする。
Description
り、特に電荷転送効率の向上に適した固体撮像素子の製
造方法に関する。
ス状に配列され、光形態の映像を電気信号電荷として出
力する複数個のフォトダイオードPDを備えている。さ
らに、フォトダイオードPDで生成した映像信号電荷を
垂直方向に転送する複数個の垂直電荷転送領域VCCD
と、垂直電荷転送領域の出力端に形成され、垂直電荷転
送領域からの映像信号電荷を出力端に向かって水平方向
に転送する水平電荷転送領域HCCDを有する。その水
平電荷転送領域の出力端には、転送された映像信号電荷
を感知して電気信号として出力するセンスアンプSAが
形成されている。
素子を説明する。図1は従来の固体撮像素子のレイアウ
ト図であり、図2は図1のA−A’線に沿った断面図で
ある。従来の固体撮像素子は、図1に示すように、P導
電型の基板が設けられ、基板の表面部には複数個のフォ
トダイオードPDと、それぞれのフォトダイオードから
生成された映像信号電荷を垂直方向に転送する複数個の
垂直電荷転送領域VCCDと、垂直電荷転送領域の出力
端に形成される一つの水平電荷転送領域HCCDとが形
成されている。
のゲートが形成される。まず、垂直電荷転送領域上には
それぞれのフォトダイオードから生成された映像信号電
荷を出力端に向かって順次転送するための複数個の第1
垂直ポリゲート1と第2垂直ポリゲート2が繰り返し連
続して形成されている。この第2垂直ポリゲート2は、
その一部が該当するラインのフォトダイオードと部分的
にオーバーラップするように構成され、トランスファゲ
ートとして用いられる。即ち、フォトダイオードから生
成された映像信号電荷を垂直電荷転送領域にトランスフ
ァさせる役割を果たす。このように垂直電荷転送領域上
に繰り返し形成された第1、第2垂直ポリゲート1、2
には4個の垂直クロック信号Vφ1、Vφ2、Vφ3、V
φ4が交代に印加され、順次映像信号電荷を垂直方向に
転送する。即ち、4相クロックで映像信号電荷のトラン
スファ動作が行われる。
転送領域から転送されてきた電荷をセンスアンプへ転送
するための第1、第2水平ポリゲート1a、2aが形成
されている。このように、水平電荷転送領域は2相クロ
ックで転送される。センスアンプでは、送られてきた映
像信号電荷を電気映像信号に変換して出力する。水平電
荷転送領域上に形成された複数個の第1、第2水平ポリ
ゲート1a、2aはHφ1、Hφ2のクロックが交代に印
加され、順次映像信号電荷を転送する。
では、それぞれの画素領域から生成された映像信号電荷
はVφ1、Vφ2、Vφ3、Vφ4のクロックによってその
ポテンシャルレベルが変化して垂直方向に転送され、か
つHφ1、Hφ2のクロックによって浮遊ゲート領域に転
送され、センスアンプを経てアナログ信号に変化して出
力される。このとき、フォトダイオードの映像信号電荷
をVCCD領域へ転送するためにはトランスファゲート
に高い電圧を印加しなければならない。
あって、第1垂直ポリゲートと第2垂直ポリゲートは幅
が互いに異なるように形成されていることを示す。上記
のように、第1垂直ポリゲート1と第2垂直ポリゲート
2の幅が互いに異なるように形成されているので、前記
第1垂直ポリゲート1のドーピング濃度と第2垂直ポリ
ゲート2のドーピング濃度が同一である場合、第1垂直
ポリゲート1の抵抗と第2垂直ポリゲート2の抵抗は互
いに異なる。一方、水平電荷転送領域HCCD上の第1
水平ポリゲート1aと第2水平ポリゲート2aの幅は互
いに同一となるようにパターニングする。したがって、
不純物ドーピング濃度が互いに同一である場合には抵抗
が同一で特に問題とならない。
来の固体撮像素子の製造方法は、第1垂直ポリゲートと
第2垂直ポリゲートのパターン幅が互いに異なるにも拘
わらず、同一のドーピング濃度を有するので、第1、第
2垂直ポリゲートの抵抗値は互いに異なる。これによ
り、垂直電荷転送領域の電荷転送効率(CTE)が減少
するという問題点があった。
ので、その目的は第1、第2垂直ポリゲートの抵抗値を
同一にすることにより、電荷転送効率の向上に適した固
体撮像素子の製造方法を提供することにある。
め、本発明は、第1、第2垂直ポリゲートのパターン幅
に応じてドーピング濃度を互いに異ならせてそれらの抵
抗値を同一にしたことを特徴とするものである。本発明
の固体撮像素子の製造方法は、基板上に第1半導体層を
形成するステップと、第1半導体層上に第1濃度を有す
る不純物イオンを注入するステップと、第1半導体層の
一部に第2濃度を有する不純物を注入するステップと、
第1半導体層をパターニングして、第1幅を有する複数
個の第1ゲート電極を一定の間隔で形成するステップ
と、前記第1ゲート電極と基板の露出した全表面に第2
半導体層を形成するステップと、前記第2半導体層に第
3濃度を有する不純物イオンを注入するステップと、第
2半導体層をパターニングして、第2幅を有する第2ゲ
ート電極を第1ゲート電極の間に形成するステップとを
有する。
インの幅がそれぞれ同一の場合には不純物のドーピング
濃度を同一にする。不純物のドーピング濃度は不純物注
入を選択的に施して調節し、広い幅のゲート電極ライン
は相対的に狭い幅のゲート電極ラインに比べて不純物の
ドーピング濃度が高い。そして、第1幅は第2幅より狭
く、第1濃度は第3濃度より低い。
させるために第1絶縁層を形成し、前記第1ゲート電極
ラインと第2ゲートラインを絶縁させるために第2絶縁
層を形成している。
の一実施形態の素子の製造方法を詳細に説明する。図3
は図1のB−B’線に沿った断面図であって、VCCD
領域、HCCD領域、そしてVCCD−HCCDインタ
フェース領域上に形成された第1ポリゲート21と第2
ポリゲート22を示す。
固体撮像素子の製造方法を示す工程断面図である。本発
明の固体撮像素子の製造方法は、基板の表面内に複数個
のVCCD領域、HCCD領域、及びVCCD−HCC
Dインタフェース領域を形成するステップと、基板の全
表面上に第1絶縁層と第1半導体層を形成するステップ
と、第1半導体層の全面に1次不純物ドーピングを施す
ステップと、HCCD領域に該当する第1半導体層にだ
け2次不純物ドーピングをさらに施すステップと、半導
体層をパターニングして複数個の第1垂直ゲート電極ラ
インと複数個の第1水平ゲート電極ラインを形成するス
テップと、前記第1絶縁層と前記ゲート電極ラインの露
出した全表面上に第2絶縁層と第2半導体層を順次形成
し、第2半導体層に3次不純物ドーピングを施すステッ
プと、前記第2半導体層をパターニングして前記第1垂
直ゲート電極ラインの間に第1垂直電極ラインより広い
幅の第2垂直ゲート電極ラインを形成し、かつ第1水平
ゲート電極の間に第2水平ゲート電極を形成するステッ
プとを備えている。
る。図4(a)に示すように、垂直電荷転送領域VCC
D領域31、水平電荷転送領域HCCD32、そして垂
直電荷転送領域31と水平電荷転送領域32とのインタ
フェース領域33が形成された基板上に第1絶縁層34
を形成する。次に、第1絶縁層34上に第1半導体層3
5を形成した後、全面に1次不純物ドーピングを施す。
第1半導体層35は第1ポリゲートとして用いられる。
体層35のうち、HCCD領域32の部分を露出させ
る。HCCD領域32上の第1半導体層35の露出には
バリヤマスク36を用いる。そして、露出されたHCC
D領域32上の第1半導体層35に2次不純物ドーピン
グを施す。従って、VCCD領域31上の第1半導体層
35とHCCD領域32の第1半導体層35に注入され
た不純物のドーピング濃度は互いに異なる。
(c)に示すように、VCCD領域31とHCCD領域
32の上の第1半導体層35をパターニングして、複数
個の第1垂直ポリゲートライン35aと複数個の第1水
平ポリゲートライン35bを形成する。そして、VCC
D領域31及びHCCD領域32を含んだ全面に第2絶
縁層37と第2半導体層38を順次形成する。次に、全
面に形成された第2半導体層38に3次不純物ドーピン
グを施す。第2半導体層38は第2ポリゲートラインと
して用いる。第2半導体層38に施された3次不純物の
ドーピング濃度は、以前に施された1次不純物のドーピ
ング濃度と2次不純物のドーピング濃度との和と同一で
ある。従って、HCCD領域32上の第1半導体層35
の不純物ドーピング濃度と第2半導体層の不純物ドーピ
ング濃度は互いに同一である。そして、VCCD領域3
1上の第1半導体層35の不純物ドーピング濃度と第2
半導体層38の不純物ドーピング濃度は互いに異なる。
尚、HCCD領域32上の第2半導体層38の不純物濃
度は、VCCD領域31上の第2半導体層38の不純物
ドーピング濃度と同一である。ということは第1半導体
層35bの不純物ドーピング濃度とも等しいということ
を意味する。
体層38と第2絶縁層37をパターニングして、前記第
1垂直ポリゲートライン35aの間に第2垂直ポリゲー
トライン38aを形成し、第1水平ポリゲートライン3
5bの間に第2水平ポリゲートライン38bを形成す
る。このとき、第2垂直ポリゲートライン38aの幅が
第1垂直ポリゲート35aの幅より狭くなるようにパタ
ーニングし、且つ第2水平ポリゲートライン38bの幅
が第1水平ポリゲートライン35bの幅と同一となるよ
うにパターニングする。そして、第1、第2絶縁層3
4、37としては酸化物もしくは窒化物を使用する。
素子の製造方法によれば、VCCD領域の第1ポリゲー
トと第2ポリゲートとはそれぞれ幅を異にするが、それ
ぞれの不純物濃度が異なるようにすることができるの
で、双方の抵抗値を同じとすることができる。したがっ
て、電荷転送効率が向上する。
図であり、
素子の製造方法を示す工程断面図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 基板上に第1絶縁層を介して第1半導体
層を形成するステップと、 前記第1半導体層上に第1濃度を有する不純物イオンを
注入するステップと、 前記第1半導体層の一部に第2の濃度を有する不純物イ
オンを注入するステップと、 前記第1半導体層をパターニングして、第1幅を有する
複数個の第1ゲート電極を一定の間隔で形成するステッ
プと、 前記第1ゲート電極と基板の露出した全表面上に第2絶
縁層と第2半導体層とを形成するステップと、 前記第2半導体層に第3濃度を有する不純物イオンを注
入するステップと、 第2半導体層をパターニングして、第2幅を有する第2
ゲート電極を第1ゲート電極の間に形成するステップと
を有することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項2】 基板の表面部に複数個のVCCD領域、
HCCD領域、及びVCCD−HCCDインタフェース
領域を形成する第1ステップと、 前記基板の全表面上に第1絶縁層と第1半導体層を形成
する第2ステップと、 前記第1半導体層の全面に1次不純物ドーピングを行う
第3ステップと、 前記HCCD領域に該当する第1半導体層にのみ2次不
純物ドーピングを行う第4ステップと前記HCCD領域
とVCCD領域の第1半導体層をパターニングして、前
記第1垂直ゲート電極と複数個の第1水平ゲート電極を
形成する第5ステップと、 前記第1絶縁層と前記ゲート電極の露出した全表面上に
第2絶縁層と第2半導体層を順次形成し、3次不純物ド
ーピングを行う第6ステップと、 前記第2半導体層をパターニングして、前記第1垂直ゲ
ート電極の間に第1垂直ゲート電極より狭い幅の第2垂
直ゲート電極を、そして第1水平ゲート電極の間に第1
水平ゲート電極と同じ幅の第2水平ゲート電極を形成す
る第7ステップとを備えることを特徴とする固体撮像素
子の製造方法。 - 【請求項3】 1次にドーピングされる不純物の濃度と
2次にドーピングされる不純物の濃度との和は、3次に
ドーピンされる不純物の濃度と同一であることを特徴と
する請求項2記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項4】 HCCD領域上の第1半導体層の不純物
ドーピング濃度と第2半導体層の不純物ドーピング濃度
は同一であることを特徴とする請求項2記載の固体撮像
素子の製造方法。 - 【請求項5】 第2垂直ゲート電極の幅は第1垂直ゲー
ト電極の幅より狭くパターニングすることを特徴とする
請求項2記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項6】 第1水平ゲート電極の幅は第1水平ゲー
ト電極の幅と同一にパターニングすることを特徴とする
請求項2記載の固体撮像素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR16466/1996 | 1996-05-16 | ||
KR1019960016466A KR100215882B1 (ko) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | 고체촬상소자 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1022492A true JPH1022492A (ja) | 1998-01-23 |
JP2936153B2 JP2936153B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=19458923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9013236A Expired - Fee Related JP2936153B2 (ja) | 1996-05-16 | 1997-01-10 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5741728A (ja) |
JP (1) | JP2936153B2 (ja) |
KR (1) | KR100215882B1 (ja) |
DE (1) | DE19715684A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3011137B2 (ja) * | 1997-06-27 | 2000-02-21 | 日本電気株式会社 | 電荷転送装置およびその製造方法 |
KR100630704B1 (ko) * | 2004-10-20 | 2006-10-02 | 삼성전자주식회사 | 비평면 구조의 트랜지스터를 구비한 cmos 이미지 센서및 그 제조 방법 |
JP4348644B2 (ja) * | 2006-09-26 | 2009-10-21 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタ、電気光学装置および電子機器 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL8501339A (nl) * | 1985-05-10 | 1986-12-01 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
KR940010932B1 (ko) * | 1991-12-23 | 1994-11-19 | 금성일렉트론주식회사 | Ccd영상소자 제조방법 |
KR950013435B1 (ko) * | 1992-05-22 | 1995-11-08 | 삼성전자주식회사 | 정상상 및 거울상을 위한 고체촬영소자 |
KR0136933B1 (ko) * | 1994-05-21 | 1998-04-24 | 문정환 | 씨씨디(ccd) 영상소자 및 제조방법 |
-
1996
- 1996-05-16 KR KR1019960016466A patent/KR100215882B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-08-13 US US08/696,150 patent/US5741728A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-01-10 JP JP9013236A patent/JP2936153B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-04-15 DE DE19715684A patent/DE19715684A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR970077705A (ko) | 1997-12-12 |
DE19715684A1 (de) | 1997-11-20 |
JP2936153B2 (ja) | 1999-08-23 |
US5741728A (en) | 1998-04-21 |
KR100215882B1 (ko) | 1999-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100309637B1 (ko) | 씨씨디형고체촬상장치 | |
JP2936153B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
US5627096A (en) | Manufacturing method of electric charge transferring devices | |
EP0420764B1 (en) | Charge transfer device with meander channel | |
JP2003332358A (ja) | 電荷転送素子及びその製造方法 | |
KR100259084B1 (ko) | 고체촬상소자및이의제조방법 | |
KR100311490B1 (ko) | 고체촬상소자의제조방법 | |
KR0165326B1 (ko) | 전하전송소자 및 그 제조방법 | |
US6558985B2 (en) | Charge coupled device and method of fabricating the same | |
KR100359767B1 (ko) | 고체촬상소자의 제조 방법 | |
JPH03259570A (ja) | 電荷転送素子およびその製造方法 | |
JPH04207077A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JPH06296008A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JP2866329B2 (ja) | 固体撮像素子の構造 | |
JPH0412067B2 (ja) | ||
JPH11168206A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2910648B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
KR19990000437A (ko) | 고체촬상소자 및 이의 제조방법 | |
JP3076415B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP2000236082A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JPS62190754A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPS63302553A (ja) | 電荷転送装置の製造方法 | |
JPH04207075A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
KR20010003830A (ko) | 고체 촬상 소자 및 그 제조방법 | |
JPH0266949A (ja) | 電荷転送素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080611 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090611 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100611 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100611 Year of fee payment: 11 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100611 Year of fee payment: 11 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100611 Year of fee payment: 11 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100611 Year of fee payment: 11 |
|
S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100611 Year of fee payment: 11 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100611 Year of fee payment: 11 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110611 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110611 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120611 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120611 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 14 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |